JP2010098208A - シリコンウェーハの熱処理方法及び熱処理装置、並びに、シリコンウェーハ - Google Patents
シリコンウェーハの熱処理方法及び熱処理装置、並びに、シリコンウェーハ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】シリコンウェーハ30が保持されたボート20を炉心管11内にロードし、シリコンウェーハ30を1100℃以上の温度でアニールする。アニール工程を行った後、炉心管11内でシリコンウェーハ30の温度を500℃以下に降温する。降温工程を行った後、ボート20を炉心管11から取り出す際、ボート20の取り出し速度を45cm/min以下とする。これにより、アンロード時におけるシリコンウェーハ30の冷却速度が緩やかとなることから、熱処理によって生じるシリコンウェーハへのキズを抑制することが可能となる。
【選択図】図1
Description
11 炉心管
11a シャッタ
12 ヒータ
13 ロード/アンロード機構
14 温度調節部
15 ガス導入口
16 ガス排出口
20 ボート
21 サポートピン
30 シリコンウェーハ
31 シリコンウェーハの裏面
32 シリコンウェーハの表面
33 キズ
41,42 支持棒
43 ポンチ
Claims (8)
- シリコンウェーハが保持されたボートを炉心管内にロードし、前記シリコンウェーハを1100℃以上の温度で熱処理するアニール工程と、
前記アニール工程を行った後、前記炉心管内で前記シリコンウェーハの温度を500℃以下に降温する降温工程と、
前記降温工程を行った後、前記ボートを前記炉心管から取り出すアンロード工程と、を備え、
前記アンロード工程においては、前記ボートの取り出し速度を45cm/min以下とすることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記アンロード工程においては、前記ボートの取り出し速度を5cm/min以上とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記降温工程においては、前記シリコンウェーハの温度が900℃から500℃まで低下する温度範囲において、8℃/min以下の降温レートで降温することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記降温工程においては、前記シリコンウェーハの温度が900℃から500℃まで低下する温度範囲において、2℃/min以上の降温レートで降温することを特徴とする請求項3に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記降温工程においては、前記シリコンウェーハの温度を490℃以下に降温することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記降温工程においては、前記シリコンウェーハの温度を490℃以下200℃以上に降温することを特徴とする請求項5に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 表面から20μmの範囲にCOPが存在せず、裏面に生じているキズの最大サイズが100μm以下であり、10μm以上のキズの個数が1mm2当たり50個以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。
- 炉心管と、前記炉心管を加熱するヒータと、シリコンウェーハを保持可能なボートを前記炉心管にロード及びアンロードするロード/アンロード機構と、前記ヒータの出力を調節することによって前記シリコンウェーハの温度を制御する温度制御部とを備え、
前記温度制御部は、前記シリコンウェーハを1100℃以上の温度で熱処理した後、前記シリコンウェーハの温度を500℃以下に降温し、
前記ロード/アンロード機構は、前記シリコンウェーハの温度が500℃以下に降温された後、前記ボートを45cm/min以下の速度で前記炉心管から取り出すことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理装置。
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