JP2010034719A - 周波数調整装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の素子が密に配置されたウエハ10を、搬送手段により一方向に搬送しながら、ウエハに対してイオンビームを照射し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する。シャッタ14a,14bとウエハ10との間に配置したパターンマスク15のマスク穴15a,15bをエリア毎に独立に設けると共に、マスク穴をウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設ける。マスク穴を個別に開閉できるようにシャッタ14a,14bを各マスク穴に対応して設け、ウエハ搬送方向に直交する方向の1列のエリア10aの周波数調整を複数段階で行う。
【選択図】 図2
Description
まずウエハ10の先端部(左端部)がパターンマスク15の下方へ導入された時、最初(1番目)に右側のマスク穴15bから露出するのは、A−ロ、A−ニ、A−ヘ、A−チの4個のエリアである。したがって、これら4個のマスク穴15bから露出したエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ14bによって調整される。
全てのシャッタ14bが閉じられた後、ウエハ10を1ピッチだけ搬送方向に移動させると、次に(2番目)に右側のマスク穴15bから露出するのは、B−ロ、B−ニ、B−ヘ、B−チの4個のエリアである。なお、この時点ではウエハ10が左側のマスク穴15aに到達していないため、左側のマスク穴15aからは未だエリアが露出しない。右側のマスク穴15bから露出した4個のエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ14bによって調整される。
全てのシャッタ14bが閉じられた後、ウエハ10を1ピッチだけ搬送方向に移動させると、次に(3番目)に左側のマスク穴15aからA−イ、A−ハ、A−ホ,A−ト,A−リの5個のエリアが露出し、右側のマスク穴15bからC−ロ、C−ニ、C−ヘ、C−チの4個のエリアが露出する。これらマスク穴から露出したエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ14a,14bによって調整される。
その後は3番目と同じ動作を繰り返すため、重複説明を省略する。
2 処理室
5 エッチング用イオンガン5
6 可動ステージ(搬送手段)
10 ウエハ
10a エリア
11 シャッタベース
12(12a,12b) アクチュエータ
14a,14b シャッタ
15 パターンマスク
15a,15b マスク穴
16 制御装置
Claims (6)
- 複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対してエッチング用イオンガンによってイオンビームを照射し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、
前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、
前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、
前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、
前記ウエハ搬送方向に直交する方向の1列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置。 - 複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対して周波数調整物質付与手段によって周波数調整物質を付与し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアの周波数調整物質付与時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、
前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、
前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、
前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、
前記ウエハ搬送方向に直交する方向の1列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置。 - 前記エリアには複数の素子が含まれることを特徴とする請求項1又は2に記載の周波数調整装置。
- 前記搬送手段は、前記ウエハの1エリア分を1ピッチとして間欠搬送するものであり、
前記パターンマスクのマスク穴は、前記ウエハ搬送方向と直交する方向に2列にかつウエハ搬送方向に交互に1素子又は複数素子分開けて設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の周波数調整装置。 - 前記搬送手段は、前記ウエハの1エリア分を1ピッチとして間欠搬送するものであり、
前記パターンマスクのマスク穴は、前記ウエハ搬送方向と直交する方向に2列にかつウエハ搬送方向に交互に1ピッチ又は複数ピッチ分開けて設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の周波数調整装置。 - 前記シャッタは、前記ウエハ搬送方向と直交する第1列目のマスク穴を閉じる第1シャッタ群と、前記ウエハ搬送方向と直交する第2列目のマスク穴を閉じる第2シャッタ群とを備え、第1シャッタ群を駆動するアクチュエータと第2シャッタ群を駆動するアクチュエータとは、前記パターンマスクのウエハ搬送方向の両側に対向して配置されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の周波数調整装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228931A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Showa Shinku Co Ltd | 圧電振動子の周波数調整装置及び周波数調整方法 |
JP2013077785A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Seiko Epson Corp | シャッター装置集合体 |
JP2013090103A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Seiko Epson Corp | シャッター装置 |
JP2013098307A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Showa Shinku:Kk | シャッタユニット、シャッタ装置、及び圧電素子の周波数調整装置 |
JP2014001434A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-01-09 | Showa Shinku Co Ltd | シャッタ機構、シャッタ開閉方法、プログラム、及びシャッタ機構を備えた周波数調整装置 |
JP2015023325A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | サンダース アンド アソシエイツ エルエルシー | 水晶振動子のエッチング方法、及び、エッチング装置。 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9779643B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-10-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter configurations |
US9578318B2 (en) | 2012-03-14 | 2017-02-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter calibration |
US11068049B2 (en) | 2012-03-23 | 2021-07-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Light guide display and field of view |
JP5732421B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
US10191515B2 (en) | 2012-03-28 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Mobile device light guide display |
US9558590B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-01-31 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Augmented reality light guide display |
US9717981B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-08-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Augmented reality and physical games |
US10502876B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-12-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide optics focus elements |
US8497486B1 (en) * | 2012-10-15 | 2013-07-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source having a shutter assembly |
US10192358B2 (en) | 2012-12-20 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Auto-stereoscopic augmented reality display |
US10324733B2 (en) | 2014-07-30 | 2019-06-18 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Shutdown notifications |
US20160035539A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Lauri SAINIEMI | Microfabrication |
US9787576B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-10-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Propagating routing awareness for autonomous networks |
US10592080B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-03-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Assisted presentation of application windows |
US10254942B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Adaptive sizing and positioning of application windows |
US10678412B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic joint dividers for application windows |
US9414417B2 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Propagating communication awareness over a cellular network |
US9827209B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-11-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US10317677B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-06-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US10018844B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wearable image display system |
US11086216B2 (en) | 2015-02-09 | 2021-08-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Generating electronic components |
CN105957790B (zh) * | 2016-07-01 | 2017-08-25 | 苏州至臻精密光学有限公司 | 一种离子束刻蚀机及其刻蚀方法 |
DE102017130926A1 (de) * | 2017-12-21 | 2019-06-27 | RF360 Europe GmbH | Waferanordnung, Verfahren zur Fertigung von derselben und Hybridfilter |
US10598832B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-03-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for forming diffracted optical element having varied gratings |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160159A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-03 | Nkk Corp | 帯板の皮膜形成装置 |
JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH10173460A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Tdk Corp | 圧電部品の周波数特性調整方法 |
JP2001036370A (ja) * | 1999-05-14 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の周波数調整装置及び周波数調整方法 |
JP2002026673A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の周波数調整方法 |
JP2007228634A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-09-06 | Showa Shinku:Kk | イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置及び共振周波数調整方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040892A (en) * | 1997-08-19 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
AU1691899A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method of producing the apparatus, and exposure method, and device and method of manufacturing the device |
JP4138384B2 (ja) | 2002-07-19 | 2008-08-27 | 株式会社昭和真空 | ソレノイド、シャッタ機構並びにそれを用いた圧電素子の周波数調整方法及びその装置 |
-
2008
- 2008-07-28 JP JP2008192950A patent/JP4591570B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-18 US US12/487,635 patent/US8319197B2/en active Active
- 2009-07-22 DE DE102009034230.3A patent/DE102009034230B4/de active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160159A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-03 | Nkk Corp | 帯板の皮膜形成装置 |
JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH10173460A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Tdk Corp | 圧電部品の周波数特性調整方法 |
JP2001036370A (ja) * | 1999-05-14 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の周波数調整装置及び周波数調整方法 |
JP2002026673A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子の周波数調整方法 |
JP2007228634A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-09-06 | Showa Shinku:Kk | イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置及び共振周波数調整方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228931A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Showa Shinku Co Ltd | 圧電振動子の周波数調整装置及び周波数調整方法 |
JP2013077785A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Seiko Epson Corp | シャッター装置集合体 |
JP2013090103A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Seiko Epson Corp | シャッター装置 |
JP2013098307A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Showa Shinku:Kk | シャッタユニット、シャッタ装置、及び圧電素子の周波数調整装置 |
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