JP2006261342A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006261342A5 JP2006261342A5 JP2005075830A JP2005075830A JP2006261342A5 JP 2006261342 A5 JP2006261342 A5 JP 2006261342A5 JP 2005075830 A JP2005075830 A JP 2005075830A JP 2005075830 A JP2005075830 A JP 2005075830A JP 2006261342 A5 JP2006261342 A5 JP 2006261342A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- sample
- exposure apparatus
- onto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 1
Claims (4)
- 荷電粒子源からの荷電粒子線を試料上に投影する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線を偏向するブランキング手段と、
前記ブランキング手段の偏向動作に応じて前記荷電粒子線の前記試料上への照射を制御するためのブランキング絞りと、
前記荷電粒子線を偏向し前記試料上で走査させる偏向器と、を備え、
前記偏向器は、前記荷電粒子線が前記試料上に照射される時間と前記荷電粒子線が前記試料上に照射されない時間の和で表される露光サイクルで動作し、
前記露光サイクルは、可変に設定されていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 前記荷電粒子線が前記試料上に照射される時間は、前記荷電粒子線のビーム電流、前記試料のレジスト感度および近接補正値のうち少なくとも１つに基づいて求められることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
- 前記試料上に投影される前記荷電粒子線は複数本存在するマルチビーム型である請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置を用いて試料に露光を行う工程と、露光された前記試料を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005075830A JP4761508B2 (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005075830A JP4761508B2 (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006261342A JP2006261342A (ja) | 2006-09-28 |
| JP2006261342A5 true JP2006261342A5 (ja) | 2008-04-24 |
| JP4761508B2 JP4761508B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=37100253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005075830A Expired - Fee Related JP4761508B2 (ja) | 2005-03-16 | 2005-03-16 | 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4761508B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5283410B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法 |
| JP5859778B2 (ja) | 2011-09-01 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5826566B2 (ja) | 2011-09-01 | 2015-12-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| TWI477925B (zh) | 2011-10-04 | 2015-03-21 | Nuflare Technology Inc | Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method |
| JP5977941B2 (ja) | 2011-12-19 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5970213B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6014342B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5977550B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP5956797B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6147528B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP6013089B2 (ja) | 2012-08-30 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP6215586B2 (ja) | 2012-11-02 | 2017-10-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP6057700B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP6080540B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-02-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP6061741B2 (ja) | 2013-03-13 | 2017-01-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビームの電流調整方法 |
| TWI533096B (zh) | 2013-05-24 | 2016-05-11 | Nuflare Technology Inc | Multi - charged particle beam mapping device and multi - charged particle beam rendering method |
| JP6190254B2 (ja) | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6262024B2 (ja) | 2014-03-04 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2015201576A (ja) | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9390891B2 (en) * | 2014-08-15 | 2016-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for charged particle lithography system |
| JP2016122676A (ja) | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社アドバンテスト | 露光装置および露光方法 |
| JP2017143187A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成形アパーチャアレイの評価方法 |
| JP6804389B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2020-12-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および描画方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3419913B2 (ja) * | 1994-11-14 | 2003-06-23 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
| JP3236162B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2001-12-10 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 |
| JP2005032888A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法 |
-
2005
- 2005-03-16 JP JP2005075830A patent/JP4761508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006261342A5 (ja) | ||
| TWI653512B (zh) | 電子束裝置及電子束之位置偏移修正方法 | |
| US7652271B2 (en) | Charged-particle beam lithography with grid matching for correction of beam shot position deviation | |
| JP4932117B2 (ja) | 基板の断面の画像化装置 | |
| JP6155044B2 (ja) | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 | |
| WO2006086815A3 (en) | Charged-particle exposure apparatus | |
| JP2006261342A (ja) | 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US20080230722A1 (en) | Integrated circuit and method including a patterning method | |
| EP1674933A3 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JP2004004557A5 (ja) | ||
| US20030043358A1 (en) | Methods for determining focus and astigmatism in charged-particle-beam microlithography | |
| Platzgummer et al. | eMET POC: realization of a proof-of-concept 50 keV electron multibeam mask exposure tool | |
| JP2006186125A5 (ja) | ||
| JP2006210458A5 (ja) | ||
| JP3492977B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH05335221A (ja) | 荷電粒子線露光法および露光装置 | |
| JP5848135B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP2007329220A (ja) | マルチビーム荷電粒子線装置及びマルチビーム荷電粒子線の制御方法およびデバイス製造方法 | |
| JP2022146501A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 | |
| WO2006076740A3 (en) | Synchronous raster scanning lithographic system | |
| JP2008027965A5 (ja) | ||
| JP2023160972A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2004294436A5 (ja) | ||
| JP2001267221A5 (ja) | ||
| WO2000067291A3 (en) | Microfabricated template for multiple charged particle beam calibrations and shielded charged particle beam lithography |