JP5020051B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12 電極パット
13 突起電極
14 保護層
16 ボイド
17 貫通孔部
21 半導体基板(基板部)
25 半田ボール(バンプ部)
25a 半田ペースト
Claims (12)
- 基板部と、
前記基板部の表面を被覆する保護層と、
前記基板部上に前記保護層から露出して設けられ、前記基板部と電気的に接続された突起電極と、
前記突起電極と電気的に接続されたバンプ部と、
前記基板部及び前記突起電極を貫通する貫通孔部とを備え、
前記バンプ部は、平面的に見た場合に、前記貫通孔部と少なくとも一部が重なるように配されており、
前記基板部は、一方の表面に集積回路部を含むシリコン基板であり、
前記バンプ部は、半田ボールであり、
前記突起電極の表面が前記保護層の表面と面一であることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板部の一主面上に配線部が形成され、
前記突起電極は、前記基板部の前記配線部上に設けられるとともに、前記配線部と電気的に接続され、
前記貫通孔部は、前記基板部の厚さ方向に、前記基板部と前記突起電極と前記配線部とを連続して貫通することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記突起電極は、前記配線部と前記バンプ部との間に形成され、
前記バンプ部は、前記突起電極を介して、前記配線部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記配線部は、Cuで形成されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
- 前記基板部と電気的に接続された電極パッドをさらに備え、
前記基板部は、半導体チップであり、
前記突起電極は、前記電極パッド上に形成され、
前記貫通孔部は、さらに前記電極パッドを貫通し、
前記貫通孔部上に前記バンプ部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電極パッドは前記半導体チップ上に形成され、
前記貫通孔部は、断面視において、前記半導体チップと前記電極パッドと前記突起電極とを貫通し、
断面視において、前記貫通孔部上に前記バンプ部を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 断面視において、前記貫通孔部に前記バンプ部の一部が入り込んでいることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体装置。
- 前記電極パッドは、Cuで形成されていることを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記電極パッドは、前記半導体チップの一主面上に形成された配線部の一部であることを特徴とする請求項5〜請求項8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記突起電極は、前記バンプ部と濡れ性が良好な材料で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記突起電極は、Cuで形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記貫通孔部内において、前記バンプ部の一部によって挟まれたボイドを有することを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれかに記載の半導体装置。
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