JP2006041467A - 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像素子用基板 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 229
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 229
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 184
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 177
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 87
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 56
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 56
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 19
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 13
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- -1 and the like Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229940099800 pigment red 48 Drugs 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
【解決手段】1)複数色のカラーフィルターを形成する工程、2)該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、3)該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、4)該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、5)該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び6)該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。
該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
図2及び図3を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
エッチング制御層25を形成せず、CF4とC3F8の混合系ガスを用いてドライエッチングを施した他は、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.55μmであった。
透明樹脂層24を構成する樹脂として、ベンゼン環を導入していないアクリル樹脂を用い、中間マイクロレンズ及び転写レンズの形成のいずれもCF4とC3F8の混合系ガスを用いてドライエッチングを施した他は、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.55であった。
透明樹脂24を構成する樹脂として、1.45の屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.41の屈折率を有するフッ素系界面活性剤であるメガファックBL−20(商品名、大日本インキ化学工業社製)を固形分で3重量%添加したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.44であった。
転写レンズ形成のためのC3F8によるドライエッチングの時間を5分から6分としたことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。
透明樹脂層を形成する樹脂として、アクリル樹脂の塗布液にベンゾトリアゾール系光安定剤(旭電化工業株式会社製、アデカクルーズ、DN)を、固形比で2重量%添加したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。ここで用いるベンゾトリアゾール系光安定剤は、ベンゼン環を有する有機化合物である。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.54であった。
図9を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
透明樹脂層34を構成する樹脂として、1.45の屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.41の屈折率を有するフッ素系界面活性剤であるメガファックBL−20(商品名、大日本インキ化学工業社製)を固形分で3重量%添加したことと、エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.44であった。
透明樹脂層34を構成する樹脂として、1.55の屈折率を有する熱硬化型アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.42の屈折率を有するシリコーン系界面活性剤であるFZ2122(商品名、日本ユニカー(株)製)を固形分で3重量%添加したことと、エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.54であった。
エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.45であった。
図12を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
Claims (16)
- 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子の製造方法において、
1)複数色のカラーフィルターを形成する工程、
2)該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、
3)該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、
4)該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、
5)該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び
6)該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程
を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記エッチング制御層は、前記透明樹脂層のエッチングレートより小さいエッチングレートを有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記透明樹脂層は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記透明樹脂層は、樹脂骨格にベンゼン環を有するアクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記透明樹脂層は、ベンゼン環を有する有機化合物を含む樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記透明樹脂層は、フッ素系アクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記透明樹脂層は、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有する樹脂であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記エッチング制御層は、熱フロー制御機能を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記エッチング制御層は、スチレン樹脂またはフェノール樹脂であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記転写レンズは、前記透明樹脂層と前記カラーフィルターにより形成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子において、
前記複数の転写レンズの、隣接する転写レンズ間のギャップが0.035μm以下であり、かつ0.035μm以下のギャップを維持する、隣接する転写レンズ間の接触長さが、前記複数の転写レンズのピッチの3〜80%であることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記転写レンズの表面粗さが、50nm以下であることを特徴とする請求項11に記載の固体撮像素子。
- 前記転写レンズが、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有することを特徴とする請求項11又は12に記載の固体撮像素子。
- 前記1.47以下の屈折率を有する化合物は、フッ素化合物又はシリコン化合物であることを特徴とする請求項13に記載の固体撮像素子。
- 前記転写レンズの周辺部は、前記カラーフィルターにより構成されていることを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に形成された透明樹脂層と、該透明樹脂層上に形成された、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層と、該エッチング制御層上に形成された熱フロー樹脂材料層とを具備することを特徴とする固体撮像素子用基板。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005019848A JP4830306B2 (ja) | 2004-06-23 | 2005-01-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
EP17155966.9A EP3185297B1 (en) | 2004-06-23 | 2005-06-16 | Solid state imaging device |
KR1020067027045A KR101067930B1 (ko) | 2004-06-23 | 2005-06-16 | 고체 촬상 소자, 이의 제조 방법, 및 고체 촬상 소자용기판 |
EP05752865.5A EP1759414B1 (en) | 2004-06-23 | 2005-06-16 | Method of manufacturing a solid state imaging device |
PCT/JP2005/011485 WO2006001317A1 (en) | 2004-06-23 | 2005-06-16 | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
TW094120533A TWI368320B (en) | 2004-06-23 | 2005-06-21 | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
US11/599,373 US7737044B2 (en) | 2004-06-23 | 2006-11-15 | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
US12/385,969 US8004028B2 (en) | 2004-06-23 | 2009-04-24 | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004185566 | 2004-06-23 | ||
JP2004185566 | 2004-06-23 | ||
JP2005019848A JP4830306B2 (ja) | 2004-06-23 | 2005-01-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041467A true JP2006041467A (ja) | 2006-02-09 |
JP4830306B2 JP4830306B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=34972822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005019848A Expired - Fee Related JP4830306B2 (ja) | 2004-06-23 | 2005-01-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7737044B2 (ja) |
EP (2) | EP1759414B1 (ja) |
JP (1) | JP4830306B2 (ja) |
KR (1) | KR101067930B1 (ja) |
TW (1) | TWI368320B (ja) |
WO (1) | WO2006001317A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190903A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 |
JP2007281414A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、記憶媒体 |
JP2008227503A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
US8030115B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-10-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state image pickup device with color filter and method of manufacturing the same |
JP2012099639A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4830306B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-12-07 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4469781B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2010-05-26 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR101114608B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2012-03-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 컬러 촬상 소자 및 컬러 촬상 소자 제조 방법 |
US7862732B2 (en) | 2006-06-28 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses |
JP4826362B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズの形成方法 |
JP5052952B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2012-10-17 | 東芝機械株式会社 | マイクロレンズ転写成形用ロールの製造方法および製造装置 |
KR100905597B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2009-07-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP5453947B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
US20110199328A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Flextronics Ap, Llc | Touch screen system with acoustic and capacitive sensing |
KR101852528B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2018-04-27 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 수지 조성물 |
US20130100324A1 (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid-state image pickup element, solid-state image pickup element, image pickup device, electronic apparatus, solid-state image pickup device, and method of manufacturing solid-state image pickup device |
JP5897379B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-03-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体面の加工方法 |
JP2014041181A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | レンズ付き基板及びその製造方法、並びにレンズ付き光導波路 |
CN104223701A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种移动设备保护套 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003315506A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法 |
JP2004094119A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Canon Inc | 微小光学素子、及び微小光学素子を有する表示素子、表示装置、撮像素子、撮像装置 |
JP2004228398A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6053073A (ja) | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ付固体撮像素子および製法 |
JPH0637058A (ja) | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
JPH05335531A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
JP3254759B2 (ja) | 1992-09-25 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | 光学素子およびオンチップレンズの製造方法 |
JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
US5605783A (en) * | 1995-01-06 | 1997-02-25 | Eastman Kodak Company | Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers |
JP3405620B2 (ja) * | 1995-05-22 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3747682B2 (ja) | 1999-03-17 | 2006-02-22 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
EP1107316A3 (en) | 1999-12-02 | 2004-05-19 | Nikon Corporation | Solid-state image sensor, production method of the same and digital camera |
JP4543470B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びデジタルカメラ |
JP4123667B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2008-07-23 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
KR100602368B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2006-07-14 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광차단막을 이용한 이미지 센서의 평탄화 방법 |
KR100382723B1 (ko) | 2000-11-13 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
JP2003229550A (ja) | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2003332547A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4216009B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-01-28 | 大阪瓦斯株式会社 | フルオレン含有樹脂 |
US7084472B2 (en) * | 2002-07-09 | 2006-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state imaging device and manufacturing method therefor |
TWI278991B (en) * | 2002-07-09 | 2007-04-11 | Toppan Printing Co Ltd | Solid image-pickup device and method of manufacturing the same |
US20040082096A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Katsumi Yamamoto | Method for forming an image sensor having concave-shaped micro-lenses |
US6861280B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-03-01 | Omnivision International Holding Ltd | Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making |
US6640057B1 (en) * | 2002-10-28 | 2003-10-28 | Eastman Kodak Company | Imaging using silver halide films with inverse mounted micro-lens and spacer |
US7115853B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices |
JP4830306B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-12-07 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
-
2005
- 2005-01-27 JP JP2005019848A patent/JP4830306B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-16 KR KR1020067027045A patent/KR101067930B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-16 EP EP05752865.5A patent/EP1759414B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-16 EP EP17155966.9A patent/EP3185297B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-16 WO PCT/JP2005/011485 patent/WO2006001317A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-06-21 TW TW094120533A patent/TWI368320B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-15 US US11/599,373 patent/US7737044B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-24 US US12/385,969 patent/US8004028B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003315506A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法 |
JP2004094119A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Canon Inc | 微小光学素子、及び微小光学素子を有する表示素子、表示装置、撮像素子、撮像装置 |
JP2004228398A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190903A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 |
JP4561365B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2010-10-13 | 凸版印刷株式会社 | マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 |
JP2007281414A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、記憶媒体 |
US8030115B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-10-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid-state image pickup device with color filter and method of manufacturing the same |
JP2008227503A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
JP2012099639A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Toppan Printing Co Ltd | イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006001317B1 (en) | 2006-04-06 |
WO2006001317A1 (en) | 2006-01-05 |
US20070058068A1 (en) | 2007-03-15 |
EP3185297A1 (en) | 2017-06-28 |
JP4830306B2 (ja) | 2011-12-07 |
US8004028B2 (en) | 2011-08-23 |
US7737044B2 (en) | 2010-06-15 |
TWI368320B (en) | 2012-07-11 |
EP1759414B1 (en) | 2018-01-17 |
US20090206435A1 (en) | 2009-08-20 |
KR20070032712A (ko) | 2007-03-22 |
EP3185297B1 (en) | 2018-12-05 |
KR101067930B1 (ko) | 2011-09-26 |
EP1759414A1 (en) | 2007-03-07 |
TW200614495A (en) | 2006-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4830306 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |