JPH03263814A - 試料導通をとる方法 - Google Patents
試料導通をとる方法Info
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- JPH03263814A JPH03263814A JP6324190A JP6324190A JPH03263814A JP H03263814 A JPH03263814 A JP H03263814A JP 6324190 A JP6324190 A JP 6324190A JP 6324190 A JP6324190 A JP 6324190A JP H03263814 A JPH03263814 A JP H03263814A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷電ビーム描画装置において試料の導通をと
る方法に関するものである。
る方法に関するものである。
従来の技術
近年、荷電ビーム装置は半導体素子のパターン形成、フ
ォトマスクのパターン形成に用いられている。以下に従
来の荷電ビーム描画装置の試料の導通をとる方法につい
て説明する。
ォトマスクのパターン形成に用いられている。以下に従
来の荷電ビーム描画装置の試料の導通をとる方法につい
て説明する。
第３図（ａ）および（ｂ）は従来の試料の導通をとる方
法を示す平面図および同平面図中のＡ−Ａ’断面図であ
り、第４図は導通ピンが試料に接する部分を拡大したも
のである。第３図において、１は試料ホルダー、２はマ
スクブランクス、３は上面規制板、４は導通ピン、５は
試料保持用バネである。第４図において、６はマスクブ
ランクス、７はクロム膜、８はレジスト、９は導通ピン
である。
法を示す平面図および同平面図中のＡ−Ａ’断面図であ
り、第４図は導通ピンが試料に接する部分を拡大したも
のである。第３図において、１は試料ホルダー、２はマ
スクブランクス、３は上面規制板、４は導通ピン、５は
試料保持用バネである。第４図において、６はマスクブ
ランクス、７はクロム膜、８はレジスト、９は導通ピン
である。
以上のように構成された方法について以下その動作につ
いて説明する。
いて説明する。
マスクブランクス（ａ）は固定のため通常試料ホルダー
に装着される。荷電ビームにて描画する場合、試料とホ
ルダーとの導通をとらなければ、チャージアップの影響
で精度よくパターンを形成することは難しい。このため
、通常、ホルダー（アルミ、チタン製）とマスクブラン
クス上のクロム膜との間で導通ピンくリン青銅、タンタ
ル製）にて導通をとっている。
に装着される。荷電ビームにて描画する場合、試料とホ
ルダーとの導通をとらなければ、チャージアップの影響
で精度よくパターンを形成することは難しい。このため
、通常、ホルダー（アルミ、チタン製）とマスクブラン
クス上のクロム膜との間で導通ピンくリン青銅、タンタ
ル製）にて導通をとっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、導通ピンをクロム
膜に接するとき、その上面のレジスト層が導通を阻害す
る。確実に導通をとるため、ピンの先端を細く尖らせレ
ジストを突き破るようにしている。しかしピンの先端は
ブランクスが石英で硬いため、使用しているうちに先端
が丸くなり、レジストを破れなくなり導通がとれなくな
るという欠点を有していた。導通ピンの部分だけあらか
じめレジストを除去する方法もとられるが、工程数が増
えるという欠点がある。
膜に接するとき、その上面のレジスト層が導通を阻害す
る。確実に導通をとるため、ピンの先端を細く尖らせレ
ジストを突き破るようにしている。しかしピンの先端は
ブランクスが石英で硬いため、使用しているうちに先端
が丸くなり、レジストを破れなくなり導通がとれなくな
るという欠点を有していた。導通ピンの部分だけあらか
じめレジストを除去する方法もとられるが、工程数が増
えるという欠点がある。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、確実にし
かも劣化することなく導通を保証することを目的とする
。
かも劣化することなく導通を保証することを目的とする
。
課題を解決するための手段
この目的を解決するために本発明の導通をとる方法は、
導通ピンが回転する機構を有している。
導通ピンが回転する機構を有している。
作用
この構成によって、劣化することなく確実に導通をとる
ことができる。
ことができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図、第２図は本発明の実施例における導通
をとる方法を示すものである。第１図において、１０は
マスクブランクス、１１はクロム膜、１２はレジスト、
１３は導通ピンである。
明する。第１図、第２図は本発明の実施例における導通
をとる方法を示すものである。第１図において、１０は
マスクブランクス、１１はクロム膜、１２はレジスト、
１３は導通ピンである。
第２図において、１４はマスクブランクス、１５はクロ
ム膜、１６はレジスト、１７は導通ピンの回転部、１８
は導通ピンの固定部、１９は試料押さえ方向、２０は導
通ピン回転方向である。
ム膜、１６はレジスト、１７は導通ピンの回転部、１８
は導通ピンの固定部、１９は試料押さえ方向、２０は導
通ピン回転方向である。
以上のように構成された導通確保の方法について、以下
その動作を説明する。
その動作を説明する。
導通ピン１３は太くし、そして接触面積が大きくなるよ
うに先端を丸くする。第１図の状態から第２図のように
試料は１９方向に押さえられる。
うに先端を丸くする。第１図の状態から第２図のように
試料は１９方向に押さえられる。
この時、導通ピン１７．１８はそれぞれ回転部。
固定部であり、ブランクス１４を通じて受ける力によっ
て回転部１７が２０方向に回転力を受ける。回転角度は
、回転部１７と固定部１８の接触面の作り方により決ま
る。回転力を受けた導通ピンは、柔らかいレジスト部分
１６を排除してクロム膜１５と接触し、ホルダーと試料
との導通をとることか可能になる。導通ピンは丸く仕上
げであるので接触により形状が崩れることはなく安定し
た導通状態を確保できる。また従来方法にくらベピンと
クロム膜の接触面積を大きくとれるので接触抵抗も低く
なり位置精度の高い描画が可能となる。導通ピンとして
硬度の低い金属材料でもよく、従来のようにマスクブラ
ンクスにピンのキズがつくこともない。
て回転部１７が２０方向に回転力を受ける。回転角度は
、回転部１７と固定部１８の接触面の作り方により決ま
る。回転力を受けた導通ピンは、柔らかいレジスト部分
１６を排除してクロム膜１５と接触し、ホルダーと試料
との導通をとることか可能になる。導通ピンは丸く仕上
げであるので接触により形状が崩れることはなく安定し
た導通状態を確保できる。また従来方法にくらベピンと
クロム膜の接触面積を大きくとれるので接触抵抗も低く
なり位置精度の高い描画が可能となる。導通ピンとして
硬度の低い金属材料でもよく、従来のようにマスクブラ
ンクスにピンのキズがつくこともない。
発明の効果
以上のように本発明は、導通ピンに回転機構を設けるこ
とにより、容易にしかも安定に試料の導通を確保するこ
とを可能とする。
とにより、容易にしかも安定に試料の導通を確保するこ
とを可能とする。
第１図、第２図は本発明の導通をとる方法の実施例を示
す要部拡大断面図、第３図は従来例を説明するための要
部平面図および断面図、第４図は従来例を示す要部拡大
断面図である。 １０・・・・：・マスクブランクス、１１・・・・・・
クロム膜、１２・・・・・・レジスト、１３・・・・・
・導通ピン、１４・・・・・・マスクブランクス、１５
・・・・・・クロム膜、１６・・・・・・レジスト、１
７・・・・・・導通ピン（回転部）、１８・・・・・・
導通ピン（固定部）、１９・・・・・・試料押さえ方法
、２０・・・・・・導通ピン回転方向。
す要部拡大断面図、第３図は従来例を説明するための要
部平面図および断面図、第４図は従来例を示す要部拡大
断面図である。 １０・・・・：・マスクブランクス、１１・・・・・・
クロム膜、１２・・・・・・レジスト、１３・・・・・
・導通ピン、１４・・・・・・マスクブランクス、１５
・・・・・・クロム膜、１６・・・・・・レジスト、１
７・・・・・・導通ピン（回転部）、１８・・・・・・
導通ピン（固定部）、１９・・・・・・試料押さえ方法
、２０・・・・・・導通ピン回転方向。
Claims (1)
- （１）試料をホルダーに固定する工程と、前記試料上に
先端が丸い形状の円柱形の導通ピンを押し当てる工程と
、前記導通ピンを押し当てながら前記導通ピンと前記試
料が接した点を支点に回転することを特徴とする試料導
通をとる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6324190A JPH03263814A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 試料導通をとる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6324190A JPH03263814A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 試料導通をとる方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263814A true JPH03263814A (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13223535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6324190A Pending JPH03263814A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 試料導通をとる方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999047977A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Haltevorrichtung für photoblanks |
| WO2000030146A1 (de) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Verfahren und anordnung zur belichtung eines substrates |
| JP2009124081A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Sii Nanotechnology Inc | ウエハアース機構及び試料作製装置 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP6324190A patent/JPH03263814A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999047977A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Haltevorrichtung für photoblanks |
| US6972832B1 (en) | 1998-03-13 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Method of grounding a photoblank to a holding device |
| WO2000030146A1 (de) * | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Verfahren und anordnung zur belichtung eines substrates |
| JP2009124081A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Sii Nanotechnology Inc | ウエハアース機構及び試料作製装置 |
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