JP2006019434A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させ、前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器によって定められる各荷電粒子線の要素露光領域内で荷電粒子線を偏向させるとともに、各荷電粒子線の前記基板上への照射を制御することで、前記基板上の複数の前記要素露光領域内にパターンを露光する荷電粒子線露光方法であって、
   隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定する工程と、
   前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
2. 注目パターンを設定する工程と、
   前記多重露光領域の幅が前記注目パターンの長辺以上となるように、前記多重露光領域を設定する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光方法。
3. 請求項１または２に記載の荷電粒子線露光方法を用いてデバイスを製造する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
4. 複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させる照射手段と、
   各荷電粒子線を各要素露光領域内で偏向させる偏向手段と、
   各荷電粒子線の前記基板への照射を制御する照射制御手段と、
   隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定するとともに、前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光するように制御する手段と、を備える荷電粒子線露光装置。
5. 請求項４に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を備えるデバイス製造方法。