JPH02125416A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
- Publication number
- JPH02125416A JPH02125416A JP63278852A JP27885288A JPH02125416A JP H02125416 A JPH02125416 A JP H02125416A JP 63278852 A JP63278852 A JP 63278852A JP 27885288 A JP27885288 A JP 27885288A JP H02125416 A JPH02125416 A JP H02125416A
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- JP
- Japan
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- substrate
- pin
- resist
- metal film
- mask substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光装置に関する。
従来、電子ビーム露光装置のカセットに保持されるマス
ク基板と電子ビーム露光装置とを電気的に導通させる方
法としては、カセットに固定された導通用ピンを板バネ
等を使用して、機械的にマスク基板を構成する被露光媒
体である電子ビームレジスト膜を貫通させ、その下のC
r等の金属膜に接触させるという方法が用いられていた
。
ク基板と電子ビーム露光装置とを電気的に導通させる方
法としては、カセットに固定された導通用ピンを板バネ
等を使用して、機械的にマスク基板を構成する被露光媒
体である電子ビームレジスト膜を貫通させ、その下のC
r等の金属膜に接触させるという方法が用いられていた
。
上述した従来の機械的な導通方法では、導通用ピンをお
し当てる強さが不足した場合、電子ビームレジスト膜を
完全に貫通させることができないため、マスク基板が電
子ビームによりチャージアップし、描画精度が低下する
という欠点がある。
し当てる強さが不足した場合、電子ビームレジスト膜を
完全に貫通させることができないため、マスク基板が電
子ビームによりチャージアップし、描画精度が低下する
という欠点がある。
また、導通を完全にとるために導通用ピンをおし当てる
強さを増すと、マスク基板に大きな応力が加わり、たわ
み等が発生するために描画精度は低下するという欠点も
あった。
強さを増すと、マスク基板に大きな応力が加わり、たわ
み等が発生するために描画精度は低下するという欠点も
あった。
本発明の電子ビーム露光装置は、真空チャンバー内に設
けられたカセットと、前記カセットに固定され該カセッ
トに保持されるマスク基板の金属膜に接触させるための
導通用ピンと、前記金属膜に接触し該金属膜と金属膜上
の被露光媒体に接する前記導通用ピンとの間に電圧を印
加するための高電圧印加用電極とを含んで構成される。
けられたカセットと、前記カセットに固定され該カセッ
トに保持されるマスク基板の金属膜に接触させるための
導通用ピンと、前記金属膜に接触し該金属膜と金属膜上
の被露光媒体に接する前記導通用ピンとの間に電圧を印
加するための高電圧印加用電極とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図において、真空チャンバー(図示せず)にはカセ
ット6が設けられており、このカセット6には板バネ4
に連結された導通用ピン5が固定されている。更に真空
チャンバー内には高電圧印加用電極8が設けられている
。以下その機能について説明する。
ット6が設けられており、このカセット6には板バネ4
に連結された導通用ピン5が固定されている。更に真空
チャンバー内には高電圧印加用電極8が設けられている
。以下その機能について説明する。
石英やガラス等からなる透明基板3上にCr等からなる
金属膜2と電子ビームレジスト1とが形成されたマスク
基板7をカセット6にセットする。この時、マスク基板
7のパターン形成領域外には、導通用ピン5が電子ビー
ムレジスト1に板バネ4で押えられて接触する0次で、
高電圧印加用電極8の先端を、電子ビームレジスト1を
貫通できる強い力により金属膜2に接触させ、高電圧(
数百〜数千ボルト)を印加し、電子ビームレジスト1を
絶縁破壊させ、導通用ピン5と金属膜2とを完全に導通
させる。そしてマスク基板7上にパターン描画を行う時
は、この高電圧印加用電極8をマスク基板7上から取り
除く。
金属膜2と電子ビームレジスト1とが形成されたマスク
基板7をカセット6にセットする。この時、マスク基板
7のパターン形成領域外には、導通用ピン5が電子ビー
ムレジスト1に板バネ4で押えられて接触する0次で、
高電圧印加用電極8の先端を、電子ビームレジスト1を
貫通できる強い力により金属膜2に接触させ、高電圧(
数百〜数千ボルト)を印加し、電子ビームレジスト1を
絶縁破壊させ、導通用ピン5と金属膜2とを完全に導通
させる。そしてマスク基板7上にパターン描画を行う時
は、この高電圧印加用電極8をマスク基板7上から取り
除く。
このように本実施例によれば、高電圧印加用電極8によ
る電圧印加により、導通用ピン5と金属膜2とを容易に
導通させることができるため、従来のように導通用ピン
5に強い力を加える必要がなくなる。従って、マスク基
板7にたわみ等は発生することはなくなり、描画精度は
向上したものとなる。また、強い力により金属膜2に接
触する高電圧印加用電極8は、描画時には取り除かれる
ので、描画精度を悪化させるということはない。
る電圧印加により、導通用ピン5と金属膜2とを容易に
導通させることができるため、従来のように導通用ピン
5に強い力を加える必要がなくなる。従って、マスク基
板7にたわみ等は発生することはなくなり、描画精度は
向上したものとなる。また、強い力により金属膜2に接
触する高電圧印加用電極8は、描画時には取り除かれる
ので、描画精度を悪化させるということはない。
以上説明したように本発明は、高電圧印加用電極を真空
チャンバー内に設け、この高電圧印加用電極をマクス基
板の金属膜に接触させて電圧を印加し被露光媒体を絶縁
破壊させるということにより、マスク基板と電子ビーム
露光装置本体との電気的導通を完全にとる事ができる。
チャンバー内に設け、この高電圧印加用電極をマクス基
板の金属膜に接触させて電圧を印加し被露光媒体を絶縁
破壊させるということにより、マスク基板と電子ビーム
露光装置本体との電気的導通を完全にとる事ができる。
従って、チャージアップや応力によりマスク基板に発生
するたわみ等をなくすことができるため、描画精度を向
上させることができるという効果がある。
するたわみ等をなくすことができるため、描画精度を向
上させることができるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
1・・・電子ビームレジスト、2・・・金属膜、3・・
・透明基板、4・・・板バネ、5・・・導通用ピン、6
・・・カセット、7・・・マスク基板、8・・・高電圧
印加用電極。
・透明基板、4・・・板バネ、5・・・導通用ピン、6
・・・カセット、7・・・マスク基板、8・・・高電圧
印加用電極。
Claims (1)
- 真空チャンバー内に設けられたカセットと、前記カセッ
トに固定され該カセットに保持されるマスク基板の金属
膜に接触させるための導通用ピンと、前記金属膜に接触
し該金属膜と金属膜上の被露光媒体に接する前記導通用
ピンとの間に電圧を印加するための高電圧印加用電極と
を含むことを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63278852A JPH02125416A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63278852A JPH02125416A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02125416A true JPH02125416A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17603040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63278852A Pending JPH02125416A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02125416A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999047977A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Haltevorrichtung für photoblanks |
WO2000030146A1 (de) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Verfahren und anordnung zur belichtung eines substrates |
US6146794A (en) * | 1997-08-22 | 2000-11-14 | Nec Corporation | Electron beam antistatic method using conductive pins for charge disipation |
JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2010067781A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスク |
JP2010074046A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63278852A patent/JPH02125416A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6146794A (en) * | 1997-08-22 | 2000-11-14 | Nec Corporation | Electron beam antistatic method using conductive pins for charge disipation |
WO1999047977A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Haltevorrichtung für photoblanks |
US6972832B1 (en) | 1998-03-13 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Method of grounding a photoblank to a holding device |
WO2000030146A1 (de) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Verfahren und anordnung zur belichtung eines substrates |
JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2010067781A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスク |
JP2010074046A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
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