JP7012130B1 - マイクロled表示パネルとその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
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- H01L2933/0008—Processes
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Abstract
Description
基板と、
前記基板の上面に設けられた絶縁層と、
前記基板上に設けられ且つ前記絶縁層の中に嵌め込まれた複数のマイクロLEDと、
前記基板に設けられ且つ表示領域の外に位置する駆動回路と、を含み、
前記複数のマイクロLEDは、互いに間隔をあけて設けられ且つ前記マイクロLED表示パネルの前記表示領域を限定し、各マイクロLEDは、前記基板に近接する底面と前記基板から離れた上面とを有し、前記底面には、下部電極が接続されており、前記上面は、前記絶縁層から露出し、前記上面には、上部電極が接続されており、
前記マイクロLED表示パネルは、前記基板上に設けられた複数の導電ブロックと、前記絶縁層の前記基板から離れた表面に設けられた複数のトップラインと、をさらに含み、
前記複数の導電ブロック、前記複数のマイクロLED及び前記駆動回路は、前記基板の同一表面に位置し、前記複数の導電ブロックは、前記表示領域の外に位置し、且つ前記絶縁層に埋め込まれており、各導電ブロックは、前記駆動回路に電気的に接続され、各導電ブロックの前記基板から離れた表面は、前記絶縁層から露出しており、
各トップラインは、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から離れている表面に電気的に接続される。
上記の課題を解決するために、本発明の他の1つの様態は、マイクロLED表示パネルを提供する。前記マイクロLED表示パネルは、
基板と、
前記基板の上面に設けられた絶縁層と、
前記基板上に設けられ且つ前記絶縁層の中に嵌め込まれた複数のマイクロLEDと、
前記基板に設けられ且つ表示領域の外に位置する駆動回路と、を含み、
前記複数のマイクロLEDは、互いに間隔をあけて設けられ且つマイクロLED表示パネルの前記表示領域を限定し、各マイクロLEDは、前記基板に近接する底面と前記基板から離れた上面とを有し、前記底面には、下部電極が接続されており、前記上面は、前記絶縁層から露出し、前記上面には、上部電極が接続されており、
前記マイクロLED表示パネルは、前記基板上に設けられた複数の導電ブロックと、前記絶縁層の前記基板から離れた表面に設けられた複数のトップラインと、をさらに含み、
前記複数の導電ブロック、前記複数のマイクロLED及び前記駆動回路は、前記基板の同一表面に位置し、前記複数の導電ブロックは、前記表示領域の外に位置し、各導電ブロックは、前記駆動回路に電気的に接続され、
各トップラインは、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から離れている表面に電気的に接続されており、
各導電ブロックの前記基板に近接する底部には、接続線が電気的に接続されており、前記接続線は、前記基板と前記絶縁層との間に位置し、且つ前記駆動回路に電気的に接続され、
前記複数の導電ブロックは、二列に配列され、各列の導電ブロックにおける導電ブロックは、互いに間隔をあけて配置され、二列の導電ブロックは、前記表示領域の対向する両側に位置する。
基板を提供するステップと、
複数のマイクロLEDを前記基板の一方の表面に配置するステップと、
複数の導電ブロックを前記基板の前記複数のマイクロLEDを有する表面に配置し、且つ前記複数の導電ブロックを前記複数のマイクロLEDの隣に配置させるステップと、
前記基板に絶縁材料を充填して絶縁層を形成し、前記複数のマイクロLED及び前記複数の導電ブロックを、前記絶縁層の中に埋め込ませ、且つ各マイクロLED及び各導電ブロックの前記基板から遠く離れた表面を、何れも前記絶縁層から露出させるステップと、
前記絶縁層の前記基板の反対側の表面に複数の上部電極を形成し、各上部電極により1つのマイクロLEDの前記基板から離れた上面をカバーするステップと、
前記絶縁層の前記基板から離れた表面に、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から遠く離れた表面に電気的に接続される複数のトップラインを形成するステップと、を含む。
10 基板
20 マイクロLED
110 表示領域
130 額縁領域
40 絶縁層
21 底面
23 上面
25 下部電極
27 上部電極
30 駆動回路
50 導電ブロック
51 接続線
60 トップライン
80 ボトムライン
41 平坦層
43 充填層
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の上面に設けられた絶縁層と、
前記基板上に設けられ且つ前記絶縁層の中に嵌め込まれた複数のマイクロLEDと、
前記基板に設けられ且つ表示領域の外に位置する駆動回路と、を含み、
前記複数のマイクロLEDは、互いに間隔をあけて設けられ且つマイクロLED表示パネルの前記表示領域を限定し、各マイクロLEDは、前記基板に近接する底面と前記基板から離れた上面とを有し、前記底面には、下部電極が接続されており、前記上面は、前記絶縁層から露出し、前記上面には、上部電極が接続されており、
前記マイクロLED表示パネルは、前記基板上に設けられた複数の導電ブロックと、前記絶縁層の前記基板から離れた表面に設けられた複数のトップラインと、をさらに含み、
前記複数の導電ブロック、前記複数のマイクロLED及び前記駆動回路は、前記基板の同一表面に位置し、前記複数の導電ブロックは、前記表示領域の外に位置し、且つ前記絶縁層に埋め込まれており、各導電ブロックは、前記駆動回路に電気的に接続され、各導電ブロックの前記基板から離れた表面は、前記絶縁層から露出しており、
各トップラインは、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から離れている表面に電気的に接続されることを特徴とするマイクロLED表示パネル。 - 各導電ブロックの前記基板に近接する底部には、接続線が電気的に接続されており、前記接続線は、前記基板と前記絶縁層との間に位置し、且つ前記駆動回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロLED表示パネル。
- 各マイクロLEDの下部電極には、ボトムラインが接続されており、前記ボトムラインは、前記基板と前記絶縁層との間に位置し且つ前記駆動回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロLED表示パネル。
- 前記複数のマイクロLEDは、複数の行と複数の列のマトリックスに配置され、各行のマイクロLEDの上部電極は、1本のトップラインを介して電気的に接続され、各列のマイクロLEDの下部電極は、1本のボトムラインを介して前記駆動回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項3に記載のマイクロLED表示パネル。
- 基板と、
前記基板の上面に設けられた絶縁層と、
前記基板上に設けられ且つ前記絶縁層の中に嵌め込まれた複数のマイクロLEDと、
前記基板に設けられ且つ表示領域の外に位置する駆動回路と、を含み、
前記複数のマイクロLEDは、互いに間隔をあけて設けられ且つマイクロLED表示パネルの前記表示領域を限定し、各マイクロLEDは、前記基板に近接する底面と前記基板から離れた上面とを有し、前記底面には、下部電極が接続されており、前記上面は、前記絶縁層から露出し、前記上面には、上部電極が接続されており、
前記マイクロLED表示パネルは、前記基板上に設けられた複数の導電ブロックと、前記絶縁層の前記基板から離れた表面に設けられた複数のトップラインと、をさらに含み、
前記複数の導電ブロック、前記複数のマイクロLED及び前記駆動回路は、前記基板の同一表面に位置し、前記複数の導電ブロックは、前記表示領域の外に位置し、各導電ブロックは、前記駆動回路に電気的に接続され、
各トップラインは、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から離れている表面に電気的に接続されており、
各導電ブロックの前記基板に近接する底部には、接続線が電気的に接続されており、前記接続線は、前記基板と前記絶縁層との間に位置し、且つ前記駆動回路に電気的に接続され、
前記複数の導電ブロックは、二列に配列され、各列の導電ブロックにおける導電ブロックは、互いに間隔をあけて配置され、二列の導電ブロックは、前記表示領域の対向する両側に位置することを特徴とするマイクロLED表示パネル。 - 前記複数のマイクロLEDは、複数の行と複数の列のマトリックスに配置され、各行のマイクロLEDの上部電極は、1本のトップラインを介して電気的に接続され、各トップラインは、延伸して、前記表示領域の対向する両側に位置する2つの導電ブロックを接続することを特徴とする請求項5に記載のマイクロLED表示パネル。
- 基板を提供するステップと、
複数のマイクロLEDを前記基板の一方の表面に配置するステップと、
複数の導電ブロックを前記基板の前記複数のマイクロLEDを有する表面に配置し、且つ前記複数の導電ブロックを前記複数のマイクロLEDの隣に配置させるステップと、
前記基板に絶縁材料を充填して絶縁層を形成し、前記複数のマイクロLED及び前記複数の導電ブロックを、前記絶縁層の中に埋め込ませ、且つ各マイクロLED及び各導電ブロックの前記基板から遠く離れた表面を、何れも前記絶縁層から露出させるステップと、
前記絶縁層の前記基板の反対側の表面に複数の上部電極を形成し、各上部電極により1つのマイクロLEDの前記基板から離れた上面をカバーするステップと、
前記絶縁層の前記基板から離れた表面に、少なくとも1つの上部電極と少なくとも1つの導電ブロックとの前記基板から遠く離れた表面に電気的に接続される複数のトップラインを形成するステップと、
を含むマイクロLED表示パネルの製造方法。 - 前記基板を提供するステップは、表面には複数のボトムライン及び複数の接続線が形成されている基板を提供し、前記基板には、駆動回路がさらに設けられており、各ボトムラインと各接続線は、前記駆動回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項7に記載のマイクロLED表示パネルの製造方法。
- 前記基板に配置された後の複数のマイクロLEDは、複数の行と複数の列のマトリックスに配置され、前記複数のトップラインを形成するステップは、間隔を空けて平行に配置された複数のトップラインを形成し、各トップラインは、1行のマイクロLEDの上部電極及び当該行のマイクロLEDの両側に位置する2つの導電ブロックを接続することを特徴とする請求項7に記載のマイクロLED表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010794487.0 | 2020-08-10 | ||
CN202010794487.0A CN114068503A (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 微型led显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7012130B1 true JP7012130B1 (ja) | 2022-01-27 |
JP2022032020A JP2022032020A (ja) | 2022-02-24 |
Family
ID=80114194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020152711A Active JP7012130B1 (ja) | 2020-08-10 | 2020-09-11 | マイクロled表示パネルとその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11881499B2 (ja) |
JP (1) | JP7012130B1 (ja) |
CN (1) | CN114068503A (ja) |
TW (1) | TWI741740B (ja) |
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2020
- 2020-08-10 CN CN202010794487.0A patent/CN114068503A/zh active Pending
- 2020-08-17 TW TW109127990A patent/TWI741740B/zh active
- 2020-09-11 JP JP2020152711A patent/JP7012130B1/ja active Active
- 2020-12-14 US US17/121,592 patent/US11881499B2/en active Active
-
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- 2023-12-13 US US18/538,202 patent/US12107116B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20240113153A1 (en) | 2024-04-04 |
US12107116B2 (en) | 2024-10-01 |
US20220045123A1 (en) | 2022-02-10 |
JP2022032020A (ja) | 2022-02-24 |
US11881499B2 (en) | 2024-01-23 |
TWI741740B (zh) | 2021-10-01 |
TW202207454A (zh) | 2022-02-16 |
CN114068503A (zh) | 2022-02-18 |
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