JP2018037406A - バックライトシステム及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のバックライトシステムは、バックライトモジュールを備え、バックライトモジュールは、第一基板及び第一基板上に設置されている発光源アレイを備え、発光源アレイは複数の同層に設置されたマイクロLEDを備え、バックライトモジュールは複数の等面積の発光エリアを定義し、各発光エリアの発光の明るさは同じであり、各発光エリアに対応するマイクロLEDの数量は限定されず、マイクロLEDは正方向マイクロLED及び逆方向マイクロLEDを備える。また、本発明はさらにバックライトシステムの製造方法を提供する。
【選択図】図2
Description
10 バックライトモジュール
11、21 第一基板
12、22、32 発光源アレイ
13、23、33 第一導電層
15、35 第二導電層
17、27、37 第一接続線
19 第二基板
36 絶縁層
38 第二接続線
90 バックライト駆動ユニット
91 検出ユニット
92 設定ユニット
93 制御ユニット
120 マイクロLED
120a 発光エリア
121 正方向マイクロLED
123 逆方向マイクロLED
131、231、331 第一導電ユニット
146 量子ドット薄膜
147 反射板
148 凹み部
351 第二導電ユニット
361 穿孔
1212 第一電極
1213 発光層
1215 第二電極
Claims (13)
- バックライトモジュールを備え、前記バックライトモジュールは、第一基板及び前記第一基板上に設置されている発光源アレイを備え、前記発光源アレイは複数の同層に設置されたマイクロLEDを備え、前記バックライトモジュールは複数の等面積の発光エリアを定義し、各前記発光エリアの発光の明るさは同じであり、各前記発光エリアに対応する前記マイクロLEDの数量は限定されず、前記マイクロLEDは正方向マイクロLED及び逆方向マイクロLEDを備えることを特徴とするバックライトシステム。
- 前記発光源アレイはさらに第一導電層及び第二導電層を備え、前記第一基板は絶縁材料からなり、前記第一導電層は前記第一基板の表面上に設置され、前記マイクロLEDは前記第一導電層の前記第一基板から離れる表面上に設置され、且つ前記第一導電層と電気接続され、前記第二導電層は前記複数のマイクロLEDの前記第一導電層から離れる一側に設置され、前記第一導電層は前記マイクロLEDに第一リファレンス電圧を提供することに用いられ、前記第二導電層は前記マイクロLEDに第二リファレンス電圧を提供することに用いられ、前記第一リファレンス電圧は、前記第二リファレンス電圧より大きく、且つこれらの値の差は前記マイクロLEDの導通電圧より大きく、前記正方向マイクロLEDは、前記第一リファレンス電圧と前記第二リファレンス電圧の作用下で発光し、前記逆方向マイクロLEDは、前記第一リファレンス電圧と前記第二リファレンス電圧の作用下では発光しないことを特徴とする請求項1に記載のバックライトシステム。
- 前記第一導電層はパターン化されて複数のアレイ設置された第一導電ユニットを形成し、各前記第一導電ユニットは、一つの前記発光エリアに対応し、前記第一導電ユニットは異なる第一リファレンス電圧を受けることに用いられ、対応する前記発光エリアの発光の明るさを調整することを特徴とする請求項2に記載のバックライトシステム。
- 前記第一導電層はパターン化されて複数の第一導電ユニットを形成し、前記第一導電ユニットは第一方向に沿って平行に設置され、前記第二導電層はパターン化されて複数の第二導電ユニットを形成し、前記第二導電ユニットは前記第一方向に垂直な第二方向に平行に設置されることを特徴とする請求項2に記載のバックライトシステム。
- 前記バックライトモジュールはさらに前記第一導電層と前記第二導電層との間に設置された絶縁層を備え、前記絶縁層には、前記第一導電ユニットと前記第二導電ユニットとが交差する箇所に穿孔が設けられ、前記マイクロLEDは前記穿孔内に収容され、且つ前記第一導電ユニット及び前記第二導電ユニットに電気接続されることを特徴とする請求項4に記載のバックライトシステム。
- 前記バックライトモジュールはさらに量子ドット薄膜を備え、前記量子ドット薄膜は前記第二導電層の前記第一基板から離れる一側の表面上に設置され、前記量子ドット薄膜は前記正方向マイクロLEDの光線を変換することに用いられることを特徴とする請求項2に記載のバックライトシステム。
- 前記バックライトモジュールはさらに反射板を備え、前記反射板は前記量子ドット薄膜の前記第二導電層から離れる一側の表面上に設置され、前記反射板は量子ドット薄膜が貫通して変換された光線を第一基板に反射して出射することに用いられ、前記反射板上には複数の凹み部が設置され、前記凹み部は前記反射板の第一基板に対向する表面から下方に向けて凹んで形成されていることを特徴とする請求項6に記載のバックライトシステム。
- 前記バックライトモジュールはさらに第一導電層を備え、前記第一基板は導電材料からなり、前記マイクロLEDは前記第一基板の表面上に設置され、且つ前記第一基板と電気接続され、前記第一導電層は前記発光源アレイの前記第一基板から離れる一側に設置され、前記第一基板は前記マイクロLEDに第一リファレンス電圧を提供することに用いられ、前記第一導電層は、前記マイクロLEDに第二リファレンス電圧を提供することに用いられ、前記第一リファレンス電圧は前記第二リファレンス電圧より大きく、且つこれらの差の値は前記マイクロLEDの導通電圧より大きく、前記正方向マイクロLEDは前記第一リファレンス電圧と前記第二リファレンス電圧の作用下で発光し、前記逆方向マイクロLEDは、前記第一リファレンス電圧と前記第二リファレンス電圧の作用下で発光しないことを特徴とする請求項1に記載のバックライトシステム。
- 前記正方向マイクロLEDはさらに、第一電極、発光層及び第二電極を備え、前記第二電極と前記第一導電層とは電気接続され、前記発光層は前記第一電極と前記第二電極との間に設置され、前記第一電極上の電圧が前記第二電極上の電圧より小さい際に発光することに用いられ、前記第二電極は多層金属層を備え、且つ最外層の金属層は低融点の金属材料からなり、前記第二電極の最外層の金属層の融点は前記第一電極の融点より低いことを特徴とする請求項2または8に記載のバックライトシステム。
- 前記バックライトシステムはさらにバックライト駆動モジュールを備え、前記バックライト駆動モジュールは接続線を介して前記第一導電層と電気接続され、前記バックライトモジュールはさらに検出ユニット、設定ユニット及び制御ユニットを備え、前記検出ユニットは前記第一導電層と前記第二導電層において前記第一リファレンス電圧及び前記第二リファレンス電圧をかけ、並びに、前記発光エリアの現在の明るさを検出し、前記設定ユニットには基準となる明るさが予め格納されており、前記設定ユニットは、現在の明るさ及び前記基準となる明るさに基づいて比較し、並びに比較結果に基づいて各前記発光エリアに対応する調整パラメータを設定し、前記制御ユニットは、前記調整パラメータに基づいて、各前記発光エリアの明るさを前記基準となる明るさと等しくなるよう制御することを特徴とする請求項2に記載のバックライトシステム。
- 前記調整パラメータは第一リファレンス電圧であり、前記現在の明るさが前記基準となる明るさより大きい場合、前記発光エリア内の正方向マイクロLEDの数量は過多であり、前記設定ユニットは前記第一リファレンス電圧を下げ、前記現在の明るさが前記基準となる明るさより小さい場合、前記発光エリア内の正方向マイクロLEDの数量は少なく、前記設定ユニットは前記第一リファレンス電圧を上昇させることを特徴とする請求項10に記載のバックライトシステム。
- 前記発光エリア内はさらに赤い光を出射する前記正方向マイクロLED、青い光を出射する前記正方向マイクロLED及び緑の光を出射する前記正方向マイクロLEDを備え、且つ三種類の色の前記正方向マイクロLEDの数量の比率は1:1:1であることを特徴とする請求項1に記載のバックライトシステム。
- 第一基板を提供するステップと、
前記第一基板上に第一導電層を形成するステップと、
吹きつけの方法を介してマイクロLEDを前記第一導電層の前記第一基板から離れる表面上に形成するステップと、
前記第一導電層における前記マイクロLEDから離れる一側を加熱し、前記マイクロLEDの外層の金属を前記第一導電層に融解して固定するステップと、
前記マイクロLED上に第二導電層と第二基板が順に形成され、バックライトモジュールを構成するステップを含むことを特徴とするバックライトシステムの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662381004P | 2016-08-29 | 2016-08-29 | |
US62/381004 | 2016-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018037406A true JP2018037406A (ja) | 2018-03-08 |
JP6959797B2 JP6959797B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=61243461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017163714A Active JP6959797B2 (ja) | 2016-08-29 | 2017-08-28 | バックライトシステム及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180061814A1 (ja) |
JP (1) | JP6959797B2 (ja) |
CN (1) | CN107799507B (ja) |
TW (1) | TWI633363B (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6959797B2 (ja) | 2021-11-05 |
US20180061814A1 (en) | 2018-03-01 |
TW201807461A (zh) | 2018-03-01 |
CN107799507B (zh) | 2020-02-04 |
CN107799507A (zh) | 2018-03-13 |
TWI633363B (zh) | 2018-08-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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