JP2006190904A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロレンズのレンズ下距離を短くすること、マイクロレンズの開口率を上昇させること、及びレンズ表面の反射率を低減することを可能とし、それによって高感度、高画質の固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板に2次元的に配置された受光素子と、該受光素子のそれぞれに対応して配設されたカラーレンズと、該カラーレンズ上に直接あるいは間接的に積層された転写レンズとを具備する固体撮像素子において、前記転写レンズの曲率半径が、前記カラーレンズの曲率半径と異なることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板に2次元的に配置された受光素子と、該受光素子のそれぞれに対応して配設されたカラーレンズと、該カラーレンズ上に直接あるいは間接的に積層された転写レンズとを具備する固体撮像素子において、前記転写レンズの曲率半径が、前記カラーレンズの曲率半径と異なることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、C−MOSやCCD等の受光素子に代表される固体撮像素子に係り、特に、固体撮像素子上に形成されるマイクロレンズに関する。
CCDなどの撮像素子の光電変換に寄与する領域(開口部)は、素子サイズや画素数にも依存するが、その全面積に対し20〜40%程度に限られてしまう。開口部が小さいことは、そのまま感度低下につながるため、これを補うために、受光素子上に集光のためのマイクロレンズを形成することが一般的に行われている。
しかしながら、近時、300万画素を超える高精細CCD撮像素子への要求が大きくなり、これら高精細CCDにおいて付随するマイクロレンズの開口率の低下(即ち、感度の低下)およびフレア、スミアなどのノイズ増加による画質の低下が、大きな問題となってきている。C−MOSやCCDなどの撮像素子は、ほぼ十分な画素数に近づきつつあり、それらデバイスメーカー間の競争は、画素数から画質の競争へと変化しつつある。
マイクロレンズの形成技術については、公知の技術として例えば、特許文献1に比較的詳細に示されている。特許文献1には、レンズを丸く半球状に形成する技術として熱フローによる樹脂の熱流動性(熱フロー)を用いた技術、また、いくつかのエッチング技術によりレンズを加工する技術も詳細に開示されている。加えて、レンズ表面にPGMAなどの有機膜やOCD(SiO2系)などの無機膜を形成することも開示されている。
マイクロレンズをドライエッチング技術にて転写、加工することにより形成する技術は、特許文献1以外に特許文献2に詳細な記載がある(以下、このドライエッチング技術によるマイクロレンズを転写レンズと呼び、また、この加工方法を転写方式と略称する)。転写レンズの形成は、光電変換素子上のカラーフィルターや平坦化膜を含む構成を薄くすることが出来るとともに、熱フローレンズよりもマイクロレンズの開口率を上げることが出来るため、撮像素子特性を向上させ得るという特長を有する。
また、マイクロレンズの表面に、フッ素系樹脂、フッ素含有樹脂などの低屈折率材料を形成する技術は、特許文献3〜5などにおいて公知である。
更に、上下2層のマイクロレンズを形成する技術が、特許文献6に示されている。また、マイクロレンズをカラーとする技術は、特許文献7に示されている。
特開昭60−53073号公報
特開平 1−10666号公報
特開昭61−42630号公報
特開昭58− 4101号公報
特開昭61−87362号公報
特開昭64− 7562号公報
特開平 6-104414号公報
特許文献6には、図5に示すように、受光素子41を備える半導体基板40上に、熱フローレンズ46と層内レンズ42(通常、窒化シリコンのような無機膜で構成)の2個のマイクロレンズを重ねて用いる撮像素子が示されている。この撮像素子は、これらレンズの他に、レンズ下地膜45、カラーフィルター44、及び平坦化膜43を備えていて、層構成が複雑であり、レンズ下距離49が非常に長いものになっていた。
CMOSやCCDなどの受光素子を用いたカメラでは、対物レンズの絞り(F値)により入射光の角度が変化する。開放側では斜め光が増えて感度が低下することや、受光素子が形成された半導体チップの画素領域の中央と端部では、入射光の角度が大きく異なるため、端部の画素(受光素子)への入射光が低下して、表示画面の端部では暗い表示となっていた。これに対し、レンズ下距離を短くすることで、均一な表示画面を得ることが可能であるが、図5に示す従来例では、レンズ下距離49が非常に長く、その改善が望まれていた。
また、感度アップのために 撮像素子構造の最上層にマイクロレンズが形成されている。このマイクロレンズは、感光性・アルカリ可溶性・熱リフロー性を有する材料を用いて、通常のフォトリソグラフィーの手法で形成される。このマイクロレンズを熱フローレンズと呼ぶが、熱フローレンズは、温度を上げて融解し過ぎると、隣接するレンズ同士が融着し、レンズ機能が損なわれてしまうことが多い。このため、隣接する熱フローレンズのギャップは、0.3μm〜0.5μmであるのが 実用的な範囲である。
しかし、撮像素子の画素の微細化が進んだ昨今、画素のピッチは2μm〜3μmと、非常に小さくなっている。例えば、2.5μm画素ピッチで、0.35μmのレンズのギャップがあると、その熱フローレンズの開口率は、約50%にしかすぎない。撮像素子の感度低下に結びつく。従って、マイクロレンズの開口率を上昇させることが望まれていた。
更に、上記熱リフロー性を有するレンズ材料は、一般に、フェノール樹脂やポリスチレン系樹脂であり、これらの屈折率は、いずれも1.6と高い。これらの材料による熱フローレンズの表面反射率は、5〜6%と比較的高い。撮像素子は、モジュールと呼ばれる素子構成を有し、その半導体チップの上にカバーガラスが配設されている。熱フローレンズ(マイクロレンズ)表面からの反射光は、このカバーガラス裏面に反射して再び受光素子(しかも異なった受光素子)に再入射する。この再入射光が、フレア、ゴーストと呼ばれる画質低下、強度の光が入射したときには、スミアのノイズレベルを一層悪化させるなど、画質低下への影響が強いものであった。そこで、レンズ表面の反射率を低減することが望まれていた。
本発明は、以上のような事情の下になされ、マイクロレンズのレンズ下距離を短くすること、マイクロレンズの開口率を上昇させること、及びレンズ表面の反射率を低減することを可能とし、それによって高感度、高画質の撮像素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の一態様は、半導体基板に2次元的に配置された受光素子と、該受光素子のそれぞれに対応して配設されたカラーレンズと、該カラーレンズ上に直接あるいは間接的に積層された転写レンズとを具備する固体撮像素子であって、前記転写レンズの曲率半径が、前記カラーレンズの曲率半径と異なることを特徴とする固体撮像素子を提供する。
このような固体撮像素子では、受光素子の上方に、カラーフィルターを兼ねたカラーレンズを配置しているため、レンズを受光素子に近づけることが出来、その結果、均一な表示画面を得ることが出来る。また、カラーレンズのみを配置する場合には、斜めの入射光に対する色分離が劣化するが、カラーレンズの上に、更に曲率半径の異なる転写レンズを配置しているため、転写レンズにより光を最大限集光することが出来、即ち、開口率を100%に近づけることが出来る。その結果、感度の良好な撮像素子を得ることが出来る。
本発明の一態様に係る固体撮像素子では、転写レンズの曲率半径がカラーレンズの曲率半径より大きいことが望ましい。このように、転写レンズの曲率半径をカラーレンズの曲率半径より大きくすることにより、すべての光を受光素子に入射させることが出来る。その結果、感度が上昇し、光の取り込み角が拡大し、明るい表示画像の撮像素子を得ることが出来る。
また、転写レンズの屈折率がカラーレンズの屈折率より小さいことが望ましく、そうすることにより、上述した効果を確実に得ることが出来る。
なお、カラーレンズは、その厚みの半分以上が前記半導体基板の表面の凹みに埋設され、かつ、その表面が凸状のレンズ曲面を有していることが望ましい。このような構成により、レンズを受光素子に更に近づけることが出来、その結果、更に均一な表示画面を得ることが出来る。
転写レンズは、含フッ素アクリル樹脂により構成することが出来る。含フッ素アクリル樹脂の屈折率は1.47以下と低いため、表面反射率が低く、その上にカバーガラスが配設されても、二重反射が防止され、画質低下が生ずることがない。
本発明の他の態様に係る固体撮像素子では、隣接するカラーレンズ間及び有効画素の周辺領域に光吸収層を配設することが出来る。このように、光吸収層を配設することにより、有効領域外の散乱光や再反射光が受光素子に入射するのを抑制し、色むらを解消し、画質を向上させることが可能である。
本発明によると、色分離を損なうことなく均一な表示画面を得ることが出来、開口率が高く、感度が良好で明るい画像を提供する撮像素子を得ることが出来る。
以下、発明を実施するための最良の形態について説明する。
以下の説明において、各材料の屈折率の値は、基本的には550nmの波長の緑色可視光による値である。ただし、カラーレンズの屈折率は、赤色であれば620nm、緑色であれば550nm、青色であれば450nmにおけるそれぞれの値を屈折率とした。
図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子を示す部分断面図である。この固体撮像素子は、図1に示すように、所定のピッチで2次元的に配置されたCCDやCMOS等の受光素子11を備える半導体基板10上に、受光素子11の上方の凹部を埋めるように、カラーレンズ12、及び転写レンズ13を設けることにより構成されている。
図1に示す固体撮像素子において、転写レンズ13の曲率半径は、カラーレンズ12の曲率半径と異なっていて、特に、カラーレンズ12の曲率半径より大きく、例えば、転写レンズ13の曲率半径は0.5〜10μmであり、カラーレンズ12の曲率半径は0.3〜6μmであるのが好ましい。ただし、これらの曲率半径は、CCDやCMOSなどの半導体素子の種別、画素サイズの相違、又はフォトダイオードの深さ(位置)によって大きく異なる。また、転写レンズ13の屈折率はカラーレンズ12の屈折率より小さく、例えば、転写レンズ13の屈折率は1.47以下であり、カラーレンズ12の屈折率は1.52以上であるのが好ましい。
このように、転写レンズ13の曲率半径をカラーレンズ12の曲率半径より大きくすることにより、転写レンズ13によって光を最大限集光することが出来、即ち、開口率を100%に近づけることが出来、このように集光された光をカラーレンズ12により再度集光し、すべての光を受光素子11に入射させることが出来る。その結果、感度が上昇し、光の取り込み角が拡大し、明るい表示画像の撮像素子を得ることが出来る。
以上説明した図1に示す固体撮像素子は、図2(a)〜図3(c)に示すプロセスによって製造することが出来る。まず、図2(a)に示すように、2次元的に配置された受光素子21とカラーレンズを埋め込むための凹部22を有する半導体基板20に、図2(b)に示すように、カラーフィルター23を形成する。カラーフィルター23としては、有機顔料を分散したカラーレジストを用い、公知のフォトリソグラフィーの手法で、G(緑)、B(青)、R(赤)を順次形成する。
次いで、図2(c)に示すように、カラーフィルター23上にエッチング制御層24を形成し、このエッチング制御層24上に、熱フローレンズ25を形成する。
次に、異方性ドライエッチングにより熱フローレンズ25及びエッチング制御層24をエッチングし、熱フローレンズ25のパターンをカラーフィルター23に転写し、図3(a)に示すように、カラーレンズ26を形成する。
カラーフィルター23は、3色とも例えば1μmの膜厚に形成するが、その表面の凹凸や色間の微妙な段差があり、その上に熱フローレンズ25を安定して加工することが困難である。エッチング制御層24を設けるのは、熱フローレンズ25の形成の際の熱フローをコントロールし、形状の良好な熱フローレンズ25を形成するためと、カラーレンズ26の優れた形状および表面性(表面の荒れを防ぐ)を確保するための2つの目的がある。
ここで、本実施形態において、エッチング制御層24に採用可能な透明樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重合物などを挙げることができる。これらの中では、ドライエッチングレートの遅いポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、あるいはポリイミド樹脂がより好ましい。また、ドライエッチング耐性(エッチングレートが小)を有する基や構造、例えば、芳香環を骨格に有する樹脂であることが望ましい。透明樹脂に感光性を持たせ、光硬化と熱硬化を併用することも可能である。
本実施形態に用いる熱フローレンズ25に採用可能な熱フロー性を有する感光性樹脂としては、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ポリスチレン樹脂などのアルカリ可溶性および熱フロー性を有する樹脂から選択することが出来る。なお、熱フローレンズ25の下地であるエッチング制御層24にフェノール樹脂を採用する場合、エッチングレートの関係から、レンズ母型の樹脂としては、アクリル樹脂もしくはポリスチレン樹脂が好ましい。
次に、図3(b)に示すように、カラーレンズ26上に透明樹脂層27及びエッチング制御層28を形成し、更にその上に、感光性・熱フロー性を有する樹脂を用いて、熱フローレンズ29を形成する。
透明樹脂層27は、後述する工程で転写レンズとされるものであり、採用可能な透明樹脂としては、アクリル樹脂、含フッ素アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂あるいはこれらの共重合体などが挙げられる。しかし、耐熱性の高いアクリル樹脂、或いは低屈折率を有する含フッ素アクリル樹脂がより好ましい。
本実施形態における転写レンズを構成する透明樹脂は、光の表面反射を低減するため、1.47以下の屈折率を有する化合物が添加されるのが好ましい。本発明に採用可能な、1.47以下の屈折率を有する化合物としては、可視域(光の波長400nm〜700nmの範囲)で高透過率を有し、かつ、高耐熱性を有するもの、例えば、シリコン化合物やフッ素化合物を用いることが出来る。
通常、固体撮像素子に用いるマイクロレンズ用樹脂、平坦化材用樹脂としての透明有機樹脂は、上述のアクリル樹脂、スチレン樹脂などが一般的であり、その屈折率はおおよそ1.5〜1.6の範囲である。
特に、固体撮像素子向けの転写レンズとして適用可能な含フッ素系アクリル樹脂は、実用的には1.38〜1.47の屈折率を有しているので、フッ素系アクリル樹脂に1.47以下の屈折率を有する化合物を添加することにより、特に望ましい効果が得られる。
本実施形態において、エッチング制御層28は、上述したエッチング制御層24と同様の樹脂を用いることが出来る。
本実施形態に用いるレンズ母型に採用可能な熱フロー性を有する感光性樹脂としては、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ポリスチレン樹脂などのアルカリ可溶性および熱フロー性を有する樹脂から選択することが出来る。なお、レンズ母型の下地であるエッチング制御層28にフェノール樹脂を採用する場合、エッチングレートの関係から、レンズ母型の樹脂としては、アクリル樹脂もしくはポリスチレン樹脂が好ましい。
エッチング制御層28のエッチングレートがレンズ母型の樹脂のエッチングレートより遅いことが、エッチング制御層28を加工して中間的に形成されるレンズの高さ(厚み)を下げる観点から好ましい。本実施形態に採用するエッチング制御層28は、熱フロー時のレンズ母型の流動性をコントロールし、丸くスムーズな形状と寸法安定性の確保のほかに、上記したように、ドライエッチング時のレンズ高さの調整(あらかじめレンズ高さを低くして、ドライエッチングでのレンズ高さを高くしすぎない調整)の作用と、含フッ素アクリル樹脂の添加の影響によるレンズギャップの拡大を抑制する作用がある。
最後に、図3(c)に示すように、熱フローレンズ29をレンズ母型としてドライエッチング処理し、熱フローレンズ29のパターンを透明樹脂層27に転写し、転写レンズ30を形成し、カラーレンズ26と転写レンズ30の2層レンズを備える撮像素子が得られる。
本実施形態に用いるドライエッチングには、ECR、平行平板マグネトロン、DRM、ICP、あるいは2周波タイプのRIEなどのドライエッチングの手法及び装置を使用することが出来る。ドライエッチングに用いるガスは、酸化性あるいはエッチング性のあるガスであれば、特に制限する必要はない。フッ素、塩素やブロムなどハロゲン元素を構成に含むガスや、酸素やイオウを構成に含むガスなどを用いることが出来る。しかしながら、可燃性がなく、人体への影響の観点から毒性の低い、フロン系ガスの使用が実用的には好ましい。
フロン系のガスは、CF4よりもC3F8、C4F8など、Fの原子比率に対してCの原子比率が高い方が、転写レンズのゲイン(レンズ間ギャップを小さくする効果)を得やすい。O2(酸素)をフロンガスと併用することは、ゲインを低下させる方向であるため、好ましくない。また、複数種のガスを混合、併用しても良い。ドライエッチング時に、分布や転写レンズ形状改善のために、対象の半導体基板を加温したり、あるいは冷却しても良い。ドライエッチングは、装置依存性が強く、それぞれの装置に合わせてガス圧、パワー、ガス流量などを適宜調整することになる。
以下、本発明の実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
実施例1
本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について、図2及び3を参照して説明する。
本実施例に係る固体撮像素子の製造方法について、図2及び3を参照して説明する。
図2(a)に示すように、2.5μmのピッチで2次元的に配置された受光素子21を備え、表面にカラーレンズを埋め込むための凹部22を形成した半導体基板20上に、図2(b)に示すように、厚み1μmのカラーフィルター23を形成した。カラーフィルター23は、公知のフォトリソグラフィーの手法で、G(緑)、B(青)、R(赤)の3色のレジストを用いて形成した。なお、カラーフィルター23の形成前にシランカップリング剤やアクリル樹脂の薄膜(約0.1μm)などを下引きすることにより、カラーフィルター23の接着性を向上させることができる。
G(緑)レジストとしては、色材としてC.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントグリーン26、C.I.ピグメントブルー15:6を用い、更にシクロヘキサノン、PGMAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。このG(緑)レジストを用いて形成したG(緑)カラーフィルターの550nmでの屈折率は、1.57であった。
B(青)レジストとしては、色材としてC.I.ピグメントブルー15:6、C.I.ピグメントバイオレット23を用い、更にシクロヘキサノン、PGMAなどの有機溶剤、ポリマーワニス、モノマー、開始剤を添加した構成のカラーレジストを用いた。このB(青)レジストを用いて形成したB(青)カラーフィルターの450nmでの屈折率は、 1.64であった。
R(赤)レジストとしては、色材として、C.I.ピグメントレッド117、C.I.ピグメントレッド48:1、C.I.ピグメントイエロー139を用い、他の組成は、G(緑)レジストと同様とした。このR(赤)レジストを用いて形成したR(赤)カラーフィルタの620nmでの屈折率は、1.69であった。なお、図では、配列の関係上、G(緑)カラーフィルタ及びB(青)カラーフィルターのみを示し、R(赤)カラーフィルタは示されていない。
カラーフィルターの基材は、アクリル樹脂(屈折率1.54)に上記のように有機顔料を加えた系であるが、有機顔料を入れることにより、約1.6前後の高い屈折率に変化する。
次いで、図2(c)に示すように、カラーフィルター23上にポリスチレン樹脂よりなる厚み1μmのエッチング制御層24を形成した後、更にこのエッチング制御層24上に、熱フロー性・感光性を有するアクリル樹脂を用いて公知のフォトリソグラフィーと熱フロー技術を用いて、熱フローレンズ25を形成した。
次に、熱フローレンズ25をレンズ母型として用いて、C3F8およびCF4の混合ガスを使用して異方性ドライエッチングを行い、熱フローレンズ25のパターンをカラーフィルター23に転写し、図3(a)に示すように、カラーレンズ26を形成した。なお、図3(a)では、隣接するカラーレンズ26間のギャップにカラーフィルターを残さない構成を示してあるが、カラーフィルターを若干量残しても良い。
その後、図3(b)に示すように、カラーレンズ26上に、含フッ素アクリルモノマーを添加した含フッ素アクリル樹脂の塗布液を1.5μm厚みに塗布して、透明樹脂層27を形成し、また、1μmの膜厚のポリスチレン樹脂からなるエッチング制御層28を形成し、更に、アルカリ可溶性・感光性・熱フロー性を有するアクリル樹脂を用いて、熱フローレンズ29を形成した。
次に、図3(c)に示すように、ドライエッチング装置にて、フロン系ガスであるC4F8およびC3F8の混合ガスを用い、熱フローレンズ29をレンズ母型としてエッチング処理し、転写レンズ30を形成した。転写レンズ間のギャップは、0.035μmと狭ギャップに加工することが出来た。用いた含フッ素アクリル樹脂の硬膜後の屈折率は、1.45であった。
図3(c)に示すように、本実施例により得た固体撮像素子は、受光素子21を備えた半導体基板20上にカラーレンズ26および転写レンズ30を形成したものである。転写レンズの径は、2.5μm、厚み(レンズ高さ)は0.6μmであった。半導体基板20の表面から転写レンズ30までのトータルの厚みは、1.2μmであった。また、カラーレンズ26の実効的なレンズ高さは0.4μmとした。更に、転写レンズ30の表面の可視光の反射率は、約3.5%であった。
このような固体撮像素子では、カラーレンズ26の曲率半径は0.6μmであり、転写レンズ30の曲率半径は1μmであった。また、カラーレンズ26の屈折率は、上述したように1.6前後であるので、屈折率1.45の転写レンズからの光を更に屈折させて、受光素子21に有効に集光させることが出来た。
実施例2
図4に、本実施例に係る固体撮像素子を示す。この固体撮像素子は、カラーレンズ26同士の間に光吸収層31を形成したことを除いて、図1及び図3Cに示す固体撮像素子と同一の構造を有する。
図4に、本実施例に係る固体撮像素子を示す。この固体撮像素子は、カラーレンズ26同士の間に光吸収層31を形成したことを除いて、図1及び図3Cに示す固体撮像素子と同一の構造を有する。
光吸収層31は、アクリル樹脂や含フッ素アクリル樹脂に、カーボンに代表される可視光吸収色材、赤外吸収剤、紫外線吸収剤などを若干量(例えば、固形比で1%〜255%程度)添加した塗布液を、カラーレンズ26を含む構造の全面に、0.05〜0.3μmの膜厚に塗布することにより形成された。即ち、塗布液は低粘度を有しているため、そのような薄い膜厚に塗布した場合には、曲率半径が小さいカラーレンズ26の曲面上には殆ど着膜せず、カラーレンズ26間及び有効画素周辺にのみ形成することが出来た。
本実施例に係る固体撮像素子の転写レンズ30の径は、2.5μm、厚み(レンズ高さ)は0.72μmとした。転写レンズ30に用いた透明樹脂の硬膜後の屈折率は、1.45であった。また、レンズ間ギャップは、0.035μmであった。
また、転写レンズを構成する含フッ素アクリル樹脂に含フッ素アクリルモノマーを含有させたことで、実施例1と同様にエッチングレートが低下し、レンズ高さ変換差を小さくすることが出来、0.2μm未満の狭ギャップの実用的な転写レンズ30を備える固体撮像素子を製造することが出来た。固体撮像素子の積分球を用いた反射率は、可視域の光反射率で、約2.5%と極めて低い反射率であった。この反射率は、屈折率1.45から予想される反射率よりも低く、固体撮像素子として良好なものであった。
10,20,40…半導体基板、11,21,41…受光素子、12,26…カラーレンズ、13,30…転写レンズ、22…凹部、23,44…カラーフィルタ、24,28…エッチング制御層、25,29,46…熱フローレンズ、27…透明樹脂層,42…層内レンズ、43…平坦化層、45…レンズ下地膜。
Claims (6)
- 半導体基板に2次元的に配置された受光素子と、該受光素子のそれぞれに対応して配設されたカラーレンズと、該カラーレンズ上に直接あるいは間接的に積層された転写レンズとを具備する固体撮像素子であって、
前記転写レンズの曲率半径が、前記カラーレンズの曲率半径と異なることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記転写レンズの曲率半径が、前記カラーレンズの曲率半径より大きいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記転写レンズの屈折率が、前記カラーレンズの屈折率より小さいことを特徴とする請求項1叉は2に記載の固体撮像素子。
- 前記カラーレンズは、その厚みの半分以上が前記半導体基板の表面の凹みに埋設され、かつ、その表面が凸状のレンズ曲面を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記転写レンズが、含フッ素アクリル樹脂からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 隣接するカラーレンズ間及び有効画素の周辺領域に光吸収層を配設したことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の固体撮像素子。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011166125A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Samsung Electronics Co Ltd | バックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及びその製造方法 |
JP2016036004A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | ダブルレンズ構造とその製造方法 |
JP2017098321A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
-
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- 2005-01-07 JP JP2005002951A patent/JP2006190904A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011166125A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Samsung Electronics Co Ltd | バックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及びその製造方法 |
KR101790164B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2017-10-26 | 삼성전자 주식회사 | 빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 cmos 이미지센서 및 상기 이미지센서의 형성방법 |
JP2016036004A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | ダブルレンズ構造とその製造方法 |
US20170031065A1 (en) * | 2014-07-31 | 2017-02-02 | Visera Technologies Company Limited | Methods for farbricating double-lens structures |
US10054719B2 (en) * | 2014-07-31 | 2018-08-21 | Visera Technologies Company Limited | Methods for farbricating double-lens structures |
JP2017098321A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
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