JP2006004983A - シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたウエーハに、少なくとも、ウエーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程と、該鏡面研磨されたウエーハを熱処理する熱処理工程と、該熱処理されたウエーハの表面または両面を再度研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
熱処理工程において、鏡面研磨されたウエーハをAr雰囲気下で熱処理することにより、例えばシリコンウエーハにボロンがドープされている場合であれば熱処理中にボロンが蒸発するのを防止することができるので、ウエーハにボロン抜けが起こることは無くなり、その後の再研磨工程で研磨量を決定する際にボロン抜けを考慮する必要が無くなる。すなわち、例えば特許文献2のように熱処理後の研磨工程での研磨量を片面5〜15μmと多くしなくても、研磨後のシリコンウエーハにおける表層近傍のボロン濃度を一定にすることができる。また、鏡面研磨されたウエーハを1100℃以上1300℃以下の温度で30分以上24時間以下熱処理することにより、シリコンウエーハの表層部に例えば5μm程度以上のCOPフリー領域や酸素析出物フリー領域を安定して効率的に形成することができる。
このように再研磨工程におけるウエーハの研磨量を一方の面で1.5nm以上とすることにより、熱処理後のウエーハの表面または両面を確実に鏡面化することができる。また、一般的にシリコンウエーハに熱処理を行った際にウエーハ表面に生じるヘイズはP−V値で1.5nm程度であるため、一方の面におけるウエーハの研磨量を1.5nm以上とすることにより、ヘイズを確実に取り除くことができるし、また熱処理工程でウエーハ表面に焼き付いた異物も容易に除去することが可能となる。さらに、ウエーハの裏面に形成される治具との接触痕はおよそ300nm程度であることが多いため、治具との接触痕も確実に除去するには、一方の面での研磨量を300nm以上とすることがより好ましい。
特に近年需要が高まっている直径300mm以上のシリコンウエーハでは高い平坦度を要求されており、本発明のシリコンウエーハの製造方法は、300mm以上の直径を有する大口径のシリコンウエーハを製造する場合に非常に有効であり、本発明によれば、このような大口径のシリコンウエーハを製造する時でも、COPフリー領域や酸素析出物フリー領域を十分に確保し、またウエーハ表面に生じるヘイズや異物の焼き付き、ウエーハ裏面に形成される治具との接触痕を除去して、高い平坦度を有する高品質のウエーハを製造することができる。
このように本発明により製造されたシリコンウエーハは、COPフリー領域や酸素析出物フリー領域が十分に確保されており、またウエーハ表面にヘイズや異物の焼き付きが無く、さらにウエーハ裏面に治具との接触痕も無い高い平坦度を有する高品質のウエーハとすることができるし、さらには、ウエーハ面内のグローンイン欠陥分布が一様となるウエーハとすることも可能となる。
従来のシリコンウエーハの製造では、シリコンウエーハに熱処理を施した際にウエーハ表面に生じるヘイズや異物の焼き付き、またウエーハ裏面に形成される治具との接触痕を除去するために、さらには、ボロンをドープしたシリコンウエーハに熱処理を行った際に生じたボロン濃度低下の影響を除くために、例えば特許文献2のように、熱処理工程後のシリコンウエーハに片面もしくは両面を化学機械研磨方法により鏡面研磨する研磨工程が行われていた。
図1に示したように、先ず、単結晶育成工程(工程A)でCZ法によりシリコン単結晶を育成し、その育成したシリコン単結晶をスライス工程(工程B)において内周刃切断機やワイヤーソー等を用いて薄板状にスライスしてウエーハを作製した後、ウエーハの割れ・欠けを防止するためにウエーハ外周部を面取りする面取り工程(工程C)、ウエーハを機械的に加工してその平坦度を向上させるラッピング工程(工程D)、ウエーハの加工歪みや汚染物を除去するためにウエーハをエッチングするエッチング工程(工程E)、エッチング処理されたウエーハを洗浄する洗浄工程(工程F)が順次施される。尚、これらの工程は例示列挙したに過ぎないものであり、本発明を何ら限定するものではなく、工程順の変更、一部追加や省略など、目的に応じ適宜変更して行うことができる。
このように両面が鏡面研磨されたシリコンウエーハに熱処理を行うことによって、シリコンウエーハのウエーハ表層部に存在する結晶欠陥を消滅させて、ウエーハ表層部にCOPフリー領域及び酸素析出物フリー領域を形成できるとともに、ウエーハバルク部に高密度の酸素析出物を形成することができる。
例えばシリコンウエーハにボロンがドープされている場合、ウエーハを水素雰囲気中で熱処理すると、ウエーハ表面で「2B+3H2→B2H6」の反応が進んでB2H6が生成されるが、このB2H6は蒸気圧が高く、蒸発し易い物質であるため、熱処理中に前記で説明したようにウエーハ表面近傍からボロンが抜けてしまいウエーハの抵抗値が変化するという問題があった。しかしながら、上記のように鏡面研磨されたウエーハをAr雰囲気下で熱処理することにより、シリコンウエーハにボロンがドープされている場合であっても、熱処理中にボロンが蒸発するのを防止してウエーハの抵抗値を均一に維持することができるので、その後の再研磨工程で研磨量を決定する際に、ボロン抜けを考慮して研磨量を必要以上に増加させる必要がなくなる。
尚、この熱処理工程を行うことによって、従来と同様に、シリコンウエーハの表面ではヘイズや異物の焼き付きが生じたり、またウエーハ裏面では熱処理装置の治具との接触部に接触痕が形成される。
このとき、シリコンウエーハは熱処理工程前に予めウエーハ両面が鏡面研磨されて平坦度が向上しているので、再研磨工程における研磨量を少なくすることができ、また、熱処理されたウエーハの表面または両面を少ない研磨量で再度鏡面研磨することにより、上記の熱処理工程で万一ウエーハ表面に生じたヘイズや異物の焼き付き、あるいはウエーハ裏面に形成された接触痕が生じたとしても、これらを容易に除去することができるので、ウエーハ表面を鏡面化できる。さらに、本発明では、このように再研磨工程における研磨量を少なくすることができるので、熱処理工程でウエーハ表層部に形成したCOPフリー領域及び酸素析出物フリー領域を研磨で消滅させずに十分に確保することができる。
本発明では予め両面研磨が施されているので、再研磨工程におけるウエーハの研磨量を一方の面で1.5nm以上とすることにより、ウエーハの表面または両面を確実に鏡面化することができる。さらに、前記のようにシリコンウエーハに熱処理を行った際にウエーハ表面に生じるヘイズは、通常P−V値で1.5nm程度であるため、一方の面での研磨量を1.5nm以上とすることにより、熱処理工程でウエーハ表面に生じたヘイズを確実に取り除くことができるし、また熱処理工程でウエーハ表面に焼き付いた異物も容易に除去することが可能となる。さらに、熱処理工程でウエーハの裏面に形成される治具との接触痕はおよそ300nm程度であることが多いため、再研磨工程において両面研磨する場合は、ウエーハの研磨量を一方の面で300nm以上とすることにより、ウエーハ裏面に形成される接触痕を確実に除去することができる。
(実施例1)
図1に示したフロー図に基づいてシリコンウエーハの製造を行った。
先ず、単結晶育成工程(工程A)でCZ法により直径300mmで窒素濃度5×1013atoms/cm3のシリコン単結晶を育成し、その育成したシリコン単結晶をスライス工程(工程B)においてワイヤーソーを用いてスライスすることによってウエーハを複数枚作製した。このうち、互いに隣接する3枚のウエーハを選択し、これら3枚のウエーハに、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、洗浄工程(工程C〜F)を順次施した。次いで、得られた3枚のシリコンウエーハに図2に示した両面研磨装置50を用いて両面研磨工程(工程G)を行った後、鏡面研磨された3枚のシリコンウエーハを縦型熱処理炉にセットしてAr雰囲気下、1200℃で1時間の熱処理を施した(工程H)。
単結晶育成工程(工程A)でCZ法によりシリコン単結晶を育成する際に、ドープする窒素の濃度を2×1015atoms/cm3とすること以外は上記実施例1と同様にして3枚のシリコンウエーハに熱処理工程(工程H)まで行った後、これらの3枚のシリコンウエーハを使用して、上記実施例1同様に、COPの深さ分布、BMD特性、及び最終製品となるウエーハの表裏両面の表面状態について評価した。
上記実施例1と同様の条件で単結晶育成工程(工程A)でCZ法によりシリコン単結晶を育成した後、スライス工程(工程B)を行い、その後互いに隣接する2枚のウエーハを選択し、これら2枚のウエーハに、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、洗浄工程(工程C〜F)を順次施した。
次に、得られた2枚のシリコンウエーハを研磨することなく縦型熱処理炉にセットしてAr雰囲気下、1200℃で1時間の熱処理を施した後、この熱処理したウエーハに片面5μmずつの鏡面研磨をウエーハの両面に行った。
また、残るもう一方のウエーハについては、パーティクルカウンターSP−1による測定によりウエーハの表裏両面の表面状態について評価した後、そのシリコンウエーハのウエーハ表面から10μmまでの範囲のCOPの深さ分布を上記実施例1と同様にして測定した。
上記比較例1において、熱処理後に行う鏡面研磨の研磨量を片面4μmずつとすること以外は、上記比較例1と同様にして2枚のシリコンウエーハを作製した。
その後、得られた2枚のウエーハのうちの一方のウエーハについては、上記比較例1と同様にしてBMD密度と酸素析出物フリー領域の深さを求め、また、残るもう一方のウエーハについては、ウエーハの表裏両面の表面状態について評価した後、そのシリコンウエーハのウエーハ表面から10μmまでの範囲のCOPの深さ分布を測定した。
53…スラリー供給孔、 54…サンギヤ、 55…インターナルギヤ、
56a…上定盤、 56b…下定盤、 57a,57b…研磨布、
58…ウエーハ保持孔、 W…シリコンウエーハ。
Claims (7)
- シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたウエーハに、少なくとも、ウエーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程と、該鏡面研磨されたウエーハを熱処理する熱処理工程と、該熱処理されたウエーハの表面または両面を再度研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶に窒素をドープすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶にドープする窒素の濃度を1×1013〜1×1015atoms/cm3とすることを特徴とする請求項2に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記熱処理工程において、前記鏡面研磨されたウエーハをAr雰囲気下、1100℃以上1300℃以下の温度で30分以上24時間以下熱処理することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記再研磨工程におけるウエーハの研磨量を一方の面で1.5nm以上4μm以下とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 前記製造するシリコンウエーハを、直径300mm以上のものとすることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの製造方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたシリコンウエーハ。
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