CN215342617U - 一种光探测器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种光探测器，包括底座、TIA和地线，所述底座的上端具有安装面，所述安装面上形成有安装槽，所述安装槽的底部水平，所述TIA设置于所述安装槽内，所述地线的两端分别连接所述安装面和所述TIA的顶面，所述地线为金丝键合线，所述安装槽的深度尺寸与所述TIA的高度尺寸的差值不超过50μm，其通过在底座上面开设安装槽，将TIA安装在安装槽的底部，保证TIA的顶面与安装面基本齐平，有效的缩短了金丝键合线的长度，可以将金丝键合线的高度差缩小至50um以内，使整个光探测器的高频阻抗更小，从而获得更好的性能。

Description

一种光探测器

技术领域

本实用新型涉及光纤通信设备技术领域，尤其涉及一种光探测器。

背景技术

光纤通信的原理是：在发送端首先要把传送的信息(如话音)变成电信号，然后调制到激光器发出的激光束上，使光的强度随电信号的幅度(频率)变化而变化，并通过光纤发送出去；在接收端，探测器收到光信号后把它变换成电信号，经解调后恢复原信息，因而，应用在接收端的光探测器是光纤通信领域一个重要的电器元件。

目前市场上，光探测器一般包括光电倍增管、热电探测器、半导体光探测器，其中，半导体光探测器中的光电二极管体积小，灵活度高，响应速度快，在光纤通信系统中得到了广泛的应用，半导体光探测器内部的光电二极管和TIA(trans-impedance amplifier，跨阻放大器)之间一般通过金丝键合线连接，对于金丝键合线而言，其拱高越低，金丝长度越小，使用中的传输损耗越小，现有技术中，T0型光探测器的TIA一般直接安装在探测器的底座上，金丝的两端连接TIA和底座，金丝键合线两端的高度差就是TIA厚度，其金丝长度较长，高频性能会受到一定影响。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中存在的技术问题，提供一种光探测器，以减小高频阻抗，增加高频性能。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种光探测器，包括底座、TIA和地线，所述底座的上端具有安装面，所述安装面上形成有安装槽，所述安装槽的底部水平，所述TIA设置于所述安装槽内，所述地线的两端分别连接所述安装面和所述TIA的顶面，所述地线为金丝键合线，所述安装槽的深度尺寸与所述TIA的高度尺寸的差值不超过50μm。

本申请所提供的光探测器，通过在底座上面开设安装槽，将TIA安装在安装槽的底部，保证TIA的顶面与安装面基本齐平，有效的缩短了金丝键合线的长度，可以将金丝键合线的高度差缩小至50um以内，使整个光探测器的高频阻抗更小，从而获得更好的性能。

在上述技术方案的技术上，本申请还具有如下改进：

进一步的，所述安装槽为横截面为矩形的方槽。

进一步的，所述TIA的下端贴设于所述安装槽的底部。

进一步的，所述安装槽的大小尺寸为长度1.12mm，宽度1.1mm，深度0.25mm。

采用上述技术方案后，由于方槽尺寸与TIA的尺寸接近，可以有效保证金丝键合线的长度和拱高。

进一步的，还包括PD芯片、第一引线柱、第二引线柱和第三引线柱，所述第一引线柱用于向所述TIA供电，所述第二引线柱用于所述TIA输出电信号，所述第三引线柱用于与所述PD芯片电连接。

进一步的，所述TIA通过第一电容金丝键合至所述第一引线柱，所述TIA通过输出金丝连接至所述第二引线柱，所述PD芯片安装于所述底座上，所述PD芯片通过两个串联的第二电容连接至所述第三引线柱。

进一步的，所述TIA和所述第一引线柱之间以及所述PD芯片和所述第三引线柱之间均采用两根金丝连接。

采用上述技术方案后，相比采用单根金丝连接，能降低金丝的寄生电容，提升性能。

进一步的，还包括管帽，所述管帽焊接在所述底座上，所述管帽上设有透镜，用于将外部光束汇聚在PD芯片的光敏面上。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种光探测器的侧视结构示意图；

图2为本实用新型提供的一种光探测器的俯视结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、底座；2、TIA；3、地线；4、PD芯片；5、第一引线柱；6、第二引线柱；7、第三引线柱；8、管帽；

11、安装面；1a、安装槽；21、第一电容；22、输出金丝；41、第二电容。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本实用新型的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本实用新型的实施例一起用于阐释本实用新型的原理，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，本申请实施例提供了一种光探测器，包括底座1、TIA2和地线3，所述底座1的上端具有安装面11，所述安装面11上形成有安装槽1a，所述安装槽1a的底部水平，所述TIA2设置于所述安装槽1a内，所述地线3的两端分别连接所述安装面11和所述TIA2的顶面，所述地线3为金丝键合线，所述安装槽1a的深度尺寸与所述TIA2的高度尺寸的差值不超过50μm。

本申请所提供的光探测器，通过在底座1的上端面开设安装槽1a，将TIA2安装在安装槽1a的底部，保证TIA2的顶面与安装面11基本齐平，有效的缩短了金丝键合线的长度，可以将金丝键合线的高度差缩小至50um以内，使整个光探测器的高频阻抗更小，从而获得更好的性能。

在本申请优选的实施例中，所述安装槽1a为横截面为矩形的方槽；所述TIA2的下端贴设于所述安装槽1a的底部；且所述安装槽1a的大小尺寸为长度1.12mm，宽度1.1mm，深度0.25mm，其方槽尺寸与TIA2的尺寸接近，可以有效保证金丝键合线的长度和拱高。

在本申请的实施例中，如图2所示，该光探测器还包括PD芯片4、第一引线柱5、第二引线柱6、第三引线柱7和管帽8。

其中，所述第一引线柱5用于向所述TIA2供电，第一引线柱5又称为供电引线柱；所述第二引线柱6用于所述TIA输出电信号，第二引线柱6又称为TIA输出引线柱，所述第三引线柱7用于与所述PD芯片4电连接，其中，第三引线柱又称为PD引线柱。

在本申请优选的实施例中，所述TIA2通过第一电容21金丝键合至所述第一引线柱5，所述TIA2通过输出金丝22连接至所述第二引线柱6，所述PD芯片4安装于所述底座1上，所述PD芯片4通过两个串联的第二电容41连接至所述第三引线柱7。

更优选的，所述TIA2和所述第一引线柱5之间以及所述PD芯片4和所述第三引线柱7之间均采用两根金丝连接；其相比采用单根金丝连接，能降低金丝的寄生电容，提升性能。

其中，所述管帽8焊接在所述底座1上，所述管帽8上设有透镜，用于将外部光束汇聚在PD芯片4的光敏面上。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种光探测器，其特征在于，包括底座、TIA和地线，所述底座的上端具有安装面，所述安装面上形成有安装槽，所述安装槽的底部水平，所述TIA设置于所述安装槽内，所述地线的两端分别连接所述安装面和所述TIA的顶面，所述地线为金丝键合线，所述安装槽的深度尺寸与所述TIA的高度尺寸的差值不超过50μm。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述安装槽为横截面为矩形的方槽。

3.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述TIA的下端贴设于所述安装槽的底部。

4.根据权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述安装槽的大小尺寸为长度1.12mm，宽度1.1mm，深度0.25mm。

5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，还包括PD芯片、第一引线柱、第二引线柱和第三引线柱，所述第一引线柱用于向所述TIA供电，所述第二引线柱用于所述TIA输出电信号，所述第三引线柱用于与所述PD芯片电连接。

6.根据权利要求5所述的光探测器，其特征在于，所述TIA通过第一电容金丝键合至所述第一引线柱，所述TIA通过输出金丝连接至所述第二引线柱，所述PD芯片安装于所述底座上，所述PD芯片通过两个串联的第二电容连接至所述第三引线柱。

7.根据权利要求6所述的光探测器，其特征在于，所述TIA和所述第一引线柱之间以及所述PD芯片和所述第三引线柱之间均采用两根金丝连接。

8.根据权利要求5所述的光探测器，其特征在于，还包括管帽，所述管帽焊接在所述底座上，所述管帽上设有透镜，用于将外部光束汇聚在PD芯片的光敏面上。

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