JP6816717B2 - イメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
光電変換素子にて得られる画像情報の電気信号は、半導体基板に形成される貫通孔内に充填もしくはその内壁を被覆する導電物質により半導体基板の裏面に導かれ、パターン化された絶縁層と導電層によって、例えばボールグリッドアレイ(BGA)方式による接続端子にて外部回路基板との接続が可能となっている。
一般に携帯電話に装着されるカメラである場合、カメラモジュールにおける半導体基板の大きさは、0.3mm角程度であるから、直径20cmの一枚のウェハから3,500〜4,300個程度形成することが可能である。
マイクロレンズは、光電変換素子への集光効率を向上させるため、レンズ間ギャップを0に近づける必要がある。またマイクロレンズの表面を平滑とすることで、集光効率を向上させることができる。
本発明は、マイクロレンズの表面の平滑性と、隣り合うマイクロレンズ間の隙間保持を両立したイメージセンサの提供を目的とする。
この結果、本発明の一態様によれば、マイクロレンズの表面の平滑性と、隣り合うマイクロレンズ間の隙間保持を両立したイメージセンサを提供することが出来る。
このため、本発明の態様によれば、高精細なマイクロレンズであっても、集光効率の向上を効果的に行うことが出来る。
ここで、図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なる。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造等が下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
ここで、本明細書では、半導体基板3、光電変換素子、色分解フィルタ2、マイクロレンズ1までをイメージセンサと指称する。
マイクロレンズ上層1aは、マイクロレンズ下層1bの屈折率と同じもしくはマイクロレンズ下層1bの屈折率よりも高い屈折率が高いことが好ましい。また、マイクロレンズ上層1aの屈折率が1.5以上1.7以下であることが好ましい。そのマイクロレンズ上層1aを構成する樹脂は、質量平均分子量が1,000以上20,000以下であることが好ましい。
またマイクロレンズ下層1bを構成する樹脂は、例えば、アクリル樹脂である。
次に、その製造方法について説明する。
本実施形態のイメージセンサの製造は、少なくとも次のa〜hの工程を備える。
a:半導体基板上に光電変換素子を形成する工程
b:光電変換素子の上に色分解フィルタを形成する工程
c:色分解フィルタ上にマイクロレンズ材料を全面塗布する工程
d:マイクロレンズ材料上に犠牲層を塗布する工程
e:犠牲層をフォトリソグラフィ法によりパターニングする工程
f:犠牲層とマイクロレンズ材料をエッチングして、マイクロレンズ下層1bを形成するエッチング転写工程
g:マイクロレンズ下層1b上に感光性レンズ材料を塗布する工程
h:感光性レンズ材料をフォトグラフィー法によりパターニングしてマイクロレンズ上層1aを形成する工程
ここで、マイクロレンズ上層1aは、グレイトーンマスクを使用したフォトリソグラフィ法により形成することが好ましい。
イメージセンサの製造工程の概略は以上であるが、本実施形態の特徴は、光電変換素子の上部に形成される色分解フィルタ2とマイクロレンズ1の製造方法に関する。したがって、以下この点について、後述の第1の実施例における、実施例1及び実施例2にて詳しく説明する。
第1の実施形態では、次の効果を奏する。
(1)各マイクロレンズ1は上下2層で形成され、マイクロレンズ1の下層1bをエッチング転写法で形成した後に、マイクロレンズ1の上層1aをフォトリソグラフィ法により形成する。
これによって、例えば、マイクロレンズ下層1aを柱状若しくは錐台状の形状とし、マイクロレンズ上層1aを半球状の形状とすることができる。
この構成によれば、エッチング転写工程でレンズ下部の谷間を形成し、グレイトーンマスクを使用したフォトリソ工程でレンズ上部の平滑曲面を形成できる。この結果、マイクロレンズの表面の平滑性と、隣り合うマイクロレンズ間の隙間保持を両立したイメージセンサを提供することが出来る。
特に、レンズピッチ1.1ミクロン以下の高精細なマイクロレンズであっても集光効率向上に効果的である。
この構成によれば、レンズの凸形状を露光法で制御して高精度で形成可能となる。
(3)マイクロレンズ上層1aを形成する工程の後に、熱フローによりマイクロレンズ上層1aを流動させてマイクロレンズ下層1bの表面を覆う工程を有しても良い。
この構成によれば、熱フローによりマイクロレンズ上層1aが流動化し、エッチング転写法で形成されたマイクロレンズ下層1bの荒れた表面を覆うため、マイクロレンズ表面全体が平滑な曲面となる効果がある。
(4)マイクロレンズ上層1aは、マイクロレンズ下層1bの屈折率と同じもしくはマイクロレンズ下層1bの屈折率よりも高い屈折率が高いことが好ましい。
この構成によれば、マイクロレンズ1の集光効率を更に向上させることが可能となる。
第2の実施形態について図面を参照して説明する。
ここで、第2の実施形態におけるイメージセンサの基本構造は、第1の実施形態と同様な構造となっている。
次に、第2の実施形態のイメージセンサにおける、マイクロレンズの製造方法について図5を参照しつつ説明する。
先ず、図5(A)に示すように、半導体基板21上に平坦化層22を形成する。これによって、半導体基板21表面の凸凹を低減し平滑性を改善する。
次に各レンズ母型25を加熱処理することで硬化させる。レンズ母型25は、熱フロー性を有しないため、パターニング後の形状を維持したままの形状となり、エッチングマスク層となる。透明樹脂層24には熱フロー性を有しない感光性樹脂を用いる。そのようにすることで、感光性樹脂パターンが溶融し、体積が膨張し隣接するレンズ同士が接触することを回避できる。その結果、隣り合うレンズ同士の境界部分で形状崩れの発生を防ぐことが可能となる。
ドライエッチングに用いるガスは、酸化性又はエッチング性を有するガスであれば、特に制限する必要はない。一例として、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン元素をその構成に有するガス、同様に酸素やイオウの元素をその構成に有するガスなどを用いることが出来るが、これらに限定されない。しかしながら、可燃性がなく、人体への影響の観点から、毒性の低いフロン系ガスを使用することが実用的に好ましい。
次に、図5(E)に示すように、マイクロレンズ下層26上にレジストパターン28を形成する。このレジストパターン28に用いる感光性樹脂は、マイクロレンズ下層26の屈折率と比べて、同じもしくは高い屈折率を有すると共に熱フロー性を有するものである。
これによって、本実施形態では、マイクロレンズ下層26と、レンズ形状層28Aからなるマイクロレンズ上層とによって、マイクロレンズ38が構成されることになる。
ここで、本実施形態のレジストパターン28の形成に採用可能な感光性樹脂材料について説明する。
感光性樹脂材料は、マイクロレンズ下層26と比べて、同じもしくは高い屈折率を備えていれば、屈折率が異なるマイクロレンズの形成が可能となる。そのため、入射した光をより大きく屈折させて、受光素子に入射するようにすることができるだけでなく、マイクロレンズの集光効果をより強め、延いては感度の向上を図ることができる。前述のように、上記マイクロレンズ下層26に用いる透明樹脂において、屈折率は1.5以上1.6以下が一般的である。よって屈折率が1.5未満であれば、入射した光を屈折させることができず、集光効果を高めることが出来ない。また、感光性樹脂の屈折率が1.7を超える材料は見つかっていないため、この屈折率が上限となる。
熱フロー性を有する感光性樹脂とは、加熱によって溶融し自身の表面張力によって曲面を形成することの出来る熱可塑性の樹脂材料である。このような熱フロー樹脂材料としては、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ポリスチレン樹脂などを挙げることができる。特に、感光性を有し、アルカリ現像によってパターン形成を行うことの出来る樹脂が好ましい。また、質量平均分子量が1,000以上20,000以下、好ましくは1,500以上15,000以下、より好ましくは2,000以上10,000以下であるベース樹脂を含有していることが好ましい。質量平均分子量が1,000以上とすることによって容易に膜状に形成することができるとともに、パターン形状を良好にすることができる。20,000値以下にすることによって、適度なアルカリ溶解性が得られるので好ましい。
以上のように、第2の実施形態においては、まず熱フロー性を有しない感光性樹脂をレンズ母型としてドライエッチング法によってマイクロレンズ下層を形成することにより、隣接する各レンズ面が互いに融着することなくレンズ間ギャップが小さい状態で配置される。
さらに、マイクロレンズ下層26上にマイクロレンズ下層26と同じもしくは高い屈折率を有すると共に熱フロー性を有する感光性材料を用いて、熱リフロー法にてマイクロレンズ上層28Aを形成することによって、マイクロレンズ表面荒れを抑制し、レンズ表面の光散乱が少なく、集光効率が向上したマイクロレンズを得ることが出来る。
第1の実施例について説明する。
実施例1及び2を図2〜図4を参照して説明する。なお、図3(e)の処理は実施例2のみの処理工程である。
(実施例1)
実施例1では、マイクロレンズ下層1bを組成する透明樹脂は熱硬化型樹脂である。一方でマイクロレンズ上層1aを組成する透明樹脂は感光性樹脂であり、ポジ型の感光性樹脂を用いた例である。
半導体基板3に、光電変換素子や遮光膜、パッシベーション膜を形成し、最上層に、熱硬化タイプのアクリル樹脂塗布液を用いてスピンコートにて平坦化層を形成した。半導体基板3の寸法は、厚さ0.75mm、直径20cmとした。
グリーンレジストは、色材としてC.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントグリーン36、C.I.ピグメントブルー15:6を用い、さらにシクロヘキサノン、PGMEAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。
レッドレジストの色材は、C.I.ピグメントレッド117、C.I.ピグメントレッド48:1、C.I.ピグメントイエロー139とした。色材以外の組成は、グリーンレジストと同様とした。
つぎに、各色分解フィルタ2上に、ベンゼン環を樹脂骨格に導入したアクリル樹脂の塗布液を塗布して、1μmの膜厚の透明樹脂層11を形成し、180℃で3分間加熱して、硬膜化処理を行った(図2(b))。
その後、感光性樹脂層12を、グレイトーンマスク50を使用する定法のフォトリソグラフィのプロセスによりパターン形成する。
その後、200℃で熱処理して熱リフローし、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、レンズ母型12aを形成した(図2(d))。レンズ母型12aは、レンズ母型12a間のギャップ0.3μmのスムースな円柱状であった。
その後、感光性樹脂層13を、グレイトーンマスク51を使用する定法のフォトリソグラフィのプロセスによりパターン化しマイクロレンズ上層13aを形成した(図3(c)(d))。なお、マイクロレンズ上層13aは、レンズ高さ0.3μmのスムースな半球状レンズであった。
このようにして半導体基板3上に多面付けされたイメージセンサが完成した(図3(d))。
次に、上記の半導体基板3の裏面にフォトレジストを塗布し、定法のフォトリソグラフィ法により貫通孔が形成されるべき部位に開口部を形成した。
次に、半導体基板3と後に形成する配線層とを絶縁するために、CVD法により貫通孔の内壁、底部及び裏面全体にSiO2絶縁膜を形成した。ここで、絶縁膜は、その膜厚が貫通孔の底部(アルミニウムなど導電性の高い金属からなるパッドである)上の方が半導体基板3の裏面上より薄くなるように形成した。こうした上で、反応性イオンエッチングを再度行い、貫通孔底部の絶縁膜を除去した。引き続き、スパッタ法により、導電膜を形成し、貫通孔の埋設及びウェハ裏面の貫通孔電極4を形成する配線層を形成した(図4(a))。
最後に、450メッシュのレジンブレードを用いたダイシング装置により、マトリックス状に多面付けされたイメージセンサの中間部を断裁線として、表面より断裁溝を入れた(図4(b))。その後、個々のイメージセンサに分離し(図4(c))、図4(d)の状態とした完成品を得た。
実施例2は、マイクロレンズ下層1bを組成する透明樹脂は熱硬化型樹脂である。一方でマイクロレンズ上層1aを組成する透明樹脂は感光性樹脂であり、ポジ型の感光性樹脂を用いた例である。本実施例では、レンズの凸形状を露光法で制御するため、グレイトーンマスクという特殊な露光用マスクを使用する。
グリーンレジストは、色材としてC.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントグリーン36、C.I.ピグメントブルー15:6を用い、さらにシクロヘキサノン、PGMEAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。
レッドレジストの色材は、C.I.ピグメントレッド117、C.I.ピグメントレッド48:1、C.I.ピグメントイエロー139とした。色材以外の組成は、グリーンレジストと同様とした。
つぎに、各色分解フィルタ2上に、ベンゼン環を樹脂骨格に導入したアクリル樹脂の塗布液を塗布して、1μmの膜厚の透明樹脂層11を形成し、180℃で3分間加熱して、硬膜化処理を行った(図2(b))。
その後、感光性樹脂層12を、グレイトーンマスク50を使用する定法のフォトリソグラフィのプロセスによりパターン化した後、200℃で熱処理して熱リフローし、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、レンズ母型12aを形成した(図2(d))。レンズ母型12aは、レンズ母型12a間のギャップ0.3μmの平滑な円柱状であった。
その後、感光性樹脂層13を、グレイトーンマスク51を使用する定法のフォトリソグラフィのプロセスによりパターン化した後(図3(c)(d))、200℃で熱処理して熱リフローし(図3(e))、片側0.1μmのほぼ適正なフロー量で、マイクロレンズ上層13aを形成した。なお、マイクロレンズ上層13aは、レンズ高さ0.3μmのスムースな半球状レンズであった。
さらに、熱リフローされたマイクロレンズ上層13aがマイクロレンズ下層11aの表面の一部を覆うことで、マイクロレンズ下層11aの表面を平滑にすることができた。
グレイトーンマスク51は、作成したいレンズ要素の薄膜の部分に対応する部分については光透過率を高くした遮光膜を、石英基板上に形成したものである。遮光膜に濃淡のグラデェーション(階調)が付いたマスクということができる。この階調の濃淡は、露光に用いる光では解像しない小さな径のドットの単位面積当たりの個数(粗密)の部分的な差によって達成される。
次に、上記の半導体基板3の裏面にフォトレジストを塗布し、定法のフォトリソグラフィ法により貫通孔が形成されるべき部位に開口部を形成した。次いで、フォトレジスト膜をマスクとして反応性イオンエッチングを行い、半導体基板3を所定の深さまでエッチングして貫通孔を形成した(図4(a))。
最後に、450メッシュのレジンブレードを用いたダイシング装置により、マトリックス状に多面付けされたイメージセンサの中間部を断裁線として、表面より断裁溝を入れた(図4(b))。その後、個々のイメージセンサに分離し(図4(c))、図4(d)の状態とした完成品を得た。
以下に、本発明によるイメージセンサにおけるマイクロレンズの製造方法についての第2の実施例を説明する。
(実施例1)
図5に示すように、半導体基板21上に平坦化層22、色分解フィルタ23と透明樹脂層24およびマイクロレンズ38が形成されたものである。図5は、図6におけるa−a線での断面図である。
平坦化層22上にスピンコート法により、アクリル系の感光性緑色着色レジストを塗布した後、ホットプート上で80℃、1分のプリベーク処理を行った。
次に、図5(C)に示すように、透明樹脂層24上に質量平均分子量30,000のベース樹脂を含有するポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布、露光、現像し、ホットプレートを用いて160℃、5分間加熱した後、さらに220℃、5分間の条件で焼成し、膜厚1.0μmのレンズ母型25を形成した。
次に、図1Fに示すように、レジストパターン28をホットプレートにて130℃で5分間の加熱処理を行い、表面張力により半球面レンズ形状層を形成させた。さらに、200℃で5分間加熱硬化させた結果、マイクロレンズ上層となるレンズ形状層28Aが得られた。レンズ形状層28Aは、画素サイズ1.5μmであった。レンズ形状層28Aの高さは、0.2μmであった。
これによって、マイクロレンズ下層26及びレンズ形状層28Aからなるマイクロレンズ38を形成した。
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の屈折率を1.55に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
(実施例3)
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の質量平均分子量を10,000に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の質量平均分子量が18,000に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
(実施例5)
実施例1における透明樹脂層に用いた材料が屈折率1.45であるフッ素系アクリル樹脂に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
実施例1におけるマイクロレンズ上層の高さを0.6μmとし、マイクロレンズ下層を形成する工程(いわゆる熱リフロー法)を省略した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
(比較例2)
実施例1におけるマイクロレンズ下層の高さを0.6μmとし、マイクロレンズ上層を形成する工程(いわゆる転写法)を省略した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の屈折率が1.40に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
(比較例4)
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の質量平均分子量が900に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
実施例1におけるマイクロレンズ上層に用いたポジ型フォトレジストのベース樹脂の質量平均分子量が40,000に変更した点以外は、実施例1と同様にしてマイクロレンズを形成した。
ここで、形成されたマイクロレンズの形状観察、寸法測定、及びレンズ高さ、表面粗さの測定方法および感度評価は、以下の通りである。
形成されたマイクロレンズ形状については測長SEM(KLA−Tencor社製eCD2−XP)で観察評価した。マイクロレンズの形状が半球面となったものを「○」、半球面とならなかったものを「×」として評価した。また隣接するレンズ間の辺同士のギャップについて測定した。ただし、装置測定限界は0.035μmであった。
マイクロレンズ高さと表面粗さはAFM(原子間力顕微鏡、東陽テクニカ社製(i-n ano))にて測定した。マイクロレンズの高さはマイクロレンズ下層とマイクロレンズ上層を含めたものとした。
比較例2〜3においては、所望の集光感度の向上が得られなかった。また比較例4においては、マイクロレンズ形状が形成出来ず、比較例5においては半球状のマイクロレンズ形状が得られなかった。
ここでは、限られた数の実施形態を参照しながら説明したが、権利範囲はそれらに限定されるものではなく、上記の開示に基づく各実施形態の改変は当業者にとって自明なことである。すなわち、本発明は、以上に記載した各実施形態に限定されうるものではない。当業者の知識に基づいて各実施形態に設計の変更等を加えることが可能であり、そのような変更等を加えた態様も本発明の範囲に含まれる。
1a マイクロレンズ上層
1b マイクロレンズ下層
2 色分解フィルタ
3 半導体基板
4 貫通孔電極
5 接続バンプ
11 透明樹脂層
11a マイクロレンズ下層
12 感光性樹脂層
12a レンズ母型
13 感光性樹脂層
13a マイクロレンズ上層
21 半導体基板
22 平坦化層
23 色分解フィルタ
24 透明樹脂層
25 レンズ母型
26 マイクロレンズ下層
27 凹部
28 レジストパターン
28A レンズ形状層(マイクロレンズ上層)
38 マイクロレンズ
Claims (12)
- 半導体基板に形成された光電変換素子上に、色分解フィルタとマイクロレンズとをこの順に積層したイメージセンサであって、
上記マイクロレンズは、上記積層方向に沿って、色分解フィルタ側のマイクロレンズ下層と、そのマイクロレンズ下層の上に形成されたマイクロレンズ上層の2層構造となっており、
上記マイクロレンズ下層は、柱状若しくは錐台状の形状であり、上記マイクロレンズ上層は、半球状の形状であり、
上記マイクロレンズ上層を構成する樹脂は、熱リフロー性を有する感光性樹脂であり、
上記マイクロレンズ下層を構成する樹脂は、フッ素系アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重合体であり、且つ、熱リフロー性を有しない感光性樹脂であり、
隣り合う上記マイクロレンズ下層間に位置する凹部の形状は、V字形状であり、
上記マイクロレンズ上層は、上記マイクロレンズ下層の屈折率と同じもしくは上記マイクロレンズ下層の屈折率よりも高い屈折率を有し、
上記マイクロレンズ上層の屈折率は、1.5以上1.7以下であることを特徴とするイメージセンサ。 - 上記マイクロレンズ上層を構成する樹脂は、質量平均分子量が1,000以上20,000以下であることを特徴とする請求項1に記載したイメージセンサ。
- 上記マイクロレンズ上層を構成する樹脂は、アクリル樹脂、フェノール樹脂あるいはポリスチレン樹脂であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載したイメージセンサ。
- 半導体基板に形成された光電変換素子上に、色分解フィルタとマイクロレンズとをこの順に積層したイメージセンサの製造方法であって、
上記マイクロレンズは、上記積層方向に沿って上下2層で形成され、上記マイクロレンズの下層であるマイクロレンズ下層をエッチング転写法で形成した後に、上記マイクロレンズの上層であるマイクロレンズ上層をフォトリソグラフィ法により形成し、
上記マイクロレンズ下層を構成する樹脂は、フッ素系アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重合体であり、且つ、熱リフロー性を有しない感光性樹脂であり、
隣り合う上記マイクロレンズ下層間に位置する凹部の形状は、V字形状であり、
上記マイクロレンズ上層は、上記マイクロレンズ下層の屈折率と同じもしくは上記マイクロレンズ下層の屈折率よりも高い屈折率を有し、
上記マイクロレンズ上層の屈折率は、1.5以上1.7以下であることを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 上記マイクロレンズの形成は、
上記色分解フィルタ上にマイクロレンズ材料を塗布する工程と、
上記マイクロレンズ材料上に犠牲層を塗布する工程と、
上記犠牲層をフォトリソグラフィ法によりパターニングする工程と、
上記犠牲層とマイクロレンズ材料をエッチングして、上記マイクロレンズ下層を形成するエッチング転写工程と、
上記マイクロレンズ下層上に感光性レンズ材料を塗布する工程と、
上記感光性レンズ材料をフォトグラフィー法によりパターニングして上記マイクロレンズ上層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項4に記載したイメージセンサの製造方法。 - 上記マイクロレンズ上層を形成する工程の後に、熱フローにより上記マイクロレンズ上層を流動させてマイクロレンズ下層の表面を覆う工程を有することを特徴とする請求項5に記載したイメージセンサの製造方法。
- 上記感光性レンズ材料をフォトグラフィー法によりパターニングして上記マイクロレンズ上層を形成する工程では、上記マイクロレンズ下層の上面の一部が露出するように、上記感光性レンズ材料をパターニングすることを特徴とする請求項6に記載したイメージセンサの製造方法。
- 上記マイクロレンズ上層は、グレイトーンマスクを使用したフォトリソグラフィ法により形成することを特徴とする請求項4〜請求項7のいずれか1項に記載のイメージセンサの製造方法。
- 上記マイクロレンズの形成は、
上記色分解フィルタ上に透明樹脂層を形成する工程と、
上記透明樹脂層上に、熱リフロー性を有しない感光性樹脂を用いてレンズ母型を形成する工程と、
上記レンズ母型に熱処理を施すことにより、上記レンズ母型を熱硬化させる工程と、
上記熱硬化させたレンズ母型をドライエッチング法により透明樹脂層に転写して、マイクロレンズ下層を形成する工程と、
上記マイクロレンズ下層の屈折率と同じもしくは上記マイクロレンズ下層の屈折率よりも高い屈折率を有すると共に熱リフロー性を有する感光性樹脂を用いて、上記マイクロレンズ下層上にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンに熱リフローを施すことにより、上記レジストパターンを変形させてマイクロレンズ上層を上記マイクロレンズ下層上に形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載したイメージセンサの製造方法。 - 上記マイクロレンズ下層上にレジストパターンを形成する工程では、上記マイクロレンズ下層の上面の一部が露出するように、上記レジストパターンを形成することを特徴とする請求項9に記載したイメージセンサの製造方法。
- 上記熱リフロー性を有する感光性樹脂の質量平均分子量が1,000以上20,000以下であることを特徴とする請求項9または請求項10に記載したイメージセンサの製造方法。
- 上記マイクロレンズ上層を構成する樹脂は、アクリル樹脂、フェノール樹脂あるいはポリスチレン樹脂であることを特徴とする請求項4〜請求項11のいずれか1項に記載したイメージセンサの製造方法。
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