JP2006019504A - 電子部品及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半田バンプのくびれ部においてクラックが発生しても断線不良を起こさず、半田バンプの破壊を防止できる電子部品及び電子装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電子部品は、第一基板１０と第二基板３０が対向して配置され、第一基板１０の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第一導電部１１ａと、第二基板３０の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第二導電部３２との間に、個別に半田バンプ１３を設けてなる電子部品であって、少なくとも１つの半田バンプ１３はその内部に該半田バンプとは異質の骨格１４ａを有し、該骨格の隙間１４ｂ’には半田バンプをなす半田が充填されてなる構造を具備する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、配線基板（インタポーザ）を使用しないウェハレベルＣＳＰ(Chip Size/Scale Package）等の半導体パッケージや、ＬＳＩチップを裏返して回路基板に接合する実装方法であるフリップチップに代表される、半田バンプを介して基板間の電気的接続が図られる電子部品及びこのような電子部品を含む電子装置に関する。

従来、電子部品で用いられる半導体パッケージ構造として、たとえば半導体チップを樹脂により封止したパッケージ（いわゆるDual Inline PackageやQuad Flat Package）では、樹脂パッケージ周辺の側面に金属リード線を配置する周辺端子配置型が主流であった。

これに対し、近年急速に普及している半導体パッケージ構造として、例えばチップスケールパッケージ（ＣＳＰ：Chip Scale Package）とよばれ、パッケージの平坦な表面に電極を平面状に配置した、いわゆるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ball Grid Array ）技術の採用により、同一電極端子数を持つ同一投影面積の半導体チップを、従来よりも小さい面積で電子回路基板に高密度実装することを可能にしたパッケージ構造がある。

ＢＧＡタイプの半導体パッケージにおいては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しいＣＳＰ構造が、前述のＢＧＡ電極配置構造とともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。ＣＳＰは、回路を形成した例えばシリコンからなるウエハを切断し、個々の半導体チップに対して個別にパッケージ工程を施し、パッケージを完成するものである。

これに対し、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」とよばれる製法においては、このウエハ上に、絶縁層、再配線層、封止層等を形成し、半田バンプを形成する。そして最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することでパッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。

ウエハ前面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能になる。

ウエハレベルＣＳＰの製造方法における特徴は、パッケージを構成する部材を、すべてウエハの形状において加工することにある。すなわち、絶縁層、導電層（再配線層）、封止樹脂層、半田バンプ等は、すべてウエハをハンドリングすることで形成される。これは、例えば半田バンプの形成においても同じことである。

従来のウエハレベルＣＳＰの製造工程では、半田バンプを形成する際にウエハの一方の平面の多数の電極を配置する所定位置に、半田材料を必要量設け、リフロー工程と呼ばれる半田融点以上の温度での加熱溶融、また、半田融点以下での冷却凝固を経ることにより、その形状が球状に近い半田バンプを得る。

図５は従来のＣＳＰ等の電子部品（以下、半導体装置とも呼ぶ）の構造を例示する断面図であり、半導体装置において半田バンプを設ける部分を拡大して示すものである。
図５において、１１０は第一絶縁部であり、不図示の回路を一方の面上に設けたウエハからなる半導体基板（以下、半導体チップとも呼ぶ）の表層部に配置されている。１１１は第一導電部であり、この回路に導通し、半導体基板の第一絶縁部１１０の表面に形成されている。１１２は第二絶縁部であり、第一導電部１１１の外周部と第一絶縁部１１０を覆うように形成されている。１１３は半田バンプであり、露出された第一導電部１１１を覆うように設けられている。従来の半導体装置において半田バンプを設ける部分は、上述した第一絶縁部１１０、第一導電部１１１、第二導電部１１２、半田バンプ１１３から構成されている。

図５に示すような半球状の半田バンプ１１３は、第一導電部１１１上に半田材料を形成した後、加熱処理（以下、リフロー処理とも呼ぶ）を施すことにより得られる。
第一導電部１１１上にまず半田を設ける方法としては、例えば（イ）電解半田めっき法、（ロ）半田ボール搭載法、（ハ）半田ペースト印刷法、（ニ）半田ペーストディスペンス法、（ホ）半田蒸着法などの製法が一般に使用されている。いずれの製法も、ウエハ全面の電極配置位置に、半田バンプ下部が所定の形状となるように形成された、半田と濡れ性の良い表面性状とした第一導電部１１１上に、所定の面積および高さを持つ半田材料を形成するものである。

各製法ごとに異なる半田材料が使用される。製法（イ）では半田成分を含有するめっき層が、製法（ロ）では予め所定のバンプ径に近い形状に分粒された半田ボールが、それぞれ用いられる。製法（ハ）や製法（ニ）では所定のバンプ径に比較して微細な半田粒子をフラックス成分に混合した印刷用のペースト状の半田を用いる。製法（ホ）では真空中で蒸着法により形成された半田成分を含有する金属蒸着膜を使用する。

いずれの製法により形成された半田であっても、リフロー処理時に半田を融点以上の温度に到達させることによって、半田は溶融し、溶融した半田は表面張力により凝集する。その形状は、下地をなす第一導電部１１１の周縁における金属の濡れ性、溶融した半田の表面張力、溶融した半田自体の重さによる変形、第一導電部１１１の外周部を覆う第二絶縁部１１２の端部形状など等により決定される。溶融した半田は、リフロー処理の後半において、半田の融点より低い温度で冷却処理を施すことにより固体となる。その結果、いわゆる半田バンプと呼ばれる球状に近い形状の半田塊が得られる。

このような半田バンプを有する半導体装置では、その性能向上のために種々の改良が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

図６は、従来の電子部品の実装時、半田バンプにくびれが生じた状態を示す断面図であり、図５に示した半導体装置を例とした場合である。ここで、半導体装置から半田バンプ１１３を除いた部分を半導体パッケージと呼ぶことにする。

図６は、半田バンプ１１３を回路基板（第二基板とも呼ぶ）の表層部に配置されている第二絶縁部１３０上の第二導通部１３２（電極パッドとも呼ぶ）に押し付けることにより、半導体装置（以下では、半導体チップとも呼ぶ）が回路基板に実装される様子を示している。なお、図５及び図６には半田バンプ１１３を突出させた状態で導電層を覆うように第二絶縁部（封止層とも呼ぶ）１１２を設けた例を示しているが、封止層は必須要件ではない。

つまり、上述した半田バンプ１１３は、半導体基板の第一導電部１１１と回路基板の第二導電部１３２との電気的な導通を図るための電極端子として機能するとともに、両者の熱変形や反りによって発生する応力を緩和、吸収する役割も担う。

しかしながら、図５に示すように、従来の半田バンプはその側面方向から見て半球状に近い。また、従来の半田バンプ１１３は第一導電部１１１に載置された状態では、半田バンプ１１３が第一導電部１１１と接してなる面は円形をなす傾向がある。特に、回路基板に実装した半導体パッケージでは、主に半導体チップと回路基板との熱膨張率の違いにより発生する応力を、回路基板から半導体チップが受ける。

このため、半田バンプ１１３は、第一導電部１１１や第二導電部１３２と接触する接合部に応力の集中が発生しやすい。より具体的には、半田バンプ１１３はその外周面が、束縛された状態から解放された状態に変わる領域（くびれ部とも呼ぶ）１３１ａ、１３１ｂに応力が加わると、図６に示すように、例えば半田バンプ１１３の中にクラック（亀裂とも呼ぶ）１１５が外側から内側の方向に発生する傾向にあった。このようなクラック１１５の発生は断線不良を招き、ひいては半田バンプ１１３の破壊をもたらす恐れがあることから、半導体パッケージの信頼性を著しく低下させる原因の一つとして挙げられている。そこで、半田バンプの柔軟性を上げて、半田バンプに加わる力を分散させることにより、半田バンプのくびれ部におけるクラックの発生を抑制するとともに、たとえクラックが発生したとしても断線不良には至ることのない構成を備えた電子部品及び電子装置の開発が期待されていた。
特開平５−１３４１８号公報

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、半田バンプのくびれ部においてクラックが発生しても断線不良を起こさず、半田バンプの破壊を防止できる電子部品及び電子装置の提供を目的とする。

本発明に係る電子部品は、第一基板と第二基板が対向して配置され、前記第一基板の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第一導電部と、前記第二基板の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第二導電部との間に、個別に半田バンプを設けてなる電子部品であって、少なくとも１つの半田バンプはその内部に該半田バンプとは異質の骨格を有し、該骨格の隙間には半田バンプをなす半田が充填されてなる構造を具備したことを特徴としている。

上記電子部品を構成する少なくとも１つの半田バンプは、半田バンプの内部に骨格が存在することにより、たとえ半田バンプのくびれ部からクラックが発生し、このクラックが半田バンプ内を進行しようとしたとしても、骨格がクラックの進路を妨げる働きをするので、クラックの大きな進展を抑制または阻止できることから、断線不良や半田バンプの破壊というような不具合を解消することが可能となる。

また、骨格の隙間には半田バンプをなす半田が充填されているので、半田バンプ内に仮にクラックが発生したとしても、骨格の隙間に充填された半田はクラックの影響を殆ど受けることがない。ゆえに、骨格の隙間に充填された半田は、第一基板と第二基板との間の電気的な導通を確保するために機能するので、従来のようなクラックの影響を考慮した設計をする必要がなくなることから、電子部品の設計自由度が格段と向上する。

さらには、クラック発生を抑制するため従来はくびれ部を穏やかにするため大きな半田バンプを設ける必要があったが、上述したようにクラック発生を考慮する必要がないので、くびれ部が急峻な小さな半田バンプを利用できる。よって、半田バンプの小型化、すなわち基板間距離の短縮を図ることができるので、狭い基板間距離が求められる薄型の電子機器に好適な電子部品が得られる。

またさらに、半田バンプ内に設けた骨格の隙間に充填された半田が導通を確保しているので、半田バンプ形成時のリフロープロセスにおいて半田バンプ内にボイドが形成されたとしても、その存在の有無を考慮する必要がない。これにより、使用する半田などの材料選択の幅が広がるとともに、ボイド発生を抑制する厳密な制御が不要となるのでリフロープロセスの簡略化が図れる。

本発明に係る電子部品において、半田バンプ内に配される骨格は、前記第一導電部に接する一端と、前記第一導電部から前記第二導電部へ延びる他端とを少なくとも備え、前記他端は半田バンプの高さ方向において、半田バンプのくびれ部より突出した位置にあることが好ましい。半田バンプのくびれ部から発生するクラックは、くびれ部を横断する方向に進行する傾向が強いが、かかる構成によれば、骨格がこの方向を縦断するように延びているので、クラックの進行を妨げる確率が高まる。半田バンプ内において２つの導電部間を繋ぐ方向に延びる骨格を多数本設けることにより、クラックが骨格に衝突する確率がさらに高くなるので、クラック進行の抑制力が一段と向上するのでより好ましい。

前記骨格が繊維状である場合には、骨格が複雑に絡み合う樹枝のような柔構造をとることができるので、半田バンプ内部に柔軟性を有する骨格を設けることが可能となる。ゆえに、優れた耐クラック特性とともに柔軟性も兼ね備えてなる半田バンプを有する電子部品が得られる。

前記骨格が多孔質状である場合には、骨格内部に多数の孔を有する構造をとることができるので、骨格の孔内に半田が入り込むことにより、骨格と半田バンプとの密着性がより強固となる。その結果、骨格と半田バンプの一体化が図れるので、接続信頼性をより向上させることが可能となる。

その際、骨格としては、樹脂、セラミックス、金属又はガラスから選択される１つ以上の部材からなるものが用いられる。樹脂からなる骨格であれば、バンプ内に柔軟性を付加するできるので、接続信頼性の向上が図れる。セラミックスからなる骨格はその内部に微細な空孔を備えており、この空孔内にも半田が入り込むことになり、骨格と半田バンプとの密着性をより強固にできるので、接続信頼性の向上が図れる。金属からなる骨格であれば、骨格自体が導電性をもつことから、より一層の安定した導通特性が確保できる。ガラスからなる骨格は、耐熱性があり、熱による寸法変化が小さいことから形状が安定するため、接続信頼性の向上が図れる。

本発明に係る電子装置は、上述した構成の電子部品を含むことを特徴としている。上述した構成の電子部品は、実装後に断線不良や半田バンプの破壊を防止する構造を具備したことにより、基板間の安定した導通を長期に亘って維持できるので、長期信頼性に優れた電子部品の提供が可能となる。

以上説明したように、本発明に係る電子部品を構成する少なくとも１つの半田バンプはその内部に該半田バンプとは異質の骨格を有し、該骨格の隙間には半田バンプをなす半田が充填されてなる構造を有する。この半田バンプに内在する骨格は、たとえ半田バンプのくびれ部においてクラックが発生しても、その進行を阻害するように働く。ゆえに、本発明は、断線不良を起こさず、半田バンプの破壊を防止できる電子部品、例えば落下衝撃や振動といったメカニカルな力をも吸収できる電子部品などの提供に寄与する。

以下では、本発明に係る電子部品の一実施形態を図面に基づいて説明する。

（第一の実施形態）
図１は、本発明に係る電子部品の作製に用いる第一基板の一例を示す部分断面図であり、一つの第一導電部１１ａ上に繊維状の骨格１４ａが配され、これらを覆うように半田１３を設けた場合である。（ａ）第一導電部１１ａ上に繊維状の骨格１４ａを設けた状態を、（ｂ）は第一導電部１１ａ及び骨格１４ａを半田１３で被覆した状態を、それぞれ表している。図２は、図１に示した繊維状の骨格を内在する半田バンプを備えてなる電子部品の一例を示す部分断面図である。

ガラス繊維からなる繊維状の骨格１４ａを形成する場合は、まず、第一基板１０の電気絶縁性を有する一面１２α側に配された第一導通部（電極パッドとも呼ぶ）１１ａ上にガラス繊維１４ａを混入させた樹脂（不図示）を接着剤（不図示）を介して搭載した後、この樹脂のみを薬液で除去することにより骨格１４ａを得る［図１（ａ）］。

次いで、電極パッド１１ａおよび骨格１４ａの上に、溶融した状態にある半田を導入することにより半田バンプ１３を形成する［図１（ｂ）］。例えば、半田バンプ１３の形状を半球状に整えるために、必要に応じて第一導電部１１ａ上に形成した半田バンプ１３に加熱処理（リフロー処理）を施してもよい。

その後、半田バンプ１３を第二基板３０の電気絶縁性を有する一面側に配されたに配された第二導通部３２（電極パッドとも呼ぶ）に押し付けることにより、第一基板１０等から構成される半導体装置（半導体チップとも呼ぶ）が第二基板３０等から構成される回路基板に実装される［図２］。その際、例えば半田バンプ１３に対して熱や振動を加えてもよい。つまり、半田バンプ１３はその内部に半田バンプ１３とは異質の骨格１４ａをもつことになる。この骨格１４ａは繊維状であることから多数の隙間１４ａ’をもつので、半田は自然とこの隙間に充填された形態が得られる。

したがって、骨格１４ａをなす部材には、使用する半田より高い融点をもつことが求められる。このような繊維状の骨格１４ａとしては、樹脂、プラスチック、セラミックス、金属又はガラスが好適である。具体的には、ポリイミドやエポキシ、オレフィン、ポリアミドなどの樹脂、酸化チタンやアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素などのセラミックス、鉄、アルミニウム、銅、銀、金などの金属又はソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラスなどのガラスの他に、これらの複合材である例えばガラス繊維入り樹脂などが挙げられる。

半田バンプ内に繊維状の骨格を設けた構成は、以下の利点をもたらす。
（１）半田バンプのくびれ部３１ａからクラック１５が発生し、このクラック１５が半田バンプ１３内を進行しようとしたとしても、骨格１４ａがクラック１５の進路を妨げる働きをするので、クラック１５の大きな進展を抑制または阻止できる。
（２）骨格の隙間１４ａ’に充填された半田は、第一基板１０と第二基板３０との間の電気的な導通を確保するために機能するので、従来のようなクラックの影響を考慮した設計をする必要がなくなる。

（３）繊維状の骨格１４ａを設けたことにより、クラック発生を考慮する必要がないので、くびれ部３１ａが急峻な小さな半田バンプを利用可能となる。これは、半田バンプの小型化、すなわち基板間距離の短縮をもたらす。
（４）半田バンプ内に設けた骨格の隙間に充填された半田が導通を確保しているので、半田などの材料選択の幅が広がる。また、ボイド発生を抑制する厳密な制御も不要となる。

（第二の実施形態）
図３は、本発明に係る電子部品の作製に用いる第一基板の他の一例を示す部分断面図であり、一つの第一導電部１１ａ上に多孔質状の骨格１４ｂが配され、これらを覆うように半田１３を設けた場合である。（ａ）第一導電部１１ａ上に多孔質状の骨格１４ｂを設けた状態を、（ｂ）は第一導電部１１ａ及び骨格１４ｂを半田１３で被覆した状態を、それぞれ表している。図４は、図３に示した多孔質状の骨格を内在する半田バンプを備えてなる電子部品の一例を示す部分断面図である。図３及び図４では、多孔質状の骨格１４ｂを模式的に表すため、略球形からなる外形を有するように示しているが、外形は略球形に限定されるものではない。

アルミナ、ジルコニア、カルシア、マグネシア、シリカなどの多孔質セラミックスからなる多孔質状の骨格１４ｂを形成する場合は、まず、第一基板１０の電気絶縁性を有する一面１２α側に配された第一導通部（電極パッドとも呼ぶ）１１ａに対し、アルミナ、ジルコニア、カルシア、マグネシア、シリカなどの多孔質セラミックスを樹脂（不図示）を用いて接着することにより骨格１４ｂを得る［図３（ａ）］。接着に用いる樹脂としては、密着力が強く耐熱性のあるポリイミド樹脂が好適に用いられるが、他にエポキシ樹脂やシリコン樹脂、オレフィン樹脂、ポリアミドイミド樹脂でも構わない。

次いで、電極パッド１１ａおよび骨格１４ｂの上に、溶融した状態にある半田を導入することにより半田バンプ１３を形成する［図３（ｂ）］。例えば、半田バンプ１３の形状を半球状に整えるために、必要に応じて第一導電部１１ａ上に形成した半田バンプ１３に加熱処理（リフロー処理）を施してもよい。

その後、半田バンプ１３を第二基板３０の電気絶縁性を有する一面側に配されたに配された第二導通部（電極パッドとも呼ぶ）３２に押し付けることにより、第一基板１０等から構成される半導体装置（半導体チップとも呼ぶ）が第二基板３０等から構成される回路基板に実装される［図４］。その際、例えば半田バンプ１３に対して熱や振動を加えてもよい。つまり、半田バンプ１３はその内部に半田バンプ１３とは異質の骨格１４ｂをもつことになる。この骨格１４ｂは多孔質状であることから多数の隙間１４ｂ’をもつので、半田は自然とこの隙間に充填された形態が得られる。

したがって、骨格１４ｂをなす部材には、使用する半田より高い融点をもつことが求められる。このような多孔質状の骨格１４ｂとしては、樹脂、プラスチック、セラミックス、金属又はガラスが好適である。具体的には、ポリイミドやエポキシ、オレフィンなどの樹脂、酸化チタンやアルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリカなどのセラミックス、ニッケル、銅、金、アルミニウム、白金、鉄などの金属又はソーダガラス、鉛ガラス、硼珪酸ガラスなどのガラスの他に、これらの複合材である例えばガラス繊維入り樹脂などが挙げられる。

半田バンプ内に多孔質状の骨格を設けた構成は、以下の利点をもたらす。
（１）先に述べた繊維状の骨格１４ａを形成するためには、ガラス繊維を混入した樹脂を接着剤を介して設けた後、この樹脂のみを薬液を用いて除去する必要があった。これに対し、多孔質状の骨格１４ｂを形成する際には、自然と骨格の隙間１４ｂ’が得られるので、このような薬液を用いる必要がない。ゆえに、薬液を除去するプロセスが不要であり、また薬液が残存する恐れもないので、半田バンプ内に多孔質状の骨格１４ｂを設けた構成は、第一基板１０と第二基板３０との間の安定した電気的な導通を安価に構築できる。また、耐薬液性を考慮する必要がないことから、骨格１４ｂをなす材料の選択自由度も広がるので好ましい。

（２）半田バンプのくびれ部３１ａからクラック１５が発生し、このクラック１５が半田バンプ１３内を進行しようとしたとしても、骨格１４ｂがクラック１５の進路を妨げる働きをするので、クラック１５の大きな進展を抑制または阻止できる。
（３）骨格の隙間１４ｂ’に充填された半田は、第一基板１０と第二基板３０との間の電気的な導通を確保するために機能するので、従来のようなクラックの影響を考慮した設計をする必要がなくなる。

（４）多孔質状の骨格１４ｂを設けたことにより、クラック発生を考慮する必要がないので、くびれ部３１ａが急峻な小さな半田バンプを利用可能となる。これは、半田バンプの小型化、すなわち基板間距離の短縮をもたらす。
（５）半田バンプ内に設けた骨格の隙間に充填された半田が導通を確保しているので、半田などの材料選択の幅が広がる。また、ボイド発生を抑制する厳密な制御も不要となる。

（第三の実施形態）
本例は、第一基板１０に配された第一導通部（電極パッドとも呼ぶ）１１ａの下にセラミックスからなる多孔質の骨格１４ｂを搭載し、その上に電極パッド１１ａを設けた以外は第二の実施形態と同様とした。つまり、多孔質の骨格１４ｂが電極パッド１１ａを貫通してなる構成とした。
かかる構成によれば、電極パッド１１ａに対して骨格１４ｂをより強固に接着できることから、第二の実施形態より外力などに対する耐久性が向上するので好ましい。

（第四の実施形態）
本例は、第一基板１０に配された第一導通部（電極パッドとも呼ぶ）１１ａの上に銀ペーストを印刷塗布し、これを焼結して多孔質状の骨格１４ｂを設けた以外は第二の実施形態と同様とした。つまり、半田の融点より高い融点をもつ材料を用いて多孔質の骨格１４ｂを半田バンプ１３内に設けた。
かかる構成によれば、多孔質の骨格１４ｂ自体も導電性を備えていることから、第二の実施形態より高い導通特性が確保されるので好ましい。半田の融点より高い融点をもつ材料としては、銀の他に、銅や金、あるいは高温半田などが挙げられる。

（第五の実施形態）
本例は、銀ペーストとして、粒径の異なる銀ペーストを混在させて用いた以外は第四の実施形態と同様とした。具体的には、平均粒径が１０ｎｍ程度の小粒径の銀ペーストと平均粒径が１０μｍ程度の大粒径の銀ペーストとを、およそ１：４の比率で混在させたものを用いた。
かかる構成によれば、粒径の異なる銀ペーストは焼結温度において差が生じる現象を利用することが可能となる。具体的には、粒径の小さな小型銀ペーストは、その材料系がもつ融点と比べて焼結温度を大幅に低温化させることができるという性質を利用することにより、大型銀ペースト同士を小型銀ペーストにより低温焼結させることによって、多孔質の骨格１４ｂを作製する。このため、選択できる骨格の材料が大幅に増えるという利点がある。

例えば小粒径のペーストとしては、上述した銀の他に金や銅、高温はんだといった金属ペースト、あるいは酸化チタンなどのセラミックス、あるいはガラスなどのペーストでもよい。一方、大粒径のペーストとしては、小粒径のペーストとして選択できる材料の他に、樹脂ペーストやプラスチックペーストも用いることが可能である。

本発明によれば、実装後に半田バンプのくびれ部においてクラックが発生しても断線不良を起こさず、半田バンプの破壊を防止できる電子部品及び電子装置を提供することができる。ゆえに、本発明は、外部からの衝撃などを受けやすい商品、例えば携帯電話やビデオカメラにおいて、耐衝撃性の改善や長期信頼性の向上をもたらす。

本発明に係る電子部品の作製に用いる第一基板の一例を示す部分断面図である。 図１に示した繊維状の骨格を内在する半田バンプを備えてなる電子部品の一例を示す部分断面図である。 本発明に係る電子部品の作製に用いる第一基板の他の一例を示す部分断面図である。 図３に示した多孔質状の骨格を内在する半田バンプを備えてなる電子部品の一例を示す部分断面図である。 従来のＣＳＰ等の電子部品の構造を例示する断面図である。 図５に示した電子部品の実装時、半田バンプにくびれが生じた状態を示す断面図である。

符号の説明

１０ 第一基板、１１ａ 第一導電部、１２ 第二絶縁部、１３ 半田バンプ、１４ａ、１４ｂ 骨格、１４ａ’、１４ｂ’ 隙間、１５ クラック、３０ 第二基板、３１ａ、３１ｂ くびれ部、３２ 第二導通部。

Claims (6)

1. 第一基板と第二基板が対向して配置され、前記第一基板の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第一導電部と、前記第二基板の電気絶縁性を有する一面側に配された複数個の第二導電部との間に、個別に半田バンプを設けてなる電子部品であって、
   少なくとも１つの半田バンプはその内部に該半田バンプとは異質の骨格を有し、該骨格の隙間には半田バンプをなす半田が充填されてなる構造を具備したことを特徴とする電子部品。
2. 前記骨格は、前記第一導電部に接する一端と、前記第一導電部から前記第二導電部へ延びる他端とを少なくとも備え、前記他端は半田バンプの高さ方向において、半田バンプのくびれ部より突出した位置にあることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記骨格は、繊維状であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
4. 前記骨格は、多孔質状であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
5. 前記骨格は、樹脂、セラミックス、金属又はガラスから選択される１つ以上の部材からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品を含むことを特徴とする電子装置。
   
   

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