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Claims (17)

  1. 内部領域を画定するTO−canキャップおよびTO−canヘッダーと、
    TO−canヘッダーに接続されている複数のポストと、
    内部領域に搭載されているレーザーと、
    レーザーと該複数のポストのうちの少なくとも1つのポストとを結合する電気経路
    を含む光電子装置であって、
    該電気経路は、所定のインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子装置内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該レーザーと、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子装置。
  2. 前記2つまたはそれ以上のボンドワイヤの合計長が600マイクロメートル未満である、請求項に記載の装置。
  3. 前記伝送線路が共面導波路を含む、請求項に記載の装置。
  4. 前記伝送線路が低域フィルタを含む、請求項に記載の装置。
  5. 前記内部領域にサブマウントをさらに含み、前記伝送線路が該サブマウント上にある、請求項に記載の装置。
  6. 前記電気経路が複数のボンドワイヤと少なくとも1つのコンデンサとを含み、複数のボンドワイヤと少なくとも1つのコンデンサが直列に結合されており、該少なくとも1つのコンデンサがアースに結合されている、請求項1に記載の装置。
  7. 前記レーザーが1回目に少なくとも10Gbpsの速度で駆動される、請求項1に記載の装置。
  8. 内部領域を画定するTO−canキャップおよびTO−canヘッダーと、
    TO−canヘッダーに接続されている複数のポストと、
    内部領域に搭載されている光検出器と、
    光検出器と複数のポストのうちの少なくとも1つのポストとを結合する電気経路
    を含む光電子装置であって、
    該電気経路は、所定のインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子装置内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該光検出器と、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子装置。
  9. 前記2つまたはそれ以上のボンドワイヤの合計長が600マイクロメートル未満である、請求項に記載の装置。
  10. 前記伝送線路が共面導波路を含む、請求項に記載の装置。
  11. 前記伝送線が帯域フィルタを含む、請求項に記載の装置。
  12. 前記内部領域にサブマウントをさらに含み、前記伝送線が該サブマウントある、請求項に記載の装置。
  13. 前記電気経路が複数のボンドワイヤと少なくとも1つのコンデンサとを含み、複数のボンドワイヤと少なくとも1つのコンデンサとが直列に結合されており、該少なくとも1つのコンデンサがアースに結合されている、請求項8に記載の装置。
  14. 前記光検出器が1回目に少なくとも10Gbpsの速度でデータを受信する、請求項に記載の装置。
  15. 画定された内部パッケージ領域を有するTO−canキャップおよびヘッダーのアッセンブリと、
    該TO−canアッセンブリのヘッダーに接続されている複数のポストと、
    少なくとも1つのポストと該内部パッケージ領域内の光電子部品とを結合するように構成されている電気経路と
    を含む光電子パッケージであって、
    該電気経路は、制御されたインピーダンスを有する伝送線を含み、該伝送線は、ボンドワイヤ以外の、所定の長さを有する導体素子で形成されており、該導体素子は該光電子パッケージ内の寄生効果を減少し、該伝送線自体は、該光電子部品と、複数のボンドワイヤを有するポストとに接続されている、光電子パッケージ。
  16. 前記光電子部品はVCSELである、請求項15に記載の光電子パッケージ。
  17. 前記光電子部品は光検出器である、請求項15に記載の光電子パッケージ。
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