JPH09205050A - 電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法Info
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- JPH09205050A JPH09205050A JP1022196A JP1022196A JPH09205050A JP H09205050 A JPH09205050 A JP H09205050A JP 1022196 A JP1022196 A JP 1022196A JP 1022196 A JP1022196 A JP 1022196A JP H09205050 A JPH09205050 A JP H09205050A
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- Japan
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- electron beam
- stylus
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ビーム描画装置における試料帯電防止方
法として、比較的簡易で、且つ確実な、クロム薄膜への
アースの接続方法を提供する。 【解決手段】 本発明の電子ビーム描画装置における試
料帯電防止方法は、マスクブランク１のクロム薄膜２上
に電子線レジストを塗布した後、電子線を照射すること
によりパターン描画を行う際に、クロム薄膜２上のレジ
スト膜３の上から、二本の触針７、４を押付けて、その
内の第一の触針７をアース８に接続するとともに、第二
の触針４を、電気的に絶縁されたファラデイカップ５に
接続し、パターン描画に先立って、ファラデイカップ５
に電子ビームを入射させて、前記二本の触針７、４とク
ロム薄膜２との間に介在するレジスト膜３を絶縁破壊さ
せて、クロム薄膜３とアース８とを電気的に導通させ
る。
法として、比較的簡易で、且つ確実な、クロム薄膜への
アースの接続方法を提供する。 【解決手段】 本発明の電子ビーム描画装置における試
料帯電防止方法は、マスクブランク１のクロム薄膜２上
に電子線レジストを塗布した後、電子線を照射すること
によりパターン描画を行う際に、クロム薄膜２上のレジ
スト膜３の上から、二本の触針７、４を押付けて、その
内の第一の触針７をアース８に接続するとともに、第二
の触針４を、電気的に絶縁されたファラデイカップ５に
接続し、パターン描画に先立って、ファラデイカップ５
に電子ビームを入射させて、前記二本の触針７、４とク
ロム薄膜２との間に介在するレジスト膜３を絶縁破壊さ
せて、クロム薄膜３とアース８とを電気的に導通させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム描画装
置における試料帯電防止方法に係り、より具体的には、
リソグラフィプロセスに使用されるハードマスクを電子
ビーム描画装置を用いてマスクブランクから作成する
際、マスクブランクの金属薄膜上に塗布されたレジスト
膜を局部的に除去して、金属薄膜にアースを接触させる
方法に関する。
置における試料帯電防止方法に係り、より具体的には、
リソグラフィプロセスに使用されるハードマスクを電子
ビーム描画装置を用いてマスクブランクから作成する
際、マスクブランクの金属薄膜上に塗布されたレジスト
膜を局部的に除去して、金属薄膜にアースを接触させる
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置を用いてハードクロ
ムマスクを作成する際、パターン描画に先立って、マス
クブランクのクロム薄膜にアースを接続する必要があ
る。このため、従来、クロム薄膜上に塗布されているレ
ジスト膜を、一部において機械的に除去した後、その部
分に触針などを押し当て、アースを接続している。
ムマスクを作成する際、パターン描画に先立って、マス
クブランクのクロム薄膜にアースを接続する必要があ
る。このため、従来、クロム薄膜上に塗布されているレ
ジスト膜を、一部において機械的に除去した後、その部
分に触針などを押し当て、アースを接続している。
【０００３】具体的には、例えば、触針の先端を鋭くし
て押当てる方法、あるいは、硬質なナイフエッジでレジ
ストを削り落として、そのナイフエッジを押当てる方法
などが採用されている。
て押当てる方法、あるいは、硬質なナイフエッジでレジ
ストを削り落として、そのナイフエッジを押当てる方法
などが採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来方
法では、アースの接続について以下の様な問題があっ
た。即ち、触針の先端を鋭利にして押当てる方法では、
レジスト膜の硬度がかなり高いので、触針の先端部の摩
耗が早く、このために度々、触針を交換する必要があ
り、また、ナイフエッジを押当てる方法でも、同様に、
刃先の摩耗の問題があった。レジスト膜の除去が不完全
な場合には、アース機能が不十分となり、その状態でパ
ターン描画を行うと、クロム薄膜に帯電が発生して、描
画パターンの精度が劣化するという問題があり、更に、
レジストを削り落とす際の力が過大になると、クロム薄
膜が損傷されて、同様にアース機能が不十分となるとい
う問題があった。
法では、アースの接続について以下の様な問題があっ
た。即ち、触針の先端を鋭利にして押当てる方法では、
レジスト膜の硬度がかなり高いので、触針の先端部の摩
耗が早く、このために度々、触針を交換する必要があ
り、また、ナイフエッジを押当てる方法でも、同様に、
刃先の摩耗の問題があった。レジスト膜の除去が不完全
な場合には、アース機能が不十分となり、その状態でパ
ターン描画を行うと、クロム薄膜に帯電が発生して、描
画パターンの精度が劣化するという問題があり、更に、
レジストを削り落とす際の力が過大になると、クロム薄
膜が損傷されて、同様にアース機能が不十分となるとい
う問題があった。
【０００５】以上の様な状況に鑑み、本発明の目的は、
電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法として、
比較的簡易で、且つ確実な、クロム薄膜へのアースの接
続方法を提供することにある。
電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法として、
比較的簡易で、且つ確実な、クロム薄膜へのアースの接
続方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の電子ビーム描画
装置における試料帯電防止方法は、マスクブランクの金
属薄膜上に電子線レジストを塗布した後、電子線を照射
することによりパターン描画を行う際に、金属薄膜上の
レジスト膜の上から、二本の触針を押付けて、その内の
第一の触針をアースに接続するとともに、第二の触針
を、電気的に絶縁されたファラデイカップに接続し、パ
ターン描画に先立って、ファラデイカップに電子ビーム
を入射させて、前記二本の触針と金属薄膜との間に介在
するレジスト膜を絶縁破壊させて、金属薄膜とアースと
を電気的に導通させる、ことを特徴とする。
装置における試料帯電防止方法は、マスクブランクの金
属薄膜上に電子線レジストを塗布した後、電子線を照射
することによりパターン描画を行う際に、金属薄膜上の
レジスト膜の上から、二本の触針を押付けて、その内の
第一の触針をアースに接続するとともに、第二の触針
を、電気的に絶縁されたファラデイカップに接続し、パ
ターン描画に先立って、ファラデイカップに電子ビーム
を入射させて、前記二本の触針と金属薄膜との間に介在
するレジスト膜を絶縁破壊させて、金属薄膜とアースと
を電気的に導通させる、ことを特徴とする。
【０００７】なお、好ましくは、前記二本の触針の先端
部の径を、０．１５ｍｍ以上、０．２５ｍｍ以下とす
る。以下に本発明の原理を説明する。
部の径を、０．１５ｍｍ以上、０．２５ｍｍ以下とす
る。以下に本発明の原理を説明する。
【０００８】対向平板型のコンデンサのモデルにおい
て、電荷Ｑを与えると、Ｅ＝Ｑ／Ｃ； 但し、Ｅは
電圧、Ｃはコンデンサ容量、で表される電圧Ｅが発生
し、発生した電圧がコンデンサの耐電圧を超えると、絶
縁破壊を引起こして、コンデンサは導通状態となる。本
発明は、上記の式中の電荷Ｑを与えるために、描画に使
用される電子ビームを利用している。
て、電荷Ｑを与えると、Ｅ＝Ｑ／Ｃ； 但し、Ｅは
電圧、Ｃはコンデンサ容量、で表される電圧Ｅが発生
し、発生した電圧がコンデンサの耐電圧を超えると、絶
縁破壊を引起こして、コンデンサは導通状態となる。本
発明は、上記の式中の電荷Ｑを与えるために、描画に使
用される電子ビームを利用している。
【０００９】即ち、電子ビームによるパターン描画に先
立って、ファラデイカップに電子ビームを入射させる
と、ファラデイカップに接続された第二の触針と金属薄
膜との間に介在するレジスト膜が絶縁破壊され、更に、
アースに接続された第一の触針と金属薄膜との間に介在
するレジスト膜が絶縁破壊される。この結果、金属薄膜
とアースとを電気的に導通させることができる。なお、
本発明では、電子ビームによって電荷Ｑを与えているの
で、数μｓｅｃ程度の極めて短時間で処理が完了する。
立って、ファラデイカップに電子ビームを入射させる
と、ファラデイカップに接続された第二の触針と金属薄
膜との間に介在するレジスト膜が絶縁破壊され、更に、
アースに接続された第一の触針と金属薄膜との間に介在
するレジスト膜が絶縁破壊される。この結果、金属薄膜
とアースとを電気的に導通させることができる。なお、
本発明では、電子ビームによって電荷Ｑを与えているの
で、数μｓｅｃ程度の極めて短時間で処理が完了する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例を図１
に示す。図１において、１はマスクブランク、２はマス
クブランク表面に形成されたクロム薄膜（金属薄膜）、
３はレジスト膜、４は第二の触針、５はファラデイカッ
プ、６は絶縁台、７は第一の触針、８はアースを表す。
に示す。図１において、１はマスクブランク、２はマス
クブランク表面に形成されたクロム薄膜（金属薄膜）、
３はレジスト膜、４は第二の触針、５はファラデイカッ
プ、６は絶縁台、７は第一の触針、８はアースを表す。
【００１１】マスクブランク１は、ガラス基板上にその
全面に渡ってクロム薄膜２が遮光膜として形成されたも
ので、更に、その表面上には、電子線レジストの塗布に
よってレジスト膜３が形成されている。クロム薄膜２に
は、レジスト膜３を間に挟んで、二本の触針７及び４が
押付けられていて、その内の第一の触針７はアース８に
接続され、第二の触針４はファラデイカップ５に接続さ
れている。ファラデイカップ５は、マスクブランク１に
隣接して配置された絶縁台６の上に取付けられて、周囲
からは電気的に絶縁されている。
全面に渡ってクロム薄膜２が遮光膜として形成されたも
ので、更に、その表面上には、電子線レジストの塗布に
よってレジスト膜３が形成されている。クロム薄膜２に
は、レジスト膜３を間に挟んで、二本の触針７及び４が
押付けられていて、その内の第一の触針７はアース８に
接続され、第二の触針４はファラデイカップ５に接続さ
れている。ファラデイカップ５は、マスクブランク１に
隣接して配置された絶縁台６の上に取付けられて、周囲
からは電気的に絶縁されている。
【００１２】電子ビーム照射によるパターン描画に先立
って、クロム薄膜２にアース８を接続させる必要がある
が、本発明では、ファラデイカップ５に電子ビームを照
射することによって、クロム薄膜２に第一の触針７を電
気的に導通させる。
って、クロム薄膜２にアース８を接続させる必要がある
が、本発明では、ファラデイカップ５に電子ビームを照
射することによって、クロム薄膜２に第一の触針７を電
気的に導通させる。
【００１３】即ち、ファラデイカップ５に電子ビームを
照射することによって、第二の触針４の先端部とクロム
薄膜２との間に発生する電圧Ｅは、下記の式で算定され
る； Ｅ＝Ｑ／Ｃ＝ｉ・ｔ／Ｃ Ｃ＝０．０８８５・ε・Ｚ／ｇ×１０-12 ここで、 Ｅ：発生電圧［Ｖ］ Ｑ：蓄積される電荷量［クーロン］ ｉ：電子ビーム照射による入射電流［Ａ］ ｔ：電子ビーム照射の継続時間［ｓｅｃ］ Ｃ：触針の先端とクロム薄膜との間の電気容量［Ｆ］ ε：レジスト膜の誘電率 Ｚ：触針の先端部の接触面積［ｃｍ2 ］ ｇ：レジストの膜厚［ｃｍ］ 上記の式において、触針の先端部の接触部分の直径を１
００μｍ、照射される電子ビームの強度を２０ｋＶ、ｉ
＝１００ｎＡと仮定し、ε＝２．３、ｇ＝０．５μｍと
仮定すると、Ｃ＝０．３１９×１０-12 となり、発生電
圧Ｅは下記の式で表わされる； Ｅ＝３．１３・ｔ×１０+5 ここで、レジスト膜の耐圧を１００Ｖと仮定すると、電
子ビームを約０．３ｍｓ照射することによってレジスト
膜を絶縁破壊させることができる。
照射することによって、第二の触針４の先端部とクロム
薄膜２との間に発生する電圧Ｅは、下記の式で算定され
る； Ｅ＝Ｑ／Ｃ＝ｉ・ｔ／Ｃ Ｃ＝０．０８８５・ε・Ｚ／ｇ×１０-12 ここで、 Ｅ：発生電圧［Ｖ］ Ｑ：蓄積される電荷量［クーロン］ ｉ：電子ビーム照射による入射電流［Ａ］ ｔ：電子ビーム照射の継続時間［ｓｅｃ］ Ｃ：触針の先端とクロム薄膜との間の電気容量［Ｆ］ ε：レジスト膜の誘電率 Ｚ：触針の先端部の接触面積［ｃｍ2 ］ ｇ：レジストの膜厚［ｃｍ］ 上記の式において、触針の先端部の接触部分の直径を１
００μｍ、照射される電子ビームの強度を２０ｋＶ、ｉ
＝１００ｎＡと仮定し、ε＝２．３、ｇ＝０．５μｍと
仮定すると、Ｃ＝０．３１９×１０-12 となり、発生電
圧Ｅは下記の式で表わされる； Ｅ＝３．１３・ｔ×１０+5 ここで、レジスト膜の耐圧を１００Ｖと仮定すると、電
子ビームを約０．３ｍｓ照射することによってレジスト
膜を絶縁破壊させることができる。
【００１４】以上の様に、ファラデイカップ５に電子ビ
ームを照射することによって、少量の入射電流で、極め
て短時間にレジスト膜が絶縁破壊されて、第二の触針
４、クロム薄膜２及び第一の触針７の間が電気的に導通
され、その結果、クロム薄膜２がアース８に接続され
る。
ームを照射することによって、少量の入射電流で、極め
て短時間にレジスト膜が絶縁破壊されて、第二の触針
４、クロム薄膜２及び第一の触針７の間が電気的に導通
され、その結果、クロム薄膜２がアース８に接続され
る。
【００１５】なお、触針の先端部の径については、小さ
過ぎる場合には、レジスト膜の絶縁破壊の際にその表面
が損傷して径が変化するので、絶縁破壊の条件が安定せ
ず、他方、大き過ぎる場合には、大きな入射電流が必要
となり、更に、クロム薄膜を損傷する恐れも生ずる。実
験の結果、先端部の直径として、０．１５〜０．２５ｍ
ｍ程度が適切であることが判明した。
過ぎる場合には、レジスト膜の絶縁破壊の際にその表面
が損傷して径が変化するので、絶縁破壊の条件が安定せ
ず、他方、大き過ぎる場合には、大きな入射電流が必要
となり、更に、クロム薄膜を損傷する恐れも生ずる。実
験の結果、先端部の直径として、０．１５〜０．２５ｍ
ｍ程度が適切であることが判明した。
【００１６】
【発明の効果】本発明による電子ビーム描画装置におけ
る試料帯電防止方法によれば、従来の機械的な方法と比
較して、レジスト膜除去の際の触針の損耗が少ない。ま
た、絶縁破壊のエネルギ源として、パターン描画用の電
子ビームを利用しているので、装置が複雑になることも
ない。更に、レジスト膜の絶縁破壊の条件を、電子ビー
ムの強度及び照射時間によって、精度よく制御できるの
で、クロム薄膜を損傷することもなく、クロム薄膜への
アースの接続を確実、且つ安定的に行うことが可能であ
る。
る試料帯電防止方法によれば、従来の機械的な方法と比
較して、レジスト膜除去の際の触針の損耗が少ない。ま
た、絶縁破壊のエネルギ源として、パターン描画用の電
子ビームを利用しているので、装置が複雑になることも
ない。更に、レジスト膜の絶縁破壊の条件を、電子ビー
ムの強度及び照射時間によって、精度よく制御できるの
で、クロム薄膜を損傷することもなく、クロム薄膜への
アースの接続を確実、且つ安定的に行うことが可能であ
る。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す図。
１・・・マスクブランク、２・・・クロム薄膜（金属薄
膜）、３・・・レジスト膜、４・・・第二の触針、５・
・・ファラデイカップ、６・・・絶縁台、７・・・第一
の触針、８・・・アース。
膜）、３・・・レジスト膜、４・・・第二の触針、５・
・・ファラデイカップ、６・・・絶縁台、７・・・第一
の触針、８・・・アース。
Claims (2)
- 【請求項１】 マスクブランクの金属薄膜上に電子線レ
ジストを塗布した後、電子線を照射することによりパタ
ーン描画を行う電子ビーム描画装置における試料帯電防
止方法であって、 金属薄膜上のレジスト膜の上から、二本の触針を押付け
て、 その内の第一の触針をアースに接続するとともに、 第二の触針を、電気的に絶縁されたファラデイカップに
接続し、 パターン描画に先立って、ファラデイカップに電子ビー
ムを入射させて、前記二本の触針と金属薄膜との間に介
在するレジスト膜を絶縁破壊させて、金属薄膜とアース
とを電気的に導通させる、 ことを特徴とする電子ビーム描画装置における試料帯電
防止方法。 - 【請求項２】 前記二本の触針の先端部の径は、０．１
５ｍｍ以上、０．２５ｍｍ以下であることを特徴とする
請求項１に記載の電子ビーム描画装置における試料帯電
防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022196A JPH09205050A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022196A JPH09205050A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205050A true JPH09205050A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11744231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022196A Pending JPH09205050A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 電子ビーム描画装置における試料帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514186B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | System for electrically connecting a mask to earth, a mask |
| JP2010067781A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスク |
-
1996
- 1996-01-24 JP JP1022196A patent/JPH09205050A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514186B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | System for electrically connecting a mask to earth, a mask |
| JP2010067781A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスク |
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