JP2007266362A - 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

【目的】より基板に付着するパーティクル量を低減させるアース機構およびかかる機構を搭載した装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の基板のアース機構２１０は、パターンが描画される基板１０１と基板１０１の描画領域外で接触し、かかる基板１０１と導通するブレード２１４と、基板１０１の端面と平行して延び、かかる基板１０１が上昇することでブレード２１４を基板１０１の端面と平行する方向に移動可能に支持する板ばね２１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板１０１に付着するパーティクル量を低減させることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビームを用いて描画される基板のアース機構及び描画装置に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図１５は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。

ここで、電子ビーム描画装置でマスク基板等の試料が描画されていくと、かかる試料面に形成された層を構成する材料、例えば、クロム（Ｃｒ）を用いた遮光膜層が帯電してしまう。かかる状態のまま描画を行なうとかかる帯電による電荷の影響により描画するために照射された電子ビームの軌道が曲げられてしまい、所望する位置に描画することができなくなってしまうといった問題が生じる。或いは、ビームがぼけてしまうといった問題が生じる。そこで、通常、かかる帯電した層を接地して、アースすることが行なわれる（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−０３２９６３号公報

上述したように、電子ビーム描画装置では、帯電したマスク基板等に接地してアースすることにより描画精度の向上を図っている。ここで、かかるアース機構の一例としては、接点部となる刃先のついたブレードやピンを基板表面に押し付け、基板表面に塗布されたレジスト膜を削って、その下に位置する帯電層に接地させている。

図１６は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図１７は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
従来のアース機構５１０では、基板１０１の中央部、すなわち描画領域に向かって延びる板ばね５１６の先端部に基板の中央部、すなわち描画領域に向かって延びる２５°の接触角に形成され刃先のついたブレード５１４を設置して、下方から基板１０１を上昇させることでブレードに試料となる基板１０１を押し付けて、さらに、基板１０１を上昇させることで板ばね５１６の弾性力で基板表面のレジスト材を切り込んでいた。そして、レジスト材の下に形成された帯電層となるＣｒ層に接地して導通させていた。そして、ブレード５１４とレジストが接触する時点での接触位置と板ばね５１６とのオフセット量ｄとして、２ｍｍに設定していた。また、かかるブレード５１４は板ばね５１６の幅方向の端部（中心からδの位置）に取り付けていた。かかるような構成でＣｒ層に接地させると、レジスト材を削るためにパーティクルが発生し、かかるパーティクルが描画された基板に付着してしまうといった問題があった。

図１８は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。
図１８に示すように、基板の描画領域に多数のパーティクルが付着している様子がわかる。

図１９は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。
図１９に示すように、従来のアース機構で接地していく場合、１つのアース箇所では１つのブレードでレジスト材を切り込んでいるのにも拘らず、複数（ここでは、２つ）のブレード痕が残っていることがわかる。ブレード痕が複数形成されるということは、その分だけ削られるレジスト材の量も増えていることが想定される。

以上のように、帯電した層を接地するためには、上層のレジスト材を削って、その下の帯電層に接地しなければならないが、その場合でもできるだけ基板に付着するパーティクル量を低減することが求められている。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、より基板に付着するパーティクル量を低減させるアース機構およびかかる機構を搭載した装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の基板のアース機構は、
パターンが描画される基板と基板の描画領域外で接触し、かかる基板と導通する接点部と、
基板の端面と平行して延び、かかる基板が上昇することで接点部を基板の端面と平行する方向に移動可能に支持する支持部と、
を備えたことを特徴とする。

接点部を基板の端面と平行する方向に移動可能に支持することで、接点部が基板と接触してから導通するまでに移動する方向を基板の端面と平行する方向にさせることができる。その結果、接点部が移動することによりパーティクルが発生したとしてもパーティクルの飛散する方向を基板の端面と平行する方向、すなわち、描画領域とは異なる方向に向けることができる。また、接点部は基板の描画領域外で接触し、かかる基板と導通するように構成するため、パーティクルが発生したとしても基板の描画領域外で発生させることができる。よって、パーティクルが発生したとしてもパーティクルを基板の描画領域内に飛散させないようにすることができる。

そして、かかる支持部は、基板の端面と平行して延びる揺動自在な揺動部材と、基板の端面と平行して延びる弾性変形可能な板ばね部材とのうち少なくとも１つを有していることを特徴とする。

揺動部材を用いる場合には、揺動部材が基板の端面と平行して延びるため基板の端面と平行する方向に接点部を揺動させることができる。よって、接点部を基板の端面と平行する方向に移動可能に支持することができる。また、板ばね部材を用いる場合には、板ばね部材が基板の端面と平行して延びるため板ばね部材が弾性変形した際に基板の端面と平行する方向に接点部を移動させることができる。そして、板ばね部材の弾性力を接点部に付勢することができる。また、揺動部材と板ばね部材とを併用する場合には、基板の端面と平行する方向に接点部を揺動させることができると共に、板ばね部材の弾性力を接点部に付勢することができる。

また、接点部は、円弧形状に形成され、円弧面が基板の端面と平行して配置された刃先を有していることを特徴とする。

かかる構成により、円弧形状の刃先が基板の端面と平行して基板を切り込んでいくことができる。その結果、切り込み方向が基板の端面と平行する方向、すなわち、描画領域とは異なる方向になるため、パーティクルの飛散する方向を描画領域とは異なる方向に向けることができる。

或いは、接点部は、円形形状に形成され、円形面が基板の端面と平行して配置され、基板上を転がる刃先を有していても好適である。

刃先が基板上を転がることにより、刃先が基板を切り込んでいく際に基板上を引きずらないようにすることができる。その結果、パーティクルの発生量を低減させることができる。さらに、円形形状の刃先の刃面が基板の端面と平行して配置されることで、刃先を基板の端面と平行する方向、すなわち、描画領域とは異なる方向に転がるようにさせることができる。その結果、たとえパーティクルが発生したとしてもパーティクルの飛散する方向を基板の端面と平行する方向、すなわち、描画領域とは異なる方向に向けることができる。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを用いてパターンが描画される基板を昇降可能に載置するステージと、
かかる基板が上昇することで基板と基板の描画領域外で接触し、かかる基板と導通する接点部と、
基板の端面と平行して延び、基板が上昇することで接点部を基板の端面と平行する方向に移動可能に支持する支持部と、
を備えたことを特徴とする。

かかる構成により、上述したように、パーティクルが発生したとしても基板の描画領域外で発生させることができる。そして、接点部が基板と接触してから導通するまでに移動する方向を基板の端面と平行する方向にさせることができるので、パーティクルが発生したとしてもパーティクルの飛散する方向を描画領域とは異なる方向に向けることができる。よって、パーティクルが発生したとしてもパーティクルを基板の描画領域内に飛散させないようにすることができる。

本発明の一態様によれば、パーティクルの飛散する方向を描画領域とは異なる方向に向けることができる。よって、パーティクルが発生したとしてもパーティクルを基板の描画領域内に飛散させないようにすることができる。その結果、基板に付着するパーティクル量を低減させることができる。

以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、荷電粒子ビーム描画装置の一例として可変成形型電子線描画装置である描画装置１００は、電子鏡筒１０２、描画室１０３、ＸＹステージ１０５、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、アース機構２１０を備えている。そして、アース機構２１０は、ブレード２１４（接点部、或いは電極の一例）、板ばね２１６（板ばね部、支持部の一例）、固定部材２１２、固定部材２１８を備えている。

そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８が配置されている。描画室１０３には、アース機構２１０、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５には、基板１０１を昇降可能に支持する支持ピン１０６が配置され、支持ピン１０６上に試料となる基板１０１が配置されている。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。

電子銃２０１から照射された荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により集光され、矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料となる基板１０１の所望する位置に照射される。

また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。

図２は、実施の形態１におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図３は、実施の形態１におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
板ばね２１６は、固定部材２１２と固定部材２１８とを介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、板ばね２１６は、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。そして、板ばね２１６の先端部には例えば円弧形状に形成された刃先のついたブレード２１４が接続される。ブレード２１４は、板ばね２１６の幅方向の略中心位置に配置されている。また、ブレード２１４は、基板１０１の描画領域１０の外側に位置する描画領域外１２上に配置されている。そして、ブレード２１４の円弧状の刃面は、基板１０１の端面と平行する方向に配置されている。

図４は、実施の形態１における基板の一例を示す図である。
ここでは、基板１０１として、マスク基板を用いる場合について説明する。マスク基板は、１辺がＬ、例えば１５２ｍｍ角の基板を用いる。そして、基板の１辺に２つのアース機構２１０が配置されることになる。マスク基板は、前後左右にＬ_１の寸法を空けて、その内側（Ｌ_２×Ｌ_２）の領域が描画領域１０となる。ここでは、例えば、Ｌ_１＝６ｍｍ、Ｌ_２＝１４０ｍｍをとる。すなわち、基板の端から６ｍｍの位置と基板の端から１４６ｍｍの位置との間が描画領域１０となる。

図５は、実施の形態１におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
図５では、電子ビームで描画される基板１０１の一例として、ガラス基板２０上に、遮光膜となるクロム（Ｃｒ）膜２２が形成され、その上にレジスト膜２４が形成されている基板を示している。そして、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６が光軸方向（Ｚ方向）に上昇することでブレード２１４が基板と接触する。図５では、ブレード２１４が、基板との接触開始位置となるレジスト膜２４と接触点Ｐで接触した様子を示している。ここでは、まだ、板ばね２１６が弾性変形していない状態となる。

図６は、実施の形態１におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
図５に示した状態からさらに支持ピン１０６をＺ方向に上昇（リフトアップ）させると、ブレード２１４が、持ち上げられ、板ばね２１６が弾性変形する。そして、図６に示すように、板ばね２１６の弾性力でブレード２１４がレジスト膜２４を切り込みながら下層のＣｒ膜２２と接触して導通する。ここでは図示していないが、Ｃｒ膜２２の表面にＣｒ酸化膜（ＣｒＯｘ）の層が形成されている場合には、かかるＣｒ酸化膜も切り込んでいく。Ｃｒ膜２２と接触して導通することで、ブレード２１４が接点となってアース（地絡）させることができる。その結果、Ｃｒ膜２２に帯電した電荷を逃がすことができる。ここで、ブレード２１４がレジスト膜２４を切り込む際、ブレード２１４が引きずられることになる。図６では、接触開始点Ｐから接触位置が引きずられることで移動し、導通される位置では、点Ｑが接触点となる。かかる引きずりによりパーティクルが発生してしまうことになる。

しかしながら、本実施の形態１では、ブレード２１４の円弧状の刃面が基板１０１の端面と平行する方向に配置され、なおかつ、板ばね２１６がブレード２１４を基板１０１の端面と平行する方向に移動可能に支持することによりブレード２１４の移動方向も基板１０１の端面と平行する方向に向けられているので、円弧形状の刃先が基板１０１の端面と平行して基板を切り込んでいくことができる。その結果、切り込み方向が基板１０１の端面と平行する方向、すなわち、描画領域１０とは異なる方向になるため、パーティクルの飛散する方向を描画領域１０とは異なる方向に向けることができる。また、ブレード２１４は基板の描画領域外１２で接触し、かかる基板１０１と導通するように構成するため、パーティクルが発生したとしても基板の描画領域外１２で発生させることができる。よって、パーティクルが発生したとしてもパーティクルを基板１０１の描画領域１０内に飛散させないようにすることができる。

ここで、ブレード２１４の刃先の形状は、円弧状と記載しているが、真円に限らず、凸になだからな曲面であればよい。曲面にすることで、ブレード２１４が引きずられる際に、角部で生じ易い基板１０１との無用な引っかかりを無くすことができ、その分のパーティクル発生を抑制することができる。

実施の形態２．
図７は、実施の形態２におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図８は、実施の形態２におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
実施の形態１では、ブレード２１４の刃先を円弧形状としたが、これに限るものではなく、実施の形態２では、円盤状の回転する刃先を持ったブレード２２４を使用する。実施の形態１と同様、板ばね２１６は、固定部材２１２と固定部材２１８とを介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、板ばね２１６は、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。そして、板ばね２１６の先端部には例えば円形形状に形成された刃先のついたブレード２２４が接続される。ブレード２２４は、板ばね２１６の幅方向の略中心位置に配置されている。また、ブレード２２４は、基板１０１の描画領域１０の外側に位置する描画領域外１２上に配置されている。そして、ブレード２２４の円形形状の刃面は、基板１０１の端面と平行する方向に配置されている。また、ブレード２２４は、軸２２６を回転軸として回転可能に板ばね２１６に接続されている。そして、図８に示すように、電子ビームで描画される基板１０１の一例として、ガラス基板２０上に、遮光膜となるクロム（Ｃｒ）膜２２が形成され、その上にレジスト膜２４が形成されている基板を示している。そして、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６が光軸方向（Ｚ方向）に上昇することでブレード２２４が基板と接触する。図８では、ブレード２２４が、基板との接触開始位置となるレジスト膜２４と接触点Ｐで接触した様子を示している。ここでは、まだ、板ばね２１６が弾性変形していない状態となる。

図９は、実施の形態２におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
図８に示した状態からさらに支持ピン１０６をＺ方向に上昇（リフトアップ）させると、ブレード２２４が、持ち上げられ、板ばね２１６が弾性変形する。そして、図９に示すように、板ばね２１６の弾性力でブレード２２４が基板１０１上を転がりながらレジスト膜２４を切り込んでいき下層のＣｒ膜２２と接触して導通する。ここでは図示していないが、Ｃｒ膜２２の表面にＣｒ酸化膜（ＣｒＯｘ）の層が形成されている場合には、かかるＣｒ酸化膜も切り込んでいく。Ｃｒ膜２２と接触して導通することで、ブレード２２４が接点となってアース（地絡）させることができる。その結果、Ｃｒ膜２２に帯電した電荷を逃がすことができる。ここで、ブレード２２４がレジスト膜２４を切り込む際、ブレード２２４が転がることで引きずりを防止することができる。図９では、接触開始点Ｐから接触位置が転がることで移動し、導通される位置では、点Ｑが接触点となる。このように引きずりを防止することによりパーティクルの発生量を低減することができる。

実施の形態２では、ブレード２２４の円形状の刃面が基板１０１の端面と平行する方向に配置され、なおかつ、ブレード２２４の移動方向も基板１０１の端面と平行する方向に向けられているので、円形状の刃先が基板１０１の端面と平行して基板１０１を転がりながら切り込んでいくことができる。その結果、切り込み方向が基板１０１の端面と平行する方向、すなわち、描画領域１０とは異なる方向になるため、パーティクルの飛散する方向を描画領域１０とは異なる方向に向けることができる。また、ブレード２２４は基板の描画領域外１２で接触し、かかる基板１０１と導通するように構成するため、パーティクルが発生したとしても基板の描画領域外１２で発生させることができる。よって、パーティクルが発生したとしてもパーティクルを基板１０１の描画領域１０内に飛散させないようにすることができる。

実施の形態３．
上述した実施の形態１，２では、板ばね２１６でブレードを支持していたが、これに限るものではなく、揺動部材を用いて支持しても構わない。

図１０は、実施の形態３におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図１１は、実施の形態３におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
揺動部材２３０は、回転中心２３４を軸に揺動自在に配置され、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。そして、固定部材２１２と固定部材２１８を介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、揺動部材２３０の先端部には、円弧形状に形成された刃先のついたブレード２１４が固定部材２３２を介して接続される。ブレード２１４は、基板１０１の描画領域１０の外側に位置する描画領域外１２上に配置されている。そして、ブレード２１４の円弧状の刃面は、基板１０１の端面と平行する方向に配置されている。

そして、ここでは、ブレード２１４が持ち上げられ、揺動部材２３０が揺動する際、固定部材２３２が板ばね２１６も同時に持ち上げ、弾性変形させるように配置している。そして、板ばね２１６も固定部材２１２と固定部材２１８とを介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、板ばね２１６は、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。

図１１では、電子ビームで描画される基板１０１の一例として、ガラス基板２０上に、遮光膜となるクロム（Ｃｒ）膜２２が形成され、その上にレジスト膜２４が形成されている基板を示している。そして、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６が光軸方向（Ｚ方向）に上昇することでブレード２１４が基板と接触する。図１１では、ブレード２１４が、基板との接触開始位置となるレジスト膜２４と接触点Ｐで接触した様子を示している。

図１２は、実施の形態３におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
図１１に示した状態からさらに支持ピン１０６をＺ方向に上昇（リフトアップ）させると、ブレード２１４が、持ち上げられ、揺動部材２３０が揺動する。そして、図１２に示すように、板ばね２１６の弾性力が付勢され、揺動部材２３０が元の位置に戻ろうとすることでブレード２１４がレジスト膜２４を切り込みながら下層のＣｒ膜２２と接触して導通する。ここでは、板ばね２１６の弾性力が付勢されているが、板ばね２１６を用いずに例えば自重でブレード２１４がレジスト膜２４を切り込みながら下層のＣｒ膜２２と接触して導通するようにしても構わない。また、揺動部材２３０は、板や棒状部材で構成され、基板１０１により押し上げられた際、板や棒状部材の根元を軸として回転し、基板１０１にある程度付勢できる構造であればよい。例えば、板や棒状部材の根元にゼンマイを取り付け、ゼンマイの反発力で基板１０１をブレード２１４等で付勢してもよい。

その他は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。

実施の形態４．
実施の形態４では、実施の形態３におけるブレード２１４の代わりに、回転して基板１０１上を転がる実施の形態２におけるブレード２２４を用いてもよい。

図１３は、実施の形態４におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
揺動部材２３０は、回転中心２３４を軸に揺動自在に配置され、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。そして、固定部材２１２と固定部材２１８を介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、揺動部材２３０の先端部には、例えば円形形状に形成された刃先のついたブレード２２４が固定部材２３２を介して接続される。ブレード２２４は、基板１０１の描画領域１０の外側に位置する描画領域外１２上に配置されている。そして、ブレード２２４の円形状の刃面は、基板１０１の端面と平行する方向に配置されている。

そして、ここでは、ブレード２２４が持ち上げられ、揺動部材２３０が揺動する際、固定部材２３２が板ばね２１６も同時に持ち上げ、弾性変形させるように配置している。そして、板ばね２１６も固定部材２１２と固定部材２１８とを介してＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、板ばね２１６は、試料となる基板１０１の端面と平行する方向に向かって基板面と平行に延びている。

図１３では、電子ビームで描画される基板１０１の一例として、ガラス基板２０上に、遮光膜となるクロム（Ｃｒ）膜２２が形成され、その上にレジスト膜２４が形成されている基板を示している。そして、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６が光軸方向（Ｚ方向）に上昇することでブレード２２４が基板と接触する。図１３では、ブレード２２４が、基板との接触開始位置となるレジスト膜２４と接触点Ｐで接触した様子を示している。

図１４は、実施の形態４におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
図１３に示した状態からさらに支持ピン１０６をＺ方向に上昇（リフトアップ）させると、ブレード２２４が、持ち上げられ、ブレード２２４が軸２２６を回転軸にして回転しながら揺動部材２３０が揺動する。そして、図１４に示すように、板ばね２１６の弾性力が付勢され、揺動部材２３０が元の位置に戻ろうとすることでブレード２２４がレジスト膜２４を回転しながら切り込んでいき下層のＣｒ膜２２と接触して導通する。ここでは、板ばね２１６の弾性力が付勢されているが、板ばね２１６を用いずに例えば自重でブレード２２４がレジスト膜２４を切り込みながら下層のＣｒ膜２２と接触して導通するようにしても構わない。また、揺動部材２３０は、板や棒状部材で構成され、基板１０１により押し上げられた際、板や棒状部材の根元を軸として回転し、基板１０１にある程度付勢できる構造であればよい。例えば、板や棒状部材の根元にゼンマイを取り付け、ゼンマイの反発力で基板１０１をブレード２２４等で付勢してもよい。

その他は、実施の形態２，３と同様であるため、説明を省略する。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、基板面と所定の隙間ｔを空けた状態でブレード２１４やブレード２２４を覆うカバーを取り付けても好適である。カバーを取り付けることでパーティクルの飛散を防止或いは更なる低減をすることができる。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての基板のアース機構、荷電粒子ビーム描画装置、及びは、荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。 実施の形態１におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。 実施の形態１における基板の一例を示す図である。 実施の形態１におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。 実施の形態１におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。 実施の形態２におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。 実施の形態２におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。 実施の形態２におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。 実施の形態３におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。 実施の形態３におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。 実施の形態３におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。 実施の形態４におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。 実施の形態４におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。 従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。 従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。 従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。 従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。

符号の説明

１０ 描画領域
１２ 描画領域外
２０ ガラス基板
２２ Ｃｒ膜
２４ レジスト膜
１００ 描画装置
１０１ 基板
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０６ 支持ピン
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２１０，５１０ アース機構
２１４，２２４，５１４ ブレード
２１６，５１６ 板ばね
２１２，２１８，２３２ 固定部材
２２６ 軸
２３０ 揺動部材
２３４ 回転中心
３３０ 電子線
３４０ 試料
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (5)

1. パターンが描画される基板と前記基板の描画領域外で接触し、前記基板と導通する接点部と、
   前記基板の端面と平行して延び、前記基板が上昇することで前記接点部を前記基板の端面と平行する方向に移動可能に支持する支持部と、
   を備えたことを特徴とする基板のアース機構。
2. 前記支持部は、前記基板の端面と平行して延びる揺動自在な揺動部材と、前記基板の端面と平行して延びる弾性変形可能な板ばね部材とのうち少なくとも１つを有していることを特徴とする請求項１記載の基板のアース機構。
3. 前記接点部は、円弧形状に形成され、円弧面が前記基板の端面と平行して配置された刃先を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の基板のアース機構。
4. 前記接点部は、円形形状に形成され、円形面が前記基板の端面と平行して配置され、前記基板上を転がる刃先を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の基板のアース機構。
5. 荷電粒子ビームを用いてパターンが描画される基板を昇降可能に載置するステージと、
   前記基板が上昇することで前記基板と前記基板の描画領域外で接触し、前記基板と導通する接点部と、
   前記基板の端面と平行して延び、前記基板が上昇することで前記接点部を前記基板の端面と平行する方向に移動可能に支持する支持部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。