KR20040041266A - 이온화장치와 그 제어방법 - Google Patents

이온화장치와 그 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 및 스테이지 사이의 정전기 발생부에 제전가스를 직접 분사함으로써 정전기로 인한 피해의 발생을 미연에 방지하도록 한 이온화장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이온화장치는 로딩되는 기판을 지지하는 스테이지를 구비하는 챔버와, 공기압을 이용하여 스테이지 상의 기판을 탈착시키기 위한 공기펌프와, 공기펌프와 챔버를 연결하는 튜브사이에 설치되어 이온을 발생시키는 이온발생기와, 이온발생기에 제어신호를 공급하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

이온화장치와 그 제어방법{APPARATUS OF IONIZING AND METHOD OF CONTROLING THE SAME}
본 발명은 이온화장치에 관한 것으로, 특히 기판 및 스테이지 사이의 정전기 발생부에 제전가스를 직접 분사함으로써 정전기로 인한 피해의 발생을 미연에 방지하도록 한 이온화장치와 그 제어방법에 관한 것이다.
통상적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절함으로써 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시장치는 액정셀들이 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 액티브 영역과 액티브 영역의 액정셀들을 구동하기 위한 구동회로들을 포함하게 된다.
이러한 액정표시장치의 제조공정은 기판 세정과, 기판 패터닝, 배향막형성, 기판합착/액정주입, 실장 공정 및 테스트 공정으로 나누어 제작된다.
기판세정 공정에서는 상/하부기판의 패터닝 전후에 기판들의 이물질을 세정제를 이용하여 제거하게 된다.
기판 패터닝 공정에서는 상부기판의 패터닝 공정과 하부기판의 패터닝공정으로 나누어진다. 상부기판에는 칼라필터, 공통전극, 블랙 매트릭스 등이 형성된다. 하부기판에는 데이터라인과 게이트라인 등의 신호배선이 형성되고, 데이터라인과 게이트라인의 교차부에 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)가 형성된다. 데이터라인과 게이트라인 사이의 화소영역에는 화소전극이 형성된다.
기판합착/액정주입 공정에서는 하부기판 상에 배향막을 도포하고 러빙하는 공정에 이어서, 실런트(Sealant)을 이용한 상/하부기판 합착공정, 액정주입, 주입구 봉지공정이 순차적으로 이루어진다. 여기서, 실런트는 액정주입 공간과 액정영역을 한정하는 역할을 겸한다.
도 1을 참조하면, 유리기판(18) 위에 형성된 TFT가 도시되어 있다. TFT의 제조공정은 다음과 같다. 먼저, 게이트전극(20)과 게이트라인이 Al, Mo, Cr 등의 금속으로 유리기판(18) 상에 증착된 후, 사진식각법에 의해 패터닝된다.
게이트전극(20)이 형성된 유리기판(18) 상에는 SiNx 등의 무기막으로 된 게이트절연막(22)이 형성된다. 게이트절연막(22) 위에는 비정질 실리콘(amorphous-Si : 이하 "a-Si"이라 함)으로 된 반도체층(24)과 n+ 이온이 도핑된 a-Si으로 된 오믹접촉층(26)이 연속 증착된다.
오믹접촉층(26)과 게이트절연막(22) 위에는 Mo, Cr 등의 금속으로 된 소스전극(28)과 드레인전극(30)이 형성된다. 이 소스전극(28)은 데이터라인과 일체로 패터닝된다. 소스전극(28)과 드레인전극(30) 사이의 개구부를 통하여 노출된 오믹접촉층(26)은 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 제거된다.
그리고 유리기판(18) 상에 SiNx 또는 SiOx로 된 보호막(32)이 전면 증착되어 TFT를 덮게 된다. 이어서, 보호막(32) 위에는 콘택홀이 형성된다. 이 콘택홀을 통하여 드레인전극(30)에 접속되도록 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)로 된 화소전극(34)이 증착된다.
현재, 이와 같은 LCD 제조공정에서는 제조단가의 절감을 위해 대형 유리기판을 사용하는 추세이다. 이에 의해, 유리기판의 크기가 커질수록 제조설비와 유리기판간의 접촉면적이 확대되고 있다. 이 때, 유리기판과 제조설비의 접촉부위는 정전기가 주로 발생되는데, 접촉부위의 확대는 정전기 발생 빈도와 강도의 증가를 초래하게 된다. 정전기의 발생 원리를 간략히 설명하면, 정전기는 가장 일반적으로 물체가 서로 상대적인 운동을 할 때 발생된다. 즉, 접촉성 대전이 가장 흔하다. 접촉성 대전이란 두 물체가 서로 비벼지는 효과로 인하여 대전되는 것을 뜻하는 데, 그 외에도 접촉이나 분리로 인한 대전도 포함된다. 이러한 접촉성 대전은 접촉이나 분리등의 과정에서 한쪽의 물체는 전자를 잃고 다른 쪽의 물체는 이를 얻어 각각 양극성(+), 음극성(-)으로 대전되는 현상이다. 이 때, 접촉이나 분리등의 상대적인 운동은 고체, 액체, 기체 모두를 포함한다. 예를 들면, 작업장에서 창문 밖에 바람이 세게 불게 되면 공기와 창문 유리의 마찰에 의해 정전기가 발생하게 된다. 이러한 접촉성 대전시 발생되는 정전기의 양은 여러 변수에 의해 결정되는 데, 재질의 종류, 근접도, 표면의 거칠기, 접촉하는 압력, 문지름(Rubbing)이나 분리(Separation)되는 속도 등에 따른다. .
접촉성 대전 외에도 유도(induction)에 의한 대전, 그리고 냉각, 전자빔, 스프레잉 등의 작업에 의해서도 대전된다. 유도성 대전은 대전되지 않은 물체가 대전체의 전기장에 노출되면 분극되어 가까운 쪽에는 반대 극성의 전하가 모이게 되며 가장 먼 쪽에는 같은 극성의 전하가 모이게 되는데, 이 때 한쪽에 몰린 전하를 외부로 끌어내면 그 물체는 대전체가 된다. 이를 유도성 대전이라 한다. 유도에 의한 유도성 대전은 접지되지 않은 물체가 분극(Polarization)될 때 발생하는 것으로 분극시 발생하는 전류로 인하여 전자부품은 파괴될 수 있다.
이에 따라, 액정표시장치의 제조설비는 유리기판 및 스테이지 사이의 정전기 발생을 방지하기 위해 이온화장치를 장착하게 된다. 액정표시장치의 제조설비에 장착되는 이온화장치는 공기 중에 기체를 이온화시켜 발생된 이온이 대전체를 중화시킴으로써 정전기 발생을 방지하게 된다. 그런데, 기체를 이온화시키는 이온화장치는 액체를 전기분해하는 액체용 이온화장치에 비해 고전압을 필요로 하게 된다. 이에 따라, 액정표시장치의 제조설비에 장착되는 이온화장치는 고전압 전원장치와 고전압 전력선, 이온발생부인 에미터(Emitter)로 구성된다. 전압 전원장치로부터 고전압의 에너지가 고전압 전력선을 통해 에미터에 인가되면 에미터 포인트(또는 이온화 팁)라는 바늘모양의 전극 침 주위에 전기장이 형성되어 주변의 공기 분자를 전리시킴으로써 양이온과 음이온들을 구름 형태로 형성하게 된다. 이 때, 공기를 전리시키기 위해서는 30kV/cm 이상의 전력이 필요하지만 이온화장치의 경우 이온화 팁을 날카롭게 만들어 곡률 반경을 크게 하여 코로나 방전을 유도함으로써 전력을 줄이게 된다. 이러한 이온화장치에서 생성된 양이온과 음이온은 대전체로 이동하여 대전체에 국부적으로 형성된 양전하, 음전하와 결합하여 중화시키게 된다. 이온화장치는 대전체의 구조에 따라 이온바(ionizing bar), 이온나이프(ionizing air knife), 이온송풍기(ionizing blower), 이온총(ionizing gun), 이온핀(ionizing pin), 도전사 등으로 나뉘어지며 용도에 따라 사용된다.
도 2를 참조하면, 종래의 액정표시장치 제조공정에서 제전을 위해 사용되는 이온화장치(50)가 도시되어 있다.
종래의 이온화장치(50)는 챔버(10) 내에 설치되는 이온바(41)와, 이온바(41)에 전기적으로 접속되는 제어기(48)와, 제어기(48)에 전기적으로 연결되며 튜브(43)를 통해 이온바(41)에 제전가스를 공급하는 공기펌프(44)를 구비하여 각 공정이 실시되는 챔버(10)의 스테이지(Stage)(42)와 유리기판(18)간의 정전기 발생을 방지하게 된다.
제어기(48)는 공정의 흐름에 따라 이온바(41) 및 공기펌프(44)를 구동시킨다. 제어기(48)는 전기신호를 이온바(41)에 인가하게 되어 공기펌프(44)로부터 챔버(10) 내에 주입되는 기체가 이온바(41)에 접촉된 후 이온화되게 한다.
공기펌프(44)는 챔버(10) 내의 이온바(41)에 기체를 공급한다. 이 때, 챔버(10) 내에는 먼지와 같은 이물질이 주입되지 않아야 하므로 공기펌프(44)는 필터링된 공기를 이온바(41)에 공급한다.
이온바(41)는 다수의 이온화팁(53)을 구비하여 제어기(48)로부터 전기신호가 인가되면 이온화 팁(53)에 접촉되는 기체를 전기분해함으로써 이온이 생성되게 한다.
챔버(10)는 액정표시장치 제조공정을 각 단계별로 분리하여 실시될 수 있게 하고 공정 중에 외부의 이물질이 삽입되어 액정표시장치의 불량을 유발하는 것을 방지하도록 설치된다. 여기서, 유리기판(18)은 구동회로층이 형성되는 공정 중에 있으므로 공정 중 유리기판(18) 상에 이물질이 축적되지 않아야 한다. 그런데, 스테이지(42) 및 유리기판(18)간에 발생되는 정전기는 유리기판(18) 상의 구동회로층을 절연파괴함으로써 액정표시장치의 불량률을 높이거나, 유리기판(18) 상에 이물질이 축적되는 이물질의 양을 급격히 증가되게 한다. 이에 따라, 유리기판(18) 상에 이물질과 같은 미립자 부착을 방지하는 방책의 하나로서, 기판 및 그 주변물질의 대전을 제거하는 이온화장치(50)가 사용되고 있다.
종래의 이온화장치(50)는 챔버(10) 내 대기 중에 이온을 분사함으로써 챔버(10)의 스테이지(42)에 접촉되는 유리기판(18)과의 정전기 발생을 억제하게 된다.
공정 중에 챔버(10) 내에 삽입되는 유리기판(18)은 챔버(10) 내에서 유리기판(18)을 지지하는 금속으로 이루어진 스테이지(42) 위에 안착된다. 이 때, 공정 중 유리기판(18)의 이동을 억제하기 위해 스테이지(42)의 홀(45)에 연결된 공기펌프(44)가 챔버(10) 내의 기체를 빨아들여 스테이지(42)와 유리기판(18) 사이 공간을 진공상태로 만들며 유리기판(18)을 스테이지(42) 상에 고정시키게 된다. 이 후에 챔버(10) 내에서 실시되는 한 공정이 완료되면 유리기판(18)을 이동하기 위해 스테이지(42)로 부터 유리기판(18)을 분리시키게 된다. 유리기판(18)의 분리는 공기펌프(44)로부터 스테이지 홀(45)에 공기를 주입하여 유리기판(18)과스테이지(42) 사이의 진공상태를 풀어주어 가능하게 된다. 그 후, 유리기판(18)은 다음 공정이 실시되는 다른 챔버로 이동된다.
챔버(10) 내의 스테이지(42)는 전술한 바와 같이 유리기판(18)과 진공상태로 압착된 후 탈착된다. 이렇게 스테이지(42)와 유리기판(18)이 접촉과 분리과정은 두 물체간에 정전기 발생을 유발하게 되는 주요인이 된다. 이 때, 스테이지(42)와 유리기판(18)이 등전위상태가 되지 못하면 스테이지(42)와 유리기판(18) 사이에 정전기가 발생하여 공정 중 유리기판(18) 상에 형성되는 구동회로층을 절연파괴시키게 된다. 이는 액정표시장치의 불량률을 높이는 원인이 된다. 이에 따라, 공정 중 챔버 내에서 정전기가 발생하지 않도록 하는 것이 액정표시장치의 제품수율을 높이는 주요인이 된다. 그런데 종래의 이온화장치(50)는 챔버(10) 내의 대기 중에 제전가스를 분사함으로써 도 3과 같이 챔버(10) 내 대기의 전하량을 일정하게 유지시킴으로써 스테이지(42)와 유리기판(18) 사이의 정전기를 억제하게 된다. 그런데, 유리기판(18)은 스테이지(42)와 유리기판(18) 사이 공간이 진공상태가 되면서 압착되므로 유리기판(18)상에 다양한 형태 및 재질로 적층되는 구동회로층에 의해 유리기판(18)의 전위는 위치에 따라 다양한 값을 나타내게 된다. 따라서, 금속성 물질로 이루어진 스테이지(42)와 유리기판(18)은 국소적인 부분에서 정전기를 일으킬 수 있게 되어 이를 사용한 챔버(10) 내에서 생성되는 액정표시장치의 구동회로층에 절연파괴를 일으킬 수 있게 된다. 그결과, 종래 이온화장치(50)에 비해 정밀하게 정전기발생을 억제시킬 수 있는 이온화장치가 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판과 스테이지 사이의 정전기 발생부에 제전가스를 직접 분사함으로써 정전기로 인한 피해의 발생을 미연에 방지하도록 한 이온화장치와 그 제어방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 통상적인 박막 트랜지스터를 나타내는 단면도이다.
도 2는 종래 박막 트랜지스터 제조설비의 이온화장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 이온화장치로부터 분사되는 제전가스의 대전량을 를 나타내는 파형도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치 및 이온화장치가 부착된 박막 트랜지스터 제조설비를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 이온화장치의 이온발생기를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 이온화장치로부터 분사되는 제전가스의 대전량을 나타내는 파형도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10, 40 : 챔버18 : 유리기판
41 : 이온바42 : 스테이지
43, 83a, 83b : 튜브44 : 공기펌프
45 : 스테이지 홀48, 88 : 제어기
49, 59 : 도선50, 51 : 이온화장치
53 : 이온화팁81 : 이온발생기
85 : 방진필터
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치는 챔버와, 챔버 내에 설치되는 스테이지와, 스테이지에 연결된 튜브와, 튜브에 설치되어 이온을 발생시키는 이온발생기와, 이온발생기를 제어하기 위한 제어기를 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치의 이온발생기는 챔버 내에 공급되는 공기를 이온화시키는 이온화 팁과 기체에 혼입된 이물질을 걸러내는 방진필터를 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치의 제어기는 이온발생기에 제어신호를 공급하는 이온발생신호기와, 기판 및 상기 스테이지 사이의 대전량을 감지하기 위한 체크부와, 감지된 대전량에 따라 상기 이온발생신호기를 구동시키는 프로세서를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치는 튜브에 공기를 공급하기 위한 공기펌프를 더 구비한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치의 제어방법은 스테이지와 기판 사이의 대전량을 감지하는 단계와, 감지된 대전량에 따라 스테이지와 기판 사이에 제전가스를 공급하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치의 제어방법은 스테이지가 설치된 챔버 내의 기체에 혼입된 이물질을 필터링하는 단계를 더 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 4 및 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치(51)는 챔버(40) 내의 스테이지 홀(45)에 연결된 공기펌프(44)와, 공기펌프(44)와 스테이지 홀(45)을 연결하는 튜브(83a,83b) 사이에 설치되는 이온발생기(81)와, 이온발생기(81) 및 스테이지(42)에 전기적으로 접속되는 제어기(88)를 구비한다.
제어기(88)는 공정의 흐름에 따라 유리기판(18)에 접촉하는 탐침(47) 및 스테이지(42)에 접촉하는 도선(59)을 통해 유리기판(18) 및 스테이지(42)의 전위차를 체크부가 측정하여 유리기판(18) 및 스테이지(42) 사이에 정전기가 발생하는 전위차 이상이 되면 제어기(88) 내의 프로세서가 이온발생신호기를 구동하게 된다. 이에 따라, 제어기(88)의 이온발생신호기로부터 이온발생기(81)에 전기신호가 인가되면 공기펌프(44)로부터 스테이지 홀(45)을 통해 챔버(40)에 주입되는 기체는 이온화하게 된다. 이에 따라, 스테이지(18) 및 유리기판(42) 사이에 직접적으로 제전가스가 접촉하게 되므로 스테이지(42) 및 유리기판(18)을 등전위상태로 유지하게 된다.
공기펌프(44)는 이온발생기(81)를 통해 챔버(40)에 제전가스를 공급함과 아울러 챔버(40) 내에서 스테이지(42) 위에 유리기판(18)을 고정시키기 위해 스테이지(42) 및 유리기판(18) 사이의 공간을 진공상태로 만들고, 그 후 유리기판(18)을 탈착하는 데 이용된다.
이온발생기(81)는 제어기(88)로부터 전기신호가 인가되면 이온발생기(81)의 이온화팁(53)에 접촉되는 기체를 전기분해함으로써 제전가스를 생성한다. 이 때, 챔버(40) 내에는 미립자 먼지와 같은 이물질이 주입되지 않아야 하므로 이온발생기(81)의 일측에는 도 5에 도시된 바와 같이 방진필터(85)가 설치된다.
챔버(40)는 액정표시장치 제조공정 중에 외부의 이물질이 삽입되어 액정표시장치의 불량을 유발하는 것을 방지하도록 밀폐된다.
공정 중에 챔버(40) 내에 로드되는 유리기판(18)은 챔버(40) 내에서 유리기판(18)을 지지하는 금속으로 이루어진 스테이지(42) 위에 안착된다. 이 때, 공정 중에 유리기판(18)의 이동을 억제하기 위해 스테이지(42)의 홀(45)에 연결된 공기펌프(44)가 챔버(40) 내의 기체를 흡입하여 스테이지(42)와 유리기판(18) 사이 공간을 진공상태로 만들며 유리기판(18)을 스테이지(42) 상에 고정시키게 된다. 이 후, 한 챔버(40) 내에서 실시되는 공정이 완료되면 유리기판(18)을 이동하기 위해 스테이지(42)로부터 유리기판(18)을 분리시킨다. 이 때, 유리기판(18)은 공기펌프(44)로부터 스테이지 홀(45)에 공기를 주입하여 유리기판(18)과 스테이지(42) 사이의 진공상태를 풀어주게 된다. 이 후에 유리기판(18)은 챔퍼로부터 언로드되고 다음 공정이 실시되는 다른 챔버로 이동된다.
본 발명의 실시예에 따른 이온화장치(51)는 챔버(40)의 스테이지(42)에 접촉되는 유리기판(18)과의 전위차를 직접 측정함으로써 정전기 발생을 억제하게 된다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치(51)는 정전기 발생빈도가 가장 높은 때인 유리기판(18)과 스테이지(42) 사이의 탈부착시 제어기(88)의 체크부로부터 측정된 스테이지(42)와 유리기판(18)의 전위차를 제어기(88)의 프로세서가 비교하여 이온생성신호기를 구동시켜 전기신호를 발생시키게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치(51)는 유리기판(18)과 스테이지(42)의 탈부착시 그들 두 물체 사이의 미세한 정전기 발생여부도 탐지하고 직접 그 부위에 제전가스를 주입함으로써 종래 이온화장치보다 효과적으로 더 정확하게 정전기의 발생을 억제시킬 수 있게 된다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 챔버(40) 내의 대기 대전량을 일정하게 유지하지 않더라도 유리기판(18)과 스테이지(42) 사이의 정전기 발생부위에 직접 제전가스를 분사함으로써 국부적 제전효율이 향상되므로 종래에 비해 더 효과적으로 유리기판(18)을 제전하게 된다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치(51)는 종래 챔버에서 유리기판(18)을 고정 및 분리시키기 위해 사용되던 공기펌프의 튜브에 이온발생기(81)를 연결하기만하면 되므로 종래 이온화장치에 비하여 여러 공정 장치에 대하여 호환성이 우수하며, 종래의 이온화장치에 비해 크기가 작은 이점이 있다.
나아가, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치(51)는 유리기판(18)의 탈부착시에 발생될 수 있는 정전기에 대비하여 스테이지(42) 상에 유리기판(18)이 접촉또는 분리될 때 두 물체 사이의 대전량을 제어기(88)의 체크부가 정확히 측정하게 된다. 이에 따라, 스테이지(42)와 유리기판(18)의 탈부착시 스테이지(42)에 공급되는 공기 자체의 이온균형을 제어기(88)의 프로세서가 조절하여 두 물체 사이의 정전기 발생 자체를 미연에 방지할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 이온화장치와 그 제어방법은 챔버 내의 스테이지 상에 연결되는 튜브에 설치되며 스테이지 상에 기판이 탈부착할 때의 대전량을 감지하고 그 결과에 따라 상기 스테이지로 공급되는 제전가스를 제어하며, 기판과 스테이지 사이의 정전기 발생부에 제전가스를 직접 분사함으로써 정전기로 인한 피해의 발생을 미연에 방지하게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치는 공기펌프와 튜브가 추가로 설치되어야하는 종래의 이온화장치에 비해 설치가 간편하며 공간을 차지하는 정도가 대폭 줄어드는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 이온화장치는 챔버 내에서 정전기가 직접적으로 발생하는 스테이지와 유리기판 사이에 제전가스를 직접 주입하게 되므로 챔버 내의 대기중에 제전가스를 분사하던 종래의 이온화장치에 비하여 국부적 제전효율이 훨씬 우수한 장점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (6)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내에 설치되는 스테이지와,
    상기 스테이지에 연결된 튜브와,
    상기 튜브에 설치되어 이온을 발생시키는 이온발생기와,
    상기 이온발생기를 제어하기 위한 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온화장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온발생기는,
    상기 챔버 내에 공급되는 공기를 이온화시키는 이온화 팁과,
    상기 기체에 혼입된 이물질을 걸러내는 방진필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온화장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 이온발생기에 제어신호를 공급하는 이온발생신호기와,
    상기 기판 및 상기 스테이지 사이의 대전량을 감지하기 위한 체크부와,
    상기 감지된 대전량에 따라 상기 이온발생신호기를 구동시키는 프로세서를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온화장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜브에 공기를 공급하기 위한 공기펌프를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이온화장치.
  5. 스테이지와 기판 사이의 대전량을 감지하는 단계와,
    상기 감지된 대전량에 따라 상기 스테이지와 기판 사이에 제전가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 이온화장치의 제어방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스테이지가 설치된 챔버 내의 기체에 혼입된 이물질을 필터링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화장치의 제어방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100711158B1 (ko) * 2004-11-13 2007-04-24 유원테크 주식회사 액정표시장치 백라이트용 광학필름의 흡착이송 공급장치
CN106154607A (zh) * 2016-08-26 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种升降机构
US11027038B1 (en) 2020-05-22 2021-06-08 Delta T, Llc Fan for improving air quality
US11400177B2 (en) 2020-05-18 2022-08-02 Wangs Alliance Corporation Germicidal lighting

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100711158B1 (ko) * 2004-11-13 2007-04-24 유원테크 주식회사 액정표시장치 백라이트용 광학필름의 흡착이송 공급장치
CN106154607A (zh) * 2016-08-26 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种升降机构
CN106154607B (zh) * 2016-08-26 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种升降机构
US10386661B2 (en) 2016-08-26 2019-08-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Elevating mechanism
US11400177B2 (en) 2020-05-18 2022-08-02 Wangs Alliance Corporation Germicidal lighting
US11433154B2 (en) 2020-05-18 2022-09-06 Wangs Alliance Corporation Germicidal lighting
US11612670B2 (en) 2020-05-18 2023-03-28 Wangs Alliance Corporation Germicidal lighting
US11696970B2 (en) 2020-05-18 2023-07-11 Wangs Alliance Corporation Germicidal lighting
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