JPH01221637A - 観察試料処理方法 - Google Patents
観察試料処理方法Info
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- JPH01221637A JPH01221637A JP63047200A JP4720088A JPH01221637A JP H01221637 A JPH01221637 A JP H01221637A JP 63047200 A JP63047200 A JP 63047200A JP 4720088 A JP4720088 A JP 4720088A JP H01221637 A JPH01221637 A JP H01221637A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、基板の表面上にg&細なパターンが形成され
た試料であって、前記基板及びパターンのうちの少なく
とも一方が絶縁体で構成されている試料の前記パターン
を走査型電子顕微鏡によって観察する際に前記パターン
の観察を良好にするために前記試料に施される観察試料
処理方法に関するものである。
た試料であって、前記基板及びパターンのうちの少なく
とも一方が絶縁体で構成されている試料の前記パターン
を走査型電子顕微鏡によって観察する際に前記パターン
の観察を良好にするために前記試料に施される観察試料
処理方法に関するものである。
[従来の技術]
第3図は、前記試料の構成を簡略化して示したもので、
例えば、符号1が絶縁体による基板、2が導電体による
微細なパターンである。
例えば、符号1が絶縁体による基板、2が導電体による
微細なパターンである。
このような試料の具体例としては、IC等の電子部品お
よびその製造に関連した部品を挙げることができ、また
微細なパターン2の一例としては、ICにおけるボンデ
ィングワイヤ等を挙げることかできる。
よびその製造に関連した部品を挙げることができ、また
微細なパターン2の一例としては、ICにおけるボンデ
ィングワイヤ等を挙げることかできる。
さて、このような試料において、パターン2の幅寸法P
、パターン2相互間のスペースの幅寸法S等をチエツク
する方法として、走査型電子顕微鏡によってパターンを
観察することが知られている。
、パターン2相互間のスペースの幅寸法S等をチエツク
する方法として、走査型電子顕微鏡によってパターンを
観察することが知られている。
この走査型電子顕微鏡は、第4図に矢印(イ)で示す方
向から試料の表面に電子線を当てて、電子線による走査
を行い、走査時における二次電子線を検出することによ
ってパターン2の像を得るものである。
向から試料の表面に電子線を当てて、電子線による走査
を行い、走査時における二次電子線を検出することによ
ってパターン2の像を得るものである。
ところが、例えば、前記基板1が絶縁体によって構成さ
れる試料にあっては、電子顕微鏡からの電子線が試料の
表面に直接照射されると、それによって基板1に帯電が
起り、この帯電によって二次電子線が不如意に曲げられ
、観察すべき像に歪みが生じるという不都合が発生する
。
れる試料にあっては、電子顕微鏡からの電子線が試料の
表面に直接照射されると、それによって基板1に帯電が
起り、この帯電によって二次電子線が不如意に曲げられ
、観察すべき像に歪みが生じるという不都合が発生する
。
そこで、このような帯電による不都合の発生を防止する
ための処理が必要になる。
ための処理が必要になる。
この処理としては、これまで、次の二つが検討されてい
た。
た。
その一つは、メツキあるいは蒸着による技術を使って、
試料の表面にアルミ、金等の金属膜を形成し、この金属
膜の上から電子顕微鏡による観察を行うというものであ
る。
試料の表面にアルミ、金等の金属膜を形成し、この金属
膜の上から電子顕微鏡による観察を行うというものであ
る。
曲の一つは、電子W4微鏡開を改良するもの、すなわち
、電子線の電子の引き出し電圧である加速電圧は、通常
10kV程度であるが、その加速電圧を約500v〜1
.5kVの低い電圧にするというものである。
、電子線の電子の引き出し電圧である加速電圧は、通常
10kV程度であるが、その加速電圧を約500v〜1
.5kVの低い電圧にするというものである。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、前者の処理の場合では、!!察終了後の金属
膜の除去が困難であり、非破壊によるパターン2の寸法
、形状の測定が出来ないという問題があった。
膜の除去が困難であり、非破壊によるパターン2の寸法
、形状の測定が出来ないという問題があった。
一方、後者の処理の場合では、電子線の加速電圧を低下
させた分、レンズ収差、電子線密度の低下等による分解
能の低下がみられ、また、一方、これらの問題を解決し
ようとすると、例えば、特殊な電子線ガンであるフィー
ルドエミッションを使用する等、種々の特殊な技術を駆
使する必要が生じ、実際上は、技術的に困難な改良にな
るとともに、高価になるという問題があった。
させた分、レンズ収差、電子線密度の低下等による分解
能の低下がみられ、また、一方、これらの問題を解決し
ようとすると、例えば、特殊な電子線ガンであるフィー
ルドエミッションを使用する等、種々の特殊な技術を駆
使する必要が生じ、実際上は、技術的に困難な改良にな
るとともに、高価になるという問題があった。
この発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、試料に
形成された微細パターンを電子顕微鏡で観察する場合に
、電子顕微鏡の電子線の加速電圧を下げずども歪みのな
い正確な像を観察することができ、しかも非破壊による
パターンの寸法、形状の測定に適して、処理費用も比較
的に安価で済ませることのできる試料処理方法を提供す
ることを目的とする。
形成された微細パターンを電子顕微鏡で観察する場合に
、電子顕微鏡の電子線の加速電圧を下げずども歪みのな
い正確な像を観察することができ、しかも非破壊による
パターンの寸法、形状の測定に適して、処理費用も比較
的に安価で済ませることのできる試料処理方法を提供す
ることを目的とする。
[課題、を解決するための手段]
本発明は、基板の表面上に微細なパターンが形成された
試料であって、前記基板及びパターンのうちの少なくと
も一方が絶縁体で構成されている試料の前記パターンを
走査型電子顕微鏡によって観察する際に前記パターンの
観察を良好にするために前記試料に施される観察試料処
理方法において、 前記試料のパターン及び前記基板のうち少なくとも絶縁
体から構成されているものの表面を、水または溶剤等に
よって容易に剥離させることのできる導電性薄膜で覆う
ことを特徴としたものである。
試料であって、前記基板及びパターンのうちの少なくと
も一方が絶縁体で構成されている試料の前記パターンを
走査型電子顕微鏡によって観察する際に前記パターンの
観察を良好にするために前記試料に施される観察試料処
理方法において、 前記試料のパターン及び前記基板のうち少なくとも絶縁
体から構成されているものの表面を、水または溶剤等に
よって容易に剥離させることのできる導電性薄膜で覆う
ことを特徴としたものである。
[作用]
試料の表面を導電性薄膜で覆った場合には、走査型電子
W4微鏡から照射された電子線による基板の帯電を防止
することができ、電子顕微鏡の電子線の加速電圧を下げ
ずとも歪みのない正確な像を観察することができる。
W4微鏡から照射された電子線による基板の帯電を防止
することができ、電子顕微鏡の電子線の加速電圧を下げ
ずとも歪みのない正確な像を観察することができる。
しかも、前記導電性薄膜は、顕微鏡による観察が終了し
たら、溶剤等によって容易に剥離させることができるた
め、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも適し
ている。
たら、溶剤等によって容易に剥離させることができるた
め、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも適し
ている。
また、溶剤等によって容易に剥離することのできる導電
性薄膜は、例えばフォトマスク等の製造に使うレジスト
材を利用することによって容易に得ることができる。即
ち、例えば、市販のレジスト材を溶剤で薄めるとともに
そこに金属の微粒子を混入させて、導電性のレジスト液
を作り、それをスピンコード法等によって試料の表面に
薄く塗布したり、あるいは、単に市販のレジストによる
薄膜を試料の表面に作り、その薄膜の上に金属微粒子を
蒸着させるなどの方法によって得られる。
性薄膜は、例えばフォトマスク等の製造に使うレジスト
材を利用することによって容易に得ることができる。即
ち、例えば、市販のレジスト材を溶剤で薄めるとともに
そこに金属の微粒子を混入させて、導電性のレジスト液
を作り、それをスピンコード法等によって試料の表面に
薄く塗布したり、あるいは、単に市販のレジストによる
薄膜を試料の表面に作り、その薄膜の上に金属微粒子を
蒸着させるなどの方法によって得られる。
したがって、処理自体を容易かつ安価に済ませることも
できる。
できる。
なお、この場合、上記のように、レジスト剤を溶剤で薄
めると、該レジスト剤の粘性調整ができるから、このレ
ジスト剤を前記測定されるパターンに忠実に添うような
厚さに塗布することが容易になる。
めると、該レジスト剤の粘性調整ができるから、このレ
ジスト剤を前記測定されるパターンに忠実に添うような
厚さに塗布することが容易になる。
また、前記パターンがレジスト膜等の絶縁体で構成され
ているときは、純水に金属あるいは炭素等の導電性微粒
子を混入させた液を前記パターン表面に塗布するとよい
。
ているときは、純水に金属あるいは炭素等の導電性微粒
子を混入させた液を前記パターン表面に塗布するとよい
。
[実施例]
以下、この発明の実施例を第1図および第2図に基づい
て説明する。
て説明する。
第1図は、この発明に係る試料処理方法の一実施例を説
明するためのものである。
明するためのものである。
この一実施例である試料処理方法は、試料3(例えば、
フォトマスク)が絶縁体による基板1(例えば、5X5
X0.09インチ)の表面上に導電体からなる微細なパ
ターン2(例えば、膜厚800オングストロームのクロ
ム膜からなるパターン)を形成した構成をなす場合に、
走査型電子顕微鏡による前記パターン2の観察を良好に
するための試料3の処理方法であって、前記試料3のパ
ターン2側の表面を、溶剤等によって容易に剥離させる
ことのできる導電性薄膜4で覆ったものである。
フォトマスク)が絶縁体による基板1(例えば、5X5
X0.09インチ)の表面上に導電体からなる微細なパ
ターン2(例えば、膜厚800オングストロームのクロ
ム膜からなるパターン)を形成した構成をなす場合に、
走査型電子顕微鏡による前記パターン2の観察を良好に
するための試料3の処理方法であって、前記試料3のパ
ターン2側の表面を、溶剤等によって容易に剥離させる
ことのできる導電性薄膜4で覆ったものである。
そして、前記導電性薄膜4は、この場合では、フォトマ
スク等の製造に使う市販のレジスト材(例えば、ポジ型
フォトレジストであるヘキスト社製のA21350)を
溶剤(例えば、レジスト溶剤であるヘキスト社製のAZ
シンナー)によって前記体積比で約10倍に薄めるとと
もにそこに金属(例えば、アルミニウム)の微粒子を混
入させて、導電性のレジスト液を作り、それをスピンコ
ード法(例えば、回転数8000rpmにて)等によっ
て前記試料の表面(前記パターン2の表面及び該パター
ン2が形成されている基板1の露出されている表面の双
方)に薄く(膜厚300オングストローム)塗布するこ
とによって形成されている。しかし導電性膜[4はこれ
に限定するものではない0例えば、第2図に示すように
、市販のレジスト材によって試料3の表面に形成された
絶縁性の薄膜5と、この薄膜5の上に蒸着あるいは水等
に金属微粒子を混在させた液を塗布することにより形成
した金属微粒子6とで導電性薄膜4を構成するようにし
ても良い。
スク等の製造に使う市販のレジスト材(例えば、ポジ型
フォトレジストであるヘキスト社製のA21350)を
溶剤(例えば、レジスト溶剤であるヘキスト社製のAZ
シンナー)によって前記体積比で約10倍に薄めるとと
もにそこに金属(例えば、アルミニウム)の微粒子を混
入させて、導電性のレジスト液を作り、それをスピンコ
ード法(例えば、回転数8000rpmにて)等によっ
て前記試料の表面(前記パターン2の表面及び該パター
ン2が形成されている基板1の露出されている表面の双
方)に薄く(膜厚300オングストローム)塗布するこ
とによって形成されている。しかし導電性膜[4はこれ
に限定するものではない0例えば、第2図に示すように
、市販のレジスト材によって試料3の表面に形成された
絶縁性の薄膜5と、この薄膜5の上に蒸着あるいは水等
に金属微粒子を混在させた液を塗布することにより形成
した金属微粒子6とで導電性薄膜4を構成するようにし
ても良い。
さて、以上のように、試料3の表面を導電性薄膜4で覆
った場合には、走査型電子顕微鏡から照射された電子線
による基板1の帯電を防止することができ、電子顕微鏡
の電子線の加速電圧を下げずとも歪みのない正確な像を
観察することができる。
った場合には、走査型電子顕微鏡から照射された電子線
による基板1の帯電を防止することができ、電子顕微鏡
の電子線の加速電圧を下げずとも歪みのない正確な像を
観察することができる。
しかも、前記導電性薄膜4は、顕微鏡による観察が終了
したら、溶剤(例えば、熱濃硫酸、純水、イソプロピル
アルコール等)等によって容易に剥離させることができ
るため、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも
適している。
したら、溶剤(例えば、熱濃硫酸、純水、イソプロピル
アルコール等)等によって容易に剥離させることができ
るため、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも
適している。
また、導電性薄plA4自体は、前述のように市販のレ
ジスト材を利用することによって、剥離性と導電性とを
兼備えたものを、容易かつ安価に得ることができ、した
がって、処理自体を容易かつ安価に済ませることができ
る、などの優れた利点を有する。
ジスト材を利用することによって、剥離性と導電性とを
兼備えたものを、容易かつ安価に得ることができ、した
がって、処理自体を容易かつ安価に済ませることができ
る、などの優れた利点を有する。
なお、前記実施例では、基板が絶縁体であり、パターン
が導電体で構成されている例について掲げたが、本発明
は、これに限られず、例えば、これと逆に、基板が導i
c体でパターンが絶縁体であってもよく、さらには、基
板及びパターンがともに絶縁体であってもよい。
が導電体で構成されている例について掲げたが、本発明
は、これに限られず、例えば、これと逆に、基板が導i
c体でパターンが絶縁体であってもよく、さらには、基
板及びパターンがともに絶縁体であってもよい。
また、前記実施例では、絶縁体の基板と導電体のパター
ンの双方の表面に導電性膜を形成する例を掲げたが、こ
の場合、必ずしも双方の表面に導電性膜を形成する必要
はなく、電荷が蓄積する絶縁部分にだけ導電性膜を形成
して、蓄積した電荷を外部アースに放出させるようにし
てもよい。
ンの双方の表面に導電性膜を形成する例を掲げたが、こ
の場合、必ずしも双方の表面に導電性膜を形成する必要
はなく、電荷が蓄積する絶縁部分にだけ導電性膜を形成
して、蓄積した電荷を外部アースに放出させるようにし
てもよい。
さらに、パターンが絶縁体であるときは、少なくともこ
の絶縁体部分に導電性膜を形成して蓄積する電荷を放出
させればよい。
の絶縁体部分に導電性膜を形成して蓄積する電荷を放出
させればよい。
無論、基板とパターンとの双方が絶縁体であるときは双
方を導電性膜で覆うべきことはいうまでもないことであ
る。
方を導電性膜で覆うべきことはいうまでもないことであ
る。
なお、前記導電体の基板とは、例えば、ガラス基板上に
透明導電膜を形成したような基板も含む。
透明導電膜を形成したような基板も含む。
また、前記実施例のレジスト剤の代わりに、例えば、ポ
リ酢酸ビニルを酢酸エチルで溶かしたものや、酢酸セル
ロース(酸化度50〜60%)を酢酸メチルで溶かした
ものを用いることもできる。
リ酢酸ビニルを酢酸エチルで溶かしたものや、酢酸セル
ロース(酸化度50〜60%)を酢酸メチルで溶かした
ものを用いることもできる。
さらには、前記レジスト剤等に混入する導電性微粒子と
しては、Au、Fe、kg、Ni、Cr等の金属の微粒
子や炭素の微粒子が用いられる。
しては、Au、Fe、kg、Ni、Cr等の金属の微粒
子や炭素の微粒子が用いられる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係る試料処理
方法は、試料の表面に溶剤等によって容易に剥離させる
ことのできる導電性薄膜を形成したもので、この導電性
薄膜によって、走査型電子顕微鏡から照射された電子線
による基板の帯電を防止することができ、電子顕微鏡の
電子線の加速電圧を下げずとも歪みのない正確な像を観
察することができる。
方法は、試料の表面に溶剤等によって容易に剥離させる
ことのできる導電性薄膜を形成したもので、この導電性
薄膜によって、走査型電子顕微鏡から照射された電子線
による基板の帯電を防止することができ、電子顕微鏡の
電子線の加速電圧を下げずとも歪みのない正確な像を観
察することができる。
しかも、前記導電性薄膜は、顕微鏡による観察が終了し
たら、溶剤等によって容易に剥離させることができるた
め、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも適し
ている。
たら、溶剤等によって容易に剥離させることができるた
め、非破壊によるパターンの寸法、形状の測定にも適し
ている。
また、溶剤等によって容易に剥離することのできる導電
性薄膜は、例えばフォトマスク等の製造に使う市販のレ
ジスト材を利用することによって容易かつ安価に得るこ
とができ、したがって、処理自体を容易かつ安価に済ま
せることができるなど、優れた効果を奏する。
性薄膜は、例えばフォトマスク等の製造に使う市販のレ
ジスト材を利用することによって容易かつ安価に得るこ
とができ、したがって、処理自体を容易かつ安価に済ま
せることができるなど、優れた効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を説明する横断面図、第2図
は本発明のその他の実施例を説明する要部の断面図、第
3図は本発明を利用する対象である試料を簡略化して示
した斜視図、第4図は第3図のIV −IV線に沿う断
面図である。 1・・・基板、2・・・パターン、3・・・試料、4・
・・導電性薄膜、5・・・薄膜、6・・・金属微粒子。
は本発明のその他の実施例を説明する要部の断面図、第
3図は本発明を利用する対象である試料を簡略化して示
した斜視図、第4図は第3図のIV −IV線に沿う断
面図である。 1・・・基板、2・・・パターン、3・・・試料、4・
・・導電性薄膜、5・・・薄膜、6・・・金属微粒子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の表面上に微細なパターンが形成された試料であ
つて、前記基板及びパターンのうちの少なくとも一方が
絶縁体で構成されている試料の前記パターンを走査型電
子顕微鏡によって観察する際に前記パターンの観察を良
好にするために前記試料に施される観察試料処理方法に
おいて、 前記試料のパターン及び前記基板のうち少なくとも絶縁
体から構成されているものの表面を、水または溶剤等に
よって容易に剥離させることのできる導電性薄膜で覆う
ことを特徴とした観察試料処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63047200A JPH01221637A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 観察試料処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63047200A JPH01221637A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 観察試料処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01221637A true JPH01221637A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12768491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63047200A Pending JPH01221637A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 観察試料処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01221637A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01320421A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electron Corp | パターンの検査方法 |
JP2002148227A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Nikon Corp | 表面検査方法及び装置並びにデバイス製造方法 |
JP2005523459A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
JP2006308443A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Tokyo Institute Of Technology | コンビナトリアルマテリアル用評価基板 |
JP2006317466A (ja) * | 2006-08-11 | 2006-11-24 | Ebara Corp | 欠陥検査方法 |
JP2014092496A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン液体を用いた試料観察方法 |
CN104048858A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种扫描电镜岩石样品的镀铜方法 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63047200A patent/JPH01221637A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01320421A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electron Corp | パターンの検査方法 |
JP2002148227A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Nikon Corp | 表面検査方法及び装置並びにデバイス製造方法 |
JP2005523459A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
JP2009002968A (ja) * | 2002-04-17 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面の検査装置及び方法 |
US8076654B2 (en) | 2002-04-17 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
US8674317B2 (en) | 2002-04-17 | 2014-03-18 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
JP2006308443A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Tokyo Institute Of Technology | コンビナトリアルマテリアル用評価基板 |
JP4560628B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-10-13 | 国立大学法人東京工業大学 | コンビナトリアルマテリアル用評価基板 |
JP2006317466A (ja) * | 2006-08-11 | 2006-11-24 | Ebara Corp | 欠陥検査方法 |
JP2014092496A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン液体を用いた試料観察方法 |
CN104048858A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种扫描电镜岩石样品的镀铜方法 |
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