JP2005516417A - プログラム可能な電子処理装置用のマウント - Google Patents

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Abstract

プログラム可能な電子処理装置のマウントが開示されている。これは少なくとも第１の機能ユニット７と第２の機能ユニット８へ分割され、別々の、特にモノリシック集積コンポーネントを表している。第１の機能ユニット７はそれらの電気的特性に関して処理装置の全ての入力および出力インターフェースを規定する。第２の機能ユニット８の全ての基本的な接続は第１の機能ユニット７を介してのみ外部からアクセス可能である。結果として、第１の機能ユニット７は第２の機能ユニット８の接続を外部状態へ電気的に適合するように機能する整合回路を含んでいる。

Description

本発明はプログラム可能な電子処理装置のパッケージまたは密封体或いはキャリア装置の意味でのマウントに関する。
通常、このような処理装置は少なくとも１つのモノリシック集積回路を具備するプロセッサを構成する。アナログおよびデジタル信号またはデータの両者はアプリケーションに応じて処理される。比較的小さい電子モジュールはこれらのプロセッサがメモリ等の付加的な回路と共に比較的小さいパッケージで収納されることを可能にする。小さいパッケージ寸法のために、通常“マイクロプロセッサ”とも呼ばれている。少なくとも２つの個々の構造が１つのマウントに含まれるならば、これは単一のモノリシック集積回路だけが存在する場合と区別して“ハイブリッド回路”とも呼ばれる。
マイクロプロセッサの使用は全ての技術領域で増加しており、それらの補助によって制御プロセスは最適化されている。付加される価格と複雑性は比較的低く、分解の分散化を可能にする。広範囲の応用は機械エンジニアリング、特に自動車分野に存在し、種々の点でのビークルの動作を最適化するためにこのようなマイクロプロセッサに対する依存が増加している。
しかしながら、このようなプロセッサが使用されることができる多くのケースでは、基本的な問題がサイクル回数がプロセッサの製造業者とユーザで非常に広く異なる事実から生じている。このようなプロセッサが技術的なシステムで採択されるとき、できる限り均一な商品が製造および、関連するシステムの開発、計画、製造、動作回数を通じての置換に有効であることが必要である。
技術を変更する場合、電気接続パラメータの変化は別として、過電圧、極性の反転、電磁干渉に対する変化された感度を考慮しなければならない。また例えば電磁干渉信号として比較的長いライン上を伝送される急峻なクロックパルスとデータエッジにより他の回路の干渉効果にも変化が存在する。
複雑さが増加する回路を構成できるように現在の技術の変化にしたがわなければならないので、半導体技術の開発は通常ユーザにより特定される時間フレームに先行している。時代遅れの技術の連続した使用は平行した生産ラインの使用を含んでおり、これは全容量の使用が保証されていないので通常、経済的ではない。
それ故、請求項１で特徴付けされている本発明の目的は、半導体の製造業者が一方では最新技術の半導体プロセスを使用し、他方では製品が長期間一定である保証をユーザに与えることを可能にするように前述の問題に対する適切な解決策を与えることである。
この目的は請求項１の特徴部分に記載された技術によって達成される。本発明によるマウントおよび処理装置は独立部分としてではなく、マウントは処理装置の外部の電気的状態を基本的に規定する処理装置の第１の機能ユニットを割当てられる。適切な処理は第２の機能ユニットで行われ、その基本的な接続は通常、第１の機能ユニットの外部接続を介してのみ外部からアクセス可能である。用語“基本的な接続”はそれらの許容度が厳格であるか、またはそれらの能動的または受動的な妨害特性が考慮されなければならないために、外部から見たときそれらの電気的パラメータに関して臨界的である接続を含んでいる。セットまたはリセット入力のように臨界的ではない接続は含まれてもよいが、これは使用される技術の予見できる進歩を考慮して長い目で安全であっても、必ずしも第１の機能ユニットを介して伝送される必要はない。マウント中に第１および第２の機能ユニットを具備する構造はハイブリッド回路に類似しているが、全体的に異なる目的の役目で機能する。２以上のモノリシック集積回路から構成されてもよい第１の機能ユニットは基本的に外部状態を規定するだけの役目を行い、第２の機能ユニットに対して適切な整合回路を利用可能にする。このようにして、第２の機能ユニットに含まれている１以上のモノリシック集積回路からなる適切な処理装置は外部から観察されるとき、“マスク”されている。純粋な整合回路に加えて、第１の機能ユニットは発振器、供給電圧調節回路、バッファ回路、保護回路等のより一般的な機能を行うサブ回路を含んでもよい。供給電圧調節回路は調節されていないまたは過剰な供給電圧を有する電源システムにおけるマイクロプロセッサの自律的な動作を許容する。これは第２の機能ユニットの動作に対して特に重要であり、その供給電圧は必要ならば使用される技術に適合され、他方ではもとの供給電圧は他の電子回路または測定装置で維持されなければならない。通常、処理装置はメモリ装置も含んでおり、メモリ装置の書込みおよび消去電圧もまた第１の機能ユニットで有効に発生されるか適合される。
第１の機能ユニットと第２の機能ユニットへの分割は技術が第１の機能ユニットで維持されるならば、これを外部から考慮する必要なく適切な処理装置のさらに技術的な進歩を可能にする。さらに、技術の進歩は通常高い処理レートと低い電圧レベルに関連される。比較的長いリードによって、処理レートは考慮される可能性のある干渉を増加する。他方で、高い処理レートは低い処理速度のために並行するプロセスが前もって必要である多数のプロセスでの逐次的な処理を可能にする。並行する処理は通常、並列データ入力および出力を必要とし、それによって接触パッド数、したがって必要なチップ面積量が増加する。したがって、プロセッサの機能の増加にかかわらず、それに比例して接触パッド数を増加させないでそれに限定することが必要である。したがって、直列のデータ入力および出力が第２の機能ユニットは望ましい。しかしながら、これは第１の機能ユニットで適切な変換装置を必要とする。
整合回路が固定されていないで、プログラム可能であるならば、適合がその後プログラムを介して可能であるので、勿論フレキシブル性はさらに大きい。新しい技術が使用されるので、プロセッサの入力および出力レベルが変化するならば、整合回路の新しい電圧レベルはプログラムを介して適合される。
本発明および有効な開発を添付図面を参照してさらに詳細に説明する。
図１を参照すると、従来技術によるマウントにおけるモノリシック集積回路１の典型的な構成の概略平面図が示されている。マウントは通常、モールドされたプラスティックパッケージであり、その外形は線２により表されている。モノリシック集積回路１のキャリアは通常フレームと呼ばれる平坦な金属スタンピング３であり、それは一方ではプラスティックパッケージを通ってモノリシック集積回路の接触パッドの直通接続を与え、他方ではモノリシック集積回路１を受けるためのプラットフォーム４を含んでいる。通常、このプラットフォームは外部接地ピンに接続されている。モノリシック集積回路１の接触パッドはボンドワイヤによりフレーム３の関連する内部リードに接続されている。モノリシック集積回路１への全ての外部リードはフレーム３を通って接続されている。
図２は従来技術のハイブリッド回路の概略平面図を示している。このハイブリッド回路は２つのモノリシック集積回路５、６から構成されている。キャリアがプラットフォーム４を有するフレーム３であるならば、２つのモノリシック集積回路はこのプラットフォームに並んで配置されている。フレーム３の関連するリードへ接続するワイヤボンドを経てモノリシック集積回路５、６へまたは回路から回路へ直接的に接続が行われる。幾つかのケースでは、より小さい回路が大きい回路へ接合される積層構造を使用する。小さい回路は通常メモリ回路またはキャパシタ、コイル、フィルタ等の特別なコンポーネントを有する回路である。
ハイブリッド回路が通常使用され、ここでは異なる基本機能を有するサブ回路は異なるメモリタイプと共に例えばアナログ回路およびデジタル回路に作用する。したがって最適な技術は各回路で利用可能である。この方法で、異なる製造業者の製品を結合することも可能である。ハイブリッド回路のマウントはまた接続がワイヤ結合により通常行われる全体的な印刷回路板であってもよい。ボード上の個々の回路とワイヤ結合はその後、プラスティックの密封体により保護される。
図３は本発明にしたがった第１および第２の機能ユニット７、８の並列配置を有するマウントの概略平面図である。２つのモノリシック集積機能ユニット７、８の並列の配置は図２の２つのモノリシック集積回路５、６の並んだ配置に比較的類似している。相違点は、図３では全ての外部接触部は第１の機能ユニットにのみ接続され、第２の機能ユニット８は第１の機能ユニット７への接続のみを有する点である。プラットフォーム４を介する共通の接地接続は例外を表している。図３はフレーム３が使用されるならば、ワイヤボンドは限定された結合形状だけを可能にするのでこのマウントは比較的少数の外部リードに限定され、内部フレームリードの設計による補償は部分的にのみ可能であることを概略表示で既に示されている。ある対策が図４で示されている積層構成によって与えられる。
フレームプラットフォーム４上に２以上のサブ回路を具備する図４の概略的な積層構成では、ほぼ図１のような中心構造が保持され、それによってフレーム３の全ての内部接触部はボンドワイヤを介して第１の機能ユニット７のエッジから容易に到達されることができる。積層構成のために、第１の機能ユニット７は第２の機能ユニット８のキャリア機能を割当てられる。勿論、これは第１の機能ユニット７のチップ領域が第２の機能ユニット８のチップ領域よりも実質上大きいことを必要とする。パッケージの外形またはプラスティック密封体の境界は線２により表されている。
図５はフレームプラットフォーム４上の積層構成と並列配置の組合わせの１実施形態を概略して示している。積層構成はほぼ図４に対応し、並列配置は図３の構成に対応する。第１の機能ユニット７は第２の機能ユニット８を支持し、共通のフレームプラットフォーム上に配置された第２の機能ユニットまたは補助ユニット９へさらに並列した位置で接続されている。外部への全ての接続は第１の機能ユニット７を介してのみ行われる。ユニット９は例えばメモリモジュールである。第２の機能ユニットへのその接続がボンドワイヤにより直接行われるかまたは間接的に第１の機能ユニット７を介して行われるかは主として空間的条件に基づいている。パッケージの外形またはプラスティック密封体の境界は線２により表されている。
図６はマウントの１実施形態の概略平面図であり、ここでは第１の機能ユニット７からの外部接続30の不適切なアクセス能力の問題が第１および第２の機能ユニット７、８の並列配置により解決されている。例えばセラミック本体からなる絶縁キャリア10はその表面上に相互接続平面11を有しており、第１および第２の機能ユニット７、８を支持している。相互接続平面11は全ての相互接続12、13、14、15、16、17および関連する接触領域20を形成するためワイヤの幾つかの相互に絶縁された層からなる。ワイヤボンド40により、第１および第２の機能ユニット７、８から相互接続の接触領域20へ接続が行われる。相互接続は相互からおよび表面から隔離され、それ故、第１または第２の機能ユニット７、８を任意に横切りまたはその下を通過し、例えば相互接続15と16、第２の機能ユニット８下を走る相互接続17の交差と比較する。この方法で、マウントの全ての外部端子30は第１の機能ユニット７から容易に到達されることができる。キャリア10はまた外部端子30に接続され、または外部端子30は製造中に既にキャリア中に埋設される。構造全体はプラスティックの密封体により包囲され、その外形は鎖線２により示されている。
図７はキャリア10と第１または第２の機能ユニット７、８の並列配置を有するさらに別のマウントの断面図を示している。この構成はほぼ図６の構成に類似している。しかしながら、外部端子がはんだパッド35のアレイにより構成されている点で図６とは異なる。この構成は外部端子数が非常に多くエッジに沿った端子の直線的な配置では間隔が非常に小さくなる場合に使用される。各はんだパッド35は穴36を介して接続され、これは相互接続平面11に対する電気接続を与える。図７の側面図では、第１および第２の機能ユニット７、８から相互接続平面11へのワイヤボンド40が明瞭に示されている。
第１および第２の機能ユニット７、８に分割することにより、本発明は勿論、モノリシック集積回路の使用に限定されない。適切であるならば、他の製造プロセスは個々のサブ回路に対して使用されてもよい。重要なことは、外部から、処理装置の電気的に一定の性能が保証され、これは一定の電気的パラメータを有する第１の機能ユニットにより適切に処理装置をマスキングすることによって実現される。
従来技術によるモノリシック集積回路の典型的なマウントの概略平面図。 従来技術によるハイブリッド回路の典型的なマウントの概略平面図。 本発明にしたがった第１および第２の機能ユニットの並列配置におけるマウントの概略平面図。 本発明にしたがった第１および第２の機能ユニットの積層構成におけるマウントの概略平面図。 本発明にしたがった積層構成と並列配置の組合わせにおけるマウントの概略平面図。 第１および第２の機能ユニットの全ての接触部が受動キャリアに接続される本発明にしたがったマウントの概略平面図。 はんだパッドのアレイにより規定された外部端子を有するほぼ図６にしたがったマウントの概略断面図。

Claims (11)

  1. 別々の特にモノリシックな集積されたコンポーネントを表す少なくとも第１の機能ユニット（７）と第２の機能ユニット（８）へ分割されるプログラム可能な電子処理装置、特にマイクロプロセッサを含んでいるマウントにおいて、
    第１の機能ユニット（７）はそれらの電気的特性に関して処理装置の全ての入力および出力インターフェースを規定し、
    第２の機能ユニット（８）の全ての基本的な接続は第１の機能ユニット（７）を介してのみ外部からアクセス可能であり、直接的なアクセスは正常であり、
    第１の機能ユニット（７）は第２の機能ユニット（８）の接続を電気的に外部状態へ適合するように機能する整合回路を具備していることを特徴とするマウント。
  2. 最初にマウントが露出され、またはプログラム可能な電子処理装置の一部だけを含み、マウントは残りの部分または処理装置の残りの部分が後に一体化されることができるように設計されていることを特徴としている請求項１記載のマウント。
  3. マウントに含まれている部分は第１の機能ユニット（７）の形成部分と見なされることを特徴とする請求項２記載のマウント。
  4. 少なくとも１つの整合回路において、電圧レベルの変化が行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマウント。
  5. 第２の機能ユニット（８）の少なくとも１つの供給端子は第１の機能ユニット（７）を介して供給され、この場合、整合回路は電圧調節装置を含んでいることを特徴とする請求項４記載のマウント。
  6. 少なくとも１つの整合回路において、電流レベルの変化が行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマウント。
  7. 少なくとも１つの整合回路においては、直列のデータ流から並列のデータ流への変換または並列のデータ流から直列のデータ流への変換が行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマウント。
  8. 少なくとも１つの整合回路において、入力または出力されるデータが一時的に記憶されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマウント。
  9. 少なくとも１つの整合回路はその電気的特性に関してプログラム可能であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマウント。
  10. 少なくとも１つの整合回路において、測定モードがプログラム可能であることを特徴とする請求項９記載のマウント。
  11. 少なくとも１つの整合回路の測定モードにおいて、マウントの外部接続から第２の機能ユニット（８）の接続部までの直接信号パスはプログラムにより切換え可能であり、整合回路を介する間接的な信号パスはオフであることを特徴とする請求項１０記載のマウント。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159111A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチチップ型半導体装置
US20090153187A1 (en) * 2003-11-28 2009-06-18 Micronas Gmbh Monolithically integrated interface circuit
DE102004022614B3 (de) * 2004-05-07 2006-01-26 Daimlerchrysler Ag Erweiterbares Steuergerät
US20070070608A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Skyworks Solutions, Inc. Packaged electronic devices and process of manufacturing same
KR101221807B1 (ko) * 2006-12-29 2013-01-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지
US8922028B2 (en) * 2007-02-13 2014-12-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
JP4469877B2 (ja) * 2007-07-12 2010-06-02 株式会社東芝 電子装置
JP5378693B2 (ja) * 2008-03-24 2013-12-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5405785B2 (ja) * 2008-09-19 2014-02-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN105223190A (zh) * 2015-11-09 2016-01-06 苏州怡创医疗器械有限公司 一种应用于化学发光测定仪的加样机构

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5386576A (en) * 1977-01-10 1978-07-31 Nec Corp Package for semiconductor element
JPH0680791B2 (ja) * 1989-06-20 1994-10-12 三洋電機株式会社 混成集積回路装置
US5245216A (en) * 1990-09-11 1993-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-molded type semiconductor device
JP3011510B2 (ja) * 1990-12-20 2000-02-21 株式会社東芝 相互連結回路基板を有する半導体装置およびその製造方法
US6295870B1 (en) * 1991-02-08 2001-10-02 Alliedsignal Inc. Triaxial angular rate and acceleration sensor
US5331853A (en) 1991-02-08 1994-07-26 Alliedsignal Inc. Micromachined rate and acceleration sensor
JPH0689962A (ja) * 1992-02-28 1994-03-29 Mega Chips:Kk 半導体装置
JP2701712B2 (ja) * 1993-11-11 1998-01-21 日本電気株式会社 半導体装置
US5408127A (en) * 1994-03-21 1995-04-18 National Semiconductor Corporation Method of and arrangement for preventing bonding wire shorts with certain integrated circuit components
FR2718571B1 (fr) * 1994-04-08 1996-05-15 Thomson Csf Composant hybride semiconducteur.
KR0149798B1 (ko) * 1994-04-15 1998-10-01 모리시다 요이치 반도체 장치 및 그 제조방법과 리드프레임
JPH09312357A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH1064956A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Fujitsu Ltd フェースダウンボンディング半導体装置
JP3685585B2 (ja) * 1996-08-20 2005-08-17 三星電子株式会社 半導体のパッケージ構造
US6281590B1 (en) * 1997-04-09 2001-08-28 Agere Systems Guardian Corp. Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module
JP3191743B2 (ja) 1997-09-30 2001-07-23 富士ゼロックス株式会社 機能変更可能な半導体装置
US6871413B1 (en) * 1997-12-15 2005-03-29 Microstrain, Inc. Miniaturized inclinometer for angle measurement with accurate measurement indicator
US6185280B1 (en) * 1998-02-12 2001-02-06 Intervoice Limited Partnership Line impedance matching using dynamically generated transfer functions
DE19808193B4 (de) * 1998-02-27 2007-11-08 Robert Bosch Gmbh Leadframevorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
JPH11261351A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器ｍｍｉｃ
JPH11354643A (ja) 1998-06-08 1999-12-24 Mitsubishi Electric Corp プリシリコン評価ツール実装構造
JP3380465B2 (ja) * 1998-06-29 2003-02-24 松下電器産業株式会社 半導体装置
US6392304B1 (en) * 1998-11-12 2002-05-21 United Memories, Inc. Multi-chip memory apparatus and associated method
JP3754221B2 (ja) * 1999-03-05 2006-03-08 ローム株式会社 マルチチップ型半導体装置
US6388319B1 (en) * 1999-05-25 2002-05-14 International Rectifier Corporation Three commonly housed diverse semiconductor dice
JP2001185676A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sharp Corp 半導体装置
JP2001227902A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US20030005191A1 (en) * 2000-12-08 2003-01-02 Montierth Mark D. Integrated circuit method and apparatus
JP2002217416A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Hitachi Ltd 半導体装置
US6521994B1 (en) * 2001-03-22 2003-02-18 Netlogic Microsystems, Inc. Multi-chip module having content addressable memory
US6396130B1 (en) * 2001-09-14 2002-05-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having multiple dies with independently biased back surfaces
US6633005B2 (en) * 2001-10-22 2003-10-14 Micro Mobio Corporation Multilayer RF amplifier module
US6774718B2 (en) * 2002-07-19 2004-08-10 Micro Mobio Inc. Power amplifier module for wireless communication devices

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