JP2003031843A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好
なメサエッチ形状を得ることができる半導体発光素子の
製造方法を提供する。 【解決手段】 ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａのエッチャン
トとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層５ａ
のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐Ａｌ
ＩｎＰ下クラッド層４ａのエッチャントとしてリン酸系
エッチャントをそれぞれ用いる。これにより、ｐ‐Ａｌ
ＧａＡｓ窓層６ａ、ｐ‐ＧａＡｓ層５ａおよびｎ‐Ａｌ
ＩｎＰ下クラッド層４ａにおいて、異常なサイドエッチ
の発生が阻止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
製造方法に関するもので、例えばメサエッチ工程に使用
される。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
より、半導体発光素子の製造方法としては、図６に示す
ように、ＧａＡｓ層のない基板１０００上に順次、ＤＢ
Ｒ（Distributed Bragg Reflector）層１０１、ｎ‐Ａ
ｌＩｎＰ下クラッド層１０２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１
０３、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層１０４、ｐ‐ＧａＡ
ｓ層１０５、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６、絶縁膜１０
７、電極１０８およびフォトレジスト１０９を積層し、
ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６を硫酸系エッチャント（硫
酸：過酸化水素：水＝３：１：１）でエッチングするも
のがある。

【０００３】ところが、その硫酸系エッチャントだとｐ
‐ＧａＡｓ層１０５へのサイドエッチングが大きくなっ
て、図７に示すようなｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａおよびｐ
‐ＡｌＧａＡｓ窓層１０６ａが形成されてしまう。そし
て、上記ｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａを起点にして、ｐ‐Ａ
ｌＩｎＰ上クラッド層１０４のエッチングを行うと、サ
イドエッチが進んみ、図８に示すようｐ‐ＡｌＩｎＰ上
クラッド層１０４ａが形成されてしまう。このように、
上記ｐ‐ＧａＡｓ層１０５ａおよびｐ‐ＡｌＩｎＰ上ク
ラッド層１０４ａにおいて異常なサイドエッチが生じ
て、良好なメサエッチ形状にならないという問題があ
る。その異常なサイドエッチングは、剥がれなどの不具
合が生じる原因となる。

【０００４】例えば、上記従来の半導体発光素子の製造
方法を用いて４元モノリシックＬＥＤ（発光ダイオー
ド）を作製した場合、少なくともＡｌＧａＡｓ窓層から
ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ上クラッド層までをメサエッ
チにより除去し各セグメントを分離する必要があるが、
各層のエッチングレートに差があるため、不均一なサイ
ドエッチが発生してしまう。

【０００５】そこで、本発明の課題は、異常なサイドエ
ッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得るこ
とができる半導体発光素子の製造方法を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に順
次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性
層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およ
びｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導体発光素子の製
造方法において、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャ
ントとしてヨウ素系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ
層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、上記ｎ
‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとしてリン酸
系エッチャントをそれぞれ用いることを特徴としてい
る。

【０００７】上記構成の半導体発光素子の製造方法によ
れば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとし
て、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓの
エッチングレートが非常に小さいヨウ素系エッチャント
を用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層
を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエ
ッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部
分のみ除去される。

【０００８】また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
として、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎ
Ｐ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫
酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−
ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩ
ｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐Ａ
ｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さ
えられる。

【０００９】また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の
エッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよ
りもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い
リン酸系エッチャントを用いている。これにより、上記
ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングし
た場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層の
サイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。

【００１０】このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の
エッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐Ｇａ
Ａｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ
‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとしてリン酸
系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサ
イドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を
得ることができる。

【００１１】本明細書において、下クラッド層とは基板
側のクラッド層を意味し、上クラッド層とは基板と反対
側のクラッド層を意味する。

【００１２】一実施形態の半導体発光素子の製造方法
は、上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アン
モニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャ
ントであり、上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化
水素および水から作製されたエッチャントであり、上記
リン酸系エッチャントは熱リン酸である。

【００１３】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、Ａｌ
ＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐
ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導
体発光素子の製造方法において、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ
窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、上
記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャ
ントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャン
トとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特
徴としている。

【００１４】上記構成の半導体発光素子の製造方法によ
れば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとし
て、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓの
エッチングレートが非常に小さいヨウ素系エッチャント
を用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層
を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエ
ッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部
分のみ除去される。

【００１５】また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
として、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎ
Ｐ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫
酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−
ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩ
ｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐Ａ
ｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さ
えられる。

【００１６】また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の
エッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよ
りもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い
塩酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ
‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした
場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサ
イドエッチが無視できる程度に抑えることができる。

【００１７】このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の
エッチャントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐Ｇａ
Ａｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ
‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸系
エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイ
ドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得
ることができる。

【００１８】一実施形態の半導体発光素子の製造方法
は、上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アン
モニウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャ
ントであり、上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化
水素および水から作製されたエッチャントであり、上記
塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸化水
素から作製されたエッチャントである。

【００１９】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、Ａｌ
ＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐
ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導
体発光素子の製造方法において、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ
窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上
記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャ
ントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャン
トとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ用いることを
特徴としている。

【００２０】上記構成の半導体発光素子の製造方法によ
れば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとし
て、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓの
エッチングレートが非常に小さいフッ酸系エッチャント
を用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層
を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエ
ッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部
分のみ除去される。

【００２１】また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
として、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎ
Ｐ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫
酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−
ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩ
ｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐Ａ
ｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さ
えられる。

【００２２】また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の
エッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよ
りもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い
リン酸系エッチャントを用いている。これにより、上記
ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングし
た場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層の
サイドエッチが無視できる程度に抑えることができる。

【００２３】このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の
エッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐Ｇａ
Ａｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ
‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとしてリン酸
系エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサ
イドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を
得ることができる。

【００２４】一実施形態の半導体発光素子の製造方法
は、上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とか
ら作製されたエッチャントであり、上記硫酸系エッチャ
ントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッ
チャントであり、上記リン酸系エッチャントは熱リン酸
である。

【００２５】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層、Ａｌ
ＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層、ｐ‐
ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積層する半導
体発光素子の製造方法において、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ
窓層のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、上
記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャ
ントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャン
トとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用いることを特
徴としている。

【００２６】上記構成の半導体発光素子の製造方法によ
れば、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとし
て、ＡｌＧａＡｓのエッチングレートよりもＧａＡｓの
エッチングレートが非常に小さいフッ酸系エッチャント
を用いている。これにより、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層
を例えばメサエッチングした場合、ｐ−ＧａＡｓ層でエ
ッチングストップして、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の所望部
分のみ除去される。

【００２７】また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
として、ＧａＡｓのエッチングレートよりもＡｌＩｎ
Ｐ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレートが非常に小さい硫
酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ−
ＧａＡｓを例えばメサエッチングした場合、ｐ‐ＡｌＩ
ｎＰ上クラッド層でエッチングストップして、ｐ−Ｇａ
Ａｓ層の所望部分のみ除去される。しかも、上記ｐ‐Ａ
ｌＧａＡｓ窓層のサイドエッチが無視できる程度に押さ
えられる。

【００２８】また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の
エッチャントとして、ＡｌＩｎＰのエッチングレートよ
りもＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッチングレートが低い
塩酸系エッチャントを用いている。これにより、上記ｐ
‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層を例えばメサエッチングした
場合、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層およびｐ‐ＧａＡｓ層のサ
イドエッチが無視できる程度に抑えることができる。

【００２９】このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層の
エッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐Ｇａ
Ａｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ
‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸系
エッチャントをそれぞれ用いることにより、異常なサイ
ドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得
ることができる。

【００３０】一実施形態の半導体発光素子の製造方法
は、上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とか
ら作製されたエッチャントであり、上記硫酸系エッチャ
ントは、硫酸、過酸化水素および水から作製されたエッ
チャントであり、上記塩酸系エッチャントは、塩化水
素、酢酸および過酸化水素から作製されたエッチャント
である。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子の
製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。

【００３２】図１〜図４は本発明の実施の一形態の半導
体発光素子の製造方法を示す工程断面図であり、図５は
上記半導体発光素子のセグメント構造を説明するための
図である。

【００３３】以下、図１〜図５を用いて、上記半導体発
光素子の製造方法について説明する。

【００３４】まず、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１
０上に順次、ＤＢＲ層１、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層
２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
ド層４、ｐ‐ＧａＡｓ層５、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６、
絶縁膜７、電極８およびフォトレジスト９を積層する。
このフォトレジスト９は、図５に示すように、絶縁膜７
と電極８を覆って、セグメントを分離するためのパター
ンを形成している。

【００３５】そして、ヨウ素系エッチャントを用いてｐ
‐ＡｌＧａＡｓ窓層６をエッチング処理して、図２に示
すようなｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａを形成する。このと
き、部外発光を抑えるために、サイドエッチングを十分
に行う。また、上記ヨウ素系エッチャントは、例えば、
ヨウ素１５０ｇ、ヨウ化アンモニウム１５００ｇ、エタ
ノール４５０ｍｌおよび水３０００ｍｌの比率で作製さ
れたエッチャントである。

【００３６】次に、硫酸系エッチャントを用いてｐ‐Ｇ
ａＡｓ層５のエッチング処理を行い、引き続いて、リン
酸系エッチャントを用いてｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層
４をエッチグ処理して、図３に示すようなｐ‐ＧａＡｓ
層５ａおよびｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４ａを形成す
る。上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素およ
び水から作製されたエッチャントである。その硫酸、過
酸化水素および水の比率は、例えば、硫酸：過酸化水
素：水＝１：２：５０とする。また、リン酸系エッチャ
ントは６０℃の熱リン酸である。

【００３７】このように、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６
のエッチャントとして、ＧａＡｓのエッチングレートが
非常に小さいヨウ素系エッチャントを用いているから、
ｐ−ＧａＡｓ層５でエッチングストップして、ｐ‐Ａｌ
ＧａＡｓ窓層６に対してのみエッチング処理を施せる。

【００３８】また、上記ｐ‐ＧａＡｓ層５のエッチャン
トとして、ＡｌＩｎＰ，ＡｌＧａＡｓのエッチングレー
トが非常に小さい硫酸系エッチャントを用いているか
ら、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４でエッチングストッ
プして、ｐ−ＧａＡｓ層５に対してのみエッチング処理
を施せる。しかも、上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａのサ
イドエッチが無視できる程度に押さえられる。

【００３９】また、上記ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層４
のエッチャントとして、ＡｌＧａＡｓ，ＧａＡｓのエッ
チングレートが低いリン酸系エッチャントを用いている
から、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層６ａ，ｐ‐ＧａＡｓ層５ａ
のサイドエッチが無視できる程度に抑えることができ
る。

【００４０】その結果、異常なサイドエッチの発生を阻
止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる。

【００４１】上記実施の形態では、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下ク
ラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントを
用いていたが、塩酸系エッチャントを用いてもよい。す
なわち、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨ
ウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
として硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
ド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞ
れ用いてもよい。この場合、上記塩酸系エッチャントと
して、例えば、塩化水素、酢酸および過酸化水素から作
製されたものを用いてもよい。その塩化水素、酢酸およ
び過酸化水素の比率は、塩化水素：酢酸：過酸化水素＝
３１：６２：７とする。

【００４２】また、上記実施の形態では、ｐ‐ＡｌＧａ
Ａｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素系エッチャントを
用いていたが、フッ酸系エッチャントを用いてもよい。
すなわち、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとして
フッ酸系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャン
トとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラ
ッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそ
れぞれ用いてもよい。あるいは、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層
のエッチャントとしてフッ酸系エッチャントを、ｐ‐Ｇ
ａＡｓ層のエッチャントとして硫酸系エッチャントを、
ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層のエッチャントとして塩酸
系エッチャントをそれぞれ用いてもよい。これらの場
合、上記フッ酸系エッチャントとして、例えば、フッ化
水素と水とから作製されたものを用いてもよい。そのフ
ッ化水素と水の比率は、例えばフッ化水素：水＝１：４
とする。

【００４３】また、上記実施の形態では、ｐ‐ＡｌＩｎ
Ｐ上クラッド層４、ｐ‐ＧａＡｓ層５およびｐ‐ＡｌＧ
ａＡｓ窓層６のエッチング処理を行ったが、ＤＢＲ層
１、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層２、ＡｌＧａＩｎＰ活
性層３のエッチング処理も行ってもよい。この場合、図
４に示すようなＤＢＲ層１ａ、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
ド層２ａ、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３ａが形成される。要
するに、少なくともｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層、ｐ‐ＧａＡ
ｓ層およびｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッド層の所望部分を完
全に除去する必要があるが、場合によってはＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層やｎ−ＡｌＩｎＰ下クラッド層の所望部分を
除去してもよい。

【００４４】また、上記半導体発光素子の製造方法を用
いれば、ｎ‐基板／(ＤＢＲ)／ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
ド層／ＡｌＧａＩｎＰ活性層／ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
ド層／ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層という構造を有する４元エ
ピウェハを用いたモノリシックＬＥＤアレイを作製でき
る。すなわち、上記半導体発光素子の製造方法を用い
て、良好なメサエッチ形状を有する４元モノリシックＬ
ＥＤを作製することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体装置の製造方法は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャ
ントとしてヨウ素系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層の
エッチャントとして硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩ
ｎＰ下クラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチ
ャントをそれぞれ用いるから、それぞれのエッチャント
で各層に対し異常なサイドエッチングが起こらず、良好
なメサエッチ形状が得られる。

【００４６】また、各エッチャントは次の層に対して、
ほぼエッチングストップをするため、作業が容易にな
る。

【００４７】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素
系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとし
て硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層
のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用
いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常な
サイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が
得られる。

【００４８】また、各エッチャントは次の層に対して、
ほぼエッチングストップをするため、作業が容易にな
る。ただし、塩酸系エッチャントは次の層であるＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層でストップせず、基板でストップする。

【００４９】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸
系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとし
て硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層
のエッチャントとしてリン酸系エッチャントをそれぞれ
用いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常
なサイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状
が得られる。

【００５０】また、各エッチャントは次の層に対して、
ほぼエッチングストップをするため、作業が容易にな
る。

【００５１】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸
系エッチャントを、ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャントとし
て硫酸系エッチャントを、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッド層
のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそれぞれ用
いるから、それぞれのエッチャントで各層に対し異常な
サイドエッチングが起こらず、良好なメサエッチ形状が
得られる。

【００５２】また、各エッチャントは次の層に対して、
ほぼエッチングストップをするため、作業が容易にな
る。ただし、塩酸系エッチャントは次の層であるＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層でストップせず、基板でストップする。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の実施の一形態の半導体発光素
子の製造方法の製造工程断面図である。

【図２】 図２は上記半導体発光素子の製造方法の製造
工程断面図である。

【図３】 図３は上記半導体発光素子の製造方法の製造
工程断面図である。

【図４】 図４は上記半導体発光素子の製造方法の製造
工程断面図である。

【図５】 図５は上記半導体発光素子のセグメント構造
を説明するための図である。

【図６】 図６は従来の半導体発光素子の製造方法の製
造工程断面図である。

【図７】 図７は上記従来の半導体発光素子の製造方法
の製造工程断面図である。

【図８】 図８は上記従来の半導体発光素子の製造方法
の製造工程断面図である。

【符号の説明】

１ ＤＢＲ層 ２ ｎ−ＡｌＩｎＰ下クラッド層 ３ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 ４ ｐ−ＡｌＩｎＰ上クラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｓ層 ６ ｐ−ＡｌＧａＡｓ窓層 ７ 絶縁膜 ８ 電極 ９ フォトレジスト １０ ＧａＡｓ基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
   ド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
   ド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積
   層する半導体発光素子の製造方法において、 上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素
   系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
   として硫酸系エッチャントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下ク
   ラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントを
   それぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造
   方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体発光素子の製造
   方法において、 上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニ
   ウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャント
   であり、 上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水
   から作製されたエッチャントであり、 上記リン酸系エッチャントは熱リン酸であることを特徴
   とする半導体発光素子の製造方法。
3. 【請求項３】 基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
   ド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
   ド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積
   層する半導体発光素子の製造方法において、 上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてヨウ素
   系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
   として硫酸系エッチャントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下ク
   ラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそ
   れぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方
   法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の半導体発光素子の製造
   方法において、 上記ヨウ素系エッチャントは、ヨウ素、ヨウ化アンモニ
   ウム、エタノールおよび水から作製されたエッチャント
   であり、 上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水
   から作製されたエッチャントであり、 上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸
   化水素から作製されたエッチャントであることを特徴と
   する半導体発光素子の製造方法。
5. 【請求項５】 基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
   ド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
   ド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積
   層する半導体発光素子の製造方法において、 上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸
   系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
   として硫酸系エッチャントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下ク
   ラッド層のエッチャントとしてリン酸系エッチャントを
   それぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造
   方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体発光素子の製造
   方法において、 上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作
   製されたエッチャントであり、 上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水
   から作製されたエッチャントであり、 上記リン酸系エッチャントは熱リン酸であることを特徴
   とする半導体発光素子の製造方法。
7. 【請求項７】 基板上に順次、ｎ‐ＡｌＩｎＰ下クラッ
   ド層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐ‐ＡｌＩｎＰ上クラッ
   ド層、ｐ‐ＧａＡｓ層およびｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層を積
   層する半導体発光素子の製造方法において、 上記ｐ‐ＡｌＧａＡｓ窓層のエッチャントとしてフッ酸
   系エッチャントを、上記ｐ‐ＧａＡｓ層のエッチャント
   として硫酸系エッチャントを、上記ｎ‐ＡｌＩｎＰ下ク
   ラッド層のエッチャントとして塩酸系エッチャントをそ
   れぞれ用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方
   法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の半導体発行素子の製造
   方法において、 上記フッ酸系エッチャントは、フッ化水素と水とから作
   製されたエッチャントであり、 上記硫酸系エッチャントは、硫酸、過酸化水素および水
   から作製されたエッチャントであり、 上記塩酸系エッチャントは、塩化水素、酢酸および過酸
   化水素から作製されたエッチャントであることを特徴と
   する半導体発光素子の製造方法。