KR20090118803A - 액정 패널 기판의 제전장치 - Google Patents

Abstract

(과제)교류 코로나 방전에 의해 이온을 발생하는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판의 제전을 행함에 있어서, 제전 효율을 향상함으로써 제전 공정에 있어서의 처리 능률을 향상한다.

(해결 수단)금속 세선으로 이루어지는 방전 전극과, 이 방전 전극을 덮는 도전 케이스로 이루어지며, 그 도전 케이스의 피제전물인 액정 패널 기판에 면하는 측이 개방되어 있는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판에 대해 교류 코로나 방전을 행하고, 대전한 액정 패널 기판의 제전이 가능해지도록 한 액정 패널의 제전 장치에 있어서, 상기 이오나이저를 액정 패널 기판의 반송 방향과 직교하도록 배치하고, 직류 전류 성분을 제거한 교류 고전압을 상기 이오나이저의 방전 전극에 인가한다.

Description

액정 패널 기판의 제전장치{NEUTRALIZATION APPARATUS FOR LIQUID CRYSTAL PANEL SUBSTRATE}

본 발명은, 액정 패널 기판의 제조 공정에 있어서, 이 액정 패널 기판의 표면에 대전한 전하를 제거하는 제전 장치에 관한 것이다.

액정 패널 기판의 여러 가지 제조 공정에 있어서, 이 액정 패널 기판의 가공 처리에 따르는 대전이 큰 문제가 되고 있다. 예를 들면, 액정 패널 기판의 표면에 배향막을 형성하기 위한 러빙 처리 공정은, 절연막을 털브러쉬로 문질러 홈을 형성하도록 하고 있기 때문에, 마찰에 의한 상당히 큰 대전이 생긴다. 그리고, 이와 같이 하여 대전한 전하는, 액정 패널 기판의 회로를 파괴하거나, 배향 이상이 생기거나, 여러 가지 결함을 초래한다고 되어 있다.

이러한 문제의 대책으로서, 회로 설계의 연구 등이 이루어져 있지만, 완전한 것은 되지 않으며, 대전한 전하 자체를 제거할 필요가 있다. 그러기 위한 제전 방법으로서, 포토이오나이저를 이용하고, 이 포토이오나이저가 발생하는 연X선에 의해서 공기를 이온화하여 음양의 이온을 발생시키고, 그 이온에 의해 액정 패널 기판의 표면에 대전하고 있는 전하를 제거하고자 하는 것이 있다(특허 문헌 1 참조).

또, 바늘 전극에 의한 이오나이저가 제안되어 있고, 이 이오나이저에서의 경우는, 복수의 바늘 전극간에서 교류 코로나 방전을 행하고, 음양의 이온을 발생시켜 액정 패널 기판의 표면에 대전한 전하를 제거하도록 하고 있다(특허 문헌 2 참조).

또한, 액정 패널 기판과 이오나이저의 사이에 그리드 전극을 배치하고, 액정 패널 기판의 대전량이 큰 경우는, 액정 패널 기판과 그리드 전극의 사이의 전계가 강해지고, 많은 이온이 액정 패널 기판에 도달하고, 반대로 액정 패널 기판의 대전량이 작은 경우는, 전계가 약해지고, 많은 이온은 그리드 전극으로부터 어스로 흐르고, 그리드 전극을 통과하는 이온의 양을 감소하도록 하여, 액정 패널 기판의 대전량에 따라 이온의 양을 조정하도록 한 것이 있다(특허 문헌 3 참조).

[특허 문헌 1:일본국 특허공개 평7-294928호 공보]

[특허 문헌 2:일본국 특허공개 평6-208898호 공보]

[특허 문헌 3:일본국 특허 제3522586호 공보]

액정 패널 기판의 제전 처리에 있어서, 단시간에 높은 효율의 제전을 행하는 데는, 다량의 이온을 발생시킬 필요가 있다. 그래서, 상기 특허 문헌 1에 개시된 기술에서는, 포토이오나이저의 연X선(soft X-ray)의 에너지에 의해 음양의 이온을 얻는 방식이므로, 이온을 많이 발생시키기 위해서는 연X선의 에너지를 크게 할 필요가 있다. 그런데, 이 연X선의 에너지를 크게 하면 인체에의 영향도 커지고, 외부와의 차폐 혹은 취급 관리 등에 큰 비용이 발생해 버리게 된다.

또, 상기 특허 문헌 2에 개시된 바늘 전극에 의한 이오나이저에 의한 경우는, 공급 전력을 크게 함으로써 이온의 발생량을 증대할 수 있으므로, 비용적 부담은 그다지 큰 것은 아니지만, 제전이 장소적으로 불균일해지는 결점이 있다. 즉, 이 이오나이저의 경우, 바늘 전극이 일렬로 적당한 간격으로 배치되고, 대향하는 바늘 전극간에서 교류 코로나 방전이 생기는 구조로 되어 있다.

이 교류 코로나 방전에 의한 이온은 바늘 전극에 가까울수록 다량이며, 바늘 전극으로부터 멀어질수록 적어진다. 이로부터, 바늘 전극간의 피치보다 바늘 전극으로부터 액정 패널 기판까지의 거리를 상당히 크게 하지 않으면 가로 방향의 이온의 균일성을 얻을 수 없게 된다. 그러나, 바늘 전극으로부터 액정 패널 기판까지의 거리가 크면, 액정 패널 기판 부근의 이온이 적어짐과 더불어, 액정 패널 기판에 대전하고 있는 전하에 의한 이온을 끌어들이는 힘이 약해져 버린다고 하는 문제가 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 공급 전력을 크게 하는 것도 생각할 수 있지만, 공급 전력의 크기에 따라 이온 분포도 변화하기 때문에, 결국 바늘 전극으로부터 액정 패널 기판까지의 거리도 또한 크게 하지 않으면 이온의 불균일이 발생해 버리게 된다. 이것을 보충하는 방법으로서, 이온을 액정 패널 기판의 방향으로 흐르게 하는 바람을 보내는 장치를 부설하도록 한 것도 있지만, 이온의 이동 시간이 느리기 때문에 충분한 제전 효과를 얻을 수 없는 것이 실상이다.

또한, 상기 특허 문헌 3에 개시된 기술에서는 이온 분포를 평균화하기 위해, 제전에 필요한 이온만을 액정 패널 기판에 도달시키도록 하고 있다. 이것은, 그리드 전극이 제전에 불필요한 이온을 액정 패널 기판에 도달하지 않도록 제어함으로써, 액정 패널 기판의 대전량에 따라 이온량을 조정하도록 한 것이다. 그런데, 이 그리드 전극의 상기 작용을 효과있는 것으로 하기 위해, 스캔 속도를 정해진 속도 이상으로 하지 못하고, 제전 처리의 능률을 향상시킬 수 없다는 문제가 있었다.

또, 도 5에 나타내는 바와 같이 교류 코로나 방전의 특성은, 방전 전극에 직류 전류 성분이 없는 교류 고전압을 인가해도, 마이너스 이온이 우세가 되고, 마이너스의 직류 전류 성분이 바이어스된 방전 전류가 흐른다. 이것은, 도 5에 나타내는 플러스 및 마이너스의 인가 전압에 대한 방전 전류 특성으로부터 판단할 수 있다. 방전 개시 이후 어느 전압값에 있어서도 동등한 전압에서 마이너스 방전 쪽의 전류가 크기 때문에, 직류 전류 성분을 포함하지 않는 교류 고전압은 플러스도 마이너스도 상사형(相似形)으로 전압 변화함에도 불구하고, 상술의 교류 코로나 방전의 독특한 특성으로부터, 흐르는 전류는 마이너스의 직류 전류 성분이 포함된 상황 이 되는 문제가 있었다.

그런데, 플랫 디스플레이의 수요는 해마다 증대하는 경향이 있고, 액정 패널 기판의 제조에 있어서의 택트 타임도 짧아지고 있고, 그 때문에, 더 단시간에 높은 효율의 제전이 가능해지는 제전 장치가 요구되고 있다. 그러나, 이오나이저에 있어서의 제전 능력은, 액정 패널 기판에 대전하고 있는 전하가 이온을 끌어들이는 힘, 즉, 대전 전압에 영향을 받고, 이것이 제전에 시간이 걸리는 요인인 것이 판명되어, 해결을 필요로 하는 과제로 되고 있었다. 또, 디스플레이의 대형화에 따라서 액정 패널 기판도 대형화하고, 이것을 제전하기 위한 이오나이저의 방전 전극이 금속 세선인 경우, 중앙 부분이 느슨해져 직선성을 유지할 수 없거나, 진동의 영향을 받아 쉽게 이온 분포가 불균일해지는 문제가 있었다.

그래서 본 발명은, 이하에 설명하는 각 수단에 의해 상기 과제를 해결하도록 했다. 즉, 청구항 1에 기재된 발명에서는, 금속 세선으로 이루어지는 방전 전극과, 이 방전 전극을 덮는 도전 케이스로 이루어지고, 그 도전 케이스의 피제전물인 액정 패널 기판에 면하는 측이 개방되어 있는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판에 대해 교류 코로나 방전을 행하고, 대전한 액정 패널 기판의 제전이 가능해지도록 한 액정 패널 기판의 제전 장치에 있어서, 상기 이오나이저를 액정 패널 기판의 반송 방향과 직교하도록 배치하고, 교류 고전압을 상기 이오나이저의 방전 전극에 인가한다.

청구항 2에 기재된 발명에서는, 상기 청구항 1에 기재된 액정 패널 기판의 제전 장치에 있어서, 교류 고전압이 콘덴서를 통해 인가되도록 함으로써 교류 코로나 방전의 직류 성분을 제거한다.

청구항 3에 기재된 발명에서는, 상기 청구항 1에 기재된 액정 패널 기판의 제전 장치에 있어서, 교류 코로나 전류의 직류 성분에 대응하는 역극성의 직류 성분을 교류 고전압에 바이어스함으로써 교류 코로나 전류의 직류 전류 성분을 제거한다.

청구항 4에 기재된 발명에서는, 금속 세선으로 이루어지는 방전 전극과, 이 방전 전극을 덮는 도전 케이스로 이루어지는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판에 대해 교류 코로나 방전을 행하고, 대전한 액정 패널 기판의 제전이 가능해지도록 한 액정 패널 기판의 제전 장치에 있어서, 복수의 상기 이오나이저를 액정 패널 기판의 가로폭 방향이며 반송 방향에 직교하도록 배치하고, 직류 전압 성분을 제거한 교류 고전압을 상기 이오나이저의 각 방전 전극에 인가한다.

본 발명의 청구항 1에 기재된 액정 패널 기판의 제전 장치에 의하면, 직류 전류 성분을 제거한 교류 고전압을 이오나이저의 방전 전극에 인가하도록 했으므로, 플러스 및 마이너스 이온이 동등해지고, 또한 액정 패널 기판에 면하는 측이 개방되어 있기 때문에 제전에 기여하는 이온이 대량이 되어 많은 제전효과를 얻을 수 있고, 제전 공정에 있어서의 처리 능률을 향상시킬 수 있다. 또, 이오나이저의 방전 전극이 금속 세선이며, 이 방전 전극을 도전 케이스로 덮어 방전시키고 있기 때문에, 방전 면적이 크게 발생하는 이온이 다량인 것과 더불어, 금속 세선에 따르 는 방향의 방전이 균일해진다.

본 발명의 청구항 2에 기재된 액정 패널 기판의 제전 장치에 의하면, 콘덴서만으로 직류 전류 성분의 제거가 가능해지므로, 저비용으로 초기의 목적을 달성할 수 있다.

본 발명의 청구항 3에 기재된 액정 패널 기판의 제전 장치에 의하면, 교류 고전압에 가하는 직류 전압에 의한 바이어스량에 의해서 직류 전류 성분을 제거하는 것이 가능하고, 대전 상태에 따라 유효한 제전을 달성할 수 있다.

본 발명의 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 복수의 이오나이저에 의해 제전 장치를 구성하도록 한 것으로부터, 방전 전극이 길어지는 일이 없기 때문에, 느슨해지거나 진동의 영향을 받거나 하는 일이 없고, 교류 코로나 방전에 의한 이온 분포를 균일하게 할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.

도 1은, 본 발명의 기본적 구성의 일례를 나타내는 도면이며, 도 1에 있어서 이오나이저(1)는 금속 세선으로 이루어지는 방전 전극(2) 및 이 방전 전극(2)을 덮는 도전 케이스(3)에 의해 구성되어 있다. 반송 캐리어(C) 위에 액정 패널 기판(W)이 올려지고, 이 액정 패널 기판(W)의 상방에, 액정 패널 기판(W)의 반송 방향(D)과 직교하도록 이오나이저(1)가 배치되어 있다. 상기 방전 전극(2)에는 콘덴서(5)를 통해 교류 고압 전원(4)의 교류 고전압이 인가되고, 이 콘덴서(5)에 의해 직류 전류 성분이 제거된 방전이 행해진다. 그리고, 도전 케이스(3)의 개구 아래 를 반송 캐리어(C)에 올려진 액정 패널 기판(W)이 이오나이저(1)와는 직교하도록 반송되고, 이오나이저(1)에 의한 스캔이 행해진다.

도 2는, 본 발명의 다른 구성의 일례를 나타내는 것으로, 이오나이저(1)의 방전 전극(2)에는, 직류 전원(6)으로부터 바이어스된 교류 고전압이 인가되고, 직류 전류 성분이 제거된 방전이 행해지는 것만이, 도 1에 나타낸 구성과 다르다. 그리고, 도전 케이스(3)의 개구 아래로 반송 캐리어(C)에 올려진 액정 패널 기판(W)이 반송되고, 이오나이저(1)에 의한 스캔이 행해진다.

도 3은, 본 발명의 이오나이저(1)의 성능을 검증하기 위한 실험 결과를 나타내는 것으로, 실험 장치 A는 액정 패널 기판과 이오나이저의 사이에 그리드 전극을 배치하지 않고, 방전 전극에 교류 고전압을 직접 인가하는 구성이며, 실험 장치 B는 액정 패널 기판과 이오나이저의 사이에 그리드 전극을 배치하고, 방전 전극에 교류 고전압을 직접 인가하는 구성이다. 또, 실험 장치 C는 본 발명의 도 1의 구성에 의한 것으로, 액정 패널 기판(W)과 이오나이저(1)의 사이에 그리드 전극을 배치하지 않고, 콘덴서(5)를 통해 교류 고압 전원(4)의 교류 고전압을 인가하도록 한 것이다. 또, 실험 장치 D는 도 2의 구성에 의한 것으로, 액정 패널 기판(W)과 이오나이저(1)의 사이에 그리드 전극을 배치하지 않고, 직류 전원(6)에 의해 바이어스된 교류 고전압을 인가하도록 한 것이다.

또한, 실험에 있어서의 모든 장치에 교류 고압 전원(4)으로부터 인가하는 교류 고전압은 같고, 실효값 5KV, 500Hz의 정현파이다. 또, 각 플레이트 전류는, 이오나이저(1) 아래의 액정 패널 기판(W)에 상당하는 위치에 도전 플레이트를 두고, 이것에 흐르는 교류 전류와 직류 전류 성분을 계측한 것이며, 교류 종합 방전 전류는, 방전 전극(2)으로부터 도전 케이스(3) 및 플레이트에 흐르는 전류를 더한 종합 교류 전류를 계측한 것이다. 이들 전류를 계측함으로써, 각 실험 장치의 기본적인 특성을 알 수 있다.

또, 「대전(V)」의 항은 제전되어 있는 막두께 50㎛의 폴리에스테르 필름을 붙이고, 각각의 장치에서 대전시켰을 때의 대전 전위를 계측한 것이다. 이것은 각 장치에서 발생한 방전 전류가 어떠한 대전을 일으키는지를 계측하는 것이다.

실험 1 및 실험 2의 항도 마찬가지로 막두께 50㎛의 폴리에스테르 필름을 플레이트에 붙이고, 또한 각각 미리 -1000V로 대전해 두고, 플레이트를 실험 1에서는 느린 스캔 속도인 50㎜/sec로 스캔하고, 실험 2에서는 빠른 스캔 속도인 100㎜/sec의 스피드로 스캔하고, 실험 장치 A~D에서 제전한 후의 대전 전위를 계측한 것이다. 액정 패널 기판은 유리 기판 위에 반도체층이나 배향막, 전극 등이 구성된 것이며, 메이커에 따라서 재질이 다르기 때문에, 대전체로서 어떠한 용량을 갖는지는 일률적으로 정할 수 없지만, 그것들을 상정해 막두께 50㎛의 폴리에스테르 필름으로 대용으로 했다. 이 계측에 의해서, 각 실험 장치의 실질적인 제전 능력을 측정할 수 있다.

실험 장치 A에 의한 결과에서는, 플레이트 직류 전류가 -2.0㎂ 흐르고 있고, 교류 전류의 플러스 성분보다 마이너스 성분이 많은 것을 나타내고 있다. 그 결과, 폴리에스테르 필름에는 -60V~-70V의 대전 전위를 일으키고, 실험 1 및 실험 2에서는 -250v~-300V의 대전 전위가 되어, 방전 전극에 교류 고전압을 직접 인가한 경우에는 마이너스 전하를 일으키는 것이 나타내어져 있다.

실험 장치 B에 의한 결과에서는, 플레이트 직류 전류가 0.0㎂이며, 교류 전류의 플러스 성분과 마이너스 성분이 균형이 잡혀 있는 것을 나타내고 있다. 그러나, 교류 종합 방전 전류는 190㎂이며, 다른 실험 장치의 결과와 비교해 큼에도 불구하고, 플레이트에 흐르는 교류 전류는 5.0㎂이며, 다른 실험 장치의 결과와 비교해 절반 이하의 전류밖에 흐르지 않는다. 이것은 그리드에 방전 전류가 흐르고, 교류 종합 방전 전류는 많아지지만, 그리드 차폐가 되어 플레이트 측에 흐르는 전류는 제한되기 때문이다. 그 결과, 실험 1의 느린 스캔 속도로의 제전 후의 대전 전위는 -20V~-40V가 되어 제전 효과는 있지만, 실험 2의 빠른 스캔 속도에서는 -190V~-200V가 되어, 제전이 따르지 않는 것을 나타내고 있다.

실험 장치 C에 의한 결과에서는, 플레이트 직류 전류가 0.0㎂이며, 교류 전류의 플러스 성분과 마이너스 성분의 균형이 잡혀 있음에도 불구하고, 교류 종합 방전 전류는 160㎂, 플레이트 전류는 19.0㎂로서 실험 장치 A와 거의 다름없는 전류값으로 되어 있다. 그 결과, 대전 전위는, 실험 1의 느린 스캔 속도에서는 ＋20V~＋30V, 실험 2의 빠른 스캔 속도에서도 -30V~-40V가 되었다. 즉, 제전 장치 C에서는, 960V~970V의 제전이므로 실험 장치 C는 96~97％의 제전 능력을 나타내고 있다. 실험 1의 느린 스캔 속도에서 플러스 측으로 시프트하고 있는 원인은, 아마 사용하는 콘덴서의 특성에 의한 것이라고 생각되지만, 그에 따른 영향은 작고, 콘덴서의 종류, 성능을 한정할 필요는 없다.

실험 장치 D에 의한 결과에서도 플레이트 직류 전류가 0.0㎂이며, 교류 전류 의 플러스 성분과 마이너스 성분의 균형이 잡혀 있고, 교류 종합 방전 전류 및 플레이트 교류 전류 모두 거의 실험 장치 C와 동등한 값을 나타내고 있다. 그 결과, 대전 전위는, 실험 1의 느린 스캔 속도에서는 -30V~-40V, 실험 2의 빠른 스캔 속도에서도 -50V~-70V가 되었다. 즉, 실험 장치 D에서는 930~950V의 제전이므로, 실험 장치 D는 93~95％의 제전능력을 나타내고 있다.

이상의 실험 결과로부터 분명한 바와 같이, 액정 패널 기판(W)에 면하는 측이 개방된 이오나이저에 있어서, 실험 장치 A와 같이 단순한 교류 고전압에 의한 방전을 행한 경우는, 마이너스의 높은 대전이 되어 버리고, 실험 장치 B와 같이 그리드에 의해서 제한을 더하면 전력이 커지는 비교적 제전 효과가 낮아지는 것을 나타내고 있다. 그리고, 실험 장치 C나 실험 장치 D와 같이, 액정 패널 기판(W)에 면하는 측이 개방된 이오나이저로, 콘덴서나 직류 전압 바이어스에 의해서 교류 방전 전류의 직류 전류 성분을 제거함으로써 제전 능력과 효율이 좋은 것이 나타내어지고, 본 발명의 기능이 유효하게 작용하고 있는 것을 나타내는 결과가 되었다.

또한, 실험에서는 1개의 금속 세선에 의한 방전 전극에 의해 행했지만, 또한 고속 스캔이 요구되는 경우 등에는 한 개의 도전 케이스 중에 복수 개의 방전 전극을 적정한 간격으로 배치하는 것도 가능하고, 또, 복수 개의 이오나이저를 병렬로 배치하는 방법도 가능하다.

또, 대형의 액정 패널 기판(예를 들면, 폭 2500㎜ 이상)을 대상으로 하여 제전을 행하는 경우에, 1개의 긴 이오나이저로 구성하는 것은, 금속 세선의 장력의 한계도 있고, 느슨해짐이나 진동 등의 영향을 받아, 안정성을 유지하는 것은 매우 곤란하다. 그래서 본 발명에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이 복수의 이오나이저(1A~1E)를 채용하고, 이러한 문제를 해결하도록 했다.

즉, 도 1에 나타낸 이오나이저(1)에 있어서의 경우와 같이 기능하는 방전 전극(2A~2E)을 구비한 5기의 이오나이저(1A~1E)를, 액정 패널 기판(W)의 반송 방향(D)과 직교하도록 하여 가로폭 방향으로 배열하고, 서로 인접하는 부분에 비방전 부분이 생기지 않도록 배치하고 있다. 상기 방전 전극(2A)에는 콘덴서(5A)를 통해 교류 고전압(4A)이 인가되고, 방전 전극(2B)에는 콘덴서(5B)를 통해, 방전 전극(2C)에는 콘덴서(5C)를 통해 교류 고전압(4B)이 인가된다. 또, 방전 전극(2D)에는 콘덴서(5D)를 통해, 방전 전극(5E)에는 콘덴서(5E)를 통해 교류 고전압(4C)이 인가된다.

이와 같이, 분할하여 이오나이저를 짧게 함으로써 방전 전극 세선의 느슨해짐을 억제하고, 진동에 대한 내성을 향상할 수 있고, 이오나이저의 제작에 있어서도 안정된 조립이 가능해진다. 이로 인해, 대형의 액정 패널 기판을 대상으로 하는 경우에 있어서도, 본 발명의 구성에 의해서 코로나 방전의 이온 분포가 균일해지고, 안정된 제전을 행할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예로서, 도 2에 나타낸 직류 전원(6)을 3개 이용하여, 각각의 직류 전원을 도 5의 교류 고전압(4A~4C)과 각각 직렬 접속한 구성으로 해도 된다.

도 1은 본 발명의 제전 장치의 구성의 개요를 나타내는 도면이다.

도 2는 본 발명의 제전 장치의 다른 구성의 예를 나타내는 도면이다.

도 3은 본 발명의 제전 장치의 검증 실험의 결과를 나타내는 도면이다.

도 4는 본 발명의 제전 장치의 또 다른 구성의 예를 나타내는 도면이다.

도 5는 교류 코로나 방전의 특성을 설명하는 도면이다.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

1, 1A~1E:이오나이저 2, 2A~2E:방전 전극

3:도전 케이스 4, 4A~4C:교류 고전압

5, 5C~5E:콘덴서 6:직류 전원

C:반송 캐리어 D:액정 패널 기판의 반송 방향

W:액정 패널 기판

Claims (4)

1. 금속 세선으로 이루어지는 방전 전극과, 이 방전 전극을 덮는 도전 케이스로 이루어지고, 그 도전 케이스의 피제전물인 액정 패널 기판에 면하는 측이 개방되어 있는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판에 대해 교류 코로나 방전을 행하고, 대전한 액정 패널 기판의 제전이 가능해지도록 한 액정 패널의 제전 장치에 있어서,

   상기 이오나이저를 액정 패널 기판의 반송 방향과 직교하도록 배치하고, 직류 전류 성분을 제거한 교류 고전압을 상기 이오나이저의 방전 전극에 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 액정 패널 기판의 제전 장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 교류 고전압이 콘덴서를 통해 인가되도록 함으로써 교류 코로나 전류의 직류 전류 성분을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 액정 패널 기판의 제전 장치.
3. 청구항 1에 있어서,

   교류 코로나 전류의 직류 성분에 대응하는 역극성의 직류 전류 성분을 교류 고전압에 바이어스함으로써 교류 코로나 전류의 직류 전류 성분을 제거하도록 한 것을 특징으로 하는 액정 패널 기판의 제전장치.
4. 금속 세선으로 이루어지는 방전 전극과, 이 방전 전극을 덮는 도전 케이스로 이루어지는 이오나이저에 의해 액정 패널 기판에 대해 교류 코로나 방전을 행하고, 대전한 액정 패널 기판의 제전이 가능해지도록 한 액정 패널 기판의 제전 장치에 있어서,

   복수의 상기 이오나이저를 액정 패널 기판의 가로폭 방향이며 반송 방향에 직교하도록 배치하고, 교류 고전압을 상기 이오나이저의 각 방전 전극에 인가하도록 한 것을 특징으로 하는 액정 패널 기판의 제전 장치.

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