JP2006005066A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
成膜方法及び成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006005066A JP2006005066A JP2004178235A JP2004178235A JP2006005066A JP 2006005066 A JP2006005066 A JP 2006005066A JP 2004178235 A JP2004178235 A JP 2004178235A JP 2004178235 A JP2004178235 A JP 2004178235A JP 2006005066 A JP2006005066 A JP 2006005066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- catalyst body
- deposited
- film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 真空容器2内に設置された被堆積材3上に薄膜形成を行う成膜装置であって、材料ガスの一部を活性化する触媒体5と、触媒体5と接触するように材料ガスの一部を導入する第1のガス供給手段6と、触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第2のガス供給手段7とを有する。材料ガスの少なくとも一部を触媒体5により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより残りの材料ガスを活性化して堆積種とし、被堆積材4上に薄膜を堆積させる。
【選択図】 図1
Description
成膜装置として、図1に示す構造の装置を用い、被堆積材としてシリコン基板を用いて、触媒CVD法により窒化シリコン膜を成膜した。また、水素ガス、アンモニアガス及びモノシランを材料ガスとして用いた。触媒体はタングステンにより形成されている。触媒体と基板との距離は200mmとした。
成膜装置として、図1に示す構造の装置を用いたが、第1ガス放出部からガスを出さない方法を行った。被堆積材としてシリコン基板を用いて、触媒CVD法により窒化シリコン膜を成膜した。また、水素ガス、アンモニアガス及びモノシランを材料ガスとして用いた。触媒体はタングステンにより形成されている。触媒体と基板との距離は200mmとした。
従来の触媒CVD装置、すなわち、第2ガス放出部を備えず、触媒体から見て基板と反対側にシャワーヘッド状の第1ガス放出部を備えること以外は、実施例1で用いた成膜装置とほぼ同じ構成の装置を用いた。また、被堆積材としてシリコン基板を用いて、触媒CVD法により窒化シリコン膜を成膜した。水素ガス、アンモニアガス及びモノシランを材料ガスとして用いた。触媒体はタングステンにより形成されている。触媒体と基板との距離は200mmとした。
真空容器内の成膜圧力を30Paとしたこと以外は、比較例1と同様にして成膜を行った。この条件での堆積速度をエリプソメトリにより膜厚を求め計算したところ、7nm/分であり、比較例1より悪化していた。また、基板ホルダー温度を20℃で一定として、前記の条件で成膜したときの基板の温度は、75℃であった。
触媒体と基板との距離を50mmとしたこと以外は、比較例1と同様にして成膜を行った。この条件での堆積速度を求めたところ、成膜圧力10Paで50nm/分であり、実施例1と同等の堆積速度である。また、基板ホルダーの温度を20℃で一定とし、前記の条件で成膜したときの基板の温度を熱電対により測定した。その結果、基板温度は240℃であった。
実施例3では、材料ガスとしてモノシラン及びアンモニアガスを用い、水素ガスを使用しなかったこと、並びに、成膜装置として図1に示すような装置を用いたこと以外は、実施例1と同様にして窒化シリコン膜を成膜した。なお、実施例3での材料ガスの流量は、第1ガス放出部よりアンモニア流量100sccm、及び第2ガス放出部から、モノシラン10sccm、アンモニアガス300sccmとした。
実施例4では、図5に示すような隔壁を有する成膜装置を用いたこと以外は、実施例1と同様にして成膜を行った。この条件での堆積速度をエリプソメトリにより膜厚を求め計算したところ、55nm/分であり、実施例1に比べて若干増加していた。また、基板ホルダー温度を20℃で一定として、前記の条件で成膜したときの基板の温度は、75℃であった。さらに、真空容器の内壁を観察したところ、触媒体よりガスの流れについて上流側の内壁には、窒化シリコン膜はほとんど堆積していなかった。
実施例5では、図7及び図8に示すような触媒体の支持体を有する成膜装置を用い、触媒体の長手方向両端から中央に向けて触媒体に沿うように水素ガスを流しながら成膜を行った。ただし、図7に示すような隔壁は用いなかった。それ以外の条件は、実施例1と同様である。この条件での堆積速度をエリプソメトリにより膜厚を求め計算したところ、48nm/分であった。成膜された窒化シリコン膜は、実施例1の窒化シリコン膜に比べてエッチングレートが小さく、緻密な膜であった。
実施例6では、隔壁を真空容器内に取り付けた成膜装置を用いたこと以外は、実施例5と同様に成膜を行った。この条件での堆積速度をエリプソメトリにより膜厚を求め計算したところ、53nm/分であり、実施例5に比べて堆積速度の向上が見られた。また、成膜された窒化シリコン膜は、実施例5の窒化シリコン膜と同様に、実施例1の窒化シリコン膜に比べてエッチングレートが小さく、緻密な膜であった。
Claims (12)
- 材料ガスの一部を触媒体により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより、当該触媒体と被堆積材との間の空間に導入した材料ガスの少なくとも一部を活性化して堆積種とし、被堆積材上に薄膜を堆積させることを特徴とする成膜方法。
- 前記材料ガスが、シリコン含有ガス、アンモニアガス、及び水素ガスであり、堆積される薄膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記触媒体により活性化する材料ガスが、水素ガスの少なくとも一部であることを特徴とする請求項2記載の成膜方法。
- 前記触媒体により活性化する材料ガスが、水素ガスの少なくとも一部、及びアンモニアガスの少なくとも一部であることを特徴とする請求項2記載の成膜方法。
- 材料ガスの全部を前記触媒体と被堆積材との間の空間に直接導入することを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記材料ガスが、シリコン含有ガス、アンモニアガス、及び水素ガスであり、堆積される薄膜が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項5記載の成膜方法。
- 真空容器内に設置された被堆積材上に薄膜形成を行う成膜装置であって、
材料ガスの一部を活性化する触媒体と、
前記触媒体と接触するように材料ガスの一部を導入する第1のガス供給手段と、
前記触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第2のガス供給手段とを有することを特徴とする成膜装置。 - 前記第1のガス供給手段が、前記触媒体の長手方向両端から中央方向に向けて材料ガスの一部を導入することを特徴とする請求項7記載の成膜装置。
- 前記第1のガス供給手段は、前記触媒体の長手方向の途中に配され、前記触媒体と接触するように材料ガスの一部を導入する補助ガス供給路を有することを特徴とする請求項8記載の成膜装置。
- 前記真空容器の前記支持体の外側での材料ガスの流通を遮断する隔壁を有することを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項記載の成膜装置。
- 真空容器内に設置された被堆積材上に薄膜形成を行う成膜装置であって、
材料ガスの一部を活性化する触媒体と、
前記真空容器内に材料ガスを導入するガス供給手段とを有し、
前記ガス供給手段は、前記触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの全部を直接導入することを特徴とする成膜装置。 - 前記真空容器の前記触媒体の外側での材料ガスの流通を遮断する隔壁を有することを特徴とする請求項11記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004178235A JP4283168B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004178235A JP4283168B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006005066A true JP2006005066A (ja) | 2006-01-05 |
JP4283168B2 JP4283168B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=35773195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004178235A Expired - Fee Related JP4283168B2 (ja) | 2004-06-16 | 2004-06-16 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4283168B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007132887A1 (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2008208404A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231571A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231570A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその製造方法 |
JP2013501384A (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非炭素流動性cvdプロセスを使用する酸化ケイ素の形成 |
JP2014513208A (ja) * | 2011-03-22 | 2014-05-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 熱ワイヤを使用して被覆を行うための装置および方法 |
JP2016136601A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2004
- 2004-06-16 JP JP2004178235A patent/JP4283168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007132887A1 (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2007308735A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR101130897B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2012-03-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 |
JP2008208404A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231571A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231570A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその製造方法 |
JP2013501384A (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非炭素流動性cvdプロセスを使用する酸化ケイ素の形成 |
JP2014513208A (ja) * | 2011-03-22 | 2014-05-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 熱ワイヤを使用して被覆を行うための装置および方法 |
TWI580480B (zh) * | 2011-03-22 | 2017-05-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於使用熱線系統塗佈基板之裝置與方法 |
JP2016136601A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4283168B2 (ja) | 2009-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4800344B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
TWI515763B (zh) | 縱型電漿處理裝置及半導體處理方法 | |
JP4434149B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP5812606B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR101503725B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
JP6101113B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びにプログラム | |
US20140213067A1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
KR20060015708A (ko) | 실리콘 질화막을 형성하는 cvd 방법 | |
JP5919482B2 (ja) | 触媒化学気相成膜装置、それを用いた成膜方法及び触媒体の表面処理方法 | |
JP2006013490A (ja) | 縦型cvd装置及び同装置を使用するcvd方法 | |
TWI400343B (zh) | A substrate processing method and a substrate processing apparatus | |
KR101976559B1 (ko) | 핫 와이어 화학 기상 증착(hwcvd) 챔버를 이용하여 기판의 표면을 세정하기 위한 방법들 | |
TW201126607A (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
WO2004066377A1 (ja) | 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するcvd方法 | |
US20150357181A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP4283168B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2017168788A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JPWO2017169556A1 (ja) | プラズマ電極およびプラズマ処理装置 | |
WO2020184284A1 (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
JP2013197291A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2007080898A (ja) | 静電チャック、これを備える薄膜製造装置、薄膜製造方法、並びに基板表面処理方法 | |
KR20070109384A (ko) | 원자층 증착 공정 장비의 샤워 헤드 | |
JP4144697B2 (ja) | 化学蒸着方法および装置 | |
JP7079340B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP7257949B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070402 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080918 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |