JP2006032470A - 電子装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 リードフレームのダイパッド、リード部上に、それぞれ導電性接着剤を介してICチップ、受動部品を接合し、ICチップと受動部品の近傍にボンディングワイヤを接続し、装置全体をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤの接続部におけるモールド樹脂の剥離を極力防止する。
【解決手段】 リードフレーム10のダイパッド11上にICチップ30が導電性接着剤20により接合され、リードフレーム10のリード部12にセラミックからなる受動部品40が導電性接着剤20により接合されており、装置全体がモールド樹脂60により封止されている電子装置100において、ICチップ30と受動部品40の電極41とが、直接ボンディングワイヤ50により接続されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、リードフレームのダイパッド上にICチップが導電部材により接合され、リードフレームのリード部にセラミックからなる受動部品が導電部材により接合されてなる電子装置に関する。
従来、この種の電子装置としては、リードフレームのダイパッド上にICチップが、導電性接着剤やはんだなどの導電部材により接合され、リードフレームのリード部にセラミックからなる受動部品が導電部材により接合されてなるものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
図6は、このような従来の電子装置の一般的な構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。なお、図6(a)中、モールド樹脂60の外形は一点鎖線にて示してある。
図6に示されるように、リードフレーム10のダイパッド11上には、導電部材である導電性接着剤20を介してICチップ30が搭載され接合されている。また、リードフレーム10のリード部11には、セラミックからなる受動部品40が導電性接着剤20を介して搭載され接合されている。
ここで導電性接着剤20としては、Agペーストなどの樹脂に導電性フィラーを含有させたものが用いられ、受動部品40としては、たとえば、コンデンサや抵抗体などが採用される。図6では、コンデンサが受動部品40として用いられている。そして、各受動部品40では、その電極41において導電性接着剤20によりリード部12と接合されている。
また、図6(a)中の最も左側に位置する受動部品40の一方の電極41は、リード部12ではないが、ワイヤボンディングを行うためのリードフレーム10のボンド部13に対して導電性接着剤20を介して接合されている。
また、ICチップ30と受動部品40の近傍に位置するリード部12、ボンド部13とがボンディングワイヤ50により接続されている。このボンディングワイヤ50と接続されているリード部12、ボンド部13は、受動部品40の電極41と同電位となっている部分である。
そして、これらリードフレーム10、ICチップ30、受動部品40、およびボンディングワイヤ50、すなわち装置の全体がリード部12の一部(つまりアウターリード)が露出するように、モールド樹脂60により封止されている。
特開2003−86756号公報
ところで、上記図6に示されるような従来の電子装置の製造方法は、次の通りである。Agペーストなどの導電性接着剤20をダイパッド11上に塗布し、ICチップ30をマウントして導電性接着剤20を硬化させる、
続いて、ワイヤボンディングを行ってボンディングワイヤ50を形成する。これは、受動部品40を搭載してから、ワイヤボンディングを行うと、ワイヤボンディングのツールが、ボンディングワイヤ50の近傍に位置する受動部品40に当たるので、ワイヤボンディングがうまくできないためである。
次に、リード部12の所定領域に導電性接着剤20を塗布し、受動部品40をマウントして導電性接着剤20を硬化させる。その後、型成形などにより、モールド樹脂60による封止を行う。こうして、図6に示されるような従来の電子装置ができあがる。
このような製造工程において、ワイヤボンディングを行った後に塗布される導電性接着剤20から、この導電性接着剤20に含有される溶剤などが飛散する現象、いわゆる導電性接着剤のブリードが発生する。
そして、このブリードにより、受動部品40の近傍部に位置するボンディングワイヤ50の接続部の周囲部が、上記溶剤などにより汚染され、当該周囲部において、その後、形成されるモールド樹脂60とリードフレーム10との密着性が劣化する結果、モールド樹脂60の剥離が生じる恐れがある。
このモールド樹脂60の剥離が、受動部品40の近傍部に位置するボンディングワイヤ50の接続部の周囲部にて発生すると、温度サイクルなどにより、ボンディングワイヤ50の剥離に至る可能性がある。
ここで、単純には、ボンディングワイヤ50の接続部と受動部品40との距離d(図6(a)参照)を、上記ブリードの影響が及ばない程度まで離せばよいが、その場合、装置の大型化を招いてしまうことになる。
また、導電部材として導電性接着剤以外にはんだを用いた場合であっても、はんだのフラックスの飛散など、上記した導電性接着剤のブリードと同様の問題が生じることは明らかである。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームのダイパッド、リード部上に、それぞれ導電部材を介してICチップ、受動部品を接合し、ICチップと受動部品の近傍にボンディングワイヤを接続し、装置全体をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤの接続部におけるモールド樹脂の剥離を極力防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、鋭意検討を行った。本発明者は、受動部品が通常セラミックからなり、この受動部品とモールド樹脂とは剥離しないという事実に着目した。このことについて、次のような推定メカニズムが考えられる。
この原因は、セラミックからなる受動部品の線膨張係数αの影響と考えられる。たとえば、セラミックコンデンサの場合を考える。
モールド樹脂は、たとえば170℃程度で成形され室温まで冷却されるが、その際、セラミックコンデンサ(たとえばα=7)に対しては、モールド樹脂(たとえばα=14)から圧縮応力が加わる。これは、セラミックよりもモールド樹脂の方が縮みやすいためである。
一方、リードフレーム(たとえばCuの場合、α=17)に対しては、冷却時においてCuの方がモールド樹脂よりも縮みやすいため、モールド樹脂から引っ張り応力が加わることになり、モールド樹脂が剥がれやすくなる。
すなわち、ボンディングワイヤが接続される部位の線膨張係数αをモールド樹脂の線膨張係数αよりも小さくして、圧縮応力を発生させるようにすれば、モールド樹脂が剥がれにくくなると考えられる。
請求項1に記載の発明は、このような知見に基づいてなされたものであり、リードフレーム(10)のダイパッド(11)上にICチップ(30)が導電部材(20)により接合され、リードフレーム(10)のリード部(12)にセラミックからなる受動部品(40)が導電部材(20)により接合されており、装置全体がモールド樹脂(60)により封止されている電子装置において、ICチップ(30)と受動部品(40)の電極(41)とが、直接ボンディングワイヤ(50)により接続されていることを特徴としている。
上述したように、一般に、ICチップと受動部品の近傍に位置するリード部とがボンディングワイヤにより接続される場合、このリード部は、受動部品の電極と同電位となっている部分である。
そこで、本発明のように、ICチップ(30)と受動部品(40)の電極(41)とが、直接ボンディングワイヤ(50)により接続されたものとしても、電気的には同じである。そして、このようにすれば、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部のワイヤ接続部を省略した構成とでき、その分、装置の小型化が図れる。
また、受動部品(40)はセラミックからなるものであるため、上述したように、ボンディングワイヤ(50)が接続される部位の線膨張係数は、モールド樹脂(60)の線膨張係数よりも小さくなると考えられ、モールド樹脂(60)の剥離を起こりにくくすることができる。
したがって、本発明によれば、リードフレーム(10)のダイパッド(11)、リード部(12)上に、それぞれ導電部材(20)を介してICチップ(30)、受動部品(40)を接合し、ICチップ(30)と受動部品(40)の近傍にボンディングワイヤ(50)を接続し、装置全体をモールド樹脂(60)により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤ(50)の接続部におけるモールド樹脂(60)の剥離を極力防止することができる。
また、本発明によれば、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部を省略し、受動部品(40)の電極(41)とボンディングワイヤ(50)とを直接接続しているため、受動部品(40)の電極(41)とボンディングワイヤ(50)との間の電気抵抗を小さくできるという利点もある。
ここで、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部を省略した構成とした場合、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載の電子装置において、受動部品(40)として、その電極(41)の一方がリード部(12)に支持されずに浮いている構成のものが存在するものにできる。
また、請求項3に記載の発明のように、請求項1または請求項2に記載の電子装置において、受動部品(40)の線膨張係数が、モールド樹脂(60)の線膨張係数よりも小さいことが好ましいことは、上述の通りである。
また、さらに検討を進めた結果、そもそも上記ブリードの影響を受けないように、ボンディングワイヤの接続面と導電部材の設置面とを分離することにより、上記問題を解決してもよいと考えた。
すなわち、請求項4に記載の発明では、リードフレーム(10)のダイパッド(11)上にICチップ(30)が導電部材(20)により接合され、リードフレーム(10)のリード部(12)にセラミックからなる受動部品(40)が導電部材(20)により接合されており、ICチップ(30)と受動部品(40)の近傍に位置するリード部(12)とがボンディングワイヤ(50)により接続されており、装置全体がモールド樹脂(60)により封止されている電子装置において、ボンディングワイヤ(50)が接続されるリード部(12)の面は、リードフレーム(10)の一面であり、受動部品(40)が接合されるリード部(12)の面は、リードフレーム(10)の一面とは反対側の他面であることを特徴としている。
それによれば、ボンディングワイヤ(50)が接続されるリード部(12)の面と、受動部品(40)が接合されるリード部(12)の面とを、リードフレーム(10)の一面と他面というように分離したものとできるため、これら両リード部の面をさほど離さなくても、上記ブリードによる汚染がボンディングワイヤ(50)が接続されるリード部(12)の面に及びにくくできる。
したがって、本発明によれば、リードフレーム(10)のダイパッド(11)、リード部(12)上に、それぞれ導電部材(20)を介してICチップ(30)、受動部品(40)を接合し、ICチップ(30)と受動部品(40)の近傍にボンディングワイヤ(50)を接続し、装置全体をモールド樹脂(60)により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤ(50)の接続部におけるモールド樹脂(60)の剥離を極力防止することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子装置100の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。なお、図1(a)中、モールド樹脂60の外形は一点鎖線にて示してある。
図1に示されるように、電子装置100においては、リードフレーム10のダイパッド11上には、導電部材としての導電性接着剤20を介してICチップ30が搭載され接合されている。また、リードフレーム10のリード部12には、セラミックからなる受動部品40が導電性接着剤20を介して搭載され接合されている。
ここで導電性接着剤20としては、Agペーストなどの樹脂に導電性フィラーを含有させたものが用いられ、受動部品40としては、たとえば、コンデンサや抵抗体などが採用される。また、本実施形態においては、導電部材としては、導電性接着剤以外にもはんだなどを採用してよい。
本例では、導電性接着剤20としては、Agペーストを採用し、受動部品40としてはチタン酸バリウムなどのセラミックからなり、両端にAgなどからなる電極41を有するコンデンサを採用している。このようなコンデンサは、電子装置におけるノイズ除去などのために設けられている。
そして、各受動部品40は、その電極41において導電性接着剤20によりリード部12と接合されている。
また、図1(a)中の最も左側に位置する受動部品40については、その電極41の一方がリード部12に支持されずに浮いている。この様子は図2に具体的に示されている。また、残りの受動部品40については、両電極41がリード部12に支持されている。
そして、本実施形態では、図1、図2に示されるように、ICチップ30と受動部品40の電極41とが、直接ボンディングワイヤ50により接続されている。このボンディングワイヤ50は、AuやAlなどからなるものであり、通常のワイヤボンディング手法により形成することができる。
なお、図2に示されるような片持ち支持構造の受動部品40においては、浮いている方の電極41の下を治具で支持した状態でワイヤボンディングすればよい。
ここで、ダイパッド11およびリード部12を構成するリードフレーム10は、Cuや42アロイなどの通常のリードフレーム材料を採用することができる。そして、リードフレーム10には、ボンディングワイヤ50の種類や導電性接着剤20の種類などに応じて、その表面に適宜メッキ(たとえばAgメッキ)などの処理が施されている。本例では、Cuからなるリードフレーム10としている。
そして、これらリードフレーム10、ICチップ30、受動部品40、およびボンディングワイヤ50、すなわち装置100の全体がリード部12の一部(つまりアウターリード)が露出するように、モールド樹脂60により封止されている。このモールド樹脂60は、通常の電子分野で採用されるエポキシ樹脂などのモールド材料を採用し、トランスファーモールド法により形成されるものである。
この電子装置100の製造方法は、次の通りである。Agペーストなどの導電性接着剤20をダイパッド11およびリード部12上にディスペンサなどによって塗布し、ICチップ30および受動部品40をマウントして導電性接着剤20を硬化させる。この導電性接着剤20の硬化は、たとえば150℃、1時間の熱処理で可能である。
続いて、ICチップ30と受動部品40の電極41との間にてワイヤボンディングを行ってボンディングワイヤ50を形成する。その後、トランスファーモールド成形などにより、モールド樹脂60による封止を行う。こうして、図1に示される本実施形態の電子装置100ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、リードフレーム10のダイパッド11上にICチップ30が導電性接着剤20により接合され、リードフレーム10のリード部12にセラミックからなる受動部品40が導電性接着剤20により接合されており、装置全体がモールド樹脂60により封止されている電子装置において、ICチップ30と受動部品40の電極41とが、直接ボンディングワイヤ50により接続されていることを特徴とする電子装置100が提供される。
上述したように、一般に、ICチップと受動部品の近傍に位置するリード部とがボンディングワイヤにより接続される場合、このリード部は、受動部品の電極と同電位となっている部分である。
そこで、本実施形態のように、ICチップ30と受動部品40の電極41とが、直接ボンディングワイヤ50により接続されたものとしても、電気的には同じである。そして、このようにすれば、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部のワイヤ接続部を省略した構成とでき、その分、装置の小型化が図れる。
具体的には、上記図6において、ブリードの影響が及ばない程度に必要としていたボンディングワイヤ50の接続部と受動部品40との距離dが、なくなり、実質的に、この距離dの分、小型化が図れる。
また、受動部品40はセラミックからなるものであるため、上述したように、ボンディングワイヤ50が接続される部位の線膨張係数は、モールド樹脂60の線膨張係数よりも小さくなると考えられ、モールド樹脂60の剥離を起こりにくくすることができる。
したがって、本実施形態によれば、リードフレーム10のダイパッド11、リード部12上に、それぞれ導電性接着剤20を介してICチップ30、受動部品40を接合し、ICチップ30と受動部品40の近傍にボンディングワイヤ50を接続し、装置全体をモールド樹脂60により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤ50の接続部におけるモールド樹脂60の剥離を極力防止することができる。
また、本実施形態によれば、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部を省略し、受動部品40の電極41とボンディングワイヤ50とを直接接続しているため、受動部品40の電極41とボンディングワイヤ50との間の電気抵抗を小さくできるという利点もある。
ここで、従来の電子装置において存在していた受動部品の電極と同電位であるリード部のワイヤ接続部を省略した構成とした場合、本実施形態の電子装置100のように、受動部品40として、その電極41の一方がリード部12に支持されずに浮いている構成のものが存在するものにできる。
これは、省略されるワイヤ接続部として、上記図6に示されるようなボンド部13も含まれるが、このようなボンド部13を省略した場合に、起こりうる構成である。
また、本実施形態では、受動部品40の線膨張係数が、モールド樹脂60の線膨張係数よりも小さいことが好ましいとしているが、その理由は、上述の通りである。
本例では、モールド樹脂60の線膨張係数αは14程度であり、受動部品40としてのセラミックコンデンサの線膨張係数αは7程度である。それにより、受動部品40に対してモールド樹脂60から圧縮応力が加わるため、この受動部品40に接続されたボンディングワイヤ50の周囲ではモールド樹脂60の剥離は抑制される。
また、本実施形態の製造方法は、導電性接着剤20をダイパッド11およびリード部12上に塗布し、ICチップ30および受動部品40をマウントして導電性接着剤20を硬化させ、続いて、ICチップ30と受動部品40の電極41との間にてワイヤボンディングを行い、しかる後、モールド樹脂60による封止を行うものである。
つまり、本製造方法によれば、従来の製造方法に比べて、導電性接着剤20の配設や硬化工程が1回で済み、また、部品の配置もICチップ30と受動部品40とは同時に行えるから、工程の簡略化が図れている。
[変形例]
なお、本実施形態では、電極41の一方がリード部12に支持されずに浮いている構成の受動部品40が存在しているが、そのような受動部品40の形態としては、上記図2に示されるものに限らない。
たとえば、図3に示される第1の変形例のように、リード部12上に、電極41の配列方向に沿って受動部品40を立てた状態としてもよい。
また、図4は、本実施形態の第2の変形例を示す概略断面図である。この場合、リードフレーム10のリード部12において、受動部品40が搭載される部位が低くなるように、ディプレスを行っている。そして、リード部12における段差12aの分、受動部品40が低くなってICチップ30の高さに近づくため、ワイヤボンディングが行いやすくなるという利点がある。
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係る電子装置200の構成を示す概略断面図である。上記実施形態との相違点を中心に述べる。
図5に示されるように、本実施形態の電子装置200では、リードフレーム10のダイパッド11上にICチップ30が導電性接着剤20により接合され、リードフレーム10のリード部12にセラミックからなる受動部品40が導電性接着剤20により接合されており、ICチップ30と受動部品40の近傍に位置するリード部12とがボンディングワイヤ50により接続されており、装置全体がモールド樹脂60により封止されている。
ここにおいて、本電子装置200においては、ボンディングワイヤ50が接続されるリード部12の面は、リードフレーム10の一面であり、受動部品40が接合されるリード部12の面は、リードフレーム10の一面とは反対側の他面であることを主たる特徴としている。
それによれば、ボンディングワイヤ50が接続されるリード部12の面と、受動部品40が接合されるリード部12の面とを、リードフレーム10の一面と他面というように分離したものとできるため、これら両リード部12、12の面をさほど離さなくても、上記ブリードによる汚染がボンディングワイヤ50が接続されるリード部12の面に及びにくくできる。
したがって、本実施形態によっても、リードフレーム10のダイパッド11、リード部12上に、それぞれ導電性接着剤20を介してICチップ30、受動部品40を接合し、ICチップ30と受動部品40の近傍にボンディングワイヤ50を接続し、装置全体をモールド樹脂60により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤ50の接続部におけるモールド樹脂60の剥離を極力防止することができる。
本発明の第1実施形態に係る電子装置の構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 図1(a)中の最も左側に位置する受動部品の側面図である。 第1実施形態の第1の変形例を示す図である。 第1実施形態の第2の変形例を示す図である。 本発明の第2実施形態に係る電子装置の構成を示す概略断面図である。 従来の電子装置の一般的な構成を示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。
符号の説明
10…リードフレーム、11…リードフレームのダイパッド、
12…リードフレームのリード部、20…導電部材としての導電性接着剤、
30…ICチップ、40…受動部品、41…受動部品の電極、
50…ボンディングワイヤ、60…モールド樹脂。

Claims (4)

  1. リードフレーム(10)のダイパッド(11)上にICチップ(30)が導電部材(20)により接合され、前記リードフレーム(10)のリード部(12)にセラミックからなる受動部品(40)が導電部材(20)により接合されており、装置全体がモールド樹脂(60)により封止されている電子装置において、
    前記ICチップ(30)と前記受動部品(40)の電極(41)とが、直接ボンディングワイヤ(50)により接続されていることを特徴とする電子装置。
  2. 前記受動部品(40)として、その電極(41)の一方が前記リード部(12)に支持されずに浮いている構成のものが存在することを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 前記受動部品(40)の線膨張係数は、前記モールド樹脂(60)の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。
  4. リードフレーム(10)のダイパッド(11)上にICチップ(30)が導電部材(20)により接合され、前記リードフレーム(10)のリード部(12)にセラミックからなる受動部品(40)が導電部材(20)により接合されており、
    前記ICチップ(30)と前記受動部品(40)の近傍に位置する前記リード部(12)とがボンディングワイヤ(50)により接続されており、
    装置全体がモールド樹脂(60)により封止されている電子装置において、
    前記ボンディングワイヤ(50)が接続される前記リード部(12)の面は、前記リードフレーム(10)の一面であり、前記受動部品(40)が接合される前記リード部(12)の面は、前記リードフレーム(10)の一面とは反対側の他面であることを特徴とする電子装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135737A (ja) * 2008-10-30 2010-06-17 Denso Corp 半導体装置
JP2012009904A (ja) * 2008-10-30 2012-01-12 Denso Corp 半導体装置
JP2014143433A (ja) * 2014-03-31 2014-08-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2015146130A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135737A (ja) * 2008-10-30 2010-06-17 Denso Corp 半導体装置
JP2012009904A (ja) * 2008-10-30 2012-01-12 Denso Corp 半導体装置
US8624367B2 (en) 2008-10-30 2014-01-07 Denso Corporation Semiconductor device including semiconductor chip mounted on lead frame
US9029993B2 (en) 2008-10-30 2015-05-12 Denso Corporation Semiconductor device including semiconductor chip mounted on lead frame
WO2015146130A1 (ja) * 2014-03-26 2015-10-01 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JP2015185832A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
CN106133906A (zh) * 2014-03-26 2016-11-16 株式会社电装 半导体装置及其制造方法
US9935074B2 (en) 2014-03-26 2018-04-03 Denso Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
CN106133906B (zh) * 2014-03-26 2018-11-09 株式会社电装 半导体装置及其制造方法
JP2014143433A (ja) * 2014-03-31 2014-08-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

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