JP2006041263A - 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 化合物半導体層(バッファ層2、12、ベース層3、13、エミッタ層4、14)を切断し、基板1、11をハーフダイシングすることによりハーフダイシング領域6を形成し、ダイシングにより生じた結晶欠陥などを含むメサエッチング領域7を化学処理によりメサエッチングする。その後、基板11の素子形成領域9相互間で光電変換素子を相互に分離する。
【選択図】 図1
Description
<実施の形態1>
図1及び図2は、本発明の実施の形態1に係る光電変換素子の製造方法を示す各工程での光電変換素子の断面を模式的に示す断面図である。
<実施の形態2>
図3及び図4は、本発明の実施の形態2に係る光電変換素子の製造方法を示す各工程での光電変換素子の断面を模式的に示す断面図である。実施の形態1(図1、図2)と同一の構成部分には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
<実施の形態3>
図5及び図6は、本発明の実施の形態3に係る光電変換素子の製造方法を示す各工程での光電変換素子の断面を模式的に示す断面図である。実施の形態1(図1、図2)、実施の形態2(図3、図4)と同一の構成部分には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
2、12 バッファ層
3、13 ベース層
4、14 エミッタ層
5、15、15p 保護膜
6 ハーフダイシング領域
7 メサエッチング領域
8 素子区分領域
9 素子形成領域
10 裏面電極
16 切断領域
17 保護膜開口部
20 粘着シート
Claims (11)
- 基板上に積層された組成の異なる複数の化合物半導体層によって少なくとも1つのpn接合が形成されており、前記複数の化合物半導体層は、少なくとも、第1のエッチング液でエッチングされ易くかつ第2のエッチング液でエッチングされ難い層と、第2のエッチング液でエッチングされ易くかつ第1のエッチング液でエッチングされ難い層とを含む光電変換素子の製造方法であって、
前記化合物半導体層をメサエッチングするときに前記化合物半導体層の最表層をメサエッチング液から保護するための保護膜を前記最表層上に形成する保護膜形成工程と、
前記化合物半導体層を切断して前記基板をハーフダイシングすることにより光電変換素子を区分する素子区分工程とを備え、
前記保護膜形成工程及び素子区分工程を実施した後に、
前記基板及び化合物半導体層をメサエッチングするメサエッチング工程と、
前記基板に光電変換素子の裏面電極を形成する電極形成工程と、
光電変換素子の電気的特性を測定する素子測定工程と、
光電変換素子を個々に分離する素子分離工程と
をこの順に実施することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 基板上に積層された組成の異なる複数の化合物半導体層によって少なくとも1つのpn接合が形成されており、前記複数の化合物半導体層は、少なくとも、第1のエッチング液でエッチングされ易くかつ第2のエッチング液でエッチングされ難い層と、第2のエッチング液でエッチングされ易くかつ第1のエッチング液でエッチングされ難い層とを含む光電変換素子の製造方法であって、
前記化合物半導体層をメサエッチングするときに前記化合物半導体層の最表層をメサエッチング液から保護するための保護膜を前記最表層上に形成する保護膜形成工程と、
前記化合物半導体層を切断して前記基板をハーフダイシングすることにより光電変換素子を区分する素子区分工程と、
前記基板に光電変換素子の裏面電極を形成する電極形成工程とを備え、
前記保護膜形成工程、素子区分工程及び電極形成工程を実施した後に、
前記基板及び化合物半導体層をメサエッチングするメサエッチング工程と、
光電変換素子の電気的特性を測定する素子測定工程と、
光電変換素子を個々に分離する素子分離工程と
をこの順に実施することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 前記保護膜はフォトレジストであり、前記メサエッチングの際のエッチングマスクとなるようにフォトレジストをパターニングするパターニング工程を備えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記基板または化合物半導体層はGaAs系化合物であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記基板または化合物半導体層はGaP系化合物であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記基板はGeの結晶であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記第1または第2のエッチング液のいずれかはアンモニアを含むアルカリ性水溶液であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記第1または第2のエッチング液のいずれかは硫酸を含む酸性水溶液であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記第1または第2のエッチング液のいずれかは塩酸を含む酸性水溶液であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか一つに記載の光電変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする光電変換素子。
- 前記光電変換素子は太陽電池素子であることを特徴とする請求項10に記載の光電変換素子。
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