JPH01320421A - パターンの検査方法 - Google Patents
パターンの検査方法Info
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- JPH01320421A JPH01320421A JP63153270A JP15327088A JPH01320421A JP H01320421 A JPH01320421 A JP H01320421A JP 63153270 A JP63153270 A JP 63153270A JP 15327088 A JP15327088 A JP 15327088A JP H01320421 A JPH01320421 A JP H01320421A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract 2
- -1 ammonium sulfoxide Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 abstract 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 6
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N Diammonium sulfite Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])=O PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオンビームや電子ビームなどの荷電ビーム
を用いて、被検査基板上に形成されたパターンの検査や
測定を行うパターン検査方法に関するものである。
を用いて、被検査基板上に形成されたパターンの検査や
測定を行うパターン検査方法に関するものである。
従来の技術
半導体集積回路のパターンの微細化が進むにつれて、マ
スクのパターンの検査や測定に、光に代わって電子ビー
ムやイオンビームなどの荷電ビームが用いられるように
なってきた。この場合、マスクパターンが形成された被
検査基板が絶縁体や半絶縁体のときは、荷電ビームによ
り被検査基板が帯電するために、反射ビーム等が影響を
受けてパターンの検査や測定を高い精度で行うことがで
きないという問題があった。たとえば、フォトマスクの
場合、基板には絶縁物である石英が用いられることが多
い。また、Ｘ線マスクの場合には、基板としてＳｉＮや
ＢＮなどの絶縁物の薄膜が用いられている。このような
フォトマスクやＸ線マスクのパターンを検査や測定する
場合、帯電により、高精度の検査や測定を行うことがで
きない。
スクのパターンの検査や測定に、光に代わって電子ビー
ムやイオンビームなどの荷電ビームが用いられるように
なってきた。この場合、マスクパターンが形成された被
検査基板が絶縁体や半絶縁体のときは、荷電ビームによ
り被検査基板が帯電するために、反射ビーム等が影響を
受けてパターンの検査や測定を高い精度で行うことがで
きないという問題があった。たとえば、フォトマスクの
場合、基板には絶縁物である石英が用いられることが多
い。また、Ｘ線マスクの場合には、基板としてＳｉＮや
ＢＮなどの絶縁物の薄膜が用いられている。このような
フォトマスクやＸ線マスクのパターンを検査や測定する
場合、帯電により、高精度の検査や測定を行うことがで
きない。
この問題を解決するための従来の方法は、金などの金属
を基板の上に全面に蒸着した後、電子ビームを用いて、
パターンを検査や測定していた。
を基板の上に全面に蒸着した後、電子ビームを用いて、
パターンを検査や測定していた。
発明が解決しようとする課題
従来の金等の金属膜を蒸着する方法は、検査後の金属膜
の除去が困難であり、検査後にマスクとして使用するこ
とができないという問題、および蒸着した金属により、
もとの金属パターンが覆われてしまうために、充分な検
査や測定ができないという問題があった。
の除去が困難であり、検査後にマスクとして使用するこ
とができないという問題、および蒸着した金属により、
もとの金属パターンが覆われてしまうために、充分な検
査や測定ができないという問題があった。
課題を解決するための手段
本発明のパターン検査方法は、被検査基板の表面あるい
は裏面に、導電性高分子膜を形成した後、荷電ビームを
用い、前記被検査基板上のパターンを検査や測定し、こ
の後、前記導電性高分子膜を除去するものである。
は裏面に、導電性高分子膜を形成した後、荷電ビームを
用い、前記被検査基板上のパターンを検査や測定し、こ
の後、前記導電性高分子膜を除去するものである。
作用
本発明のパターン検査方法によれば、被検査基板の上に
導電性高分子膜を形成した後、荷電ビームを用いてパタ
ーンを検査や測定するため、帯電を防止することができ
るとともに、水等で簡単に導電性高分子膜を除去するこ
とができる。
導電性高分子膜を形成した後、荷電ビームを用いてパタ
ーンを検査や測定するため、帯電を防止することができ
るとともに、水等で簡単に導電性高分子膜を除去するこ
とができる。
実施例
本発明のパターン検査方法の一実施例について第１図に
示したフォトマスクの断面図を参照して説明する。
示したフォトマスクの断面図を参照して説明する。
石英ガラス基板１の上にクロム膜２によるパターンが形
成されたフォトマスクの表面全域にポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム膜の導電性高分子膜３を厚さが０．３
μｍになるように回転塗布し、この後、フォトマスクを
１００℃の温度で３０分間の熱処理を施す。続いて、こ
の導電性高分子膜３を塗布したフォトマスク上を電子線
を走査させ反射電子を検出することによりフォトマスク
のパターンの検査を行う。測定には電子線露光装置を改
造したものを用いて行った。
成されたフォトマスクの表面全域にポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム膜の導電性高分子膜３を厚さが０．３
μｍになるように回転塗布し、この後、フォトマスクを
１００℃の温度で３０分間の熱処理を施す。続いて、こ
の導電性高分子膜３を塗布したフォトマスク上を電子線
を走査させ反射電子を検出することによりフォトマスク
のパターンの検査を行う。測定には電子線露光装置を改
造したものを用いて行った。
この後、ポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜は水溶
性であるので、水に６０秒間、浸漬することによって導
電性高分子膜３を除去する。
性であるので、水に６０秒間、浸漬することによって導
電性高分子膜３を除去する。
ポリスチレンスルホン酸アンモニウ膜を塗布したフォト
マスクでは反射電子信号からクロムパーターンの幅やパ
ターン間隔等の測定が可能であった。一方、導電性高分
子膜を塗布してないフォトマスクでは電子線の帯電のた
め反射電子信号が太き（変化し測定は不可能であった。
マスクでは反射電子信号からクロムパーターンの幅やパ
ターン間隔等の測定が可能であった。一方、導電性高分
子膜を塗布してないフォトマスクでは電子線の帯電のた
め反射電子信号が太き（変化し測定は不可能であった。
次に、本発明のパターンの検査方法の他の実施例を第２
図と第４図に示したＸ線マスクの断面図を参照して説明
する。
図と第４図に示したＸ線マスクの断面図を参照して説明
する。
第２図は本発明のＸ線マスクによるパターン検査方法の
第１の実施例を説明するための図である。シリコン支持
枠４の上に窒化シリコン膜５が形成され、この上にＸ線
吸収体であるタングステン膜６によりパターンが形成さ
れたＸ線マスクの裏面全域にポリスチレンスルホン酸ナ
トリウム膜の導電性高分子膜３を１．０μｍの厚さに形
成し、この後、Ｘ線マスクを１００℃の温度で３０分間
の熱処理を施す。ポリスチレンスルホン酸ナトリウム膜
の形成は、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム水溶液を
回転塗布することにより行った。続いて、このＸｎマス
ク上を電子線を走査させ二次電子を検出することにより
ＸＵマスクのパターンの検査を行う。測定は、電子顕微
鏡を改造したものを用いて行った。この後、Ｘ線マスク
を水に６０秒間浸漬し、ポリスチレンスルホン酸ナトリ
ウム膜を除去する。
第１の実施例を説明するための図である。シリコン支持
枠４の上に窒化シリコン膜５が形成され、この上にＸ線
吸収体であるタングステン膜６によりパターンが形成さ
れたＸ線マスクの裏面全域にポリスチレンスルホン酸ナ
トリウム膜の導電性高分子膜３を１．０μｍの厚さに形
成し、この後、Ｘ線マスクを１００℃の温度で３０分間
の熱処理を施す。ポリスチレンスルホン酸ナトリウム膜
の形成は、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム水溶液を
回転塗布することにより行った。続いて、このＸｎマス
ク上を電子線を走査させ二次電子を検出することにより
ＸＵマスクのパターンの検査を行う。測定は、電子顕微
鏡を改造したものを用いて行った。この後、Ｘ線マスク
を水に６０秒間浸漬し、ポリスチレンスルホン酸ナトリ
ウム膜を除去する。
第３図に２０８℃離れたタングステンパターンを導電性
高分子膜が有る場合と無い場合の測定結果を示す。図中
、横軸のＮは電子線の同一場所の走査回数、Ｌｌは第１
回目のタングステンパターン間隔の測定値、ＬＮはＮ回
目のタングステンパターン間隔の測定値を表している。
高分子膜が有る場合と無い場合の測定結果を示す。図中
、横軸のＮは電子線の同一場所の走査回数、Ｌｌは第１
回目のタングステンパターン間隔の測定値、ＬＮはＮ回
目のタングステンパターン間隔の測定値を表している。
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム膜の導電性高分子膜
を塗布しない場合（図中、破線で表わしたもの）、Ｘ線
マスクの帯電のため電子線が偏向をうけ電子線の走査回
数Ｎが増えるにしたがって測定値が大きく変化していっ
ている。一方、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム膜の
導電性高分子膜を塗布した場合（図中、実線で表したも
の）には測定値は変化しておらず、帯電によるパターン
寸法の測定精度の低下は見られなかった。
を塗布しない場合（図中、破線で表わしたもの）、Ｘ線
マスクの帯電のため電子線が偏向をうけ電子線の走査回
数Ｎが増えるにしたがって測定値が大きく変化していっ
ている。一方、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム膜の
導電性高分子膜を塗布した場合（図中、実線で表したも
の）には測定値は変化しておらず、帯電によるパターン
寸法の測定精度の低下は見られなかった。
次に本発明のＸ線マスクによるパターン検査方法の第２
の実施例を第４図を参照して説明する。
の実施例を第４図を参照して説明する。
シリコン支持枠４の上に窒化シリコン膜５が形成され、
この上にＸＩ吸収体のタングステン膜６によりパターン
が形成されたＸ線マスクの表面全域に、ポリスチレンス
ルホン酸アンモニウム膜の導電性高分子膜３を０．３μ
ｍの厚さに塗布し、この後、Ｘ線マスクを１００℃の温
度で３０分間の熱処理を施す。その後、改造した電子顕
微鏡を用てＸ線マスク上を電子線で走査し、反射電子を
検出することによりパターン寸法の測定を行う。ここで
測定の際に、二次電子でなく反射電子を用いたのはタン
グステン膜６の上にポリスチレンスルホン酸アンモニウ
ム膜が存在するため、二次電子信号では十分なコントラ
ストが得られなかったためである。測定の後、Ｘ線マス
クを水に６０秒間浸漬し、ポリスチレンスルホン酸アン
モニウム膜を除去する。この方法を用いても、第３図に
示した結果とほぼ同等の帯電防止効果が得られた。
この上にＸＩ吸収体のタングステン膜６によりパターン
が形成されたＸ線マスクの表面全域に、ポリスチレンス
ルホン酸アンモニウム膜の導電性高分子膜３を０．３μ
ｍの厚さに塗布し、この後、Ｘ線マスクを１００℃の温
度で３０分間の熱処理を施す。その後、改造した電子顕
微鏡を用てＸ線マスク上を電子線で走査し、反射電子を
検出することによりパターン寸法の測定を行う。ここで
測定の際に、二次電子でなく反射電子を用いたのはタン
グステン膜６の上にポリスチレンスルホン酸アンモニウ
ム膜が存在するため、二次電子信号では十分なコントラ
ストが得られなかったためである。測定の後、Ｘ線マス
クを水に６０秒間浸漬し、ポリスチレンスルホン酸アン
モニウム膜を除去する。この方法を用いても、第３図に
示した結果とほぼ同等の帯電防止効果が得られた。
なお、実施例では導電性高分子膜を水で除去したがアル
カリ水溶液でも容易に除去することができる。
カリ水溶液でも容易に除去することができる。
また、導電性高分子膜としてポリスチレンスルホン酸ア
ンモニウムやポリスチレンスルホン酸ナトリウムを用い
たがポリスチレンスルホン酸塩であればよい。
ンモニウムやポリスチレンスルホン酸ナトリウムを用い
たがポリスチレンスルホン酸塩であればよい。
発明の効果
本発明のパターン検査方法によれば絶縁基板上に形成さ
れたパターンを荷電ビームで検査や測定しても入射電子
の帯電を排除することができるため高精度なパターンの
検査ができるとともに、さらに測定後にこの導電性高分
子膜を水等で容易に除去することができるため、マスク
を再利用することができる効果がある。
れたパターンを荷電ビームで検査や測定しても入射電子
の帯電を排除することができるため高精度なパターンの
検査ができるとともに、さらに測定後にこの導電性高分
子膜を水等で容易に除去することができるため、マスク
を再利用することができる効果がある。
第１図は本発明のパターン検査方法の実施例を示すフォ
トマスクの断面図、第２図と第４図は本発明の他の実施
例を示すＸ線マスクの断面図、第３図はＸ線マスクの表
面に導電性高分子膜を用いた場合と用いなかった場合の
帯電による測定値の変動を示す図である。 ■・・・・・・石英ガラス基板、２・・・・・・クロム
膜、３・・・・・・導電性高分子膜、４・・・・・・シ
リコン支持枠、５・・・・・・窒化シリコン膜、６・・
・・・・タングステン膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−一一石
英大゛ラス基板 ？−クロム膜 ４”−シリコン支持枠 ５−°゛望イヒンソコンバ輿 第 ２ 図 ６− タングステン膜第３
図 Ｏ／ρ ２ρ ３θ Ｎ（走査回数） ３−導電性高分子膜 乙−ｙンクステン侯 ズ
トマスクの断面図、第２図と第４図は本発明の他の実施
例を示すＸ線マスクの断面図、第３図はＸ線マスクの表
面に導電性高分子膜を用いた場合と用いなかった場合の
帯電による測定値の変動を示す図である。 ■・・・・・・石英ガラス基板、２・・・・・・クロム
膜、３・・・・・・導電性高分子膜、４・・・・・・シ
リコン支持枠、５・・・・・・窒化シリコン膜、６・・
・・・・タングステン膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−一一石
英大゛ラス基板 ？−クロム膜 ４”−シリコン支持枠 ５−°゛望イヒンソコンバ輿 第 ２ 図 ６− タングステン膜第３
図 Ｏ／ρ ２ρ ３θ Ｎ（走査回数） ３−導電性高分子膜 乙−ｙンクステン侯 ズ
Claims (1)
- 被検査基板の表面あるいは裏面に、導電性高分子膜を
形成した後、荷電ビームを用いて前記被検査基板上のパ
ターンを検査や測定し、この後、前記導電性高分子膜を
除去することを特徴とするパターンの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153270A JPH07119592B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | パターンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153270A JPH07119592B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | パターンの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01320421A true JPH01320421A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH07119592B2 JPH07119592B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15558790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153270A Expired - Fee Related JPH07119592B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | パターンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07119592B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003087797A1 (en) | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144297A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Ricoh Kk | Electroconductive paper |
| JPS56150756A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of electrically conductive support |
| JPS581772A (ja) * | 1981-06-02 | 1983-01-07 | ラボフイナ・エス・ア− | ボ−ルペンのためのグリ−ス組成物 |
| JPH01221637A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-05 | Hoya Corp | 観察試料処理方法 |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63153270A patent/JPH07119592B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144297A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Ricoh Kk | Electroconductive paper |
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| WO2003087797A1 (en) | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
| JP2005523459A (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
| US7391036B2 (en) | 2002-04-17 | 2008-06-24 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
| JP2009002968A (ja) * | 2002-04-17 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面の検査装置及び方法 |
| US8076654B2 (en) | 2002-04-17 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
| EP2557416A3 (en) * | 2002-04-17 | 2013-02-27 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
| US8674317B2 (en) | 2002-04-17 | 2014-03-18 | Ebara Corporation | Sample surface inspection apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07119592B2 (ja) | 1995-12-20 |
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