JP2010156885A - 光通信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール1では、ガラスエポキシ基板2の表面およびICチップ7を封止する樹脂パッケージ11に、発光素子15の配置用の凹部12が形成されている。そして、凹部12の底面には、ガラスエポキシ基板2の一部が発光素子15との電気接続のための端子13として露出している。そのため、凹部12内に発光素子15を配置することにより、発光素子15とガラスエポキシ基板2との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部12内において発光素子15の位置に自由度があるので、発光素子15に対して光ファイバ19を光学的に接続する際に、発光素子15および光ファイバ19の両方の絶対位置(樹脂パッケージ11に対する位置)を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。
【選択図】図1
【解決手段】光送信モジュール1では、ガラスエポキシ基板2の表面およびICチップ7を封止する樹脂パッケージ11に、発光素子15の配置用の凹部12が形成されている。そして、凹部12の底面には、ガラスエポキシ基板2の一部が発光素子15との電気接続のための端子13として露出している。そのため、凹部12内に発光素子15を配置することにより、発光素子15とガラスエポキシ基板2との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部12内において発光素子15の位置に自由度があるので、発光素子15に対して光ファイバ19を光学的に接続する際に、発光素子15および光ファイバ19の両方の絶対位置(樹脂パッケージ11に対する位置)を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信モジュールに関する。
最近、インターネットを利用した動画配信の普及などに伴って、サーバやルータだけでなく、携帯電話機などにおいても、高速で大容量の信号伝送が要求されてきている。しかし、プリント配線板を用いた電気配線では、信号伝送速度が限界に近づいており、システム性能の向上が困難になってきている。
そのため、光インターコネクションが注目を集めている。光インターコネクションは、電気信号を光信号に変換し、光ファイバなどを用いて、高速かつ大容量の信号伝送を可能とする技術である。光インターコネクションでは、データの伝送の高速化を図ることができるだけでなく、電磁干渉(ノイズの発生)などの問題も解決することができる。
そのため、光インターコネクションが注目を集めている。光インターコネクションは、電気信号を光信号に変換し、光ファイバなどを用いて、高速かつ大容量の信号伝送を可能とする技術である。光インターコネクションでは、データの伝送の高速化を図ることができるだけでなく、電磁干渉(ノイズの発生)などの問題も解決することができる。
光インターコネクションに用いられる光通信モジュールでは、1つのパッケージ内に、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser:垂直共振器面発光レーザ)またはPD(Photo Diode)などの光学素子とその制御のためのICチップとが収容されている。光通信モジュールは、マザーボードなどに実装される。そして、光通信モジュールに、光信号伝送のための光ファイバが光学素子に対して位置合わせされながら接続される。
特開2007−178537号公報
ところが、光ファイバの接続時に光学素子の位置がすでに固定されているため、光学素子と光ファイバとの相対位置の調整(位置合わせ)が困難である。
そこで、本発明の目的は、光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供することである。
そこで、本発明の目的は、光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板と、前記基板の一方面上に配置され、光学素子を制御するための半導体チップと、前記基板の前記一方面を前記半導体チップとともに封止するパッケージとを含み、前記パッケージに、前記光学素子を配置するための凹部が形成され、前記凹部の底面に、前記基板の一部が前記光学素子との電気接続のための端子として露出している、光通信モジュールである。
この光通信モジュールでは、基板の一方面および半導体チップを封止するパッケージに、光学素子配置用の凹部が形成されている。そして、凹部の底面には、基板の一部が光学素子との電気接続のための端子として露出している。そのため、凹部内に光学素子を配置することにより、光学素子と基板との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部内において光学素子の位置に自由度があるので、光学素子に対して光ファイバを光学的に接続する際に、光学素子および光ファイバの両方の絶対位置(パッケージに対する位置)を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。
前記光通信モジュールは、請求項2に記載のように、凹部内に配置される光学素子をさらに備えていてもよい。光通信モジュールが光学素子をすでに備えている場合であっても、その光学素子を凹部から取り出し、他の光学素子を凹部内に配置することができる。すなわち、光学素子が半導体チップとともに封止された構成とは異なり、光学素子の交換が容易に可能である。そのため、光学素子が故障したり、光学素子の仕様が変更になっても、光学素子を交換することにより、半導体チップなどを無駄にすることなく再利用することができる。
たとえば、光学素子と光ファイバとの間にレンズが介在される場合、光学素子の光軸が基板の一方面と垂直をなすように光学素子が配置されると、光通信モジュールの高さが大きくなる。そのため、請求項3に記載のように、光学素子は、その光軸が基板の一方面と平行をなすように配置されることが好ましい。
また、請求項4に記載のように、パッケージには、光学素子に光学的に接続される光ファイバを配置するための凹溝が形成されていることが好ましい。凹溝が形成されていることにより、光ファイバをパッケージに対して容易に位置決めすることができる。その結果、光学素子と光ファイバとの相対位置をより容易に調整することができる。
また、請求項4に記載のように、パッケージには、光学素子に光学的に接続される光ファイバを配置するための凹溝が形成されていることが好ましい。凹溝が形成されていることにより、光ファイバをパッケージに対して容易に位置決めすることができる。その結果、光学素子と光ファイバとの相対位置をより容易に調整することができる。
前記光通信モジュールは、請求項5に記載ように、前記凹溝内に配置される光ファイバをさらに備えていてもよい。
その場合、前記凹溝の長手方向の両端部は、前記光ファイバの径に対応した幅(光ファイバの径よりも若干大きい幅)に形成され、前記凹溝の前記両端部間の中央部は、前記光ファイバの径よりも大きい幅に形成されていてもよい。
その場合、前記凹溝の長手方向の両端部は、前記光ファイバの径に対応した幅(光ファイバの径よりも若干大きい幅)に形成され、前記凹溝の前記両端部間の中央部は、前記光ファイバの径よりも大きい幅に形成されていてもよい。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る光送信モジュールの模式的な平面図である。図2は、図1に示す光送信モジュールから発光素子および光ファイバを取り除いた状態を示す模式的な平面図である。図3は、図1に示す光送信モジュールを切断線III−IIIで切断したときの模式的な断面図である。図4は、図1に示す光送信モジュールを切断線IV−IVで切断したときの模式的な断面図である。
図1は、本発明の実施形態に係る光送信モジュールの模式的な平面図である。図2は、図1に示す光送信モジュールから発光素子および光ファイバを取り除いた状態を示す模式的な平面図である。図3は、図1に示す光送信モジュールを切断線III−IIIで切断したときの模式的な断面図である。図4は、図1に示す光送信モジュールを切断線IV−IVで切断したときの模式的な断面図である。
光送信モジュール1は、長方形板状のガラスエポキシ基板2を備えている。
ガラスエポキシ基板2の表面上には、配線パターン3が形成されている。配線パターン3は、たとえば、銅からなる。配線パターン3には、アイランド4、複数のリード5および複数の外部端子6などが含まれる。
アイランド4は、ガラスエポキシ基板2の長手方向の中央よりもやや一方側に片寄った位置に配置されている。リード5は、アイランド4の周囲に配置されている。外部端子6は、ガラスエポキシ基板2の長手方向の一方側端部に配置されている。
ガラスエポキシ基板2の表面上には、配線パターン3が形成されている。配線パターン3は、たとえば、銅からなる。配線パターン3には、アイランド4、複数のリード5および複数の外部端子6などが含まれる。
アイランド4は、ガラスエポキシ基板2の長手方向の中央よりもやや一方側に片寄った位置に配置されている。リード5は、アイランド4の周囲に配置されている。外部端子6は、ガラスエポキシ基板2の長手方向の一方側端部に配置されている。
アイランド4上には、後述する発光素子15の制御のためのICチップ7がダイボンディングされている。ICチップ7の表面には、複数のパッド8が形成されている。各パッド8は、ボンディングワイヤ9を介して、リード5および外部端子6などと電気的に接続されている。図1では、パッド8と2つのリード5との接続状態のみが示されている。この2つのリード5は、アイランド4に対して他方側(外部端子6が配置される側と反対側)に配置されている。
また、ガラスエポキシ基板2上には、ソルダレジスト10が形成されている(図3参照)。ソルダレジスト10は、ガラスエポキシ基板2の表面を被覆している。アイランド4、リード5の一部および外部端子6などは、ICチップ7やボンディングワイヤ9との接続のために、ソルダレジスト10から選択的に露出している。
そして、ガラスエポキシ基板2の表面は、外部端子6が配置された一方側端部を除いて、樹脂パッケージ11によりICチップ7とともに封止されている。
そして、ガラスエポキシ基板2の表面は、外部端子6が配置された一方側端部を除いて、樹脂パッケージ11によりICチップ7とともに封止されている。
樹脂パッケージ11には、ICチップ7を被覆する部分に対する他方側に、平面視四角形状の凹部12が形成されている。凹部12は、ガラスエポキシ基板2の表面まで掘り下がっており、凹部12内において、ガラスエポキシ基板2の表面が露出している。パッド8と接続された2つのリード5の一部は、凹部12内において、後述する発光素子15との電気接続のための端子13として露出している。
また、樹脂パッケージ11には、凹部12に対する他方側に、断面略U字状の凹溝14が形成されている。凹溝14は、凹部12と連通し、樹脂パッケージ11の他方側端面において開放されている。凹溝14は、後述する光ファイバ19の径よりも若干大きい幅を有している。
凹部12内には、発光素子15が配置される。発光素子15は、たとえば、VCSELである。発光素子15は、その光軸が凹溝14内を延び、ガラスエポキシ基板2の表面と平行をなすように横向きに配置されている。発光素子15の側面(凹部12内に配置された状態でガラスエポキシ基板2と対向する面)には、2つの端子16が設けられている。各端子16は、ガラスエポキシ基板2上の端子13と導電ペースト17(たとえば、銀ペースト)を介して接合される。
凹部12内には、発光素子15が配置される。発光素子15は、たとえば、VCSELである。発光素子15は、その光軸が凹溝14内を延び、ガラスエポキシ基板2の表面と平行をなすように横向きに配置されている。発光素子15の側面(凹部12内に配置された状態でガラスエポキシ基板2と対向する面)には、2つの端子16が設けられている。各端子16は、ガラスエポキシ基板2上の端子13と導電ペースト17(たとえば、銀ペースト)を介して接合される。
また、凹部12内において、2つの端子13の間には、ソルダレジスト10の一部からなる短絡防止壁18が形成されている。短絡防止壁18は、ソルダレジスト10における樹脂パッケージ11に被覆されている部分よりも高さが小さく、端子13と平行に延びている。これにより、図3に示すように、ガラスエポキシ基板2の表面と発光素子15との間隔Dは、ガラスエポキシ基板2の表面に対するソルダレジスト10の高さHよりも小さくなっている。さらに、短絡防止壁18は、発光素子15の側面と接触しておらず、ガラスエポキシ基板2の表面に対する高さがガラスエポキシ基板2の表面と発光素子15との間隔Dよりも小さい。
短絡防止壁18を有するソルダレジスト10は、たとえば、ガラスエポキシ基板2の表面にソルダレジスト10の材料を短絡防止壁18の高さ分だけ塗り、ソルダレジスト10の下層および短絡防止壁18を形成し、短絡防止壁18となる部分を除いて、ソルダレジスト10の下層上にソルダレジスト10の材料をさらに重ねて塗ることにより形成することができる。
凹溝14内には、光ファイバ19の一端が配置される。光ファイバ19の先端は、発光素子15の光出射面と対向している。これにより、光ファイバ19は、発光素子15と光学的に接続されている。
図5は、本発明の実施形態に係る光受信モジュールの模式的な平面図である。
光受信モジュール21は、発光素子15が受光素子22と入れ替わっている点以外、光送信モジュール1と同様の構成である。そのため、図5において、図1に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、その同一の参照符号を付した各部(図1の構成と同様の構成について)の説明を省略する。
図5は、本発明の実施形態に係る光受信モジュールの模式的な平面図である。
光受信モジュール21は、発光素子15が受光素子22と入れ替わっている点以外、光送信モジュール1と同様の構成である。そのため、図5において、図1に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、その同一の参照符号を付した各部(図1の構成と同様の構成について)の説明を省略する。
受光素子22は、たとえば、PDである。受光素子22の光受光面には、半球状のレンズ23が形成されている。受光素子22は、レンズ23が凹溝14と対向するように横向きに配置されている。受光素子22の側面(凹部12内に配置された状態でガラスエポキシ基板2と対向する面)には、2つの端子が設けられている。各端子は、ガラスエポキシ基板2上の端子13と導電ペースト(たとえば、銀ペースト)を介して接合される。
そして、凹溝14には、光ファイバ19の他端が配置される。光ファイバ19の先端は、レンズ23と対向している。これにより、光ファイバ19は、受光素子22と光学的に接続されている。
図1に示す光送信モジュール1の発光素子15から出射される光は、光ファイバ19を通過し、図5に示す光受信モジュール21の受光素子22にレンズ23を介して受光される。この光の送受により、光送信モジュール1と光受信モジュール21との間での光信号の伝送が達成される。
図1に示す光送信モジュール1の発光素子15から出射される光は、光ファイバ19を通過し、図5に示す光受信モジュール21の受光素子22にレンズ23を介して受光される。この光の送受により、光送信モジュール1と光受信モジュール21との間での光信号の伝送が達成される。
以上のように、光送信モジュール1および光受信モジュール21では、ガラスエポキシ基板2の表面およびICチップ7を封止する樹脂パッケージ11に、それぞれ発光素子15および受光素子22(以下「光学素子」と総称する。)の配置用の凹部12が形成されている。そして、凹部12の底面には、ガラスエポキシ基板2の一部が光学素子との電気接続のための端子13として露出している。そのため、凹部12内に光学素子を配置することにより、光学素子とガラスエポキシ基板2との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部12内において光学素子の位置に自由度があるので、光学素子に対して光ファイバ19を光学的に接続する際に、光学素子および光ファイバ19の両方の絶対位置(樹脂パッケージ11に対する位置)を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。
光送信モジュール1および光受信モジュール21では、光学素子を凹部12から取り出し、他の光学素子を凹部12内に配置することができる。すなわち、光学素子がICチップ7とともに封止された構成とは異なり、光学素子の交換が容易に可能である。そのため、光学素子が故障したり、光学素子の仕様が変更になっても、光学素子を交換することにより、ICチップ7などを無駄にすることなく再利用することができる。
また、光受信モジュール21では、受光素子22と光ファイバ19との間にレンズ23が介在されている。受光素子22が光受光面(レンズ23)を上方に向けて配置される場合、光受信モジュール21の高さがレンズ23の分だけ大きくなる。また、発光素子15および受光素子22がそれぞれ光出射面および光受光面を上方に向けて配置される場合、それらの光軸をガラスエポキシ基板2と平行にするためには、光出射面および光受光面の上方に光軸を屈曲させるためのミラーなどを配置しなければならず、光送信モジュール1および光受信モジュール21の高さが大きくなる。そのため、光送信モジュール1および光受信モジュール21では、光学素子が横向きに配置されている。これにより、光送信モジュール1および光受信モジュール21の高さを小さく抑えることができる。
また、樹脂パッケージ11には、光学素子に光学的に接続される光ファイバ19を配置するための凹溝14が形成されていることが好ましい。凹溝14が形成されていることにより、光ファイバ19を樹脂パッケージ11に対して容易に位置決めすることができる。その結果、光学素子と光ファイバ19との相対位置をより容易に調整することができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することも可能である。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することも可能である。
たとえば、発光素子15として、VCSELが用いられるとしたが、VCSEL以外の面発光レーザが用いられてもよいし、半導体レーザに限らず、PDが用いられてもよい。
また、短絡防止壁18の高さは、ガラスエポキシ基板2の一方面と光学素子との間隔D以下であればよく、その上面が光学素子に接していてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
また、短絡防止壁18の高さは、ガラスエポキシ基板2の一方面と光学素子との間隔D以下であればよく、その上面が光学素子に接していてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1 光送信モジュール(光通信モジュール)
2 ガラスエポキシ基板(基板)
7 ICチップ(半導体チップ)
11 樹脂パッケージ(パッケージ)
12 凹部
13 端子
14 凹溝
15 発光素子(光学素子)
19 光ファイバ
21 光受信モジュール(光通信モジュール)
22 受光素子(光学素子)
2 ガラスエポキシ基板(基板)
7 ICチップ(半導体チップ)
11 樹脂パッケージ(パッケージ)
12 凹部
13 端子
14 凹溝
15 発光素子(光学素子)
19 光ファイバ
21 光受信モジュール(光通信モジュール)
22 受光素子(光学素子)
Claims (5)
- 基板と、
前記基板の一方面上に配置され、光学素子を制御するための半導体チップと、
前記基板の前記一方面を前記半導体チップとともに封止するパッケージとを含み、
前記パッケージに、前記光学素子を配置するための凹部が形成され、
前記凹部の底面に、前記基板の一部が前記光学素子との電気接続のための端子として露出している、光通信モジュール。 - 前記凹部内に配置される光学素子をさらに含む、請求項1に記載の光通信モジュール。
- 前記光学素子は、その光軸が前記基板の前記一方面と平行をなすように配置される、請求項2に記載の光通信モジュール。
- 前記パッケージに、前記光学素子に光学的に接続される光ファイバを配置するための凹溝が形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の光通信モジュール。
- 前記凹溝内に配置される光ファイバをさらに含む、請求項4に記載の光通信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335734A JP2010156885A (ja) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 光通信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008335734A JP2010156885A (ja) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 光通信モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010156885A true JP2010156885A (ja) | 2010-07-15 |
Family
ID=42574846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008335734A Pending JP2010156885A (ja) | 2008-12-29 | 2008-12-29 | 光通信モジュール |
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Country | Link |
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2008
- 2008-12-29 JP JP2008335734A patent/JP2010156885A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100630 |