JP2006019685A - 相変化記憶素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下部構造を有する半導体基板上に形成、基板所定部分を露出させる第1、第2コンタクトホールを有する第1絶縁膜、第1コンタクトホールを埋込む導電プラグ、第1絶縁膜上に形成、第2コンタクトホールを埋込むビットライン、第1絶縁膜上に形成した第2絶縁膜、第2絶縁膜上に順次形成した上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜、第2絶縁膜上に形成、ハードマスク膜上部表面を露出させる第3絶縁膜、第3、第2絶縁膜内を貫通形成し導電プラグを露出させる第3コンタクトホール、ハードマスク膜上に形成、相変化膜パターンを露出させる第4コンタクトホール、第3、第4コンタクトホールを埋込む第1、第2下部電極コンタクト、第3絶縁膜上に形成、第1、第2下部電極コンタクトが各々連結された下部電極を有する。
【選択図】図9
Description
一方、不揮発性メモリ装置は、非常に大きい電荷保存能力を有するが、特に、EEPROM(electrically erasable and programmable ROM)のように、電気的に入・出力可能なフラッシュ記憶(flash memory)素子に対する需要が増加している。
図1に示すように、相変化膜を溶融温度(melting temperature;Tm)より高い温度で短時間(第1動作区間;t1)の間加熱した後に、速い速度で冷却させれば(quenching)相変化膜は非晶質状態(amorphous state)に変わる(曲線‘A’参照)。これに対し、相変化膜を溶融温度(Tm)より低く、結晶化温度(crystallization temperature;Tc)より高い温度で第1動作区間(t1)より長時間(第2動作区間;t2)の間加熱した後に冷却させれば、相変化膜は結晶状態(crystalline state)に変わる(曲線‘B’参照)。
図2に示すように、従来の相変化記憶素子は、下部電極(bottom electrode)11が形成された半導体基板10と、下部電極11上に形成されて下部電極11の所定の部分を露出させる第1コンタクトホール13を有する第1絶縁膜12と、第1コンタクトホール13を埋め込む下部電極コンタクト(botom electrode contact)14と、下部電極コンタクト14を含んだ第1絶縁膜12上に形成されて、下部電極コンタクト14を露出させる第2コンタクトホール16を有する第2絶縁膜15と、第2コンタクトホール16を埋め込む相変化膜17と、相変化膜17を含んだ第2絶縁膜15上に形成された上部電極(top electrode)18とを有する。
前記第3絶縁膜は、HDP、USG、TEOS、SOG、HLD、BPSG及びPSG酸化膜で構成されたグループから選択されるいずれかの一つより形成することを特徴とする。
前記第4コンタクトホールは、100nm以下の直径を有して形成されることを特徴とする。
前記第4コンタクトホールは、電子ビームを用いたフォトリソグラフィ工程を実施して、100nm以下の直径を有するように形成することを特徴とする。
本発明の実施の形態に係る相変化記憶素子は、図3に示すように、その上面に所定の下部構造(図示していない)が備えられた半導体基板40上に形成され、前記半導体基板40の所定の部分を露出させる複数の第1コンタクトホール42及び第1コンタクトホール42間の半導体基板40を一部露出させる第2コンタクトホール44を有する第1絶縁膜41と、第1コンタクトホール42を埋め込む導電プラグ43と、第1絶縁膜41上に形成されて第2コンタクトホール44を埋め込むビットライン45と、ビットライン45を含んだ第1絶縁膜41上に形成された第2絶縁膜46と、第2絶縁膜46上の所定の部分に順次形成された上部電極47、相変化膜パターン48及びハードマスク(hard mask)膜49と、第2絶縁膜46上に形成されて上部電極47、相変化膜パターン48及びハードマスク膜49の両側壁を覆って、ハードマスク膜49の上部の表面を露出させる第3絶縁膜50と、第3、第2絶縁膜50、46を貫通して形成されて導電プラグ43を露出させる複数の第3コンタクトホール51aと、ハードマスク膜49上の第3絶縁膜50の隣接部位に形成されて、相変化膜パターン48の両側の表面を露出させる複数の第4コンタクトホール51bと、第3コンタクトホール51aを埋め込む第1下部電極コンタクト52aと、第4コンタクトホール51bを埋め込む第2下部電極コンタクト52bと、第3絶縁膜50上に形成されて前記第1、第2の下部電極コンタクト52a、52bが各々連結された複数の下部電極53とを有する。
図4乃至図9は、本発明の実施の形態に係る相変化記憶素子の製造方法を説明するための断面図である。
本発明の実施の形態に係る相変化記憶素子の製造方法は、まず、図4に示すように、その上面に所定の下部構造(図示していない)が備えられた半導体基板40上に第1絶縁膜41を形成してから、第1絶縁膜41を選択的にエッチングして半導体基板40の所定の部分を露出させる複数の第1コンタクトホール42を形成する。次に、第1コンタクトホール42を導電膜で埋め込んで導電プラグ43を形成する。
ここで、接触面54の直径は第4コンタクトホール51bの直径と同じ大きさを有することになるので、100nm以下の小径を有することになる。これによって、相変化膜パターン48の相変化(phase change)に必要とされる書込電流(Writing Current)を減少することができる。
41 第1絶縁膜
42 第1コンタクトホール
43 導電プラグ
44 第2コンタクトホール
45 ビットライン
46 第2絶縁膜
47 上部電極
48 相変化膜パターン
49 ハードマスク膜
50 第3絶縁膜
51a 第3コンタクトホール
51b 第4コンタクトホール
52a 第1下部電極コンタクト
52b 第2下部電極コンタクト
53 下部電極
54 接触面
Claims (7)
- その上面に所定の下部構造が備えられた半導体基板上に形成され、前記半導体基板の所定の部分を露出させる複数の第1コンタクトホールと該第1コンタクトホール間の半導体基板の一部を露出させる第2コンタクトホールとを有する第1絶縁膜と、
前記第1コンタクトホールを埋め込む導電プラグと、
前記第1絶縁膜上に形成されて前記第2コンタクトホールを埋め込むビットラインと、
前記ビットラインを含んだ第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上の所定の部分に順次形成された上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜と、
前記第2絶縁膜上に形成されて前記上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜の両側を覆って前記ハードマスク膜の上部の表面を露出させる第3絶縁膜と、
前記第3及び第2絶縁膜内を貫通して形成されて前記導電プラグを露出させる複数の第3コンタクトホールと、
前記ハードマスク膜上の前記第3絶縁膜との隣接部位に形成され、前記相変化膜パターンの両側の表面を露出させる複数の第4コンタクトホールと、
前記第3、第4コンタクトホールを埋め込む第1、第2下部電極コンタクトと、
前記第3絶縁膜上に形成されて、前記第1、第2下部電極コンタクトが各々連結された複数の下部電極とを有することを特徴とする相変化記憶素子。 - 前記相変化膜パターンは、GeSb2Te4膜及びGe2Sb2Te5膜の内のいずれか一つより形成することを特徴とする請求項1記載の相変化記憶素子。
- 前記第3絶縁膜は、HDP、USG、TEOS、SOG、HLD、BPSG及びPSG酸化膜で構成されたグループから選択されるいずれかの一つより形成することを特徴とする請求項1記載の相変化記憶素子。
- 前記第4コンタクトホールは、100nm以下の直径を有して形成されることを特徴とする請求項1記載の相変化記憶素子。
- その上面に所定の下部構造が備えられた半導体基板上に第1絶縁膜を形成してから、前記第1絶縁膜を選択的にエッチングして、前記半導体基板の所定の部分を露出させる複数の第1コンタクトホールを形成するステップと、
前記第1コンタクトホールを導電膜で埋め込んで導電プラグを形成するステップと、
前記第1絶縁膜を選択的にエッチングして前記導電プラグ間の半導体基板の一部を露出させる第2コンタクトホールを形成するステップと、
前記第1絶縁膜上に前記第2コンタクトホールを埋め込むビットラインを形成するステップと、
前記ビットラインを含んだ前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成するステップと、
前記第2絶縁膜上に上部電極用導電膜、相変化膜及びハードマスク膜を順次形成した後、これらを選択的にエッチングして上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜を形成するステップと、
前記上部電極、相変化膜パターン及びハードマスク膜を形成するステップの結果物の上に第3絶縁膜を形成してから、ハードマスク膜の表面が露出するまで前記第3絶縁膜をCMP処理するステップと、
前記第3、第2絶縁膜を選択的にエッチングして、前記導電プラグを露出させる複数の第3コンタクトホールを形成するステップと、
前記ハードマスク膜を選択的にエッチングして前記相変化膜パターンの両側の表面を露出させる複数の第4コンタクトホールを形成するステップと、
前記第3、第4コンタクトホールを埋め込む第1、第2の下部電極コンタクトを形成するステップと、
前記第3絶縁膜上に前記第1、第2下部電極コンタクトが各々連結された複数の下部電極を形成するステップとを有することを特徴とする相変化記憶素子の製造方法。 - 前記第1絶縁膜上に前記第2コンタクトホールを埋め込むビットラインを形成するステップは、前記第2コンタクトホールを含んだ前記第1絶縁膜上に前記第2コンタクトホールを埋め込むように金属膜を蒸着するステップと、前記金属膜をパターニングするステップとを有することを特徴とする請求項5記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記第4コンタクトホールは、電子ビームを用いたフォトリソグラフィ工程を実施して、100nm以下の直径を有するように形成することを特徴とする請求項5記載の相変化記憶素子の製造方法。
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