JP2005236292A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. リソグラフィ装置であって、
   放射線の投影ビームを供給するための照明システム、
   前記投影ビームの断面にパターンを付けるのに役立つ個々に制御可能な素子のアレイ、
   基板を支持するための基板テーブル、および
   前記パターン化したビームを前記基板の目標部分上に投影するための投影システムを含む装置に於いて、
   前記投影システムが集束素子のアレイを含み、各集束素子は、当該集束素子に対応づけられる複数の前記個々に制御可能な素子からのパターン化したビームの放射線を前記基板へ向けそれによって基板のある領域を露光するように構成されており、
   各集束素子に対応づけられる個々に制御可能な素子の各々は互いに独立に制御され、各集束素子により基板に投影される放射強度が２つ以上の異なる強度レベルのうちの１つに設定されるよう構成されている装置。
2. 前記個々に制御可能な素子の各々を二つの状態の一つにセットでき、第１状態では、第１強度の放射線が前記パターン化したビームの対応する部分に入り、および第２状態では、第２の、低い強度、好ましくは実質的にゼロの強度の放射線が前記パターン化したビームの対応する部分に導き入れられる請求項１に記載された装置。
3. 前記個々に制御可能な素子の各々を一つ以上の付加的状態にセットでき、その状態では、放射線を、前記第１および第２状態の強度の間で且つ他の状態と異なる強度で前記パターン化したビームの対応する部分に導き入れる請求項２に記載された装置。
4. 少なくとも一つの個々に制御可能な素子を、その状態の各々でそれが前記個々に制御可能な素子に入射する放射線の、同じ集束素子に関連する少なくとも一つの他の個々に制御可能な素子と異なる割合を前記関連する集束素子へ渡すようにセットできる請求項２に記載された装置。
5. 更に、前記個々に制御可能な素子の一つに入射する放射線の強度を同じ集束素子に関連する他の個々に制御可能な素子に対して減少するために少なくとも一つの減衰器を含む請求項１に記載された装置。
6. 更に、前記個々に制御可能な素子から伝播して前記関連する集束素子に達する放射線の一部が少なくとも一つの他の個々に制御可能な素子から伝播して前記集束素子に達する放射線の更なる部分より少ないように、前記個々に制御可能な素子の一つからの放射線を減衰するために少なくとも一つの減衰器を含む請求項１に記載された装置。
7. 更に、前記基板の所定の部分を露出しながら、前記基板を前記投影システムに対して実質的に一定の速度で動かすためのアクチュエータ、および
   前記個々に制御可能な素子をセットするための制御信号を提供するための制御装置で、前記基板上の１点が一つの集束素子によって照射される領域内にある間に前記点で受ける放射線の強度を変えるように、前記個々に制御可能な素子のセットを変えるように構成してある制御装置を含む請求項１に記載された装置。
8. 更に、前記基板の所定の部分を露出しながら、前記基板上の与えられた点が異なる集束素子によって照射される複数の領域内を通過するように、前記基板を前記投影システムに対して実質的に一定の速度で動かすためのアクチュエータ、および
   前記個々に制御可能な素子をセットするための制御信号を提供するための制御装置で、前記集束素子が照射する複数の領域の放射線強度が、前記領域を通過する、前記基板上の点が前記露出中に所望の全放射線量を受けるようになっているように、前記個々に制御可能な素子に必要なセットをできるように構成してある制御装置を含む請求項１に記載された装置。
9. デバイス製造方法であって、
   照明システムを使って放射線の投影ビームを用意する工程、
   前記投影ビームの断面にパターンを付けるために個々に制御可能な素子のアレイを使う工程、
   基板の目標部分上に前記パターン化したビームを投影するための投影システムの一部として、集束素子のアレイを使う工程であって、前記集束素子の各々が当該集束素子に対応づけられる複数の前記個々に制御可能な素子からの前記パターン化したビームの放射線を前記目標部分内の対応領域へ向けるように構成してあり、且つ各集束素子に対応する複数の前記個々に制御可能な素子が複数の異なる状態にセットされ、その各々の状態で異なる強度の放射線が対応する複数の前記個々に制御可能な素子から伝播される集束素子のアレイを使う工程、および
   ２つ以上の放射強度レベルのうちの所望の１つを前記基板上の前記対応領域に生じるように、各集束素子に対応する前記個々に制御可能な素子の各々を独立にセットする工程を含む方法。
10. 前記個々に制御可能な素子の各々を少なくとも三つの状態にセットできる請求項９に記載されたデバイス製造方法。
11. 更に、前記基板の所定の部分を露出しながら、前記基板を前記投影システムに対して実質的に一定の速度で動かす工程および前記基板上の与えられた点が一つの集束素子によって照射される領域内にある間に前記個々に制御可能な素子のセットを変える工程を含む請求項９に記載されたデバイス製造方法。
12. 更に、前記基板の所定の部分を露出しながら、前記基板を前記投影システムに対して実質的に一定の速度で動かす工程および複数の集束素子が照射する領域の放射線強度が、前記領域を通過する前記基板上の点が所望の全放射線量を受けるようになっているように、前記個々に制御可能な素子に必要なセットを適用する工程を含む請求項９に記載されたデバイス製造方法。