KR20080111560A

KR20080111560A - 저 인덕턴스 광 트랜스미터 서브마운트 어셈블리

Info

Publication number: KR20080111560A
Application number: KR1020087028988A
Authority: KR
Inventors: 다린 제이 두머; 더 린 응웬; 홍유 뎅; 마틴 캘버러; 메이지어 아미어키아이
Original assignee: 피니사 코포레이숀
Priority date: 2006-04-27
Filing date: 2007-04-27
Publication date: 2008-12-23
Also published as: US8447153B2; WO2007127916A2; KR101135073B1; GB2450277A; WO2007127916A3; GB0818267D0; US20070289764A1; JP2009535824A; GB2450277A8; CN101438190B; CN101438190A; DE112007001048T5; GB2450277B; JP5147832B2; WO2007127916A8

Abstract

광 서브어셈블리 내에서 운반되는 데이터 신호의 정합성(integrity)을 개선하기 위한 저 인덕턴스 구조물이 개시된다. 일 실시예에서, 광 서브어셈블리는 렌즈 어셈블리와 광 아이솔레이터를 보유하는 하우징을 포함하여 이루어진다. 광 서브어셈블리는, 캡과 함께 작용하여 밀폐 포위부를 정의하는 마운팅면을 정의하는 베이스를 가지는 광전자 패키지를 더 포함한다. 서브어셈블리의 제1 및 제2 신호 리드는, 밀폐 포위부 안으로 뻗어 있는 단부를 포함한다. 서브마운트는 베이스 마운팅면 상에 배치된다. 저 인덕턴스 구조물은 서브마운트에 일체로 형성되어 있고, 제1 및 제2 리드 사이에 위치한 유전체를 포함한다. 유전체는 성형 엣지와, 서브마운트 상에 배치되는 도전 배선과 전기적으로 통신하는 도전 패드 구조물들을 포함한다. 각각의 패드 구조물 역시 복수 개의 접합선을 통해 제1 및 제2 신호 리드 중 각각의 것과 전기적으로 통신한다.

인덕턴스, 서브마운트, 광전자, 리드

Description

저 인덕턴스 광 트랜스미터 서브마운트 어셈블리{Low Inductance Optical Transmitter Submount Assembly}

본 발명은 일반적으로 광전자 패키지(optoelectonic package)에 대한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은, 패키지의 광 트랜스미터 또는 리시버에 대한 저 인덕턴스 전기 데이터 경로를 제공하는 데에 도움이 되는 통신 모듈인 광전자 패키지용 서브마운트 어셈블리에 대한 것이다.

특정한 멀티 소스 규약(Multi-Source Agreements, "MSAs")은, 전형적으로는 고속 통신 네트워크에 사용되는 광 트랜스시버(transceiver) 모듈("트랜스시버")과 같은 통신 모듈에 의해 송신되고 수신되는 데이터를 담고 있는 광 신호의 여러 측면들을 관리한다. 어떤 MSAs에 대한 일 측면은, 트랜스시버의 구성요소에 의해 송신 또는 수신 데이터를 담고 있는 전기 데이터 신호의 성질이 다르다는 것이다. 일반적으로, 트랜스시버로 또는 트랜스시버로부터 또는 트랜스시버 내에서 운반되는 데이터는 흔히 듀얼 데이터 경로를 통해 송신된다. 듀얼 데이터 경로는, 하나의 데이터 경로가 다른 것의 반대로 기능하는 차분 데이터 경로(differential data path)로서 기능한다. 예를 들어 운반되는 논리값 "1"은, 듀얼 데이터 경로 중 제1 데이터 경로에서는 상대적으로 높은 값으로서 나타내어지는 반면, 제2 데이터 경로 에서는 상대적으로 낮은 값으로서 나타내어진다. 상응하여, 논리값 "0"은 이와 반대로, 제1 데이터 경로에서는 상대적으로 낮은 값으로서, 제2 데이터 경로에서는 상대적으로 높은 값으로서 나타내어진다. 이것은, "1" 또는 "0"을 나타내고 그에 따라 수신된 신호를 해석하는 것과 같이 두 개의 데이터 경로 간의 특정한 관계를 설정함으로써, 차분 데이터 경로 환경에서의 논리값 "1" 또는 "0"의 디지털 해석을 가능하게 한다.

전형적인 트랜스시버의 설계는, 듀얼 송신 데이터 라인을 포함하는 단일의 차분 송신 데이터 경로 및 듀얼 수신 데이터 라인을 포함하는 단일의 차분 수신 데이터 경로를 포함한다. 트랜스시버가 호스트 장치에 의해 수용되면, 트랜스시버와 호스트 사이를 통하는 차분 송신 및 수신 데이터 경로에 의해 운반되는 데이터 신호의 송신 및 수신을 가능하게 하기 위하여, 이러한 차분 송신 및 수신 데이터 경로들은 호스트의 상응하는 데이터 경로와 작동가능하게 연결된다.

통신 네트워크 내에서 데이터 속도가 증가할 때, 상기 속도를 조달하기 위해 솔루션이 끊임없이 구해지는데, 이와 동시에 데이터 신호를 보전한다. 데이터 신호를 보전하는 데에 있어 일 측면은, 신호 인덕턴스를 받아들일 수 있는 수준으로 유지하는 것을 포함한다. 그러나, 데이터 속도가 계속 증가하고 트랜스시버 설계 역시 그렇게 되어 갈 때, 신호 라인 인덕턴스를 과도한 한도 이하로 유지하는 것은 더 힘들어진다. 이에 따라, 일반적인 데이터 속도로 데이터 신호를 송신할 수 있는 한편 신호 라인 인덕턴스를 받아들일 수 있는 수준으로 유지하는 데에 도움이 되도록 고안된 광전자 장치에 대한 필요성이 당해 기술분야에 존재한다.

본 발명은 당해 기술분야에 있어, 상기의 그리고 다른 필요성에 의한 해답으로서 고안되었다. 요약하면, 본 발명의 실시예들은 트랜스미터 광 서브어셈블리와 같은 광 서브어셈블리에서 운반되는 데이터 신호의 보전을 개선하기 위한 저 인덕턴스 구조물에 대한 것이다.

일 실시예에서, 광 서브어셈블리는 렌즈 어셈블리와 광 아이솔레이터(optical isolator)를 담고 있는 하우징을 포함하여 이루어진다. 노우즈피스(nosepiece)이 하우징에 포함된다. 광 서브어셈블리는 캡(cap)과 함께 작용하여 밀폐 포위부(hermetic enclosure)를 정의하는 마운팅면을 정의하는 베이스(base)를 가지는 광전자 패키지를 더 포함한다. 상기 서브어셈블리의 제1 및 제2 신호 리드는 밀폐 포위부 내로 뻗어 있는 단부를 포함한다. 서브마운트가 베이스 마운팅면에 배치된다.

저 인덕턴스 구조물이 서브마운트와 일체로 형성되는데, 제1 리드와 제2 리드 사이에 놓여지는 유전체(dielectric body)를 포함한다. 유전체는 제1 및 제2 리드의 외주부의 형태에 상응하는 성형 엣지(shaped edge)를 포함한다. 유전체는 서브마운트에 배치되는 도전 배선(conductive trace)과 전기적으로 통신하는 도전 패드 구조물들을 더 포함한다. 또한 각 패드 구조물은, 복수 개의 접합선(wirebond)을 통해 제1 및 제2 신호 리드 각각의 것과 전기적으로 통신한다. 이런 식으로, 상대적으로 낮은 인덕턴스의 차분 신호경로가 제1 및 제2 신호 리드로부터, 마운팅면에 배치되는 레이저 다이오드(laser diode)와 같은 광전자 요소에까지 정의된다.

본 발명의 상기의 그리고 다른 특징들은, 이하의 설명 및 첨부된 청구항 또는 이하에서 설명하는 본 발명의 실시예로부터 더욱 명확해질 것이다.

본 발명에 대한 상기의 그리고 다른 이점과 특징들을 더욱 명확히 하기 위하여, 첨부된 도면에 도시된 특정의 실시예를 참조하여 본 발명에 대하여 보다 특정하여 설명할 것이다. 이 도면들은 단지 본 발명의 전형적인 실시예를 나타내는 것이고, 따라서 본 발명의 범위를 한정하는 것이라고 간주되어서는 아니될 것이다. 본 발명은 첨부 도면을 통해 추가적인 특정과 세부내용으로써, 서술되고 설명될 것인 바, 도면의 구체적 내용은 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 광 트랜스시버 모듈에 대한 사시도이고,

도 2는 본 발명의 일 실시예를 포함하는 광 서브어셈블리에 대한 사시도이며,

도 3은 도 2에서의 광 서브어셈블리에 대한 전개도이고,

도 4는 도 2에서의 광 서브어셈블리에 대하여 선 4-4를 따라 취해진 측단면도인데, 본 발명의 일 실시예를 포함하는 TO 패키지를 나타내고 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 저 인덕턴스 구조물을 포함하는 TO 패키지의 내부면에 대한 사시도이고,

도 6은 일 실시예에 따라 구성된 저 인덕턴스 구조물을 포함하는 TO 패키지의 내부면에 대한 상면도이며,

도 7은 도 6에서의 저 인덕턴스 구조물의 바닥면에 대한 사시도이고,

도 8은 광 서브어셈블리에 대한 측단면도인데, 본 발명의 일 실시예를 포함하는 TO 패키지를 나타내고 있다.

도 9는 다른 실시예에 따른 저 인덕턴스 구조물을 포함하는 TO 패키지의 내부면에 대한 개략 상면도이고,

도 10은 또 다른 실시예에 따른 저 인덕턴스 구조물을 포함하는 TO 패키지의 내부면에 대한 개략 상면도이며,

도 11은 또 다른 실시예에 따른 저 인덕턴스 구조물을 포함하는 TO 패키지의 내부면에 대한 개략 상면도이고,

도 12a와 도 12b는 본 발명 일 실시예의 실시 효과를 나타내는 아이 다이어그램(eye diagram)이며,

도 13a와 도 13b는 각각, 본 발명의 다른 실시예를 포함하는 TO 패키지의 사시도와 상면도이다.

이제 부호가 도면에 붙여질 것인데, 유사한 구조물에는 유사한 부호가 부여될 것이다. 도면들은 본 발명의 대표적 실시예들에서의 도식적인 개략의 도시이지, 본 발명을 한정하는 것이라든가 반드시 그 크기로 확대, 축소되어야 하는 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다.

도 1 내지 도 13b는, 일반적으로 통신 모듈에 연결하여 사용되는 광전자 장치를 나타내는 본 발명 실시예들의 여러 특징들을 나타내고 있다. 가능한 일 실시 예에서, 광전자 장치는 광 트랜스시버 모듈의 트랜스미터 광 서브어셈블리에 포함된 트랜지스터 개략 패키지(transistor outline package)이다. 트랜지스터 개략 패키지 내의 두 개의 고속 차분 신호 라인에 대한 인덕턴스는, 적절히 제어되지 않는다면 적절한 데이터 신호 전송에 문제를 일으킬 수 있다.

본 발명의 실시예들은, 트랜지스터 개략 패키지 베이스의 차분 고속 신호 라인 리드와, 베이스 상의 서브마운트 사이의 저 인덕턴스 경로를 제공하는 데에 도움이 된다. 특히 저 인덕턴스 구조물은, 서브마운트의 차분 신호 라인들 사이에 적어도 부분적으로는 끼이도록, 서브마운트에 인접한 패키지 베이스 상에 놓인다. 연장 조각(extension piece)은, 상대적으로 많은 숫자의 상대적으로 짧은 접합선이 차분 신호 라인과 서브마운트 사이의 데이터 신호를 전송하는 데에 사용될 수 있도록 한다. 연장 조각은 또한, 신호 경로의 전체 인덕턴스를 낮추고 신호 보전을 높일 수 있게 하는 용량 특성 및 다른 전기적 특성을 제공한다. 저 인덕턴스 구조물의 설계와 구성은 여러 요소들에 의해 수정될 수 있고, 저 신호 라인 인덕턴스가 선호되고 필요한 여러 형태의 광전자 패키지에서 실행될 수 있다.

1. 작동 환경의 대표예

우선, 일 실시예에서 통신 네트워크에 작동가능하게 연결되는 외부 호스트(미도시)와 연결되어 광 신호를 송신하고 수신하는 데에 사용되며, 도면부호 '100'으로 나타내어지는, 광 트랜스시버 모듈("트랜스시버")에 대한 사시도를 나타내는 도 1에 대한 도면부호를 부여하겠다. 도시된 것과 같이, 도 1의 트랜스시버는, 리 시버 광 서브어셈블리(10, receiver optical subassembly: "ROSA"), 트랜스미터 광 서브어셈블리(20, transmitter optical subassembly: "TOSA"), 전기 인터페이스(30), 여러 전자 요소(40) 및 인쇄회로기판(50, printed circuit board" "PCB")를 포함한, 여러 구성요소를 포함한다. 상세히 설명하자면, 두 개의 전기 인터페이스(30)가 트랜스시버(100) 안에 포함되는데, 이들 각각의 것은 PCB(50) 상에 위치하는 복수 개의 도전 패드(35)에 ROSA(10)와 TOSA(20)를 전기적으로 연결하는 데에 사용된다. 또한, 전기 인터페이스로서 연성 회로(flexible circuit)와 같은 다른 구조물이 사용될 수도 있다. 전자 요소(40) 역시 PCB(50)에 장착된다. 엣지 커넥터(60, edge connector)가 PCB(50)의 일 단부에 위치하여, 트랜스시버(100)가 호스트(미도시)와 전기적으로 인터페이스할 수 있도록 한다. 이와 같이, PCB(50)는 ROSA(10)/TOSA(20)와 호스트 간의 전기적 통신을 용이하게 한다.

또한, 상기 설명한 트랜스시버(100)의 구성요소는 부분적으로는 용기(70, shell) 내에 수용된다. 도시되지는 않았지만, 덮개가 용기(70)와 함께 작용하여 트랜스시버(100)의 구성요소를 위한 하우징을 구성한다. 도 1에 도시된 트랜스시버(100)는 뒤집어져 있는 것이어서, 통상 도면에서 위를 향하고 있도록 도시된 면들이 트랜스시버의 바닥으로 설명된다. 따라서, 본 명세서에서 쓰여진 "상부"와 "바닥"이라는 용어는, 단지 본 발명의 실시예들을 용이하고 명확하게 설명하기 위한 것일 뿐이다.

본 발명의 실시예들이 실행될 수 있는 광 트랜스시버(100)를 상세히 설명하기는 하지만, 그것은 단지 예시의 수단으로서 설명하는 것이지, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니라는 것을 이해해야 할 것이다. 당연히, 저(低) 신호 라인 인덕턴스를 필요로 하는 다른 광학 장치, 광전자 장치, 전자 장치 및 구성요소도, 마찬가지로, 본 발명의 실시예들로부터 도움을 받을 것이다.

본 명세서에서 설명되고 도시된 광 트랜스시버(100)는, 당해 업계에서 알려진 대응하는 멀티 소스 규약("MSA")에 의해 지정되는 소형 접속(small form pluggable, "SFP") 형태 팩터(form factor)와 작동 기준을 충족시킨다. 그러나, 그럼에도 불구하고, 본 발명의 실시예들은, 1Gbit, 2Gbit, 4Gbit, 8Gbit, 10Gbit 또는 더 높은 대역폭(bandwidth)의 광섬유 링크를 포함하되 그것에 제한되지는 않는, 여러 가지의 초당 데이터 속도로 광 신호를 송수신하도록 구성된 트랜스시버에 대하여 실행될 수 있다. 또한 본 발명의 원리들은, XTP, SFF와 같은 어떠한 형태 팩터의 광 트랜스시버에 대해서도 제한 없이 실행될 수 있다.

간략히 개관하면, 작동 중인 트랜스시버(100)는 외부 호스트(미도시)로부터 데이터를 담고 있는 전기 신호를 수신할 수 있는데, 호스트는 데이터-운반 광 신호를 광 섬유(미도시)로 송신하는 광 트랜스시버(100)와 통신할 수 있는 어떠한 계산 또는 통신 시스템 또는 장치일 수 있다. 호스트로부터 트랜스시버(100)에 공급되는 전기 데이터 신호는, 한 쌍의 차분 송신 신호 라인(미도시)를 통해 트랜스시버(100) 내에서 운반된다. 차분 신호 라인 쌍의 각 신호 라인은, 신호 극성만 서로 다른 두 개의 데이터 신호 흐름 중 하나를 운반한다. 여기에서, 라인들은 각 라인의 양극 또는 음극을 표시하는 각각의 "+" 또는 "-" 표시기(indicator)로써 칭해진다. 차분 전기 데이터 신호 흐름들의 이러한 반대 극성은, 논리값 "1" 비트와 논리 값 "0" 비트 사이의 차분 크기(differential magnitude)를 확장함으로써, 그 안에 함유된 데이터의 보다 정확한 해독을 용이하게 한다. 여기에서, 차분 전기 데이터 신호는 동일한 전달 방향으로 이동하는 단일한 흐름의 디지털 데이터를 나타낸다.

전기 차분 데이터 신호는 TOSA(20)에 위치하는 레이저와 같은 광원(light source)에 제공되는데, 그것은 전기 신호를, 예를 들어 광 섬유로의 방사 및 광 통신 네트워크를 경유한 송신을 위한 데이터-운반 광 신호로 변환한다. 레이저는 수직 캐비티 표면 방사 레이저(vertical cavity surface emitting laser: VCSEL), 분포 피드백 레이저(distributed feedback laser: DFL), 페이브리-페롯(Fabry-Perot: FP) 레이저, 발광 다이오드(light-emitting diode: LED) 또는 다른 적당한 광원일 수 있다. 이에 따라, TOSA(20)는 전자-광 트랜스듀서(electro-optic transducer) 로서 기능한다.

또한, 트랜스시버(100)는 ROSA(10)에 작동가능하게 연결된 광 섬유로부터 데이터-운반 광 신호를 수신하도록 구성된다. ROSA(10)는, 연결된 광 섬유를 거쳐 수신된 광 신호를 전기 데이터 신호로 변환하기 위하여 광 탐지기(photodetector) 또는 다른 적당한 장치를 이용함으로써, 광-전기 트랜스듀서(opto-electric transducer)로서 기능한다. 상기의 전기 데이터 신호는 한 쌍의 차분 수신 신호 라인을 통해 운반된다. 차분 송신 신호 라인의 경우와 같이, 차분 수신 신호 라인 각각은, 신호 극성만 서로 다른 두 개의 차분 전기 데이터 신호 흐름 중 하나를 운반한다. 여기에서, 라인들은 각 라인의 양극 또는 음극을 표시하는 각각의 "+" 또는 "-" 로써 칭해진다.

2. 구조 및 작동의 측면

도 1과 더불어, 이제 본 발명의 일 실시예를 포함하는 트랜스미터 광 서브어셈블리에 대해 더 자세히 나타내는 도 2 및 도 3에, 일반적으로 '20'으로 지정되는도면부호를 부여할 것이다. 도 2 내지 도 4에 있어 TOSA(20)는, 설계상 약간 변할 수는 있어도, 도 1에 나타난 TOSA와 기능 및 전체적 설계 면에서 유사하며, 그럼으로써 본 발명의 실시예들이 여러 구성 및 설계를 가지는 광전자 장치에서 실행될 수 있음을 나타내게 된다는 것이 이해되어야 할 것이다. 이미 설명한 것과 같이, 다른 장치들 또한 본 발명의 실시예들을 이용할 수 있을 것이며, 이는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다.

더 자세히 설명하자면, TOSA(20)는 TOSA의 여러 내부 요소를 수용하는 하우징(80)을 포함한다. 노즈피스(82,nosepiece)가 하우징(80)에 장착되거나 일체로 형성되어, 광 신호가 TOSA(20)로부터 송신될 수 있게끔, 커넥터화된 광 섬유(미도시)에 광학적으로 연결되도록 구성된다.

트랜지스터-윤곽(transistor-outline, "TO") 패키지(84)로서 실행되는 광전자 패키지가, 하우징(80)과 짝지어져 도시되어 있다. TO 패키지(84)는 TOSA 용기(80)의 단부에 장착되는 베이스(86, base)를 포함한다. 도 3에서 도면부호 "96"으로 도시된 캡(cap)은, 하우징(80)에 의해 부분적으로 한정된 내부 체적 내에 위치한다. 캡(96)은 포위부(enclosure)를 한정하기 위하여 베이스(86)와 짝지어진다. 이 포위부 안에는, 이하에서 설명하게 될, 장착되는 하나 이상의 전자 및 광전자 요소(여기서는 미도시)가 포함되어 있다.

TOSA(20)는 베이스에 구비되는 리드 구멍(94)을 거쳐 베이스(86)를 통해 뻗어 있는 복수 개의 리드(lead,90)를 더 포함한다. 시일(seal,92)은 리드를 베이스(86)로부터 전기적으로 절연시키기 위하여, 각 구멍(94) 내에 배치된 각 리드(90)의 부분을 둘러싼다. 베이스(86)의 외부면으로부터 뻗어 있는 리드(90) 부분은, 도 1에서 도면부호 "30"으로 도시된 것과 같은 전기적 인터페이스에 전기적으로 연결되어 있고, 그럼으로써 트랜스시버(100)의 PCB(50)로의 전기적 연결이 가능하게 된다. TOSA(20)의 외부면으로부터 상당한 거리 만큼 떨어져 뻗어 있는 것으로 도시되어 있지만, 외부 리드(90)는, TOSA(20)의 컴팩트한 성질을 유지하기 위하여 전기적 인터페이스(30)에 장착되기 전 또는 장착된 후에 클립으로 고정된다.

리드(90) 부분은 또한 TO 패키지 베이스(86)와 캡(96)에 의해 형성된 내부 체적 안으로 뻗는다. TO 패키지(84)의 여러 전자 및 광전자 요소가, 이하에서 상세히 설명하는 방식으로 리드(90)에 전기적으로 연결된다. 이런 식으로, 전력(power) 및/또는 데이터 신호가 TO 패키지(84) 내에 배치되는 레이저 요소 및 다른 요소로 제공된다.

더 상세히는, 리드(90)가 두 개의 차분 송신 데이터 라인(90A,90B)을 포함한다. 이 리드들(90A,90B)은 또한, 고속 라인 또는 AC 라인으로 칭해질 수 있는데, 호스트로부터 전송된 상대적으로 서로 다른 극성을 가지는 전기 차분 송신 데이터 신호의 운반을 담당한다. 도 5에 대한 설명에서 나오겠지만, TOSA 노즈피스(82)에 작동가능하게 연결된 광섬유 상으로 신호를 일으키도록 준비된 레이저에 의해 차분 전기 데이터 신호가 광 데이터 신호로 변환될 수 있도록 하기 위하여, 데이터 라인(90A,90B)은 TO 패키지(84)의 레이저 광원 또는 다른 적당한 광원에 작동가능하게 연결되어 있다.

도 3과 도 4는 TOSA(20)의 또 다른 구성요소들을 도시하고 있다. 서브마운트(110)가 TO 패키지(84) 베이스(86)의 내부면(86A) 상에서 캡(96)에 의해 둘러싸인 체적 내에 포함되어 있다. 서브마운트(110) 상에 배치된 레이저원 또는 광원(도 5)에 의해 만들어진 광 신호가 TO 패키지(84)를 빠져나갈 수 있도록 하기 위하여, 광 투과성 창(96A)이 캡(96) 내에 포함되어 있다. 광 신호가 노즈피스(82)의 리셉터클(receptacle,118)에 작동가능하게 체결된 광섬유 안으로 일으켜지기 전에 광 신호를 더욱 조절하기 위하여, 렌즈(112)와 아이솔레이터(isolator,116)를 가지는 렌즈 어셈블리(112)가 광 신호 경로(optical signal light path)를 따라 위치한다. 상기 설명한 것이 본 발명의 일 실시예에 있어 하나의 가능한 환경에 대하여 상세한 것을 제공하지만, 다른 대안적 환경과 장치의 실행이 여기에서 설명된 본 발명의 실시예들을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 예를 들어, 상기 언급된 구성요소들 각각을 가지고 있지는 않은 TOSA가 사용될 수 있다. 또는 다른 일 실시예에서는, 이하에서 상세히 설명하겠지만, 신호 라인 인덕턴스를 유지하기 위하여 ROSA가 본 발명의 구성요소들을 이용할 수도 있다.

이제 TO 패키지(84)의 여러 세부적인 것들을 더 도시하고 있는 도 5를 참조하여 설명하겠다. 특히, 도 5는 내부 베이스 면(86A)과 그 위에 위치한 서브마운트(110)를 도시하고 있다. 일 실시예에서의 서브마운트(110)는 질화 알루미늄 또는 산화 알루미늄으로 되어 있는데, 에폭시 접착제 또는 다른 적당한 고정 수단으로 내부면(86)에 부착된다.

위에서 설명한 것과 같이, 레이저에 의해 만들어진 광 신호가 TO 패키지(84)로부터 방출될 수 있도록, 레이저(120)가 서브마운트(110) 면 상에 포함되어 있으면서 캡(96)의 창(96A, 도 4)에 정렬되어 있다. 레이저(120)는 서브마운트(110) 면 상에 배치된 여러 배선(122)들에 전기적으로 연결되어서, 레이저에 바이어스 전력(bias power)을 공급한다. 또한, 신호 라인들에 의해 운반되는 차분 데이터 신호가 레이저 광 신호로 변조될 수 있도록 하기 위하여, 레이저(120)는 선택된 배선(122)을 통해 차분 신호 라인들(90A,90B)에 전기적으로 연결되어 있다. 그리하여, 레이저(120)는 전기적 데이터 신호를 광 신호로 변환하는 전기 광학 트랜스듀서로서 기능하는 것이다.

차분 신호 라인들(90A,90B)은 복수 개의 접합선(wire bond, 124)에 의해 각각 인근의 배선(122A,122B)에 전기적으로 연결되어 있다. 도 5에 나타난 바와 같이, 접합선(124)의 길이는, 가능한 한 짧게 하는 것이 좋기는 하지만, 각 리드(90A 또는 90B)와 각 배선(122A/122B) 사이의 간극을 잇기에는 충분하다. 구성요소의 크기가 작고 관련 공간이 제한되어 있기 때문에, 각 리드(90A 또는 90B)와, 서브마운트(110) 상의 각 배선(122A/122B)의 사이를 단지 두 개의 접합선(124)만이 뻗게 된다는 것을 알아야 할 것이다.

일 실시예에 있어서, 여기에서 설명하는 TOSA(10)는 차분 신호 라인(90A,90B)에서부터 레이저(120)까지 데이터 신호 경로의 인덕턴스를 바람직하게 낮은 수준으로 유지하기 위해 고안된 구조물 및 특성을 포함한다. 도 5에 나타난 것과 같이, 일 실시예에서 이것은, 도면부호 "150"으로 나타내어진 저 인덕턴스 구조물, 즉 "LIS"에 의해 성취된다. LIS(150)는 차분 신호 리드(90A,90B)와 서브마운트(110)의 배선(122) 사이의 추가적인 신호 경로를 제공하는 데에 도움이 된다. 또한, LIS(150)는 차분 신호 리드(90A,90B)와 선택된 배선들 사이의 접합선 총 길이를 줄일 수 있게 한다. 이러한 특성들 각각은, LIS(150)가 TOSA(10)에 대한 신호 라인 인덕턴스를 조절하는 데에 도움을 줄 수 있도록 한다.

도시된 바와 같이, LIS(150)는 두께와 조성 면에서 서브마운트(110)와 유사한 몸체(152)를 포함한다. 본 실시예에서, LIS 몸체(152)는 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 또는 적당한 유전(誘電) 재료로 이루어지고, 에폭시와 같은 접착제에 의해 또는 다른 적당한 방식으로 TO 패키지 베이스(86)의 내부면(86A)에 부착된다. 여기에서는 그렇게 도시되어 있지 않지만, LIS(150)는 또한 서브마운트(110)의 인접부에 직접 부착될 수도 있다. 도전 배선(154A,154B)이 LIS 몸체(152)의 꼭대기에 배치되어, 서브마운트(110) 면 상의 각각의 배선(122A,122B)에 접합선(128)을 통해 전기적으로 연결된다. 다른 실시예에서는 그렇지 않을 수도 있지만, 본 실시예에서는 LIS(150)의 상부면은 서브마운트(110)의 상부면과 실질적으로 같은 높이이다. 또한, 도 6B에 나타나 있듯이, 적어도 하나의 대지 도전 배선(ground conductive trace, 156)이 LIS 몸체(152)의 바닥면 상에 포함될 수 있다.

LIS 몸체(152)는, 리드와 LIS(150) 사이에서 접합(wire bonding)이 일어날 수 있도록, 차분 신호 리드 근처에 위치한다. 도시된 실시예에서, LIS 몸체(152) 는 차분 신호 라인 리드들(90A,90B) 사이에 위치한다. 또한, LIS 몸체(152)는, 차분 신호 라인 리드들(90A,90B)이 통과하는 각각의 리드 구멍(94)의 일 부분 위에 걸치도록, 크기가 되어 있다. 이러한 위치 구성은 LIS(150)가 차분 신호 라인 리드들(90A,90B)에 실질적으로 가깝게 위치할 수 있도록 한다.

설명한 것과 같이, LIS(150)가 차분 신호 라인 리드들(90A,90B)에 실질적으로 가깝게 위치하도록 하는 것은, LIS가 리드들에 전기적으로 연결될 수 있도록 한다. 특히, 접합선(126)은 각 차분 신호 라인 리드(90A,90B)를 LIS 몸체(152)의 꼭대기에 배치된 각각의 배선(154A/154B)에 전기적으로 연결하는 데에 사용될 수 있다. LIS 배선(154A/154B)을 서브마운트 배선(122A/122B)에 각각 연결하는 것은, 신호 라인 리드로부터 접합선(124)을 거쳐 배선(122A,122B)에 이르는 경로에 더하여, 차분 신호 라인 리드(90A,90B)로부터 서브마운트(110)에 이르는 별개의 신호 라인 경로를 성립시킨다.

위에서 설명한 LIS(150)와 서브마운트의 구성은, 바람직하게도, 몇 가지 방식으로 전체적인 신호 라인 인덕턴스를 낮춘다. 우선, 차분 신호 라인 리드(90A,90B)으로부터 접합선(126)과 LIS(150)의 배선(154A,154B)을 거쳐 서브마운트 배선(122A,122B)에 이르는 추가적인 신호 라인 경로는, 바람직하게도, 접합선이 차분 신호 라인 리드(90A,90B)로부터 서브마운트 배선(122)까지 전기적으로 연결될 수 있도록, 보다 인접한 배선 연결 공간을 제공한다. 따라서, 이 연결을 위하여 상대적으로 더 많은 접합선이 사용될 수 있는데, 이는 다른 종래의 설계에 비해 신호 라인 인덕턴스의 저하를 가져온다. 또한, 이 연결에 사용되는 접합선의 평균 길이 는, 베이스 내부면(86A) 상의 LIS 없이 동일한 숫자의 접합선이 사용되는 경우보다 더 적게 된다. 또한 접합선 평균길이가 짧아짐으로써, 바람직하게도, 상대적으로 긴 접합선의 경우와 비교할 때 신호 라인 인덕턴스가 감소하게 된다.

이러한 낮은 인덕턴스는 신호 라인 리드로부터 서브마운트로의 RF 신호의 천이(transition)를 개선하여, 전기적 데이터 신호가 통과하는 신호 라인 경로의 품질에 대체적인 개선을 가져온다.

둘째로, LIS(150)는, 차분 신호 라인 리드(90A,90B) 상에서 운반되는 차분 신호에 관련된 대지 전류(ground current)를 위한 대지 전류 리턴 경로의 길이가 감소하도록 한다. 특히, 신호 라인 리드(90A,90B)의 대지 전류들은 상보(相補)적이기 때문에, LIS(150)의 바닥면에 배치되며 베이스(86)에 전기적으로 연결된 도전 패드(156)에 그들을 모으는 것은, 대지 전류들이 실질적으로 서로 상쇄하도록 할 것이다. 차례로, 이것은 대지 전류가 신호 경로의 전체 인덕턴스에 미치는 영향을 감소시키고, 그리하여 전체적인 신호 라인 인덕턴스를 감소시킬 것이다.

셋째로, LIS(150) 구조물은 차분 신호 경로에 존재하는 총 인덕턴스의 옵셋(offset)을 돕는 보정 캐패시턴스(capacitance)를 제공한다. 이러한 총 인덕턴스(net inductance)는, 차분 신호 라인 리드(90A,90B)의 다양한 접합선과 신호 경로 구조에 의해 도입된다. 보정 캐패시턴스는 LIS 몸체의 유전 재료, 상부 도전 패드(154A,154B)와 하부 도전 패드(156)의 공간적 배열로부터 정해진다. 다른 실시예에서, LIS 몸체(152)의 두께, 폭, 길이 및/또는 유전 재료를 변화시킴으로써 보정 캐패시턴스를 증가 또는 감소시킬 수 있다. 그러므로, LIS(150)에 대한 재료와 구 조를 적절히 선택함으로써, 전체 신호 경로에서의 인덕턴스(inductance)와 캐패시턴스(capacitance)의 전체적 균형을 개선할 수 있고, 특히 1GHz를 넘는 고주파에 있어, 신호 경로를 거치는 전체적인 신호의 통신을 더 효율적으로 할 수 있다. 예를 들어 일 실시예에서, LIS 유전체는 대략 길이가 1mm 이고, 폭이 0.5mm인 알루미나(alumina)로 이루어진다. 물론, 다른 조성과 치수도 가능하다.

넷째로, LIS(150)은 차분 신호 라인 경로의 부분으로서 송신 라인 구조물을 정의하는데, 즉 분포된 캐패시턴스와 분포된 인덕턴스를 특징으로 함으로써, 그 길이를 따라 데이터 신호의 효율적인 송신을 향상시키게 된다. 상세히 설명하면, LIS(150)의 상부 패드(154A,154B)는 LIS 하부 패드(156)에 평행하게 구비되기 때문에, LIS(150)는 마이크로스트립(microstrip) 송신 라인을 정의한다. 마이크로스트립 송신 라인은 여러 접합선보다 큰 효율로써 고주파 신호를 전달하고, 그리하여 전체 접합선 길이를 줄일 수 있게 되는 결과, 전체 신호 경로 성능의 전반적인 향상을 꾀할 수 있다.

도 5에서의 LIS(150)가 차분 신호 라인 리드(90A,90B)와 서브마운트 배선(122A,122B) 모두에 각각 접합선(126,128)을 통해 전기적으로 연결되어 있다는 것에 주목해야 할 것이다. 그러나 다른 실시예에서는, 이 전기적 상호연결 중 하나 또는 둘 모두가, 신호 라인 인덕턴스를 더욱 줄일 수 있는, 납땜 브릿지(solder bridge)를 포함하는 납땜(soldering)을 통해 성취될 수도 있다. 각각의 리드(90A,90B)와 LIS(150) 사이에 이루어지는 이러한 납땜 연결에 있어서, 도 5에서 나타난 간격과 같이, 상기 구성요소들 간의 거리는 충분히 작아야 한다. 또한, 당 해 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는, 다른 전기적 상호연결 구조가 사용될 수도 있다.

도 6은 LIS(150)를 포함하여, TO 패키지 베이스(86)와 서브마운트(110)의 상면도를 나타내고 있다. 이 구성들은, 각각 레이저(120)에 대하여 위치하는 모니터 광다이오드(monitor photodiode,"MPD",170)와 리플렉터(reflector,172)를 포함하는, 서브마운트(110)의 다양한 추가적인 측면을 나타낸다. 또한, 여기에서 설명한 LIS는 광 트랜스미터 및 여러 형태와 구성의 광 리시버에서도 사용될 수 있다는 것을 이해해야 할 것이다. 또한, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해하고 있듯이, 도 6에 도시된 LIS(150)와 서브마운트(110)의 인접 엣지 간의 간격은, 상호연결 설계, 패키지 치수, 또는 다른 고려사항에 따라, 존재할 수도 있고 생략될 수도 있다는 것에 주목해야 한다. 일 실시예에서, 예를 들어 이 간격은 대략 10 내지 50 마이크론(micron)의 간격을 가진다.

도 8은 본 발명의 일 실시예를 포함하는 TOSA(220)를 도시하고 있는데, 하우징(280) 및 노즈피스(282)를 포함한다. TOSA(220)는 위에서 설명한 것과 같이 구성되는 베이스(86) 및 서브마운트(110)를 가지는 TO 패키지(84)를 포함한다. 또한 볼 렌즈(ball lens,214)를 가지는 렌즈 어셈블리(212)가 나타나 있는데, 이는 도 4의 실시예에 나타난 볼록 렌즈(114)와 비교된다. 따라서 도 8의 실시예는, 여러 서로 다른 광 서브어셈블리 구조물들 가운데 저 인덕턴스 구조물을 사용하는 일 예를 나타내는 것이다.

이제, 본 발명의 예시적이고 대안적인 실시예들에 대하여 여러 구성들을 상 세하게 도시하고 있는 도 9 내지 도 11을 참조하여 설명하겠다. 이 대안적인 실시예들은 위에서 설명한 것들과 많은 점에서 유사한 구성을 공유한다. 그렇기 때문에, 단지 몇 가지 구성만을 이하에서 설명하겠다. 도 9에서, 접합선(126)을 통한 차분 신호 라인 리드(90A,90B)로의 접합선 연결을 가지는, 저 인덕턴스 구조물(low inductance structure,"LIS",350)이 나타나 있다. 리드(90A,90B)는 또한 접합선(124)을 통해 서브마운트의 배선에 직접 연결되어 있다. 여기에 도시된 LIS(350)는 서브마운트(110)와 일체로 형성되어 있는데, 그럼으로써 그들 사이의 접합선 연결에 대한 필요를 없앨 수 있다. 따라서, LIS가 차분 신호 라인 리드에 대한 원하는 저 인덕턴스 경로를 여전히 제공하면서도, 서브마운트와 일체로 구성될 수 있다는 것을 알 수 있다.

도 10과 도 11은 가능한 LIS 몸체의 형태들을 도시하고 있다. 특히, 도 8은 육각 몸체 설계를 가지는 LIS(450)을 나타내는데, LIS와 각각의 차분 신호 라인 리드(90A,90B) 사이에 훨씬 더 작은 간격을 제공한다. 도 9에서, 부분적으로 둥근 몸체 둘레를 가지는 LIS(550)가 나타나 있는데, 이 역시 LIS와 차분 신호 라인 리드(90A,90B) 사이의 간격을 감소시킨다. 그리하여, 상기의 그리고 다른 형태의 LIS 설계가 본 발명의 실시예로서 고안될 수 있다.

도 12A와 도 12B는, 종래의 설계와 본 발명의 LIS를 사용한 경우를 대조하여 도시하고 있다. 상기 실시예들에서 설명한 LIS를 가지는 TOSA로부터 취해졌으며, 중앙 눈부(central eye portion, 300A)를 포함하는 아이 다이어그램(300)이 도 12A에 나타나 있다. 중앙 눈부(300A)는 아이 다이어그램(300)에 있어 상대적으로 깨끗 한 눈 열림을 나타내는데, 이는 도 12B에 나타난 것과 같이 LIS를 가지지 않은 TOSA로부터 취해진 아이 다이어그램(320)의 중앙 눈부(320A)와는 대조되는 것이다. 이것은 본 발명의 실시예들의 LIS에 의해 인덕턴스와 신호 품질 특성이 개선된 결과이다.

도 9와 관련하여 설명한 것과 같이, 일 실시예에서, 저 인덕턴스 서브마운트가 서브마운트의 주요부(main portion)에 일체로 형성될 수 있다. 도 13a와 도 13b는 그러한 구성의 또 다른 일 예를 나타내고 있는데, LIS(650)가 리드들(90A,90B) 사이에 위치하고 서브마운트(110)에 일체로 형성되어 있는 것이 나타나 있다. LIS(650)는 곡선으로 된 성형 엣지(652)를 가지는 몸체를 포함함으로써, 각 리드의 인접 외주와 이에 대응하는 LIS의 성형 엣지 사이에, 일 실시예에서는 폭이 대략 100 내지 200 마이크론인, 동일하고 곡선으로 된 간격을 제공하게 된다. 물론, 다른 실시예에서는 다른 간격 크기도 가능하다. 또한, 패드 구조물들(654A,654B)이 LIS(650)의 꼭대기에 배치되는데, 각각의 것은 LIS 성형 엣지(652)에 인접한 성형 둘레부(656)를 포함한다.

LIS 성형 엣지(652)와 접촉 패드 둘레부(656)라는 특별한 구성은, 접합선(126)에 의해 연결되는, 각 리드(90A,90B)와 이에 대응하는 LIS 패드(654A,654B) 사이의 거리가 최소화되도록 하는데, 그럼으로써 바람직하게도 위에서 설명한 인덕턴스를 낮추는 이점을 얻을 수 있게 된다. 또한, 도시된 실시예는 서브마운트에 일체로 형성된 LIS 구조의 단순한 일 예일 뿐, 다른 설계 역시 가능하다는 것을 이해해야 할 것이다.

본 발명은 그 기술적 사상과 핵심적 특징으로부터 이탈하지 않고도, 다른 특정한 형태들로 구현될 수 있다. 설명한 실시예들은 모든 면에서 단지 예시적인 것이며 제한적인 것이 아님을 이해해야 할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 전술한 발명의 상세한 설명과 실시예에 의하기보다는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해지는 것이다. 청구항들의 의미 및 그 등가 범위 내에 있는 모든 변형물들도, 본 발명의 범위에 포함될 것이다.

본 명세서의 내용에 포함되어 있음.

Claims

제1 및 제2 차분 고속 데이터 신호 리드를 포함하며 베이스를 관통하는, 복수 개의 리드를 가지는 베이스; 및

상기 베이스의 내부면에 장착되는 서브마운트 어셈블리;를 포함하여 이루어지고,

상기 서브마운트 어셈블리는,

마운팅면에 배치되는 레이저;

상기 마운팅면에 배치되어, 복수 개의 제1 도전 상호연결부를 통해 상기 레이저와 상기 제1 및 제2 차분 데이터 신호 리드 모두에 전기적으로 연결되는 복수 개의 제1 도전 배선; 및

저 인덕턴스 구조물;을 포함하며,

상기 저 인덕턴스 구조물은,

상기 제1 및 제2 데이터 신호 리드 사이에 위치하도록 베이스의 내부면에 장착되는 몸체; 및

상기 제1 및 제2 데이터 신호 리드와 레이저 사이에 신호 경로를 제공하기 위하여, 복수 개의 제2 도전 상호연결부를 통해 마운팅면의 복수 개의 제1 도전 배선과 제1 및 제2 차분 데이터 신호 리드 모두에 전기적으로 연결되는 저 인덕턴스 구조물의 몸체에 위치하는 복수 개의 도전 패드;를 포함하는 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 도전 상호연결부는 접합선인 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 서브마운트 어셈블리를 덮도록 베이스에 장착되는 캡을 더 포함하여 이루어지는 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물 몸체는 마운팅면에 일체로 형성되어 있는 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 제1 및 제2 데이터 신호 리드의 사이에 배치되는 서브마운트 어셈블리의 유일한 부분인 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물 몸체의 엣지는 제1 및 제2 데이터 신호 리드의 외주 형태에 따라 성형되는 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물 몸체는 장방형인 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 제2 도전 상호연결부는,

상기 제1 및 제2 데이터 신호 리드와, 저 인덕턴스 구조물 몸체의 복수 개의 도전 패드 사이로 뻗어 있는 제1 접합선 세트; 및

상기 저 인덕턴스 구조물 몸체의 복수 개의 도전 패드와, 마운팅면의 복수 개의 제1 도전 배선 사이로 뻗어 있는 제2 접합선 세트;를 더 포함하여 이루어지는 광전자 패키지.
제1항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물의 복수 개의 도전 패드는 몸체의 상부면에 배치되고,

상기 저 인덕턴스 구조물은 몸체의 하부면에 추가적인 도전 패드를 더 포함하여 이루어지며,

상기 복수 개의 도전 패드와 추가적인 도전 패드는 서로 평행하게 배치되어 마이크로스트립 송신 라인을 구성하는 광전자 패키지.
복수 개의 신호 리드를 가지는 광전자 패키지의 베이스 상에 마운팅시키기 위한 서브마운트 어셈블리로서,

광전자 요소가 배치되는 마운팅면을 포함하는 서브마운트 몸체;

상기 광전자 요소와 전기적으로 통신하는 마운팅면 상의 복수 개의 배선; 및

상기 광전자 패키지 베이스의 제1 및 제2 신호 리드 사이에 배치되는 저 인덕턴스 구조물;을 포함하여 이루어지고,

상기 저 인덕턴스 구조물은,

유전체; 및

상기 유전체 상에 포함되는 복수 개의 도전 특성부;를 포함하며,

상기 도전 특성부는, 제1 및 제2 신호 라인 리드로부터 광전자 요소에 이르는 신호 경로를 형성하기 위하여, 제1 및 제2 신호 리드와 서브마운트 몸체 마운팅면의 배선과 전기적으로 통신하는 서브마운트 어셈블리.
제10항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물의 도전 특성부를 제1 및 제2 신호 리드에 전기적으로 연결시키는 데에, 접합선이 사용되는 서브마운트 어셈블리.
제11항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 서브마운트 어셈블리와 제1 및 제2 신호 리드 사이에 추가적인 접합선이 포함되도록 하는 서브마운트 어셈블리.
제10항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 몸체와 마운팅면 사이에 배치되는 적어도 하나의 도전 패드를 더 포함하여 이루어지고,

상기 적어도 하나의 도전 패드는 제1 및 제2 신호 리드의 대지 전류를 상쇄하는 데에 기여하는 서브마운트 어셈블리.
제10항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 서브마운트는 제1 및 제2 신호 리드에 의해 운반되는 신호에 대한 보정 캐패시턴스를 제공하는 서브마운트 어셈블리.
제10항에 있어서,

상기 광전자 요소는 레이저 다이오드(laser diode)인 서브마운트 어셈블리.
제10항에 있어서,

상기 마운팅면 상의 복수 개의 배선은, 저 인덕턴스 구조물 몸체의 복수 개의 도전 특성부와 실질적으로 같은 높이인 서브마운트 어셈블리.
렌즈 어셈블리와 아이솔레이터를 보유하는 하우징;

상기 하우징에 체결된 노즈피스; 및

광전자 패키지;를 포함하여 이루어지고,

상기 광전자 패키지는,

캡과 함께 작용하여 밀폐 포위부를 정의하는 마운팅면을 포함하는 베이스;

상기 밀폐 포위부 안으로 뻗어 있는 단부를 가지는 제1 및 제2 신호 리드;

상기 베이스 마운팅면 상에 배치되는 서브마운트; 및

상기 서브마운트에 일체로 형성된 저 인덕턴스 구조물;을 포함하며,

상기 저 인덕턴스 구조물은,

상기 제1 및 제2 리드 사이에 위치하고, 제1 및 제2 신호 리드에 인접한 성형 엣지를 포함하는 유전체; 및

상기 유전체의 상부면에 포함되고, 서브마운트 상에 배치되는 도전 배선과 전기적으로 통신하며, 그 각각 또한 제1 및 제2 신호 리드 각각의 것과 복수 개의 접합선을 통해 전기적으로 통신하는 도전 패드 구조물들;을 가지는 광 서브어셈블리.
제17항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 유전체의 하부면에 배치된 도전 패드를 더 포함하는 광 서브어셈블리.
제18항에 있어서,

성형 엣지와, 제1 및 제2 신호 리드들 중 이에 대응하는 것의 대응하는 둘레 사이에 일정한 간격을 제공하기 위하여, 상기 저 인덕턴스 구조물 유전체의 성형 엣지 각각이 곡선으로 되어 있는 광 서브어셈블리.
제19항에 있어서,

상기 패드 구조물들은 유전체의 성형 엣지 인접부에 대응하도록 성형되는 둘레부를 포함하는 광 서브어셈블리.
제20항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 제1 및 제2 신호 리드가 배치되는 베이스 내에 정의되는 바이어스(vias) 위에 걸쳐 있는 광 서브어셈블리.
제21항에 있어서,

상기 저 인덕턴스 구조물은 제1 및 제2 신호 리드에 존재하는 인덕턴스를 옵셋(offset)하는 보정 캐패시턴스를 제공하는 광 서브어셈블리.
제22항에 있어서,

미리 정해진 보정 캐패시턴스를 생성하기 위하여, 상기 저 인덕턴스 구조물 유전체의 조성 및/또는 치수가 정해지는 광 서브어셈블리.
제23항에 있어서,

상기 서브마운트의 도전 배선은 마운팅면 상에 포함된 레이저 다이오드와 전기적으로 통신하는 광 서브어셈블리.