JP2001267221A5 - - Google Patents

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Claims (12)

  1. 荷電粒子源
    複数の開口を備えた基板と、
    前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を前記基板に照射する照射電子光学系
    前記複数の開口を通過する複数の荷電粒子線から複数の中間像を形成する複数の要素電子光学系
    前記複数の中間像を被露光面に縮小投影する投影電子光学系
    前記数の開口を通過する前記複数の荷電粒子線を個別に偏向る複数の偏向器
    前記照射電子光学系の前側焦点位置と記荷電粒子源位置との相対位置関係を変更するとともに前記複数の偏向器を個別に制御するとで、前記複数の中間像が前記被露光面に投影される位置を調整する制御手段を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  2. 前記照射電子光学系は複数の電子レンズを有し、前記複数の電子レンズのうち少なくとも1つの電子レンズの電子光学的パワーを調整することで前記相対位置関係を変更する請求項1記載の荷電粒子線露光装置。
  3. 前記制御手段は、位置調整の目標値と前記相対位置関係の変更量との差にもとづいて前記複数の偏向器を制御する請求項1または2に記載の荷電粒子線露光装置。
  4. 前記複数の中間像が前記投影電子光学系を介して前記被露光面に投影される位置に関する情報に基づいて、前記制御手段は前記標値を設定する請求項3に記載の荷電粒子線露光装置。
  5. 前記複数の中間像が前記投影電子光学系を介して前記被露光面に投影される位置に関する情報に基づいて、前記制御手段は前記相対位置関係の変更を複数回行う請求項3に記載の荷電粒子線露光装置。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光基板を露光する段階と、前記被露光基板を現像する段階とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
  7. 荷電粒子源から荷電粒子線を放射する段階
    照射電子光学系によって前記荷電粒子源から放射される前記荷電粒子線を複数の開口を備えた基板に照射する段階
    前記複数の開口を通過する複数の荷電粒子線から複数の中間像を成する段階
    複数の偏向器によって前記複数の荷電粒子線を別に偏向る段階
    前記複数の中間像を被露光面に縮小投影する段階
    前記複数の偏向器を個別に制御するとともに、前記照射電子光学系の前側焦点位置と前記荷電粒子源位置との相対位置関係を変更することで、前記複数の中間像が前記被露光面に投影される位置を調整する段階を有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
  8. 前記照射電子光学系は複数の電子レンズを有し、前記複数の電子レンズのうち少なくとも1つの電子レンズの電子光学的パワーを調整することで前記相対位置関係を変更する請求項7記載の荷電粒子線露光方法。
  9. 位置調整の目標値と記相対位置関係の変更量との差にもとづいて前記複数の偏向器を制御する請求項7または8に記載の荷電粒子線露光方法。
  10. 前記複数の中間像が前記被露光面に投影される位置に関する情報基づいて、前記目標値を設定する請求項9に記載の荷電粒子線露光方法。
  11. 前記複数の中間像が前記被露光面に投影される位置に関する情報に基づいて前記相対位置関係変更複数回行う請求項9に記載の荷電粒子線露光方法。
  12. 請求項7〜11のいずれかに記載の荷電粒子線露光方法を用いて被露光基板を露光する段階と、前記被露光基板を現像する段階とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7041988B2 (en) 2002-05-10 2006-05-09 Advantest Corp. Electron beam exposure apparatus and electron beam processing apparatus
JP4421836B2 (ja) * 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4313145B2 (ja) 2003-10-07 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
WO2005112073A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-24 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle beam exposure system
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP5634052B2 (ja) 2009-01-09 2014-12-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
SG10201912510QA (en) * 2015-09-23 2020-02-27 Kla Tencor Corp Method and system for focus adjustment a multi-beam scanning electron microscopy system

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097538A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビーム描画装置
JP3647136B2 (ja) * 1996-04-23 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JP3647143B2 (ja) * 1996-06-12 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置及びその露光方法
JP3673608B2 (ja) * 1997-01-16 2005-07-20 キヤノン株式会社 電子ビーム照明装置及び該装置を備えた電子ビーム露光装置

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