JP2006041467A - 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像素子用基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】レンズ高さが制御可能であり、レンズ間ギャップが小さく、又は表面荒れの抑制された転写レンズを備える固体撮像素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】1)複数色のカラーフィルターを形成する工程、2)該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、3)該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、4)該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、5)該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び6)該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。
該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする。
【選択図】図3

Description

本発明は、C−MOSやCCD等の光電変換素子に代表される固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像素子用基板に係り、特に、表面粗さが小さく、レンズ間ギャップの小さいマイクロレンズを備える固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像素子用基板に関する。
C−MOSやCCD等の光電変換素子の光電変換に寄与する領域(開口部)は、素子サイズや画素数にも依存するが、その全面積に対し20〜40%程度に限られてしまう。開口部が小さいことは、そのまま感度低下につながるため、これを補うために光電変換素子上に集光のためのマイクロレンズを形成することが一般的に行われている。
しかしながら、近時、300万画素を超える高精細CCD撮像素子への要求が大きくなり、このような高精細CCDにおいて付随するマイクロレンズの開口率の低下(即ち、感度の低下)およびフレア、スミアなどのノイズ増加による画質の低下が、大きな問題となってきている。C−MOSやCCDなどの撮像素子は、ほぼ十分な画素数に近づきつつあり、デバイスメーカー間の競争は、画素数から画質へと変化しつつある。また、携帯電話や小型のPDA機器に搭載するため、撮像素子の画素サイズは、2μm前後のものへと微細化が進展しつつある。
マイクロレンズの形成技術として、ドライエッチングを用いる技術が、例えば特許文献1に比較的詳細に示されている。特許文献1には、熱フローによる樹脂の熱流動性を用いてレンズを丸く半球状に形成する技術、及びレンズ表面にPGMAなどの有機膜やOCD(SiO系)の無機膜を形成することも開示されている。
また、ドライエッチングによる転写、加工によりマイクロレンズを形成すること、及びドライエッチングのエッチングガスとして、CFやOガスを用いることが、例えば特許文献2に詳細に開示されている。以下、このドライエッチング技術によるマイクロレンズを転写レンズと呼び、また、この加工方法を転写方式と略称する。
転写レンズは、光電変換素子上のカラーフィルターや平坦化膜を含む層構造を薄くすることが出来るとともに、熱フローレンズよりもマイクロレンズの開口率を上げることが出来る。ため、撮像素子特性を向上させることが出来るという特長を有する。
また、感光性のレンズ材料層上に 同一のレンズ材料にて熱フローレンズを形成し、この熱フローレンズをレンズ母型とし、そのパターンをドライエッチングにより転写して転写レンズを形成する技術が、例えば特許文献3,4に示されている。更に、感光性のレンズ材料を用いて画素間のギャップを小さくする技術が、例えば特許文献5に示されている。
特開昭60−53073号公報 特開平6−37058号公報 特開平6−112459号公報 特開2003−229550号公報 特開2000−269474号公報
ドライエッチングによりレンズ母型の形状を透明樹脂層に転写するマイクロレンズ形成方法は、下地の透明樹脂層の上に、熱フロー性を有する感光性樹脂材料を用いて、露光、現像、熱フローの手順でレンズ母型を形成したのち、このレンズ母型のパターンをドライエッチングで下地の透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成するのが一般的である。
この転写法によるマイクロレンズの形成では、得られる転写レンズの高さは、下地の透明樹脂層のエッチングレートとレンズ母型のエッチングレートに依存することになる。
理論的には、転写レンズとなる透明樹脂層と、レンズ母型のエッチングレートとの組み合わせによってレンズ形状を制御することは可能である。
例えば、レンズ形状をレンズ母型よりも低くしたい場合、エッチングレートの大きいレンズ母型を選択する方法と、エッチングレートの小さい透明樹脂を選択する方法が考えられる。しかし、レンズ母型となる樹脂は、熱フロー性とともに、露光・現像によりパターン形成が可能となるように感光性も要求されるため、選択の幅が狭く、エッチングレートのみで選択すると、他の特性が制限されてしまう。一方、エッチングレートの小さいスチレン樹脂やフェノール樹脂等の透明樹脂を選択した場合、このような材料は230℃程度までの耐熱性しか有しておらず、また、エッチング速度が小さいため、生産効率も悪い。
これに対し、通常、熱フロー性を有する感光性樹脂は、透明性・耐熱性の観点から選択される転写レンズ形成材料(下地の透明樹脂層)よりもエッチングレートが大きい。従って、感光性樹脂で形成されたレンズ母型を透明樹脂層に転写すると、得られる転写レンズはレンズ母型よりも高く、かつ、隙間の広い(レンズ間ギャップの大きい)ものとなる。
ここで、感光性樹脂の熱フローによる表面張力で丸みをつけるために、レンズ母型高さそのものの高さの制御は難しく、極端に高くも低くもすることはできない。
固体撮像素子として機能するために必須である光電変換素子には、例えばCCDとC−MOSがある。それぞれ、CCDは微細化しやすく、C−MOSは構造が単純で消費電力が小さいという長所があるため、目的に応じて使い分けられている。半導体基板表面から光電変換素子までの距離は、CCDは短く、C−MOSは長い。従って、それぞれの特性に応じて、マイクロレンズの焦点距離、すなわちマイクロレンズの高さを作り分けなければならない。しかしながら、以上述べたように、転写方式では、下地の透明樹脂層のエッチングレートとレンズ母型のエッチングレートにより得られる転写レンズの高さが決定され、レンズ形状がコントロールできないという問題がある。
また、一般的に、感度・画質向上のため、固体撮像素子の開口率は100%に近いほど好ましく、これを達成するためには隣接するマイクロレンズの距離(以下、レンズ間ギャップ)が小さいこと、理想的には接触していることが望ましい。しかし、熱フローにより形成されたマイクロレンズは、そのレンズ形状維持のために極端に小さいレンズ間ギャップとすることはできないという問題がある。
また、固体撮像素子はその製造工程において、200℃以上の耐熱性を要求される。特に近時、撮像素子を含む半導体デバイスは、鉛フリー半田実装の要求が高まり、240℃〜260℃の耐熱性が必要となってきている。
このような事情の下で、耐熱性の高い樹脂として、熱硬化性樹脂であるアクリル樹脂を用いることが考えられる。しかしながら、アクリル樹脂は、一般にレンズ母型形成材料として用いられている熱フロー性感光性樹脂材料よりエッチングレートが大きく、従って形成された転写レンズが高くなりすぎてしまうという問題がある。また、熱硬化したアクリル樹脂のように耐熱性の高い樹脂は、一般にドライエッチング耐性がやや不充分であり、その表面が荒れる傾向があるため、これを用いると転写レンズ表面に大きな荒れを生じて、光散乱による透過率低下・画質低下を生じるという問題がある。
さらに、固体撮像素子の微細化に伴い、マイクロレンズ表面での入射光反射率を低くすることにより、固体撮像素子表面のカバーガラスからの反射光の再入射を低減し、画質を向上(S/N比を改善)することが求められている。このようなマイクロレンズ形成材料としては、フッ素系アクリル樹脂等、屈折率の低い樹脂が好ましく用いられるが、屈折率の低い樹脂はドライエッチングによる表面荒れを非常におこしやすい傾向があり、これら低屈折率樹脂を用いて透明樹脂層を形成し、レンズ母型のパターンを転写すると、得られた転写レンズは表面がより大きく荒れてしまうという問題がある。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、第1の目的は、レンズ高さを制御することを可能とする固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
本発明の第2の目的は、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを備える固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、表面荒れの抑制された転写レンズを備える固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子の製造方法において、1)複数色のカラーフィルターを形成する工程、2)該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、3)該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、4)該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、5)該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び6)該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法を提供する。
以上のように構成される本発明の第1の態様に係る固体撮像素子の製造方法では、透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成しているため、レンズ形成材料である透明樹脂層にかかわらず、転写レンズの高さを制御することが出来る。
この場合、前記エッチング制御層は、前記透明樹脂層のエッチングレートより小さいエッチングレートを有するものとすることが出来る。このようにすることにより、レンズ高さを低くすることが出来る。また、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを得ることが出来る。
また、前記透明樹脂層として、アクリル樹脂、特に、樹脂骨格にベンゼン環を有するアクリル樹脂を含むものとすることが出来る。或いは、前記透明樹脂層は、ベンゼン環を有する有機化合物を含む樹脂とすることが出来る。このようにすることにより、光の透過率の高いマイクロレンズを形成することが出来る。さらに、表面荒れを抑制することが出来る。また、エッチングレートが小さくなるため、転写レンズの高さを低く形成することが出来る。また、レンズ間ギャップをより小さくすることが出来る。
更に、前記透明樹脂層は、フッ素系アクリル樹脂を含むことが出来る。
また、前記透明樹脂層は、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有する樹脂とすることが出来る。
前記エッチング制御層は、熱フロー制御機能を有するものとすることが出来る。
特に、前記エッチング制御層は、スチレン樹脂またはフェノール樹脂からなるものとすることが出来る。
前記転写レンズは、透明樹脂層とカラーフィルターにより形成されるものとすることが出来る。カラーフィルターの上部もマイクロレンズの一部を構成することで、マイクロレンズと光電変換素子の間の距離が短くなり、小さくかつ感度の高い固体撮像素子を得ることが出来る。
本発明の第2の態様は、2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子において、前記複数の転写レンズの、隣接する転写レンズ間のギャップが0.035μm以下であり、かつ0.035μm以下のギャップを維持する、隣接する転写レンズ間の接触長さが、前記複数の転写レンズのピッチの3〜80%であることを特徴とする固体撮像素子を提供する。
以上のように構成される本発明の第2の態様に係る固体撮像素子では、隣接する転写レンズ間のギャップが0.035μm以下であり、かつ0.035μm以下のレンズ間ギャップを維持する、隣接する転写レンズ間の接触長さが、前記複数の転写レンズのピッチの3〜80%であるため、高い開口率、及び良好な光取り込み効率を得ることが出来る。
この場合、前記転写レンズの表面粗さは、50nm以下とすることが出来る。
また、転写レンズが1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有するものとすることが出来る。そうすることにより、転写レンズの表面荒れおよび入射光の表面反射を抑制することが出来る。
屈折率1.47以下の化合物として、フッ素化合物又はシリコン化合物を用いることが出来る。
転写レンズの周辺部は、カラーフィルターにより構成することが出来る。カラーフィルターの上部もマイクロレンズの一部を構成することで、マイクロレンズと光電変換素子の間の距離が短くなり、小さくかつ感度の高い固体撮像素子を得ることが出来る。
本発明の第3の態様は、2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に形成された透明樹脂層と、該透明樹脂層上に形成された、透明樹脂層のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するエッチング制御層と、該エッチング制御層上に形成された熱フロー樹脂材料層とを具備することを特徴とする固体撮像素子用基板を提供する。
本発明の第1の態様によれば、転写レンズとなる透明樹脂層と、レンズ母型となる熱フロー樹脂材料の間に、透明樹脂層と異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成しているため、最終的に形成される転写レンズの高さを任意に制御することが可能である。従って、任意の焦点距離を有するマイクロレンズを備えた固体撮像素子を提供することが出来る。
また、本発明の第1の態様の一つの形態として、エッチング制御層のエッチングレートを、透明樹脂層のエッチングレートよりも小さいものとすることで、レンズ母型のパターンをエッチング制御層に転写して得られた中間マイクロレンズの高さを低く、また、そのレンズ間ギャップを小さくすることが出来る。次いで、この中間マイクロレンズを透明樹脂層に転写することで、最終的に形成される転写レンズの高さを、当初に形成されたレンズ母型の高さに近づけることができ、かつ、レンズ間ギャップを小さくすることが出来る。従って、レンズ母型からの高さ変換差の小さい、開口率が高く光取り込み効率が良好な固体撮像素子を得ることが出来る。
さらに、本発明の第1の態様のその他の形態として、透明樹脂層がアクリル樹脂、特に、樹脂骨格にベンゼン環を有するアクリル樹脂を含むものとするか、或いは、ベンゼン環を有する有機化合物を含む樹脂とすることで、光の透過率の高いマイクロレンズを形成することが出来る。さらに、表面荒れを抑制することが出来る。また、エッチングレートが小さくなるため、転写レンズの高さを低く形成することが出来る。また、レンズ間ギャップをより小さくすることが出来る。従って、焦点距離の短い固体撮像素子を得ることが出来る。また、開口率が高く、レンズ表面の光散乱が少なく、光取り込み効率が良好な固体撮像素子を得ることが出来る。
また、本発明の第1の態様のその他の形態として、透明樹脂層がフッ素系アクリル樹脂を含むものとすることで、形成された転写レンズの屈折率を下げ、入射光の表面反射を抑え、光取り込み効率が良好で、ノイズの少ない固体撮像素子を得ることが出来る。また、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上有する樹脂を用いることで、転写レンズの屈折率を下げつつ、さらに転写レンズの表面荒れを抑制し、レンズ表面の光散乱が少ない固体撮像素子を得ることが出来る。
また、本発明の第2の態様によれば、転写レンズの、隣接する転写レンズ間のギャップが0.035μm以下であり、かつ0.035μm以下のレンズ間ギャップを維持する、隣接する転写レンズ間の接触長さが、前記複数の転写レンズのピッチの3〜80%であるため、開口率が高く光取り込み効率がよい固体撮像素子を提供することが出来る。
この場合、前記転写レンズの表面粗さは、50nm以下とすることで、光散乱による透過率低下・画質低下を抑制した固体撮像素子を提供することが出来る。
更に、本発明の第3の態様によれば、所定の層構造を有する基板に対し、所定の加工を施すことにより、任意のレンズ高さに制御された転写レンズを備える固体撮像素子を得ることが出来る。
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子の部分断面図である。図2及び図3は、図1に示す固体撮像素子の製造方法を工程順に説明する部分断面図である。図4は、図1の平面図である。
本発明の一実施形態に係る固体撮像素子は、図1に示すように、2次元的に配置された、光を電気信号に変換する機能を有する光電変換素子11を形成した半導体基板10に、凹凸を埋める平坦化層12、入射光を色分解するカラーフィルター13、及びカラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズ14により構成されている。
このような固体撮像素子は、図2及び図3に示す方法によって製造することが出来る。まず、2次元的に配置された光電変換素子21を有する半導体基板20(図2(a)参照)上に、凹凸を埋める平坦化層22を形成する(図2(b)参照)。
次いで、複数のカラーレジスト(感光性着色樹脂組成物)を用い、複数回のフォトリソグラフィプロセスでカラーフィルター23を形成する(図2(c)参照)。配列を示す平面図を図4に示す。一画素おきにG(緑)フィルターが設けられ、Gフィルターの間に一行おきにR(赤)フィルターとB(青)フィルターが設けられた、いわゆるベイヤー配列である。図4におけるA−A’での断面図が図1となる。
その後、カラーフィルター23上に、例えば、熱硬化性アクリル樹脂である透明樹脂の塗布液を塗布して転写レンズを形成するための透明樹脂層24を形成し、更にその上に、透明樹脂層のエッチングレートとは異なるエッチングレートを有するエッチング制御層25を形成し、続いて、エッチング制御層25上に、レンズ母型を形成するためのアルカリ可溶性および熱フロー性を有する感光性樹脂層26を形成する(図3(a)参照)。
本実施形態において、転写レンズを形成する透明樹脂層に採用可能な樹脂としては、アクリル樹脂、フッ素系アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重合体などが挙げられる。しかし、耐熱性の高いアクリル樹脂、或いは低屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂がより好ましい。上述の樹脂は、単独で用いても、或いは2種以上を混合して用いてもよい。
ここでいうフッ素系アクリル樹脂とは、フッ素化アクリル樹脂、低屈折率化に有効なフッ素を有する基を導入した樹脂とアクリル樹脂とのブレンド、及びこれらに屈折率の低い化合物としてシリコン系界面活性剤やフッソ系界面活性剤を添加した樹脂を指し、これらを単独で用いても、必要に応じて添加剤等を加えて用いてもよい。このようなフッ素系アクリル樹脂としては、たとえば、MFS179(商品名、日本化薬製)などを用いることが出来る。
本実施形態における転写レンズを構成する透明樹脂層は、反射率を低くし、光の表面反射を低減するため、1.47以下の屈折率を有する化合物が添加されるのが好ましい。通常、固体撮像素子に用いるマイクロレンズ用樹脂、平坦化材用樹脂としての透明有機樹脂は、上述のアクリル樹脂、スチレン樹脂などが一般的であり、その屈折率はおおよそ1.5〜1.6の範囲である。
特に、固体撮像素子向けの転写レンズとして適用可能なフッ素化アクリル樹脂は、実用的には1.38〜1.47の屈折率を有しているので、フッ素化アクリル樹脂に1.47以下の屈折率を有する化合物を添加することにより、特に望ましい効果が得られる。なお、1.37以下の屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂は、ムラ、ハジキ、密着性等の塗膜特性に劣るため、その使用は実用的ではない。
本実施形態に採用可能な、1.47以下の屈折率を有する化合物としては、シリコン化合物やフッ素化合物を用いることが出来る。本実施形態に採用可能な、1.47以下の屈折率を有する化合物としては、可視域(光の波長400nm〜700nmの範囲)で高透過率を有し、かつ、高耐熱性を有することが望ましい。より具体的には、上述したように、シリコーン系界面活性剤やフッ素系界面活性剤の中から、1.47以下の屈折率を有するものを適宜選択することが出来る。
転写レンズを構成する透明樹脂層への1.47以下の屈折率を有する化合物の添加量は、透明樹脂層量(固形分)に対し、0.2重量%以上であることが好ましい。0.2重量%の添加で、転写レンズの平滑性に効果が出始めるからである。この化合物が、透明樹脂層と反応性のないシリコーン系界面活性剤やフッ素系界面活性剤である場合には、添加量の上限は10重量%程度である。なお、転写レンズに硬さが要求されない場合には、10重量%を越えて添加することも可能である。
次に、本実施形態におけるエッチング制御層に採用可能な樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、或いはこれらの共重合体などが挙げられる。しかしながら、エッチングレートの低いポリスチレン樹脂又はフェノール樹脂がより好ましい。また、ドライエッチング耐性(エッチングレートが小)を有する基や例えばベンゼン環や芳香環を骨格に有する樹脂、又はベンゼン環を有する硬化剤を添加したものであることが望ましい。これらの樹脂又は硬化剤の添加によって、エッチングレートを小さくして、下地のアクリル透明樹脂層に転写されるレンズ形状を厚くし過ぎることなくレンズの大きさに加工することが出来る。
本実施形態におけるエッチング制御層に採用可能な樹脂は、感光性の有機樹脂であっても良いし、あるいは 熱硬化性の有機樹脂であっても良い。撮像素子として 転写レンズプロセスが 最適化出来る材料、あるいはエッチングレートの小さい材料を選択すれば良い。エッチング制御層を形成する樹脂を適宜変更することで、レンズ母型となる感光性樹脂層及び転写レンズとなる透明樹脂層の材料を変更せずに、転写レンズの高さを自由に調節することが出来る。同様に、エッチング制御層の膜厚を変更することで、転写レンズの高さを変更することが出来る。従って、固体撮像素子ごとに、焦点距離の異なるマイクロレンズを形成することが可能になる。
なお、転写レンズを構成する透明樹脂層として、特にフッ素系アクリル樹脂を用いる場合、フッ素系アクリル樹脂は、表面上の物質をややはじき易いため、その表面で熱フローによりレンズ母型を安定して加工しにくいという問題がある。そこで、レンズ母型の下地に、熱フロー制御機能を有する層を設けることが好ましい。ここでいう熱フロー制御機能とは、当該層の上層に形成された矩形の熱フロー樹脂材料(すなわち、エッチング制御層の上に形成された感光性樹脂層)の流動性をコントロールし、熱フロー時にはじかれることなく適正なフロー量によって丸くスムーズな形状と寸法安定性を確保出来るということであり、フロー量とは、現像後のレンズパターンを、加熱して溶かし(フロー)丸くするときの、レンズ材料の流れによる太りを意味する。従って、フロー量が片側0.1μmと言えば、例えば高さ0.35μm、幅2μmの矩形の感光性樹脂層が、加熱によって片側にそれぞれ0.1μmずつ流れ、1辺が2.2μmのレンズ母型を形成することを意味する。ここで、適正なフロー量とは片側0.1〜0.15μmであり、また、矩形の感光性樹脂からレンズ母型へ変形するにあたって、その高さは約1.3倍に変化する。
本実施形態では、レンズ母型を構成する樹脂のエッチングレートより低いエッチングレートを有するエッチング制御層を設けることにより、熱フローレンズをコントロールすることが出来るとともに、最終的に低屈折率樹脂(フッ素系アクリル樹脂)の表面荒れを抑制し、転写レンズの0.35μm以下の狭ギャップを確保することが可能である。
即ち、エッチングレートの低いエッチング制御層を設けることにより、表面荒れの無い中間マイクロレンズを形成することが出来、更に、この表面荒れの無い中間マイクロレンズのパターンを透明樹脂層に転写することにより、表面荒れの無い、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを得ることが出来る。また、エッチングレートの小さいエッチング制御層にレンズ母型のパターンを転写することで、中間マイクロレンズの状態ではレンズ間ギャップが0.035μm以下となる。これを透明樹脂層へ転写することにより、レンズ間ギャップが0.035μm以下の転写レンズを得ることができる。
特に、転写レンズを構成する透明樹脂層のエッチングレートよりも低いエッチングレートのエッチング制御層を設けることにより、低アスペクト比の、例えばアスペクト比が0.14未満の、従ってレンズ間ギャップの小さい転写レンズを得ることが出来る。
本実施形態において、レンズ母型となる熱フロー樹脂材料とは、加熱によって溶融し自身の表面張力によって曲面を形成することの出来る、熱可塑性の樹脂材料である。このような熱フロー樹脂材料としては、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ポリスチレン樹脂などを挙げることが出来、特に感光性を有し、アルカリ現像によってパターン形成を行うことの出来る樹脂が好ましい。なお、レンズ母型の下地であるエッチング制御層にフェノール樹脂を採用する場合、エッチングレートの関係から、レンズ母型の樹脂は、アクリル樹脂もしくはポリスチレン樹脂が好ましい。エッチング制御層のエッチングレートがレンズ母型の樹脂のエッチングレートより低いことが、エッチング制御層に中間的に形成されるマイクロレンズの高さ(厚み)を下げ、ギャップを小さくする観点から好ましい。
次に、感光性樹脂層26に対し、フォトマスクを介した露光を行い、アルカリ性の現像液を用いた現像を行うことにより、光電変換素子に対応した矩形のパターンとした後、加熱処理により、レンズ母型27が形成される(図3(b)参照)。
その後、レンズ母型27を中間マスクとして用いて、ドライエッチングによりエッチング制御層25をエッチングすることにより、中間マイクロレンズ28が形成される(図3(c)参照)。
本実施形態に採用するエッチング制御層25は、熱フロー時のレンズ母型の流動性をコントロールし、丸くスムーズな形状と寸法安定性の確保のほかに、上述したようにドライエッチング時のレンズ高さを調整(あらかじめレンズ高さを低くしてアクリル樹脂のドライエッチングでのレンズ高さを高くし過ぎないように調整)し、さらにはレンズ間ギャップを小さくする作用がある。
最後に、ドライエッチングにより、中間マイクロレンズ28のパターンを透明樹脂層24へ転写し、転写レンズ29を形成して、固体撮像素子が完成する(図3(d)参照)。
本発明に用いるドライエッチングには、ECR、平行平板マグネトロン、DRM、ICP、あるいは2周波タイプのRIEなどのドライエッチングの手法・装置を使用することが出来る。
ドライエッチングに用いるガスは、反応性(酸化性・還元性)のある、即ちエッチング性のあるガスであれば、特に問題なく使用出来る。例えば、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン元素をその構成に有するガス、同様に酸素やイオウの元素をその構成に有するガスなどを用いることが出来るが、これらに限定する必要はない。
しかしながら、可燃性がなく、人体への影響の観点から毒性の低い、フロン系ガスの使用が、実用的には好ましい。
フロン系のガスは、転写レンズ形成時の表面荒れ、レンズ間ギャップ、レンズ断面形状、エッチングレート等の特性を全て良好にする条件のものを選定しなければならない。転写レンズの形成に重要なファクターである、レンズ狭ギャップ効果を考慮すると、フロン系のガスの中では、CFよりもC、CなどFの原子比率に対してCの原子比率が高いガスの方が、転写レンズのCDゲイン(レンズ狭ギャップ効果)を得やすい。しかし、エッチング制御層を用いない製造方法では、これらのガスを単独で用いると、レンズ表面がより大きく荒れたり、エッチングレートの低下、レンズ断面形状の異常等の問題が生ずる。
例えば、CF単独ではレンズ狭ギャップ効果が小さく、Cガス単独では、エッチングレートの低下やレンズ断面形状が三角形状化し、Cガス単独では、エッチングレートの低下や、レンズの表面荒れの増加が見られる。
なお、上記のフロン系のガスに、He、O、Ar等の不活性ガスを添加することで、エッチングレートの向上を図ることが出来る。が、その副作用として、レンズ間ギャップが大きくなったり、レンズの表面荒れが生ずる傾向がある。しかし、本実施形態におけるように、エッチング制御層を用いることにより、このような問題を解消することが出来る。
本実施形態では、ドライエッチングガスとして、CF、C、Cをそれぞれ単独で用いることが出来る。特に、CとCの混合ガスを用いることで、レンズ間ギャップをほぼゼロにすることが出来るとともに、表面荒れの少ない転写レンズを形成することが出来る。
転写レンズ形成時のドライエッチング条件については、装置依存性が強いため、それぞれの装置に合わせて、ガス圧、パワー、ガス流量、基板温度、電極間距離、マグネトロンの動作条件等を最適化することにより、最適条件を見出すことが出来る。
特に、CとCの混合ガスの混合比率については、C:Cの=5;1〜1:9の範囲とすることにより、レンズの表面荒れが少なく、光集光効果が高いマイクロレンズの形成が可能である。
また、エッチングガスとしてCとCの混合ガスを用いる場合、エッチングレートを大きくしてもレンズの表面荒れを抑えることが出来るので、生産性向上のため、200〜400nm/分のエッチングレートとなるようなドライエッチング条件(ガス圧、パワー、ガス流量、基板温度等)に調整することが望ましい。
なお、ドライエッチング時に、ドライエッチング分布や転写レンズ形状の改善のために、対象となる半導体基板を加温したり、あるいは冷却しても良い。
本実施形態に係る固体撮像素子の製造方法において、転写レンズ用透明樹脂層、エッチング制御層、及びレンズ母型用感光性樹脂のエッチングレートは、表面荒れが無く、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを得る上で重要なファクターである。それぞれの樹脂の材質、エッチングレート比、及びエッチングレートの好ましい値を下記表に示す。なお、下記表において、エッチングレートの数値は、所定のエッチング条件下における参考値である。
Figure 2006041467
エッチングレートが上記表に示す範囲内であるような転写レンズ用透明樹脂層、エッチング制御層、及びレンズ母型用感光性樹脂の材質、及び他のエッチング条件を選択することにより、特に、表面荒れが無く、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを得ることが出来る。
なお、転写レンズ29は、透明樹脂層のみから形成してもよいが、図5に示すように、転写レンズ中央部を透明樹脂層により、転写レンズ周辺部をカラーフィルター23の上部により形成することにより、レンズ下距離を短くし、撮像素子の光の取り込み角を拡げることが出来るので好ましい。
以上のようにして得られた本実施形態に係る固体撮像素子の転写レンズは、図6に示すように、隣接する転写レンズ間のギャップgは、測長SEMの測定限界である0.035μm以下であり、かつ、このギャップを維持する隣接する転写レンズ間の接触長さLは、転写レンズのピッチ(画素サイズ)pの3〜80%の範囲に入っている。
このように、転写レンズ間のギャップgが小さく、転写レンズ間の接触長さLが長いことにより、開口率の大きいマイクロレンズが形成され、感度の良好な固体撮像素子を得ることが出来る。
なお、隣接する転写レンズ間のギャップgが測長SEMの測定限界である0.035μm以下であるとは、隣接する転写レンズ同士が実質的に接触していることを意味する。また、隣接する転写レンズ間の接触長さLが転写レンズのピッチ(画素サイズ)pの3%の場合、レンズ開口率は約80%となり、Lがピッチ(画素サイズ)pの80%の場合、開口率は98%となる。
このような接触長さLの範囲では、図6に示すように、斜めの対角部分に若干の空き領域Sが残るが、この部分は集光に寄与しないため、接触長さLは、転写レンズのピッチ(画素サイズ)pの3〜80%の範囲で十分である。
なお、熱フローレンズ母型とエッチング後の転写レンズ径の変化量をCDゲインと呼び、高いCDゲインによりレンズ狭ギャップ化効果を得ることが出来る。例えば、CDゲインがXであるとは、熱フローレンズ径よりも転写レンズ径がXだけ増加するということであり、熱フローレンズのレンズ間ギャップがYである場合、転写レンズギャップを(X−Y)にまで小さくすることが出来る、ということである。
また、本実施形態に係る固体撮像素子の転写レンズの表面粗さ(Ra)は、50nm以下である。転写レンズの表面粗さ(Ra)が50nmを越えると、可視光の散乱が発生する傾向にあり、光の損失が生じ易い。
以上説明した本実施形態に係る固体撮像素子の製造方法では、エッチング制御層を設けることにより、転写レンズを構成する透明樹脂層に、表面荒れを生じ易いアクリル樹脂やフッ素系アクリル樹脂を用いても、転写レンズの表面荒れを、50nm以下の表面粗さ(Ra)に軽減することが可能である。
本発明において、転写レンズの表面荒れが無くなるメカニズムは、必ずしも明確ではないが、恐らく次のような現象によるものと考えられる。即ち、通常、有機膜に真空中でドライエッチング処理を施すと、表面がたたかれることにより、樹脂の不均一な分解、架橋が進行し、その際の応力緩和により表面にシワが発生したり、ミクロ的に不均一なエッチングが進行したり、樹脂表面の分子が分解や架橋により移動し、結果として荒れた凹凸面が形成されたものと思われる。
これに対し、エッチングレートの低いエッチング制御層を設けることにより、表面荒れの無い中間マイクロレンズを形成することが出来、この中間マイクロレンズのパターンを透明樹脂層に転写することにより、表面荒れの無い転写レンズを形成することが出来るのである。
以下に、本発明の種々の実施例及び比較例について説明する。
<実施例1>
図2及び図3を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
図2(a)に示すように、光電変換素子21や遮光膜、パッシベーション(図示せず)を形成した半導体基板20上に、熱硬化タイプのアクリル樹脂塗布液を用いてスピンコートにて平坦化膜22を形成した(図2(b)参照)。
次に、図2(c)に示すように、カラーフィルター23を、グリーン、ブルー、レッドの3色にて3回のフォトリソグラフィーの手法で、それぞれ形成した。
グリーンレジストは、色材としてC.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントグリーン36、C.I.ピグメントブルー15:6を用い、さらにシクロヘキサノン、PGMEAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。
ブルーレジストは、色材としてC.I.ピグメントブルー15:6、C.I.ピグメントバイオレット23を用い、さらにシクロヘキサノン、PGMAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。
レッドレジストの色材は、C.I.ピグメントレッド117、C.I.ピグメントレッド48:1、C.I.ピグメントイエロー139とした。色材以外の組成は、グリーンレジストと同様とした。
次いで、図3(a)に示すように、カラーフィルター23上に、ベンゼン環を樹脂骨格に導入したアクリル樹脂の塗布液を塗布して、1μmの膜厚の透明樹脂層24を形成し、180℃で3分間加熱して、硬膜化処理を行った。転写レンズ29を構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.51であった。
次に、フェノール樹脂を1μmの膜厚に塗布してエッチング制御層25を形成し、更に、アルカリ可溶性・感光性・熱フロー性を有するスチレン樹脂を塗布して感光性樹脂層26を形成した。
その後、図3(b)に示すように、感光性樹脂層26を公知のフォトリソグラフィーのプロセスにより矩形のパターンとした後、200℃で熱処理して熱フローし、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、レンズ母型27を形成した。なお、レンズ母型27は、レンズ高さ0.5μm、レンズ母型間のギャップ0.3μmのスムースな半球状レンズであった。
次に、フロン系ガスであるCFとCの混合系ガスを用いてドライエッチングを施し、レンズ母型27のパターンをフェノール樹脂からなるエッチング制御層25に転写し、図3(c)に示すように、レンズ間ギャップ0.035μmの中間マイクロレンズ28を形成した。この中間マイクロレンズ28の高さは、レンズ母型27の高さより低く、約0.45μmであった。なお、ドライエッチング時間は5分とした。
最後に、エッチングガスとしてフロン系ガスCを用い、この中間マイクロレンズ28をマスクとして透明樹脂層24をエッチング処理し、図3(d)に示すように、転写レンズ29を形成し、画素サイズが一辺2.5μmの固体撮像素子を製造した。なお、ドライエッチング時間は5分とした。
なお、実施例1で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するスチレン樹脂のエッチングレートの1.1倍と大きいエッチングレートであり、逆にエッチング制御層を構成するフェノール樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するスチレン樹脂のエッチングレートの0.9倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズ29の高さは、0.55μmであった。
以上のようにして形成した実施例1に係る転写レンズ29の平面図を図4に、SEM像を図7に示す。図7から、表面粗さ10nm以下と、極めてきれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。また、エッチング制御層として透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有する樹脂を用いたことにより、直接透明樹脂層上にレンズ母型を設けた場合よりも、高さが低く、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを形成することができた。
また、透明樹脂層にベンゼン環を有するアクリル樹脂を用いることで、転写レンズの表面が平滑になり、荒れを解消することができた。
<比較例1>
エッチング制御層25を形成せず、CFとCの混合系ガスを用いてドライエッチングを施した他は、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.55μmであった。
比較例1に係る転写レンズのSEM像を図8に示す。図8から、表面粗さ55nmと荒れた表面を有し、かつレンズ間のギャップは0.09μmと大きいことを確認することが出来た。
<実施例2>
透明樹脂層24を構成する樹脂として、ベンゼン環を導入していないアクリル樹脂を用い、中間マイクロレンズ及び転写レンズの形成のいずれもCFとCの混合系ガスを用いてドライエッチングを施した他は、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.55であった。
なお、実施例2で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するスチレン樹脂のエッチングレートの1.2倍と大きいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.6μmであり、実施例2に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ60nmと荒れた表面を有しているが、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。
<実施例3>
透明樹脂24を構成する樹脂として、1.45の屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.41の屈折率を有するフッ素系界面活性剤であるメガファックBL−20(商品名、大日本インキ化学工業社製)を固形分で3重量%添加したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.44であった。
なお、実施例3で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するスチレン樹脂のエッチングレートの1.6倍と大きいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.64μmであり、実施例3に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ40nmときれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。
透明樹脂層にフッ素化合物であるフッ素系界面活性剤を含有させたことで、エッチングレートが大きくドライエッチングによる荒れを起こしやすいフッ素系アクリル樹脂を透明樹脂層に用いた場合でも、転写レンズの表面が平滑になり、荒れを解消することができた。また、屈折率の低い化合物であるため、転写レンズとなる透明樹脂層の屈折率は上がることなく、逆に若干量であるが低下させることができた。このため、フッ素化合物を添加していない透明樹脂層により形成されたマイクロレンズよりも反射率を抑えることができ、固体撮像素子内での再反射光を抑制出来るため、画質向上に貢献することができた。
<実施例4>
転写レンズ形成のためのCによるドライエッチングの時間を5分から6分としたことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。
その結果、透明樹脂層の下に位置するカラーフィルター23を、約0.15μm深くエッチングすることができ、マイクロレンズ下距離(転写レンズ下面から光電変換素子までの距離)をこの分だけ小さくすることが出来た。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.55μmであり、実施例4に係る転写レンズのSEM像から、実施例1と同様、表面粗さ10nm以下と極めてきれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。
<実施例5>
透明樹脂層を形成する樹脂として、アクリル樹脂の塗布液にベンゾトリアゾール系光安定剤(旭電化工業株式会社製、アデカクルーズ、DN)を、固形比で2重量%添加したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例1と同様にして、固体撮像素子を形成した。ここで用いるベンゾトリアゾール系光安定剤は、ベンゼン環を有する有機化合物である。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.54であった。
なお、実施例5で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するスチレン樹脂のエッチングレートの1.1倍と大きいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.55μmであり、実施例5に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ10nm以下と極めてきれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。
透明樹脂層にベンゼン環を有する有機化合物であるフッ素化合物であるベンゾトリアゾール系光安定剤を含有させたことで、転写レンズの表面が平滑になり、荒れを解消することができた。
<実施例6>
図9を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
図9(a)に示すように、光電変換素子31や遮光膜、パッシベーション(図示せず)等を形成した半導体基板30上に、熱硬化タイプのアクリル樹脂塗布液を用いてスピンコートにて平坦化層32を形成した(図9(b)参照)。
次いで、実施例1と同様にして、図9(c)に示すように、3種のカラーレジスト(グリーンレジスト、ブルーレジスト、レッドレジスト)を用い、G、B、Rの3色にて3回のフォトリソグラフィーの手法で、カラーフィルター33をそれぞれ形成した。
次に、カラーフィルター33上に、1.45の屈折率を有し、エッチングレート370nm/分のフッ素系アクリル樹脂を塗布して、1μmの膜厚の透明樹脂層34を形成し、180℃で3分間加熱して、硬膜化処理を行った。転写レンズ38の中央部を構成する透明樹脂層の硬膜後の屈折率は1.45であった。
次に、エッチングレート210nm/分のスチレン樹脂を1μmの膜厚に塗布してエッチング制御層35を形成し、更に、アルカリ可溶性・感光性・熱フロー性を有するアクリル樹脂を塗布して感光性樹脂層36を形成した。
その後、図9(d)に示すように、感光性樹脂層36を公知のフォトリソグラフィーのプロセスにより矩形のパターンとした後、200℃で熱処理して熱フローし、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、レンズ母型37を形成した。なお、レンズ母型37は、レンズ高さ0.45μm、レンズ母型間のギャップ0.3μmのスムースな半球状レンズであった。
最後に、フロン系ガスであるCFとCの混合系ガスを用いてドライエッチングを施し、このレンズ母型37をマスクとしてエッチング制御層35をエッチングして中間マイクロレンズを形成し、次いでエッチング制御層からなる中間マイクロレンズをマスクとして透明樹脂層34をエッチング処理し、さらにカラーフィルター33を0.15μm掘り込んで、図10に示すように、転写レンズ38を形成した。この転写レンズ38を230℃で、18分加熱し、完全に硬化させて、画素サイズが一辺2.5μmの固体撮像素子を製造した。実施例6に係る転写レンズ38は、その中央部が透明樹脂層34から、その周辺部39がカラーフィルター33の上部から構成されている。
なお、実施例6で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの1.5倍と大きいエッチングレートであり、逆にエッチング制御層を構成するスチレン樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの0.84倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.675μmであり、実施例6に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ70nmと荒れた表面を有しているが、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の狭ギャップに加工できていることを確認できた。また、エッチング制御層として透明樹脂層のエッチングレートよりも小さいエッチングレートを有する樹脂を用いたことにより、レンズ母型のエッチングレートに比べて透明樹脂層のエッチングレートが大きい場合でも転写レンズの高さを低く形成することができ、かつレンズ間ギャップの小さい転写レンズを形成することができた。
<実施例7>
透明樹脂層34を構成する樹脂として、1.45の屈折率を有するフッ素系アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.41の屈折率を有するフッ素系界面活性剤であるメガファックBL−20(商品名、大日本インキ化学工業社製)を固形分で3重量%添加したことと、エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.44であった。
なお、実施例6で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの1.25倍と大きいエッチングレートであり、逆にエッチング制御層を構成するフェノール樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの0.8倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.56μmであった。実施例7に係る転写レンズのSEM像を図11に示す。図11から、表面粗さ40nmときれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の小さいレンズ間ギャップに加工できていることを確認できた。
透明樹脂層にフッ素化合物であるフッ素系界面活性剤を含有させたことで、エッチングレートが大きくドライエッチングによる荒れを起こしやすいフッ素系アクリル樹脂を透明樹脂層に用いた場合でも、転写レンズの表面が平滑になり、荒れを解消することができた。また、屈折率の低い化合物であるため、転写レンズとなる透明樹脂層の屈折率は上がることなく、逆に若干量であるが低下させることができた。このため、フッ素化合物を添加していない透明樹脂層により形成されたマイクロレンズよりも反射率を抑えることができ、固体撮像素子内での再反射光を抑制出来るため、画質向上に貢献することができた。
<実施例8>
透明樹脂層34を構成する樹脂として、1.55の屈折率を有する熱硬化型アクリル樹脂を用い、かつその塗布液に、1.42の屈折率を有するシリコーン系界面活性剤であるFZ2122(商品名、日本ユニカー(株)製)を固形分で3重量%添加したことと、エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.54であった。
なお、実施例8で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートと同じエッチングレートであり、逆にエッチング制御層を構成するフェノール樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの0.8倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.45μmであり、実施例8に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ10nm以下と極めてきれいな表面を有し、レンズ間のギャップは、0.035μm以下とSEMの測定限界以下の小さいレンズ間ギャップに加工できていることを確認できた。また、エッチング制御層として透明樹脂層のエッチングレートよりも小さいエッチングレートを有する樹脂を用いたことにより、レンズ母型と透明樹脂層のエッチングレートが同じ場合でも、レンズ間ギャップの小さい転写レンズを形成することができた。
透明樹脂層にシリコン化合物であるシリコーン系界面活性剤を含有させたことで、実施例7と同様に、転写レンズの表面が平滑になり、荒れを解消することができた。また、屈折率の低い化合物であるため、転写レンズとなる透明樹脂層の屈折率は上がることなく、逆に若干量であるが低下させることができた。このため、フッ素化合物を添加していない透明樹脂層により形成されたマイクロレンズよりも反射率を半分以下に抑えることができ、固体撮像素子内での再反射光を半分以下に抑制出来るため、画質向上に貢献することができた。
<実施例9>
エッチング制御層としてスチレン樹脂に換わりフェノール樹脂を0.6μmの膜厚で形成したことを除いて、材料、画素サイズ、工程ともに実施例6と同様にして、固体撮像素子を形成した。転写レンズを構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.45であった。
なお、実施例9で用いたエッチング制御層を構成するフェノール樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの0.8倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.65μmであり、実施例9に係る転写レンズのSEM像から、表面粗さ70nmと荒れた表面を有しているが、レンズ間ギャップは0.035μm以下と、SEMの測定限界以下の小さいレンズ間ギャップに加工できていることを確認できた。また、エッチング制御層として透明樹脂層のエッチングレートよりも小さいエッチングレートを有する樹脂を用いたことにより、レンズ母型のエッチングレートに比べて透明樹脂層のエッチングレートが大きい場合でも転写レンズの高さを低く形成することができ、かつレンズ間ギャップの小さい転写レンズを形成することができた。さらに、エッチング制御層として実施例6と異なるエッチングレートを有する樹脂を用いたことで、レンズ母型となる感光性樹脂層及び転写レンズとなる透明樹脂層の材料を変更せずに、転写レンズの高さを自由に変更することができた。
<実施例10>
図12を参照して、本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について説明する。
図12(a)に示すように、光電変換素子51や遮光膜、パッシベーション(図示せず)等を形成した半導体基板50上に、熱硬化タイプのアクリル樹脂塗布液を用いてスピンコートにて平坦化層52を形成した(図12(b)参照)。
次いで、実施例1と同様にして、図12(c)に示すように、3種のカラーレジスト(グリーンレジスト、ブルーレジスト、レッドレジスト)を用い、G、B、Rの3色にて3回のフォトリソグラフィーの手法で、カラーフィルター53をそれぞれ形成した。
次に、図12(d)に示すように、カラーフィルター53上に、1.55の屈折率を有する熱硬化タイプのアクリル樹脂を塗布して、1μmの膜厚の透明樹脂層54を形成し、180℃で3分間加熱して、硬膜化処理を行った。転写レンズ58の中央部を構成する透明樹脂の硬膜後の屈折率は1.55であった。
次に、フェノール樹脂を0.6μmの膜厚に塗布してエッチング制御層55を形成し、更に、アルカリ可溶性・感光性・熱フロー性を有するアクリル樹脂を塗布して感光性樹脂層56を形成した。
その後、図12(e)に示すように、感光性樹脂層56を公知のフォトリソグラフィーのプロセスにより矩形のパターンとした後、200℃で熱処理して熱フローし、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、レンズ母型57を形成した。なお、レンズ母型57は、レンズ高さ0.39μm、レンズ母型間のギャップ0.35μmのスムースな半球状レンズであった。
最後に、フロン系ガスであるCとCの混合系ガスを用いてドライエッチングを施し、このレンズ母型57をマスクとしてエッチング制御層55をエッチングして中間マイクロレンズを形成し、次いでエッチング制御層からなる中間マイクロレンズをマスクとして透明樹脂層54をエッチング処理し、さらにカラーフィルター53を0.15μm掘り込んで、図13に示すように、転写レンズ58を形成した。この転写レンズ58を230℃で、18分加熱し、完全に硬化させて、画素サイズが一辺1.8μmの固体撮像素子を製造した。実施例10に係る転写レンズ58は、その中央部が透明樹脂層54から、その周辺部59がカラーフィルター53の上部から構成されている。
なお、実施例10で用いた透明樹脂層のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの1.1倍と大きいエッチングレートであり、逆にエッチング制御層を構成するフェノール樹脂のエッチングレートは、レンズ母型を構成するアクリル樹脂のエッチングレートの0.8倍と小さいエッチングレートであった。
このようにして得られた固体撮像素子の転写レンズの高さは0.43μmであった。実施例10に係る転写レンズのSEM像を図14に示す。図14から、表面粗さ40nmときれいな表面を有し、レンズ間ギャップは0.035μm以下と、SEMの測定限界以下の小さいレンズ間ギャップに加工できていることを確認できた。
また、図14から、隣接する転写レンズ間の接触長さ(ギャップ間0.035μm以下である長さ)は0.8μm(一辺1.8μmに対して約44%)であり、開口率は約85%であった。転写レンズの接触長さが長いことで、マイクロレンズの開口率が大きくなり、感度の良好な固体撮像素子を得ることができた。
本発明の製造方法によれば、画素サイズ1.8μmと非常に小さいものであっても、転写レンズ高さを制御しつつ、十分に狭ギャップで、荒れのないマイクロレンズを有する固体撮像素子を製造することができた。
本発明の一実施形態に係る製造方法により得た固体撮像素子の部分断面図である。 本発明の一実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を工程順に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を工程順に示す断面図である。 図1に示す固体撮像素子の部分平面図である。 本発明の他の実施形態に係る固体撮像素子の部分断面図である。 図1に示す固体撮像素子の部分平面図である。 実施例1において形成された転写レンズ表面のSEM写真である。 比較例1において形成された転写レンズ表面のSEM写真である。 実施例7に係る固体撮像素子の製造方法を工程順に示す断面図である。 実施例7により製造された固体撮像素子を示す断面図である。 実施例8において形成された転写レンズ表面のSEM写真である。 実施例10に係る固体撮像素子の製造方法を工程順に示す断面図である。 実施例10により製造された固体撮像素子を示す断面図である。 実施例10において形成された転写レンズ表面のSEM写真である。
符号の説明
10,20,30,50・・・半導体基板、11,21,31,51・・・光電変換素子、12,22,32,52・・・平坦化層、13,23,33,53・・・カラーフィルター、14,29,38,58・・・転写レンズ、24,34,54・・・透明樹脂層、25,35,55・・・エッチング制御層、26,36,56・・・感光性樹脂層、27,37,57・・・レンズ母型。

Claims (16)

  1. 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子の製造方法において、
    1)複数色のカラーフィルターを形成する工程、
    2)該カラーフィルター上に透明樹脂層を形成する工程、
    3)該透明樹脂層上に、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層を形成する工程、
    4)該エッチング制御層上に、熱フロー樹脂材料を用いてレンズ母型を形成する工程、
    5)該レンズ母型のパターンを、ドライエッチングにより前記エッチング制御層に転写し、中間マイクロレンズを形成する工程、及び
    6)該中間マイクロレンズのパターンを、ドライエッチングにより前記透明樹脂層に転写し、転写レンズを形成する工程
    を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  2. 前記エッチング制御層は、前記透明樹脂層のエッチングレートより小さいエッチングレートを有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
  3. 前記透明樹脂層は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像素子の製造方法。
  4. 前記透明樹脂層は、樹脂骨格にベンゼン環を有するアクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  5. 前記透明樹脂層は、ベンゼン環を有する有機化合物を含む樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  6. 前記透明樹脂層は、フッ素系アクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  7. 前記透明樹脂層は、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有する樹脂であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  8. 前記エッチング制御層は、熱フロー制御機能を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  9. 前記エッチング制御層は、スチレン樹脂またはフェノール樹脂であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  10. 前記転写レンズは、前記透明樹脂層と前記カラーフィルターにより形成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
  11. 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に直接あるいは間接的に配置された複数の転写レンズを具備する固体撮像素子において、
    前記複数の転写レンズの、隣接する転写レンズ間のギャップが0.035μm以下であり、かつ0.035μm以下のギャップを維持する、隣接する転写レンズ間の接触長さが、前記複数の転写レンズのピッチの3〜80%であることを特徴とする固体撮像素子。
  12. 前記転写レンズの表面粗さが、50nm以下であることを特徴とする請求項11に記載の固体撮像素子。
  13. 前記転写レンズが、1.47以下の屈折率を有する化合物を0.2%以上含有することを特徴とする請求項11又は12に記載の固体撮像素子。
  14. 前記1.47以下の屈折率を有する化合物は、フッ素化合物又はシリコン化合物であることを特徴とする請求項13に記載の固体撮像素子。
  15. 前記転写レンズの周辺部は、前記カラーフィルターにより構成されていることを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載の固体撮像素子。
  16. 2次元的に配置された光電変換素子と、該光電変換素子のそれぞれに対応して配設されたカラーフィルターと、該カラーフィルター上に形成された透明樹脂層と、該透明樹脂層上に形成された、透明樹脂層のエッチングレートと異なるエッチングレートを有するエッチング制御層と、該エッチング制御層上に形成された熱フロー樹脂材料層とを具備することを特徴とする固体撮像素子用基板。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190903A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP2007281414A (ja) * 2006-03-13 2007-10-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、記憶媒体
JP2008227503A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサの製造方法
US8030115B2 (en) 2006-11-28 2011-10-04 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state image pickup device with color filter and method of manufacturing the same
JP2012099639A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Toppan Printing Co Ltd イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4830306B2 (ja) * 2004-06-23 2011-12-07 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP4469781B2 (ja) * 2005-07-20 2010-05-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR101114608B1 (ko) * 2006-04-03 2012-03-05 도판 인사츠 가부시키가이샤 컬러 촬상 소자 및 컬러 촬상 소자 제조 방법
US7862732B2 (en) 2006-06-28 2011-01-04 Tokyo Electron Limited Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses
JP4826362B2 (ja) * 2006-06-28 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 マイクロレンズの形成方法
JP5052952B2 (ja) * 2007-05-07 2012-10-17 東芝機械株式会社 マイクロレンズ転写成形用ロールの製造方法および製造装置
KR100905597B1 (ko) * 2007-11-19 2009-07-02 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP5453947B2 (ja) * 2009-06-17 2014-03-26 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
US20110199328A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-18 Flextronics Ap, Llc Touch screen system with acoustic and capacitive sensing
KR101852528B1 (ko) * 2011-07-07 2018-04-27 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 수지 조성물
US20130100324A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Sony Corporation Method of manufacturing solid-state image pickup element, solid-state image pickup element, image pickup device, electronic apparatus, solid-state image pickup device, and method of manufacturing solid-state image pickup device
JP5897379B2 (ja) * 2012-03-30 2016-03-30 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体面の加工方法
JP2014041181A (ja) * 2012-08-21 2014-03-06 Hitachi Chemical Co Ltd レンズ付き基板及びその製造方法、並びにレンズ付き光導波路
CN104223701A (zh) * 2014-09-02 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种移动设备保护套

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315506A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法
JP2004094119A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Canon Inc 微小光学素子、及び微小光学素子を有する表示素子、表示装置、撮像素子、撮像装置
JP2004228398A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053073A (ja) 1983-09-02 1985-03-26 Hitachi Ltd マイクロレンズ付固体撮像素子および製法
JPH0637058A (ja) 1992-07-17 1994-02-10 Toshiba Corp ドライエッチング方法
JPH05335531A (ja) * 1992-05-27 1993-12-17 Sharp Corp 固体撮像装置
JP3254759B2 (ja) 1992-09-25 2002-02-12 ソニー株式会社 光学素子およびオンチップレンズの製造方法
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法
US5605783A (en) * 1995-01-06 1997-02-25 Eastman Kodak Company Pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays for solid state imagers
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JP3747682B2 (ja) 1999-03-17 2006-02-22 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
EP1107316A3 (en) 1999-12-02 2004-05-19 Nikon Corporation Solid-state image sensor, production method of the same and digital camera
JP4543470B2 (ja) 1999-12-28 2010-09-15 株式会社ニコン 固体撮像素子及びデジタルカメラ
JP4123667B2 (ja) * 2000-01-26 2008-07-23 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
KR100602368B1 (ko) * 2000-10-31 2006-07-14 매그나칩 반도체 유한회사 광차단막을 이용한 이미지 센서의 평탄화 방법
KR100382723B1 (ko) 2000-11-13 2003-05-09 삼성전자주식회사 고체촬상소자 및 그 제조방법
JP2003229550A (ja) 2002-02-01 2003-08-15 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP2003332547A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP4216009B2 (ja) * 2002-07-05 2009-01-28 大阪瓦斯株式会社 フルオレン含有樹脂
US7084472B2 (en) * 2002-07-09 2006-08-01 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state imaging device and manufacturing method therefor
TWI278991B (en) * 2002-07-09 2007-04-11 Toppan Printing Co Ltd Solid image-pickup device and method of manufacturing the same
US20040082096A1 (en) * 2002-10-25 2004-04-29 Katsumi Yamamoto Method for forming an image sensor having concave-shaped micro-lenses
US6861280B2 (en) * 2002-10-25 2005-03-01 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making
US6640057B1 (en) * 2002-10-28 2003-10-28 Eastman Kodak Company Imaging using silver halide films with inverse mounted micro-lens and spacer
US7115853B2 (en) * 2003-09-23 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices
JP4830306B2 (ja) * 2004-06-23 2011-12-07 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003315506A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法
JP2004094119A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Canon Inc 微小光学素子、及び微小光学素子を有する表示素子、表示装置、撮像素子、撮像装置
JP2004228398A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190903A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Toppan Printing Co Ltd マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP4561365B2 (ja) * 2005-01-07 2010-10-13 凸版印刷株式会社 マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP2007281414A (ja) * 2006-03-13 2007-10-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、記憶媒体
US8030115B2 (en) 2006-11-28 2011-10-04 Toppan Printing Co., Ltd. Solid-state image pickup device with color filter and method of manufacturing the same
JP2008227503A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサの製造方法
JP2012099639A (ja) * 2010-11-02 2012-05-24 Toppan Printing Co Ltd イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法

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