JPS63316441A - 表面からミクロン及びサブミクロンの寸法の汚染粒子を除去する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は表面のクリーニング、具体的には静電界を使用
することによって表面をドライ・クリーニングする方法
に関する。

Ｂ、従来技術 粒粒子による汚染は半導体チップの製造時の大きな収率
の損失、及び高密度の磁気メモリ装置の収率及び信頼性
の損失をもたらす。このような損失を減少する１つ方法
として高効率のクリーニングが認識されている。

表面から汚染を除去するためには、汚染物の付着力を減
少もしくはそれに打ち克たなければならない。表面活性
剤によってウェット・クリーニングはこの両方を達成す
る代表的な１つの方法である。

ウェット・クリーニングは多くの場合に有効であるが、
次のような欠点が存在する。

（１）ウェット・クリーニングは有害な残渣を残す。

（２）材料を湿潤することによって材料を損傷する。

（３）乾燥に時間がかなりかかる。

このような場合には、ドライ・クリーニングが好ましい
。ドライ・クリーニングの１つの普通の方法である、高
速気体の噴流を使用する方法が、しばしば使用されてい
るが、その有効性は粒子の寸法が減少すると減少し、直
径が２，３ミクロンもしくはそれ以下の汚染物について
は無効であることが知られている。事実、数ミクロン以
下の粒子の除去は困難であることが知られている。従っ
て、直径が数ミクロン及びそれ以下の粒子汚染物を除去
するドライ方法の必要性が増大している。

表面から帯電粒子を除去するドライ・クリーニング方法
として電界が使用されている。たとえば、米国特許第３
５３６５２８号にはウェブ表面がらウェブの一面をコロ
ナ放電にさらすことによって粒子を除去する方法及び装
置が開示されている。

コロナ放電は粒子を帯電して、この帯電が粒子の付着力
を克服する助けをなす。次にウェブは、ウェブの反対側
上にある同種（反＃）電荷を有する電極上を通過されて
、粒子が空気の流れとともに除去されている。

他の従来のクリーニング・システ１１は針状の静電的に
帯電可能なプローブを使用して、表面がら粒子を除去し
ている。この技術は１９７９年１２月刊のＩＢＭテクニ
カル・ディスクロージャ・バレテン第２２巻、第７号、
第２６９６頁のり、Ｃ。

シャング著「静電クリ−ニゲ・システム」（”Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ
”、　ｂｙ　Ｄ、Ｃ。

Ｓｈａｎｇ、　　Ｉ　ＢＭ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄ
ｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　［１ｕｌｌｅｔｉｎ。

Ｖｏｌ、２２、Ｎｏ、７、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ　１９７９
、Ｐ、２６９６）に開示されている。プローブは最初所
与の静ｆｆ！極性で帯電された後表面上を走査する。こ
れによって１反対に帯電した粒子がプローブに吸引され
て、一時的にプローブに付着する。粒子はその後、離れ
た場所でプローブから除去されている。

しかしながら、上述のクリーニング・システムの両方の
型とも、５５ミクロン以上の比較的大きな粒子の除去に
限られている。それは小さな粒子のために必要とされる
電界の強さでは誘電界破壊を生ずるからである。しかし
ながら、大きな粒子は他の手段によって効果的に除去さ
れるので、静電クリーニング・システムは実施に好まし
い方法とは云えない。

理論的には、導電性の表面上の汚染粒子は、その粒子の
面積及び電界に比例する電荷を獲得することが推測され
る。又理論的には、粒子は電界中で電界Ｘ電荷に比例す
る正味の力を受けることが推測される。従って１球上の
力（Ｆ）は次式で示すように球の直径（ｄ）の２乗と、
電界（Ｅ）の２乗に比例する。

Ｆ＝ｋＥ２ｄ２ ここでに＝３．８Ｘ１０−６ダイン／■２である。ただ
し、電界の単位をＶ（ボルト）／ａｌｌ及び粒子の直径
の単位を■、力の単位をダインとする。

正味の力の良好な近似は予測された電荷、平面上の電界
及び球の像電荷による平面に向う吸引力のための補正を
使用することによって得られる。この粒子のための正味
の力の式から、小さな直径の粒子を除去するにはより大
きな強さの電界が必要なことが容易に理解さ九よう。

気体の誘電破壊は幾何学的形状及び気体の密度及び気体
の原子もしくは分子の特性に依存する。

常温及び常圧（ＮＴＰ）の空気の場合は、１■程度のギ
ャップで電界破壊は１０ｋＶ／■で生ずる。

電界がこれより高くなると、アーク放電が生ずることが
知られている。

この分野での従来の作業の大部分は空気中でＮＴＰで行
われ、従って約１０ｋＶ／ａｍに制限されているが、１
９６９年刊のＺａｖｏｄ　　Ｌ　Ａ　Ｂ　（Ｕ　Ｓ　Ｓ
Ｒ）、第３５（１０）巻、第１２６５−１２６７頁のミ
ャズドリコフ及びプヅノフの論文［表面粒子系における
付着力を測定する装置Ｊ　（Ｍｙａｚｄｒｉｋｏｖａｎ
ｄ　Ｐａｚｎｏｖ“Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ　ｆｏｒ　ｄ
ｅｔｅｒａ＋ｉｎｇＡｄｈｅｓｉｏｎ　Ｆｏｒｃｅｓ　
ｉｎ　ａ　５ｕｒｆａｃｅ　Ｐａｒｔｉｃｌｅ　Ｓｙｓ
ｔｅｍ。

”Ｚａｖｏｄ　Ｉ、ａｂ（Ｕ　Ｓ　Ｓ　Ｒ）、３５（１
０）：　１２６５−１２６７（１９６９））は高圧の気
体を使用することによって、若干高い電界（３０−５０
ｋ　Ｖ／ａｎ）を求める方法を開示している。空気は１
気圧の数分の１でその最小の誘電強さを示す。従って高
圧と空気以外の（６つフッ化イオウのような）気体を使
用することによってこの電界の強さの範囲を広げること
ができる。

しかしながら、上記の力の式から、数ミクロン以下の粒
子を除去するためには、数１００ｋＶ／ｃｍ　Ｉ　Ｍ　
Ｖ　／■の静電界が必要なことがわかる。このような高
い電界の強さは従来得られていない。

Ｃ０発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は静電粒子除去システムを使用することに
よって直径がミクロンもしくはサブミクロンの汚染粒子
を有する半導体装置の表面をクリーニングする方法を与
えることにある。

Ｄ０問題点を解決するための手段 導電性プレートを互に絶縁するための絶縁体（たとえば
キャブトン（ＫＡＰＯＮ（登録商標））もしくは他のポ
リマ、マイカ等の誘電層）を使用すること、及びプレー
トに大きな電位差を与えることによって、誘電アーク放
電を生ずることなく、ミクロン寸法及びサブミクロン寸
法の粒子を除去できる高静電界が発生されることが発見
された。

本発明の好ましい実施例に従えば、金属のベース・プレ
ートが高電圧電力源の１つの端子に接続される。次に清
浄にすべき基板を金属のベース・プレート上に置く。次
に絶縁フィルムを基板上に置く。このフィルムは高電圧
電力源の他の端子に接続された金属ローラによって基板
に押つけられる。ローラはヨーク（ねじ駆動装置に接続
された）によってフィルム／基板組合せ体を横切って移
動され、これにより、フィルムの相継ぐ領域が基板の相
継ぐ領域に接触し、このとき、フィルムが基板面で引き
ずられないようにする。フィルムの基板上の移動時間は
略１分であり、このような条件の下でミクロン及びサブ
ミクロン寸法の粒子が基板から除去される。

Ｅ、実施例 本発明に従う装置の基本的構成を第１図に示す。

本発明に従い除去されるべき粒子２０を有する表面１０
が導電性のベース・プレート１２上に置かれている０表
面１０は導電性もしくは非導電性のどちらでもよい。

導電性ベース・プレート１２はＤＣ電力源１４の１側に
接続されている。しかしながら表面が導電性の時はベー
ス・プレートの使用は省略でき、接続は直接表面１０自
体になされる。

上記導電性ベース・プレート１２の反対側に隣接して第
２のプレート１６が存在し、これは大地もしくはＤＣ電
力源の反対の電位の側に接続されている。プレート１６
に連続もしくは隣接して絶縁材料１８が存在する。この
材料はスパークを発生することなくプレート１２及び１
６間に高い誘電界を形成できる高い誘電強さを有するこ
とを基準にして選択される。プレート１２及び１６は固
定もしくは可動でよく、あるいは上記絶縁材料１８の金
属フィルム・バッキングとなるように形成される。

動作について説明すると、導電性ベース・プレート１２
は表面１０上の粒子２０を表面１０と同一電位に帯電し
、プレート１６とプレート１２間に静電界を確並してい
る。絶縁体１８の厚さくｈ）とプレート１２及び１６間
の電圧差（Ｖ）によってＶ／ｈに比例する電界が発生す
る。この電界を上述の力の式に代入すると１粒子は次式
で示すように粒子の直径の２乗に比例する、帯電プレー
ト１２からの反撲力（Ｆ）を受けることがわかる。

Ｆ＝ｋ（Ｖ／ｈ）２ｄ　２ 粒子を除去するために静電力を使用する従来の方法は電
極（プレート）間の絶縁体として種々の圧力の空気もし
くは他の気体を使用したために、部分的に成功している
にすぎない、これによって、電界は気体の破壊電界に制
限され、常温常圧の空気では約１００００　Ｖ　／　ｔ
：ｖに制限される。ポリイミドの場合の破壊電界はｌ０
０００００Ｖ／（２１１以上である。これによって数ミ
クロン以下の直径の粒子を除去するのに十分大きな電界
を発生することが可能になる。

フィルムを使用することの他の長所は極めて大きな表面
（間隔の数１０００倍大きい）及び不規則な表面上に極
めて接近した間隔を保持することが容易になることであ
る。第１図の装置に対応する例では、銅フィルムが裏打
ちされている０、００２５ｃｍのポリイミド絶縁体を使
用して、ポリイミドにより０．００２５ａｎの間隔が都
合よく保持された。これに対して、絶縁体として気体も
しくは真空を使用した場合には間隔の注意深い副室及び
平面電極の平行性を保つのに特別な努力を要する。この
ような狭い間隔が望ましいのはより低い電圧で高電界が
保持されるからである。

気体もしくは真空と比較して、フィルムを使用すことの
他の利点は汚染粒子が、大きなギャップを横切る場合の
ように、再結合するような速度を獲得しない点にある。

ギャップが小さい程、粒子が獲得する運動エネルギは小
さくなる（略静電力Ｘギャップ幅（Ｖ／ｈ）２ｄ　２ｈ
）。さらにフィルムはエネルギーの一部の形態を変え、
吸収して、再結合の可能性を減少する。

第１図の装置のテストを多くの比較動作条件の下（即ち
代替誘電材料：ポリイミド、真空及び空気）及び異なる
型のサンプル（即ち、平坦な金属、平坦な絶縁体、粗ら
い絶縁体）を使用して遂行した。結果を第１表に示す。

第１表 平坦な金属の（反射性）表面 粒子の　粒子の　　　　　　　　　　　電界り径゛　　
皿底　　朋３ｉｆ）ｈ＊　　　（ＫＶ／印）０．５ｕｍ
ラテックスポリイミド　＞９５％　　　７０００１．１
　　ラテックスポリイミド４６％−９８％　　２８００
１．１　　ラテックス　　真空　　　１％　　　５５０
１０．１　　ラテックス　　真空　　　８５％　　６０
０１−２　　　　Ｎｉ　　　　　真空　　　４７％　　
６００３−５　　　　Ｎｉ　　　　　真空　　　８５％
　　２２２５−８　　　　Ｎｉ　　　　　真空　　〉９
５％　　２２２８−１０　　　Ｎｉ　　　　　真空　　
〉８５％　　２２２０．５　　　ＳｉＯ□　　ポリイミ
ド　〉９５％　　８４０００．５　　５ｉｎ２　　　　
　真空　　＜１０％　　５２５０　、５　　　ＳｉＯ□
　　　　空気　　〈１０％　　　２０９−１５　　　Ｓ
ｉＯ□　　　　真空　　　９９％　　１４０平坦な絶縁
体（ガラス、ガラス・セラミック）表面電圧 （ｋ　Ｖ） ３−１７　　　Ｎｉ　　　　ポリイミド　）５０％　　
　１５３−１７　　　Ｎｉ　　　　　空気　　〉９０％
　　　１０３９　　　　Ｓｉｏ□　　　　空気　変動す
る　　１０粗い絶縁体−製品（多層セラミックＭｏパッ
ド）表面 ３−１７　　　Ｎｉ　　　　　空気　　〉９０％　　　
１０３−１７　　　Ｎｉ　　　　ポリイミド　〉９０％
　　　１０使用した汚染粒子は（ホトレジストのような
ポリマー粒子をシミュレートした）ポリスチレン・ララ
ックス、（ステンレス鋼のような４電性金属をシミュレ
ートした）ニッケル及び（種々の非導電性酸化物をシミ
ュレートした）Ｓｉｎ、である。

誘電媒体がポリイミドの時は、汚染した表面を乾燥ポリ
イミド・フィルムと接触さした。誘電媒体が真空の時は
、動作は電気的破壊を防止するために１００万分の１ト
ル以下の真空容器中で行われ、除去能力をテストするた
めの粒子が置かれているステンレス鋼と接触しない薄い
ポリマー・コーティングがほどこされた（別の）ステン
レス鋼表面を有する対向ｆｔ１極が使用された。絶縁媒
体が空気の時は、動作は雰囲気の温度及び圧力で行われ
、絶縁体でカバーした対向電極を、空気ギャップを保つ
ための絶縁スペーサによって汚染表面から雛して使用し
た。

収集効率は汚染表面上の成る領域中の粒子の数を数え、
電圧（電界）を段階的に増加した後に同じ領域に戻るこ
とによって決定された。

真空ギャップの場合の電界は単に電圧を間隔で割ったも
のである。ポリイミドが絶縁体である場合の電界は、粒
子が（ポリイミドと汚染表面間に）ある個所では、３．
ｅｘ？ｆｌ圧÷ポリイミドの厚さく通常０．００（２５
ｃｍ）の値を有する。ここで３゜６はポリイミドの誘電
定数である。ギャップ中の電界は導体間の間隔並びにポ
リイミド層及び空気層の厚さ及び誘電定数を含む式によ
って決定される。セラミック・ガラス・スライドもしく
は多層セラミック（ＭＬＣ）表面の場合の電界は計算し
なかった。ＭＬＣの推定値は詳細にはＭＬＣの表面が導
体であるか絶縁体であるかに依存し、実際には成る領域
は導電性であり、他の領域は絶縁性であるので電界の計
算は回連である。しかしながら、示された値よりもはる
かに大きな電圧が製造設計者にとって使用できるものと
考えられる。

第１表の結果から、次のことがわかる。

（ａ）小さな粒子を除去するには高い電界が必要である
。

（ｂ）ラテックス粒子はニッケルもしくは５ｉ０２粒子
を除去するよりも困難である。

（ｃ）最高の電界はポリマーの場合に１次に高い電界は
真空の場合に、最低の電界は空気ギャップの場合に、達
成される。

理論的には、除去される最小の粒子寸法は１／Ｅ２に比
例しなければならず、高い電界（Ｅ）を得るのが困難に
なる。ラテックス粒子はニッケルもしくはＳｉＯ□より
も変形しやすく、おそらくこの変形によってかたく付着
しやすい。ポリマー・フィルムは１２ミクロンの厚さを
保持しやすく、ｔｌ　ｒ？Ｌ　ｒｉｔｔ壊の強さが高い
ので高い電界の発生が可能である。

さらにポリマー・フィルムのギャップ中の電界は誘電体
中の電界よりも３．６倍高い。真空も高い誘電破壊強さ
を有するが、ポリマー・フィルムの場合よりも１ｄの面
積にわたって小さな間隔を均一に保つことが困難である
。空気はＩｍｍａ度の間隔の場合、約１０ｋＶ／ｃｍに
おいて破壊するが。

この誘電破壊の強さは間隔が小さくなると増大する。

第２図及び第３図は本発明の好ましい実施例の装置の正
面及び側面図である。これ等の図で、金属ベース３０は
高電圧電力源３２の１端子に接続されている。清浄にす
べき基板表面３４が金属ベース上に固定されている。表
面３４上には藩い絶縁フィルム３６が存在する。金属ロ
ーラ３８が電力源３２の他の端子に接続され、フィルム
３６を清浄にすべき表面に押付けるために上記絶縁フィ
ルム３６の上に存在する。

ローラ３８はヨーク（わ＜）４０（、ｔ２じ駆動装置に
接続されている）によってフィルム／基板上に横切るよ
うに移動される６従ってフィルムの相継ぐ領域がフィル
ム３６を基板３４上で引することなく、基板３４の相継
ぐ領域と接触する。フィルム３６が表面を横切って通過
する全時間は各テストにつき略１分である。

ローラ及びベースはステンレス鋼もしくは他の導電性材
料で形成される。

第２図及び第３図の装置を種々の表面を使用してテスト
した。１つのテストでは、高度に反射性の表面を有し、
内部に金属表面を持たないセラミック基板を使用した。

使用したフィルムは米国ノース・カロライナ州シャーロ
ット市のラミネックス（Ｌａｍｉｎｅｘ＞社によって製
造されているパーマラム（ＰＥＲＭＡＬＡＭ登録商標）
ＡＶ１５０である。このフィルムは１．２７ｘｌＯ”ａ
ｍの厚さポリエステル（輝色）を２．５４Ｘ１０　　”
ｃｓの厚さのポリエチレン（鈍色）に積ねた厚さ３．８
１Ｘ１０　　”■のものである。ポリエステル（］！ｉ
いている）の側を基板と接触するように使用した。しか
しながらこのポリエステル／ポリエチレンは使用できる
うち好ましい方でもなく唯一のポリマーでもない。

シミュレートされた粒子はＮｉ球もしくはガラス球であ
る。これ等の粒子は乾燥した状態で基板に付着された６
粒子の寸法を測定し、数を教えるのに光学顕微５！（２
００倍）を使用した。Ｎｉ球の場合は、写真上で直径が
１ｍｍ乃至１．５ｍｍ間にあるとみなされるものだけを
数えた。これ等は実際には５及び７．５ミクロン間の直
径を有する（有効数字で５−８μｍ）。ガラス球は直径
９乃至１５ミクロンであった（公称１２ミクロン）。こ
れより大きい及び小さいガラス球については寸法上の区
別をせず１寸法にかかわらず数えた。

一般的に云って、写真は最初粒子を付着した後に撮影し
、領域中の粒子を数えた。次にフィルム／ローラ組立体
を介して静電界を印加した。同じ領域の写真を撮影し、
粒子を再び数えた。除去効率は除去された孤立粒子の数
を始めに存在した孤豆粒子の数によって割った値として
決定された。

第２表は開始時点の孤立粒子の数とフィルム／ローラ組
立体を介して１０ｋＶの電圧を印加した後に残された粒
子の数を示している。この表は又除去効率、その平均、
標準偏差（ＳＤ）及び平均の標ｉ（＋４　ｉｔ差（ＳＥ
）を示す。さらに、スチューデントを分布臨界値及び標
／（１！誤差から求めた平均の推定値に関する９５％信
頼区間が与えられている。

第２表 粒子数及び除去効率の統計値 ニッケル球（５−８μｍ） 効率の統計値 条件　粒子数効率平均ＳＤ　　ＳＥ　　９５％区間開始
　９０ １０ｋＶ　　１　　　０．９８９ 開始　１３５ １０ｋＶ　　９　　　０．９３３ 開始　１２０ １０ｋＶ　　２　　　０．９８３ 開始　７５ １０ｋＶ　　　１　　　　　０．９８７０．９７３’０
．０２７　０．０１３４　０．９３−１．００ガラス（
Ｓｉｎ□）球（９−１５μｎ＋）効率の統計値 条件　粒子数効率平均ＳＤ　　ＳＥ　　９５％区間開始
　４５ １０ｋＶ　　Ｏ１，０００ 開始　４６ １０ｋＶ　　Ｏ１，０００ 開始　２７ １０ｋＶ　　０　　　１．０００ 開始　２７　　１．０００ １０ｋＶ　　１　　　０．９５５ ０．９９１０．０２００．００９０．９６−１．００第
２表から、５−８μｍの直径のニッケル球の場合は平均
効率についての９５％信頼区間は９７゜３±４．３％で
あることがわかる。同種の分析によって平均効率が９５
％以上の９０％信頼レベルがあることが示される。さら
にこのクリーニング方法によって小さなＮｉ粒子でも除
去されていることが認められる。直径が９−１５μｍの
ガラス球の場合は平均効率についての９５％信頼区間は
９９．１±２．５％であり、これは平均効率が９５％以
上の９９％信頼レベルに対応する。

第２図及び第３図の第２のテストでは、清浄にすべきサ
ンプルとしてモリブデンのパターンを有する多層セラミ
ック基板（サンプルＡ及びＢ）を使用した。

サンプルＡの場合には、使用したフィルムはノース・カ
ロライナ州シャーロット市のラミネックス社によって製
造された３、８１Ｘ１０　　　ｃｍの厚さのパーマラム
（ＰＥＲＭＡＬＡＭ登録商標）フィルム（１，２７Ｘ１
０−３ｃｓｎの厚さのポリニスチルにラミネートされた
２、５４Ｘ１０　　　ａｍの厚さのポリエチレン）と１
２．７ＸｌＯ印の厚さのキャブトン（Ｋ　Ａ　Ｐ　Ｔ　
ＯＮ　’Ｊ−録商標）ポリイミド・フィルムより成るも
のである。サンプルＢの場合は、３．８１Ｘ１０−３−
の厚さのパーマラム（Ｐ　Ｅ　ＲＭ　Ａ　Ｌ　Ａ　Ｖｉ
　’３Ｌ　８商標）の単一フィルムを使用した。

使用した粒子は上述のセラミック基板の場合と同じであ
る。テスト規準は上述の場合と同じである。

２枚のフィルムより成るサンプルＡの場合は。

パッド上の１９個のガラス粒子９１９個が除かれた。さ
らにパッドのまわりの領域中の１３０個のガラス粒子９
１２３個が除かれた。粒子の除去についてはパッドと残
りの領域間に統計的に有意な差は認められなかった。総
除去数は１４９中１４２であり、９５．３％に当る。

２枚のフィルムより成るサンプルＡの場合、１０ｋＶで
パッド上の３４個のＮｉ粒子９３４個が除去された。さ
らにパッドのまわりの領域では２７６個のＮｉ粒子中２
６０個が除かれた。粒子の除去に関しては、パッドと他
の領域間に統計的に有意な差は認めなかった。総除去率
は３１０中２９４であり、９４．８％に当る。

３．８１Ｘ１０−３Ｇのパーマラム（ＰＥＲＭＡＬＡＭ
）フィルムのサンプルＢの場合は、望ましくないアーク
放電を生ずることなく達成される最高の電圧差は３乃至
４ｋＶであったのでこれ等の試行のデータを組合した６ ３．８１Ｘ１０　　”■のフィルムのサンプルＢの場合
は、３−４ｋＶでパッド上の２８個のガラス粒子中２８
個が除去され、パッドのまわりの領域では１６３個のガ
ラス粒子９１６３個が除去された。粒子の除去に関して
は、パッドと他の領域間に統計的に有意な差は認められ
なかった６全体の除去率は１９１中１８９で、９９．０
％に当る。

３．８１Ｘ１０　　　ｒｙｅのフィルムのサンプルＢの
場合には、パッド上の８個のＮｉ粒子中７個が除去され
、パッドのまわりの領域では６４個の粒子中６２個が除
去された。粒子の除去について云えば、パッドと基板領
域間には統計的に有意な差は認められなかった。

ガラス球をテスト汚染物として使用し、異なるフィルム
／電圧の組合せを使用した場合を比較すると、総除去率
の比１８９／１９１＝０．９９０対１４２／１４９＝０
．９５３は統計的に有意な差であり、３．８１Ｘ１０−
３ａ＋＋のパーマラム（ＰＥＲＭＡＬＡＭ）フィルムを
介してサンプルＢに作用する３−４ｋＶの電圧の組合せ
条件は２攻のフィルム（３，８１Ｘ１０−３■の厚さの
パーマラム（ＰＥＲＭＡＬＡＭ）及び１２　、７　Ｘ　
１０””ｒ＋ｎ３の厚さのキャブトン（ＫＡＰＴＯＮ）
を介してサンプルＡに作用し１２μｍのガラス球を除去
する１０ｋＶの電圧の組合せ条件よりも多くの粒子を除
去することを示している。Ｎ１球の場合は統計的に有意
な差は認められない（サンプルＢの１枚のフィルムの場
合は６９／７２＝０．９４８で、サンプルＡの２枚のフ
ィルムの場合は２９４／３１０＝０．９４８）。

Ｆ１発明の効果 本発明に従い静電粒子除去システムを使用することによ
って、直径がミクロンもしくはサブミクロンの汚染粒子
を有する半導体装置をクリーニングする方法が与えられ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従う基本的な静電粒子除去装置の側面
図である。第２図は本発明に従う好ましい実施例の装置
の正面図である。第３図は第２図の装置の側面図である
。 １０・・・・基板の表面、１２・・・・導電性ベース・
プレート、１４・・・・ＤＣｆｆｉ力源、１６・・・・
第２のプレート、１８・・・・絶縁材料、２０・・・・
粒子、３０・・・・金屑ベース、３２・・・・電力源、
３４・・・・基板の表面、３６・・・・絶縁フィルム、
３８・・・・ローラ、４０・・・・ヨーク。 出１傾人　　インターナショナル・ビジネス・マシーン
ズ・コーポレーション 代理人　　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（外１名） ２０−ａ　−１−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）高電圧、直流電力源の１端子に接続した第１の導
   電性のベースを設置し、 （ｂ）粒子を除去すべき表面を上記第１の導電性のベー
   ス上に位置付け、 （ｃ）上記高電圧、直流電力源の他の端子に接続した第
   ２の導電性のベースを上記第１の導電性のベース及び上
   記表面から少なくとも１つの粒子の直径分離れた予定の
   幾何学的位置に設置し、 （ｄ）上記第２の導電性のベースと上記表面間に絶縁体
   を位置付け、 （ｅ）上記第１及び第２の導電性のベース間に約０．１
   ＭＶ／ｃｍ以上の電界を印加して、上記粒子を上記表面
   から静電的に除去する段階を有する、表面からミクロン
   及びサブミクロンの寸法の汚染粒子を除去する方法。