JP2006339551A - チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその実装構造 - Google Patents
チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006339551A JP2006339551A JP2005165003A JP2005165003A JP2006339551A JP 2006339551 A JP2006339551 A JP 2006339551A JP 2005165003 A JP2005165003 A JP 2005165003A JP 2005165003 A JP2005165003 A JP 2005165003A JP 2006339551 A JP2006339551 A JP 2006339551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- electronic component
- pair
- shaped electronic
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 作製しようとするマイクロLED10の半導体層7に対応する、リンを含むIII−V族化合物半導体構成材料層を基板上に積層して形成する。次に、その上に[1−10]方向に延伸したライン・アンド・スペース型のレジストマスクを形成した後、低温の塩酸をエッチャントとして上記半導体構成材料層をエッチングして、(111)面および(11−1)面を対向側面とするストライプ状のメサ構造を有する半導体構成材料層を形成する。この半導体構成材料層を加工用基板に固定し、表裏を逆向きにして基板を除去し、裏面側に[110]方向に延伸したライン・アンド・スペース型のマスクを形成した後、裏面側から塩酸でエッチングして(1−11)面および(−111)面をもう1つの対向側面とする半導体層7を形成する。
【選択図】 図1
Description
(1)素子分離溝の幅が大きくなり、素子として利用できる半導体層の面積が小さくな り、半導体構成材料層の面積利用効率が低下する。
(2)素子のサイズや形状の均一性を保つのが困難になる。
(3)素子の形状が非対称となり、素子の特性に影響が生じる(特に、発光デバイスに おいてその光取り出し効率の低下を招く)。
といった問題が生じる。
実施の形態1では、請求項1〜11に記載したチップ状電子部品の製造方法、及び請求項12〜18に記載したチップ状電子部品の製造方法、並びに請求項19に記載したチップ状電子部品の実装構造に関わる例として、マイクロLED及びその製造方法、並びにその実装構造について説明する。
実施の形態2では、請求項20に記載したチップ状電子部品の実装構造に関わる例として、マイクロLED10の第2の実装構造について説明する。この実装構造は、特開平9−120943号公報および特表2002−536695号公報に提案されている実装方法を、本発明のマイクロLED10に適用したものである。
2…n型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)クラッド層、
3…多数のAlGaInP層とGaInP層が交互に積層されたMQW活性層、
4…p型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)クラッド層、
5…p型ガリウム・ヒ素(GaAs)コンタクト層、7…半導体層、
8…ITOなどからなる透明電極(n電極)、9…p電極、
10、10V、10L、10R…マイクロ発光ダイオード(マイクロLED)、
11…光透過性基板、
12…n型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン構成材料層、
13…MQW活性層構成材料層、
14…p型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン構成材料層、
15…p型ガリウム・ヒ素構成材料層、17…半導体構成材料層、
18…ストライプ状のメサ構造に成形された半導体構成材料層、
20…n型ガリウム・リン(GaP)基板、21…主面、22…主面(光取り出し面)、
23…側面((111)面)、24…側面((11−1)面)、
25…側面((1−11)面)、26…側面((−111)面)、
30…マイクロLED、31…基板、32…凹部、51、57…レジストマスク、
52…素子分離溝、53…側面((111)面)、54…側面((11−1)面、
55…加工用基板、56…接着材層、100…マイクロLED、
101…レジストマスク、102…素子分離溝、
103、104…メサ構造の良好な側面、105…光取り出し面((001)面)、
106…短辺側の領域、107…長方形のかど(すみ)の領域
Claims (20)
- 一対の対向側面と、他の一対の対向側面とを有し、構成材料層の表面側からの加工によって前記一対の対向側面が一対の第1の傾斜面に形成され、前記表面の反対側からの加工によって前記他の一対の対向側面が一対の第2の傾斜面に形成されてなる、チップ状電子部品。
- 前記第1の傾斜面と前記第2の傾斜面とが隣接し合っている、請求項1に記載したチップ状電子部品。
- 前記第1の傾斜面と前記表面との交線と、前記第2の傾斜面と前記表面との交線とが直交している、請求項1に記載したチップ状電子部品。
- 結晶面の加工特性が面方位によって異なる結晶からなり、前記結晶面が前記第1の傾斜面及び/又は前記第2の傾斜面を形成している、請求項1に記載したチップ状電子部品。
- 前記結晶が、基体の上に形成されたエピタキシャル成長層である、請求項4に記載したチップ状電子部品。
- 前記結晶面が加工精度の高い結晶面である、請求項4に記載したチップ状電子部品。
- 前記結晶面がエッチングされにくい結晶面である、請求項6に記載したチップ状電子部品。
- 前記第1の傾斜面と前記第2の傾斜面とが結晶学的に等価な面である、請求項4に記載したチップ状電子部品。
- 単体又は化合物半導体素子として構成された、請求項1に記載したチップ状電子部品。
- 前記第1の傾斜面及び前記第2の傾斜面が光反射面として用いられる半導体発光素子として構成された、請求項9に記載したチップ状電子部品。
- 前記半導体発光素子がリンを含むIII−V族化合物半導体層からなり、(001)面に光取り出し面が形成され、前記一対の第1の傾斜面及び前記一対の第2の傾斜面が、それぞれ、(111)面と(11−1)面の対、及び(1−11)面と(−111)面の対からなる、請求項10に記載したチップ状電子部品。
- 一対の対向側面と、他の一対の対向側面とを有するチップ状電子部品の製造方法であって、前記チップ状電子部品の構成材料層を表面側からの加工することによって、前記一対の対向側面を一対の第1の傾斜面に形成する工程と、前記構成材料層を前記表面の反対側から加工することによって前記他の一対の対向側面を一対の第2の傾斜面に形成する工程とを有する、チップ状電子部品の製造方法。
- 前記チップ状電子部品を複数個製造するに際し、各チップ状電子部品間を分離する分離溝の側面として前記一対の第1の傾斜面及び前記一対の第2の傾斜面を形成する、請求項12に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- 前記分離溝をライン・アンド・スペース・パターンに形成する、請求項13に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の傾斜面を側面とする分離溝と、前記第2の傾斜面を側面とする分離溝とをそれぞれ加工するためのマスクパターンを直交させる、請求項13に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- 前記加工をウエットエッチング又はドライエッチングによって行う、請求項15に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- (001)面に光取り出し面が形成された、リンを含むIII−V族化合物半導体層からなる半導体発光素子の製造方法であって、(111)面と(11−1)面からなる一対の第1の傾斜面、及び(1−11)面と(−111)面からなる一対の第2の傾斜面を、低温の塩酸をエッチャントとするウエットエッチングによって形成する、請求項16に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- 前記構成材料層を支持基体で支持して前記表面側からの加工を行った後に、前記表面側を別の支持体で支持し、前記支持基体を除去して前記表面とは反対側を加工する、請求項16に記載したチップ状電子部品の製造方法。
- 一対の対向側面と、他の一対の対向側面とを有するチップ状電子部品が、光透過性の基体上に形成された透明電極上に配置されている、チップ状電子部品の実装構造。
- 一対の対向側面と、他の一対の対向側面とを有するチップ状電子部品が、基体上に形成された凹部と、前記一対の第1の傾斜面又は前記一対の第2の傾斜面との凹凸嵌合によって、前記凹部に配置されている、チップ状電子部品の実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005165003A JP4802556B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | チップ状電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005165003A JP4802556B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | チップ状電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339551A true JP2006339551A (ja) | 2006-12-14 |
JP4802556B2 JP4802556B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=37559814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005165003A Expired - Fee Related JP4802556B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | チップ状電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4802556B2 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278274A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2015119032A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 豊田合成株式会社 | 面状光源および発光素子の製造方法 |
EP2953171A4 (en) * | 2013-01-29 | 2016-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT |
JP2018037406A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | バックライトシステム及びその製造方法 |
KR20200012541A (ko) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 |
JP2021504754A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
KR20210131223A (ko) * | 2020-04-23 | 2021-11-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
JP2022103204A (ja) * | 2018-05-24 | 2022-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体 |
WO2022177068A1 (ko) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | 삼성전자 주식회사 | 표시 장치 및 발광 소자의 제조 방법 |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US11527513B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11705537B2 (en) | 2020-04-23 | 2023-07-18 | Samsung Electronics Co.,. Ltd. | Display device and method of manufacturing light emitting device |
US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206523A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Fujitsu Ltd | インジュウムリンのエッチング方法 |
JP2003298107A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004103672A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
-
2005
- 2005-06-06 JP JP2005165003A patent/JP4802556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206523A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Fujitsu Ltd | インジュウムリンのエッチング方法 |
JP2003298107A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004103672A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278274A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
US9543474B2 (en) | 2013-01-29 | 2017-01-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | Manufacture method of making semiconductor optical device |
EP2953171A4 (en) * | 2013-01-29 | 2016-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT |
JP2015119032A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 豊田合成株式会社 | 面状光源および発光素子の製造方法 |
US10101522B2 (en) | 2013-12-18 | 2018-10-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd | Planar light source and method for producing light-emitting device |
JP2018037406A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | バックライトシステム及びその製造方法 |
JP2021504754A (ja) * | 2017-11-27 | 2021-02-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
US11935912B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-03-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11563052B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-01-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US20210351230A1 (en) | 2017-11-27 | 2021-11-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (led) stack for a display |
US11610939B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-03-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US11532664B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
JP7330967B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-08-22 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | ディスプレイ用ledユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
US11804511B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11804512B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-10-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11527513B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11527514B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11756984B2 (en) | 2017-12-21 | 2023-09-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11973104B2 (en) | 2017-12-21 | 2024-04-30 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11522008B2 (en) | 2018-01-02 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US11557577B2 (en) | 2018-01-03 | 2023-01-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11923348B2 (en) | 2018-01-03 | 2024-03-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
JP7243897B2 (ja) | 2018-05-24 | 2023-03-22 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体 |
JP2022103204A (ja) * | 2018-05-24 | 2022-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 自発光型表示体 |
EP3599639B1 (en) * | 2018-07-27 | 2022-04-20 | Seoul National University R & DB Foundation | Display apparatus |
US11145798B2 (en) | 2018-07-27 | 2021-10-12 | Seoul National University R&Db Foundation | Display apparatus |
KR102136579B1 (ko) | 2018-07-27 | 2020-07-22 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 |
KR20200012541A (ko) * | 2018-07-27 | 2020-02-05 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 |
KR102506449B1 (ko) | 2020-04-23 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
US11705537B2 (en) | 2020-04-23 | 2023-07-18 | Samsung Electronics Co.,. Ltd. | Display device and method of manufacturing light emitting device |
KR20210131223A (ko) * | 2020-04-23 | 2021-11-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
WO2022177068A1 (ko) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | 삼성전자 주식회사 | 표시 장치 및 발광 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4802556B2 (ja) | 2011-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4802556B2 (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
US7220996B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JPH08330628A (ja) | 半導体発光素子、及びその製造方法 | |
JPH11251265A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置製造用基板 | |
JP4830356B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
US7851810B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
JPH08307013A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
CN209088264U (zh) | 掩埋dfb激光器 | |
WO2007046656A1 (en) | Method of producing light emitting diode having vertical structure | |
CN1210766C (zh) | 分离半导体激光二极管的方法 | |
JP2001358404A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
TWI814690B (zh) | 微型發光二極體結構及顯示面板裝置 | |
JPH07307528A (ja) | 青色半導体発光素子の作製方法 | |
KR100487391B1 (ko) | 화합물 반도체소자 및 그의 제조방법 | |
JP5310441B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP3215908B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR20060025211A (ko) | 사파이어 기판 식각 방법을 이용한 수직형 전극 구조를가지는 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2005019954A (ja) | 半導体レーザー素子及びその製造方法 | |
JPH0856017A (ja) | 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク | |
JPH07297497A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
CN109510062A (zh) | 掩埋dfb激光器及其制备方法 | |
JP2000286446A (ja) | 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体素子の製造方法、GaN基板及びGaN基板の製造方法 | |
JPH10510102A (ja) | チャネル内のリッジ状レーザ | |
JP2022162707A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH06140718A (ja) | 端面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20070125 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080428 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110725 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |