TW201506481A - 光模組用構件、光模組及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本發明的光模組用構件，係具備有：層狀之光導波路、發光部基板及受光部基板。該發光部基板係具備有：絕緣性基板、發光元件搭載部及驅動元件搭載部；該發光元件搭載部係以與光導波路呈光學式連接之方式可搭載發光元件；該驅動元件搭載部係與發光元件搭載部呈電氣式連接，且可搭載將發光元件加以驅動之驅動元件。該受光部基板係具備有：絕緣性基板、受光元件搭載部及訊號放大元件搭載部；該絕緣性基板係以自發光部基板而相隔之方式加以設置；該受光元件搭載部係以與光導波路呈光學式連接之方式可搭載受光元件；該訊號放大元件搭載部係與受光元件搭載部呈電氣式連接，且可搭載將來自受光元件之訊號加以放大之訊號放大元件。

Description

光模組用構件、光模組及電子機器
本發明係關於光模組用構件、光模組及電子機器。
本案係以2013年7月2日在日本提出申請的特願2013-138620號為基礎主張優先權，並爰引其內容於本案中。
作為能高速通訊大容量資訊的寬帶域線路(寬頻)中，傳輸資訊的裝置係使用例如：路由器裝置、WDM(Wavelength Division Multiplexing，波長分割多工)裝置等傳輸裝置。該等傳輸裝置內多數設置有由如LSI之類的運算元件、如記憶體之類的記憶元件等所組合的訊號處理基板，負責各線路的相互連接。
各訊號處理基板係由運算元件、記憶元件等利用電氣佈線相連接的電路構建而成，近年隨處理的資訊量增加，各基板要求依更高效率傳輸資訊。然而，若資訊傳輸高速化，隨此發生串音及高頻雜訊、或電氣訊號劣化等問題將明顯化。所以，電氣佈線便出現瓶頸，導致訊號處理基板的效率提升趨於困難。又，同樣的課題在超級電腦與大型伺服器等亦有明顯化趨向。
所以，就利用光通訊技術解決該等課題進行檢討。光通訊技術係使用將光訊號從一地點導向於另一地點的光纖或光導波路。光導波路係具備有線狀核心部、及依包覆其周圍方式設置的包覆部，而核心部係由對光訊號呈實質透明的材料構成，包覆部係由折射率較低於核心部的材料構成。
在光導波路的入射側配置有半導體雷射等發光元件，在出射側則配置有光電二極體等受光元件。從發光元件所入射的光係在光導波路中傳送，並利用受光元件受光，再根據所受之光的亮暗模式或其強弱模式進行通訊。
藉由利用此種光導波路取代訊號處理基板內的電氣佈線，便可解決如前述的電氣佈線問題，期待訊號處理基板能更加高效率化。
在將電氣佈線取代為光導波路之際，因為必須施行電氣訊號與光訊號間之相互轉換，因而採用具備有：發光元件及受光元件、以及將該等間予以光學式連接之光導波路的光模組。
例如專利文獻1所揭示的光介面，係具備有：印刷電路基板、在印刷電路基板上搭載的發光元件、以及設置於印刷電路基板下面側的光導波路。光導波路與發光元件之間，經由形成於印刷電路基板上，且作為供傳輸光訊號用之通孔的貫穿孔而光學式連接。
但是，因為光導波路基本上光訊號的傳輸方向僅限定於單向，因 而若在光模組中要施行雙向通訊，便必需雙向各別準備光導波路，且在其端部併設發光元件與受光元件。又，供驅動發光元件用的驅動元件、與供將由受光元件所接收的訊號予以放大用的訊號放大元件，必須靠近該等發光元件、受光元件而配置。
藉由該等元件相靠近配置，若只要在其附近配置LSI等運算元件，則在該光模組中所搭載的該運算元件、與在其他模組中所搭載的運算元件之間，便可進行利用光通訊的高速、大容量之資料傳送接收。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-294407號公報
然而，得知若依如上述，發光元件與受光元件相靠近配置，且驅動元件與訊號放大元件相靠近配置，則二者間會發生串音、雜訊的問題。雖然如此，若在發光元件與受光元件之間隔開距離、或在驅動元件與訊號放大元件之間隔開距離，則隨此情形該等元件與運算元件之距離便自然變長，導致訊號的衰減、延遲等課題明顯化。
另一方面，雖亦可使用將電磁波予以屏蔽的構件等，但會導致光模組的構造複雜化，並且結果造成元件間的距離擴大，而出現阻礙光模組小型化的課題。
本發明目的在於提供：削減元件彼此間所產生的串音，能安定動作的光模組，可輕易製造該光模組的光模組用構件，以及具備有上述光模組的高可靠度之電子機器。
此種目的係利用下述(1)~(11)的本發明加以達成。
(1)一種光模組用構件，其具備有：層狀之光導波路；發光部基板，其具備有：第1絕緣性基板、發光元件搭載部及驅動元件搭載部；該發光元件搭載部係以與上述光導波路呈光學式連接的方式，位在可搭載發光元件的上述第1絕緣性基板上；該驅動元件搭載部係與上述發光元件搭載部呈電氣式連接，且位在可搭載驅動元件的上述第1絕緣性基板上，該驅動元件係驅動上述發光元件；以及受光部基板，其具備有：第2絕緣性基板、受光元件搭載部及訊號放大元件搭載部；該第2絕緣性基板係以自上述發光部基板而相隔之方式加以設置；該受光元件搭載部係以與上述光導波路呈光學式連接的方式，位在可搭載受光元件的上述第2絕緣性基板上；該訊號放大元件搭載部係與上述受光元件搭載部呈電氣式連接，且位在可搭載訊號放大元件的上述第2絕緣性基板上，該訊號放大元件係將來自上述受光元件之訊號加以放大。
(2)如上述(1)所記載的光模組用構件，其中，上述發光部基板與上 述受光部基板係呈接近。
(3)如上述(1)所記載的光模組用構件，其中，上述發光部基板與上述受光部基板之相隔距離為0.05mm以上且20mm以下。
(4)如上述(1)所記載的光模組用構件，其中，上述發光部基板與上述受光部基板之相隔距離為0.05mm以上且未滿5mm。
(5)如上述(1)至(4)中任一項所記載的光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路與複數個上述發光部基板；上述各發光部基板之發光元件搭載部係以上述各發光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
(6)如上述(1)至(4)中任一項所記載的光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路與複數個上述受光部基板；上述各受光部基板之受光元件搭載部係以上述各受光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
(7)如上述(1)至(6)中任一項所記載的光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路、複數個上述發光部基板及複數個上述受光部基板；上述各發光部基板之發光元件搭載部係以上述各發光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成；上述各受光部基板之受光元件搭載部係以上述各受光元件為與上 述光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
(8)如上述(5)或(7)所記載的光模組用構件，其中，以2個上述發光元件搭載部為位在2個上述驅動元件搭載部之間的方式，加以配置2個上述發光部基板。
(9)如上述(6)或(7)所記載的光模組用構件，其中，以2個上述受光元件搭載部為位在2個上述訊號放大元件搭載部之間的方式，加以配置2個上述受光部基板。
(10)一種光模組，其具備有：光模組用構件，其為上述(1)至(9)中任一項所記載的光模組用構件；發光元件，其被搭載於上述發光元件搭載部；驅動元件，其被搭載於上述驅動元件搭載部；受光元件，其被搭載於上述受光元件搭載部；以及訊號放大元件，其被搭載於上述訊號放大元件搭載部。
(11)一種電子機器，其具備有上述(10)所記載之光模組。
根據本發明，可獲得能削減元件彼此間所產生的串音、且可安定動作的光模組。
再者，根據本發明，能獲得可輕易製造上述光模組的光模組用構件。
再者，根據本發明，可獲得具備有上述光模組的高可靠度之電子機器。
1‧‧‧光導波路
2‧‧‧發光部基板
2'‧‧‧發光部基板
3‧‧‧受光部基板
3'‧‧‧受光部基板
6‧‧‧光連接器
7‧‧‧電氣電路基板
8‧‧‧焊球
9‧‧‧間隙
9'‧‧‧間隙
10‧‧‧積層體
11‧‧‧包覆層
12‧‧‧包覆層
13‧‧‧核心層
14‧‧‧核心部
15‧‧‧側面包覆部
21‧‧‧絕緣性基板
21'‧‧‧絕緣性基板
22‧‧‧發光元件搭載部
23‧‧‧驅動元件搭載部
24‧‧‧電氣佈線
25‧‧‧電氣佈線
26‧‧‧電氣佈線
27‧‧‧電氣佈線
28‧‧‧電氣佈線
29‧‧‧阻焊層
31‧‧‧絕緣性基板
31'‧‧‧絕緣性基板
32‧‧‧受光元件搭載部
33‧‧‧訊號放大元件搭載部
41‧‧‧發光元件
42‧‧‧驅動元件
51‧‧‧受光元件
52‧‧‧訊號放大元件
71‧‧‧絕緣層
72‧‧‧導體層
73‧‧‧阻焊層
100‧‧‧光模組用構件
170‧‧‧凹部
171‧‧‧傾斜面
172‧‧‧直立面
173‧‧‧直立面
174‧‧‧直立面
210‧‧‧貫穿孔
211‧‧‧填充洞
221‧‧‧地部
231‧‧‧地部
310‧‧‧貫穿孔
311‧‧‧填充洞
321‧‧‧地部
331‧‧‧地部
410‧‧‧發光部
510‧‧‧受光部
1000‧‧‧光模組
圖1係顯示本發明光模組的第1實施形態之立體圖。
圖2係圖1所示光模組的俯視圖。
圖3係圖1所示A-A線剖面圖。
圖4係圖1所示B-B線剖面圖。
圖5係將圖4所示光模組中含有的光導波路其中一部分放大顯示之立體圖。
圖6係圖2所示光模組的另一構成例。
圖7係顯示本發明光模組的第2實施形態之立體圖。
圖8係圖7所示光模組的俯視圖。
圖9係顯示本發明光模組的第3實施形態之剖面圖。
以下，針對本發明的光模組用構件、光模組及電子機器，根據所附圖式所示之較佳實施形態進行詳細說明，惟本發明並不侷限於該等例。在不脫逸本發明主旨之範疇內，可進行構成的附加、省略、取代、及其他變更。
<光模組用及光模組用構件> 《第1實施形態》
首先，針對本發明光模組的第1實施形態、及本發明光模組用構件的第1實施形態進行說明。
圖1係顯示本發明光模組的第1實施形態之立體圖，圖2係圖1所示光模組的俯視圖，圖3係圖1所示A-A線剖面圖，圖4係圖1所示B-B線剖面圖。另外，圖1、2中，在各基板背後的光導波路以虛線表示。
圖1所示光模組1000係具備有光模組用構件100，而該光模組用構件100係具備有：層狀且俯視呈長條狀的光導波路1、積層於光導波路1其中一端部上的發光部基板2與受光部基板3、以及設置於光導波路1另一端部的光連接器6。
該光模組用構件100中，發光部基板2係具備有：絕緣性基板(第1絕緣性基板)21、能搭載發光元件的發光元件搭載部22、及能搭載驅動元件的驅動元件搭載部23。又，受光部基板3係具備有：絕緣性基板(第2絕緣性基板)31、能搭載受光元件的受光元件搭載部32、及能搭載訊號放大元件的訊號放大元件搭載部33。
再者，圖1所示光模組1000係除上述光模組用構件100之外，尚具備有：搭載於發光元件搭載部22的發光元件41、搭載於驅動元件搭載部23的驅動元件42、搭載於受光元件搭載部32的受光元件51、以及搭載於訊號放大元件搭載部33的訊號放大元件52。
此種光模組1000係將從發光元件41射出的光，經由光導波路1傳輸至光連接器6，另一方面在光連接器6中，將入射於光導波路1中的光由受光元件51受光。藉由此種光的傳輸，便可在發光元件41及受光元件51、與光連接器6之間進行光通訊。
以下，針對光模組1000的各部位構成依序進行詳述。
(光導波路)
首先，針對光導波路1進行說明。
圖5係圖4所示光模組中含有的光導波路其中一部分之放大顯示之立體圖。於圖5中將圖4所示光導波路予以上下顛倒而圖示。
圖5所示光導波路1係具備有由從下側起依序積層著包覆層11、核心層13及包覆層12而構成的積層體10。在核心層13中，如圖5所示，形成有長條狀核心部14、及鄰接其側面設置的側面包覆部15。圖5中，對於從包覆層12能透視看到的核心層13中之核心部14與側面包覆部15，亦是利用虛線圖示。
核心部14的寬度與高度(核心層13的厚度)並無特別的限定，但較佳係1~200μm左右、更佳係5~100μm左右。藉此，可提高核心部14的傳輸效率、且達到核心部14的高密度化。即，可增加每單位面積能鋪設之核心部14的數量，因而即便小面積仍可進行大容量的光通訊。
在核心層13中所形成之核心部14的數量並無特別的限定，例如設為2~100條。
在光導波路1中藉由施行除去其中一部分的加工而形成凹部170。圖5所示之凹部170係形成於核心部14的端部延長線上，且對應於側面包覆部15的位置處。凹部170的內側面的一部分係由相對於核心層13同一平面呈傾斜的傾斜面171構成。該傾斜面171係作為轉換核心部14之光程的反射鏡(光程轉換部)而發揮機能。即，包含傾斜面171的反射鏡係例如將在圖5所示核心部14中傳送的光，利用朝圖5的下方反射而轉換光的傳送方向。
傾斜面171係如圖5所示，於從包覆層12起經由核心層13而至包覆層11為止之間呈連續形成的平坦面。又，在凹部170的內側面中，位於與傾斜面171對向之位置處設有直立面172。該直立面172係於從包覆層12起經由核心層13至包覆層11為止之間呈連續形成的平坦面，且為相對於與核心層13的同一平面呈垂直的面。本實施形態中，針對傾斜面171呈平坦面的情況為例進行說明，惟本發明中，傾斜面171未必一定要為平坦面，視需要亦可為彎曲面、亦可為部分性不同傾斜角度的平坦面。
另一方面，凹部170的內側面中，與核心部14之光軸大致平行的2個面，亦是分別相對於與核心層13同一平面呈垂直的直立面173、174。
藉由此種傾斜面171、與3個直立面172、173、174，便構成凹部170的內側面。
再者，凹部170的最大深度係從積層體10的厚度適當設定，並無特別的限定，就從光導波路1的機械強度與可撓性觀點來看，較佳係設為1~500μm左右、更佳係設為5~400μm左右。凹部170亦可部分性貫穿積層體10。
再者，凹部170的最大長度(即，圖5中凹部170的開口中，平行於核心部14之光軸的成分最大長度)並無特別的限定，就從與包覆層11、12、核心層13的厚度、以及傾斜面171的傾斜角度間之關係，較佳係設為2~1200μm左右、更佳係設為10~1000μm左右。
再者，凹部170的最大寬度(即，圖5中凹部170的開口中，正交於核心部14之光軸的成分最大長度)並無特別的限定，配合核心部14的寬度等而適當設定，較佳係設為1~600μm左右、更佳係設為5~500μm左右。
凹部170亦可對1條核心部14形成1個，亦可對複數條核心部14，依跨越該等的方式設置1個凹部170。
再者，當形成複數個凹部170時，該等的形成位置係可在核心部14的長邊方向上相互在相同位置，亦可如圖5所示在長邊方向上相互錯開。
圖1所示凹部170的開口形狀係長方形，但本發明所加工的凹部170之開口形狀並不僅侷限於此，可為任何形狀，例如可列舉五角形、六角形之類的多角形、以及橢圓形、長圓形之類的圓形等。
再者，因為傾斜面171作為反射鏡而發揮機能，因而配合轉換核心部14光程的方向而適當設定該傾斜角度，當將與核心層13同一平面設為基準面時，基準面與傾斜面171間所成之角度(銳角側)較佳係30~60°左右、更佳係40~50°左右。藉由將傾斜角度設定在上述範圍內，便可在傾斜面171中效率佳地轉換核心部14的光程，俾能抑制伴隨光程轉換而造成的損失。
另一方面，基準面與直立面172、173、174間所成之角度(銳角側)分別較佳係設為60~90°左右。各圖中圖示大致90°情況。基準面與直立面172、173、174間所成之角度並不僅侷限於此種範圍，亦可未滿60°。
如上述的核心層13及包覆層11、12之構成材料(主材料)，係可使用例如：丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、環氧系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂等環狀醚系樹脂；聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯并唑、聚矽烷、聚矽氮烷、聚矽氧系樹脂、氟系樹脂、聚胺甲酸酯、聚烯烴系樹脂、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚氯丁二烯、PET、PBT等聚酯；聚琥珀酸乙烯酯、聚碸、聚醚、及苯環丁烯系樹脂、降烯系樹脂等環狀烯烴系樹脂之各種樹脂材料等。樹脂材料亦可為組合不 同組成的複合材料。因為該等係利用雷射加工便可輕易加工，因而適於作為核心層13、包覆層11、12的構成材料。
再者，光導波路1、與發光部基板2及受光部基板3間之固定方法，並無特別的限定，可使用環氧系接著劑、丙烯酸系接著劑、胺甲酸乙酯系接著劑、聚矽氧系接著劑、各種熱熔膠接著劑(聚酯系、改質烯烴系)等各種接著劑，或者經由接著片等而進行接著的方法。
(光連接器)
光連接器6係供將光導波路1與其他光學零件(例如光纖、其他光導波路等)予以光學式連接用的構件。作為該光連接器6係使用在與其他光學零件間呈裝卸自如者，便可輕易地進行在光模組1000與其他光學零件間光學式連接、或解除連接之操作。所以，可更加提高光模組1000的安裝容易性。
光連接器6的構造並無特別的限定，可使用例如根據各種連接器規格者。具體係可列舉準用PMT連接器、根據JIS C 5981規定的MT連接器、16MT連接器、二維排列型MT連接器、MPO連接器、MPX連接器等。
圖1所示光連接器6係依從核心部14的端面進行光之入出射的方式構成，本發明所使用的光連接器6並不僅侷限於此種方式。例如亦可在光連接器6所設置之核心部14的端部設置光程轉換用反射鏡，以例如能與在光導波路1的上面側或下面側所設置之其他光學零件相連 接的方式構成。
再者，圖1所示光連接器6係在根據上述各種連接器規格中，相當於所謂的插座。藉由對該插座，使例如在光纖端部安裝的插頭嵌合，便使插頭側的光纖與插座側的光導波路1呈光學式連接。圖1所示光連接器6亦可非為插座，而是插頭。
光導波路1亦可在途中分割為2個，在經分割的光導波路1之端部分別安裝光連接器6。即，光模組1000亦可具備複數個光連接器6。
(發光部基板及受光部基板)
發光部基板2係如上述，具備有：絕緣性基板(第1絕緣性基板)21、能搭載發光元件41的發光元件搭載部22、以及能搭載驅動元件42的驅動元件搭載部23。
再者，受光部基板3係如上述，具備有：絕緣性基板(第2絕緣性基板)31、能搭載受光元件51的受光元件搭載部32、以及能搭載訊號放大元件52的訊號放大元件搭載部33。
最好相對於該等發光部基板2及受光部基板3，於與發光元件搭載部22、驅動元件搭載部23、受光元件搭載部32、及訊號放大元件搭載部33的對向側之面上設置光導波路1。
再者，習知光模組係在、同一基板上，混合搭載著發光元件搭載部、驅動元件搭載部、受光元件搭載部及訊號放大元件搭載部。相對 於此，該等發光部基板2及受光部基板3係在光導波路1中，積層於與光連接器6所設置之端部的對向側之端部上，並在發光部基板2與受光部基板3之間設置些微的間隙9。換言之，本發明的光模組1000(光模組用構件100)係將負責發光的發光元件搭載部22與驅動元件搭載部23設置於發光部基板2上，另一方面，將負責受光的受光元件搭載部32與訊號放大元件搭載部33設置於受光部基板3上。藉此，將搭載關聯於發光之元件的部位、與搭載關聯受光之元件的部位設置於各別基板上，且該等基板彼此間相隔開。
藉由將光模組用構件100設為此種構成，例如即便從發光元件41、驅動元件42產生的電磁雜訊，在發光部基板2的表面或內部傳送，但仍難以侵入受光部基板3。所以，可防止電磁雜訊重疊於受光元件51或訊號放大元件52的電源線或訊號線上(串音)，俾可防止訊號的S/N比降低、或通訊速度降低、或者導致受光元件51或訊號放大元件52發生錯誤動作等不良情況。
特別係發光元件41的消耗電力較大，在驅動時需要大電流。所以，存在有會從將驅動元件搭載部23的地部231與發光元件搭載部22的地部221予以相連接的電氣佈線24、或從將在絕緣性基板21中所設置的填充洞211與驅動元件搭載部23的地部231予以相連接的電氣佈線25，自行產生強電磁雜訊的問題。
另一方面，受光元件51會將經轉換光訊號而獲得的微弱電流輸入於訊號放大元件52。所以，在將受光元件搭載部32的地部321與訊號 放大元件搭載部33的地部331予以相連接之電氣佈線26、或在將絕緣性基板31上所設置的填充洞311與訊號放大元件搭載部33的地部331予以相連接之電氣佈線27中，會流通著較發光部基板2更微弱的電流。所以，會有容易受電磁雜訊影響的背景。
本發明係如上述，因為在發光部基板2與受光部基板3之間設置間隙9，因而假設即便從發光部基板2產生電磁雜訊，但仍可達到抑制其對受光部基板3造成不良影響(產生串音)的效果。所以，根據本發明，就受光部基板3可抑制光訊號的S/N比與通訊速度降低，且能抑制受光元件51與訊號放大元件52的錯誤動作，俾可達動作的安定化。又，為提高光訊號的S/N比，並不需要過度提高發光元件41的輸出，因而可達光模組1000的消耗電力之降低。
再者，獲得上述效果，亦可謂能將發光部基板2與受光部基板3較習知更靠近配置。所以，可達光模組1000的小型化，並可提高光模組1000的安裝容易性。
發光部基板2中，絕緣性基板21只要是具有絕緣性之基板的話，可為任何一者均可，就其構成材料係可列舉例如：聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、環氧系樹脂、各種乙烯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等聚酯系樹脂等等各種樹脂材料。其他尚可列舉例如：以紙、玻璃纖維、樹脂薄膜等為基材，並使該基材中含潤有酚系樹脂、聚酯系樹脂、環氧系樹脂、氰酸酯樹脂、聚醯亞胺系樹脂、氟系樹脂等樹脂材料者，具體係可例如：玻璃纖維‧環氧貼銅積層板、玻璃不織布‧ 環氧貼銅積層板等複合貼銅積層板所使用的絕緣性基板，此外尚可例如：聚醚醯亞胺樹脂基板、聚醚酮樹脂基板、聚碸系樹脂基板等耐熱/熱可塑性之有機系剛性基板；氧化鋁基板、氮化鋁基板、碳化矽基板等陶瓷系剛性基板等等。
另一方面，對於受光部基板3中所含的絕緣性基板31，亦係與上述絕緣性基板21同樣。
再者，在發光部基板2中依包圍驅動元件搭載部23的方式配置填充洞211。該填充洞211係貫穿絕緣性基板21，並在圖2所示絕緣性基板21的背面側，依與填充洞211呈電氣式連接的方式結合著未圖示的凸塊。驅動元件搭載部23(發光部基板2)係經由該凸塊便可與外部的電氣電路呈電氣式連接。光模組1000係如圖4所示，在發光部基板2的下面側具備有電氣佈線28。
發光部基板2中，依在絕緣性基板21上能搭載發光元件41的方式所設定的部位係發光元件搭載部22。發光元件搭載部22係具備有供搭載發光元件41用的複數個地部221。該地部221係設置於絕緣性基板21上的導電層，其配置與俯視形狀係可設定為對應於發光元件41端子(未圖示)的配置與形狀。同樣的，依在絕緣性基板21上能搭載驅動元件42之方式設定的部位係驅動元件搭載部23。驅動元件搭載部23亦與發光元件搭載部22同樣，具備有供搭載驅動元件42用的複數個地部231。
此種發光部基板2中，各地部221與各地部231係經由電氣佈線24呈電氣式連接，而各地部231與填充洞211係經由電氣佈線25呈電氣式連接。
另一方面，在受光部基板3中依包圍訊號放大元件搭載部33的方式配置填充洞311。該填充洞311係貫穿絕緣性基板31，並在圖2所示絕緣性基板31的背面側，依與填充洞311呈電氣式連接的方式結合著未圖示的凸塊。訊號放大元件搭載部33(受光部基板3)係經由該凸塊便可與外部的電氣電路呈電氣式連接。光模組1000係如圖4所示，在受光部基板3的下面側具備有電氣佈線28。
受光部基板3中，依在絕緣性基板31上能搭載受光元件51之方式所設定的部位係受光元件搭載部32。受光元件搭載部32係具備有供搭載受光元件51用的複數個地部321。該地部321係設置於絕緣性基板31上的導電層，其配置與俯視形狀係可設定為對應於受光元件51端子(未圖示)的配置與形狀。同樣的，依在絕緣性基板31上能搭載訊號放大元件52之方式所設定的部位係訊號放大元件搭載部33。訊號放大元件搭載部33亦與受光元件搭載部32同樣，具備有供搭載訊號放大元件52用的複數個地部331。
此種受光部基板3中，各地部321與各地部331係經由電氣佈線26呈電氣式連接，而各地部331與填充洞311係經由電氣佈線27呈電氣式連接。
各電氣佈線24、25、26、27、28、與各地部221、231、321、331、及填充洞211、311分別係由導電性材料構成。作為導電性材料係可列舉例如：銅、鋁、鎳、鉻、鋅、錫、金、銀等金屬單體；或含有該等金屬元素的合金等等。
再者，發光部基板2及受光部基板3係如圖4所示，具備有覆蓋著地部其中一部分與電氣佈線的阻焊層29。藉此，可保護地部與電氣佈線遭氧化與腐蝕等，俾可更加提高發光部基板2與受光部基板3的長期可靠度。又，對絕緣性之提升亦具貢獻。
阻焊層29係由各種樹脂材料構成，視需要含有無機填充劑。
圖1、2所示發光部基板2係混合搭載著2個發光元件搭載部22與2個驅動元件搭載部23。同樣的，受光部基板3係混合搭載著2個受光元件搭載部32與2個訊號放大元件搭載部33。就從如上述的理由，發光元件41與驅動元件42、以及受光元件51與訊號放大元件52之間最好相隔配置。另一方面，雖電磁雜訊的產生本身無法抑制，但就從電磁雜訊難以重疊於線上，或者即便重疊但仍難以對元件類的動作造成不良影響之觀點來看，容許將複數個發光元件41混合搭載於同一基板上、或將複數個驅動元件42混合搭載於同一基板上。同樣的，亦容許將複數個受光元件51混合搭載於同一基板上、或將複數個訊號放大元件52混合搭載於同一基板上。
依此，可實現發光部基板2與受光部基板3的數量之減少，俾可 達光模組1000的構成簡單化及削減組裝步驟數。
再者，習知係將2個發光元件41、2個驅動元件42、2個受光元件51、及2個訊號放大元件52，混合搭載於同一基板上。但是，此情況，不僅發光元件搭載部22彼此間的位置關係，就連發光元件搭載部22與受光元件搭載部32間之位置關係，亦必需重新配合光導波路1的傾斜面171位置再正確地設定。所以，在混合搭載元件類的基板製造中，在多數搭載部彼此間位置關係均必需遵照設計，導致增加基板製造的困難性。此外，此情況，不僅搭載部彼此間的相隔距離，就連2個發光元件搭載部22彼此間之排列方向、和發光元件搭載部22與受光元件搭載部32的排列方向之交叉角，亦必需將偏離設計值的誤差極小地抑制。所以，習知光模組存在有光導波路、與搭載各元件的基板之對位(對準)困難度高之問題。
相對於此，圖1所示光模組1000，藉由發光部基板2與受光部基板3呈分開狀態，至少對於上述交叉角可緩和偏移設計值的誤差容許度。藉此，光模組1000可分別輕易地組裝發光部基板2與受光部基板3，且可將發光元件搭載部22與受光元件搭載部32相對於光導波路1的位置偏移抑制於較小。所以，可更加提高發光元件41和受光元件51、與光導波路1之光結合效率。
再者，在發光部基板2與受光部基板3中，會左右發光元件41、受光元件51的搭載位置者係地部221、地部321的形成位置。所以，圖1所示光模組1000中，在製造發光部基板2、受光部基板3時，因 為地部221、地部321的位置偏移容許度比較緩和，因而具有該等的製造容易性亦較高之優點。
再者，光導波路1在其製造過程中會有些微變形，會有其尺寸未必遵照設計值的情況。又，當光導波路1係由樹脂材料構成的情況，特別係光導波路1的尺寸較容易因溫度而受影響，而有因周圍的溫度會導致光導波路1的尺寸出現些微變化的情況。
即便此種情況，若將發光部基板2與受光部基板3予以分開，則如上述因光導波路1的變形而造成的傾斜面171位置偏移，會因改變發光部基板2與受光部基板3的位置關係而可吸收。所以，就能更加提高發光元件41和受光元件51、與光導波路1之光結合效率而言係屬有用。
本發明的光模組係藉由使從基板上所安裝之光元件發出的光，精度佳地與在基板背面所貼合之具反射鏡之光導波路對位，便可進行光通訊。在施行本發明光模組的組裝時，會產生製造公差(位置偏移)的部分係光元件的接收發光點與反射鏡中心的貼合步驟。於該貼合一般係使用高精度的覆晶黏合(FCB)法，此時的裝置公差係±5μm左右。
然而，實際的公差係依±10μm程度而散亂的值。其理由係當各光元件利用FCB法安裝於一個基板上時，因為另外尚含有光元件對基板的安裝公差±5μm，因而若其中一者合致於基準，則另一者便成為亦包含上述製造公差的公差。
相對於此，若對一片光導波路，在經分割的基板上分別安裝發光元件及受光元件，則製造公差便僅有±5μm，大幅改善光損失值。例如受光元件中，相對於公差±10μm所對應的光損失值係1dB，而若公差成為±5μm的話，便改善至0.4dB程度的損失。且，因為經分割的基板係貼合於一片光導波路上，因而2片基板不會凌亂，而發揮與基板未被分割時的相同功用。
藉由分割基板，在對各基板(例如基板A、基板B)所賦予的各電氣端子間會另外產生上述公差(±5μm)。然而，各基板端子與其所連接之另一基板(例如基板C)的端子間之連接公差，係容許端子間間距充分擴大至100μm程度的安裝偏移。所以，即便在將基板A、B使用一般的黏晶機(例如安裝精度±20~30μm)安裝於基板C的情況，仍可輕易吸收在基板A、B間所產生的端子間公差±5μm而進行安裝。
發光部基板2與受光部基板3最好相靠近。
所謂「靠近」係指依發光部基板2與受光部基板3的相隔距離(間隙9的距離)，成為0.05mm以上且20mm以下的方式設定。上述相隔距離較佳係設定為0.05mm以上且未滿5mm。藉由將相隔距離設定在上述範圍內，便可防止發光部基板2與受光部基板3間之串音，且可達光模組1000的小型化。
上述相隔距離係依照發光部基板2與受光部基板3的構成而決定，一般大多係指絕緣性基板21與絕緣性基板31之相隔距離的情況。 因為絕緣性基板幾乎沒有導電性，因而雖理所當然本身並不會導通，但藉由將該等相隔開一定距離以上，便可充分抑制經由絕緣性基板的電磁雜訊相互傳送。
即，若上述相隔距離小於上述下限值，雖亦會因電磁雜訊強度而有差異，但仍會有從發光部基板2朝受光部基板3出現電磁雜訊重疊的可能性。又，若上述相隔距離大於上述上限值，則不僅防止串音的效果已無法再提高，且亦會阻礙光模組1000的小型化。
(發光元件及受光元件)
發光元件41係如圖4所示，具備有2個發光部410。該等發光部410係經由在絕緣性基板21中所設置的貫穿孔210，而與光導波路1的傾斜面171光學式連接。藉此，從發光部410射出的光便經由貫穿孔210在傾斜面171被反射並射入於核心部14。
另一方面，受光元件51係如圖4所示，具備有2個受光部510。該等受光部510係經由在絕緣性基板31中所設置的貫穿孔310，而與光導波路1的傾斜面171光學式連接。藉此，在核心部14中從圖4的左側朝右側傳送而至的光，便在傾斜面171中被朝上方反射，並經由貫穿孔210入射於受光部510。
作為發光元件41係可列舉例如：面發光雷射(VCSEL)、雷射二極體(LD)、發光二極體(LED)、有機EL元件等。
另一方面，作為受光元件係可列舉例如光電二極體(PD、APD)等。 發光元件41對發光元件搭載部22的搭載方法、及受光元件51對受光元件搭載部32的搭載方法並無特別的限定，只要是覆晶黏合法、黏晶法、打線接合法等便可。
(驅動元件及訊號放大元件)
驅動元件42如上述，係具有供驅動發光元件41之機能的元件。具體係可列舉驅動IC(LDD)、LSI等。
另一方面，訊號放大元件52如上述，係將由受光元件51所轉換的電氣訊號予以放大之元件。具體係可列舉：轉換阻抗放大器(TIA)、限幅放大器(LA，Limiting Amplifier)、或統合該等機能的組合IC等。
再者，驅動元件42對驅動元件搭載部23的搭載方法、及訊號放大元件52對訊號放大元件搭載部33的搭載方法，並無特別的限定，亦可與上述發光元件41、受光元件51的搭載方法為同樣方法。
在發光部基板2、受光部基板3上，視需要亦可搭載該等元件以外的電子零件，例如：CPU(中央運算處理裝置)、MPU(微處理器單元)、LSI、IC、RAM、ROM、電容器、線圈、電阻、二極體等各種主動元件、各種被動元件等。
以上，針對本實施形態的光模組1000及光模組用構件100進行說明，惟在1個光模組1000中所設置的發光部基板2、受光部基板3之 數量，分別可為2片以上，亦可發光部基板2的數量與受光部基板3的數量各自不同。
再者，在1個發光部基板2上設置的發光元件搭載部22、驅動元件搭載部23之數量並無特別的限定，分別較佳係2~4左右。又，在1個受光部基板3上所設置的受光元件搭載部32、訊號放大元件搭載部33之數量亦無特別的限定，分別較佳係2~4左右。
(其他構成例)
圖6係圖2所示光模組的另一構成例。
圖6所示光模組用構件100係除發光元件搭載部22及受光元件搭載部32的構成分別不同之外，其餘均與圖2所示光模組用構件100同樣。
圖2所示發光元件搭載部22係可搭載分別具備有2個發光部410的發光元件41，相對於此，圖6所示發光元件搭載部22係可搭載具備有4個發光部的發光元件41。藉由設置此種發光元件搭載部22，圖6所示發光部基板2只要搭載1個發光元件41便可，因而可達光模組1000的製造步驟之步驟數削減。
再者，發光元件41通常係發光部410彼此的位置關係、與端子彼此的位置關係、以及端子與發光部410的位置關係分別大致遵照設計進行製造。所以，藉由更加減少此種發光元件41的搭載個數，便可使 發光部基板2上所設置之發光元件41的複數個發光部410、與光導波路1的複數個傾斜面171之位置關係更正確地合致，俾可達更加提升二者間的光結合效率。
再者，圖2所示受光元件搭載部32係可搭載分別具備有2個受光部510的受光元件51，相對於此，圖6所示受光元件搭載部32係可搭載具備有4個受光部510的受光元件51。藉由設置此種受光元件搭載部32，圖6所示受光部基板3只要搭載1個受光元件51便可，因而可達光模組1000的製造步驟之步驟數削減。
再者，受光元件51通常係受光部510彼此的位置關係、與端子彼此的位置關係、以及端子與受光部510的位置關係分別大致遵照設計進行製造。所以，藉由更加減少此種受光元件51的搭載個數，便可使受光部基板3上所設置之受光元件51的複數個受光部510、與光導波路1的複數個傾斜面171之位置關係更正確地合致，俾可達更加提升二者間的光結合效率。
《第2實施形態》
其次，針對本發明光模組的第2實施形態及本發明光模組用構件的第2實施形態進行說明。
圖7係顯示本發明光模組的第2實施形態之立體圖，圖8係圖7所示光模組的俯視圖。圖7、8中，分別將基板背後的光導波路依虛線表示。又，就與上述光模組同樣的構成賦予相同的元件符號。
以下，針對第2實施形態進行說明，惟以下的說明係就不同於第1實施形態的差異點為中心進行說明，針對同樣的事項便省略其說明。
第2實施形態係除發光部基板2及受光部基板3的構成不同之外，其餘均與第1實施形態同樣。
圖7所示2個發光部基板2'、2'，係與將圖1所示發光部基板2分割為2個者等效。各發光部基板2'分別設有1個發光元件搭載部22、與1個驅動元件搭載部23。在2個發光部基板2'、2'彼此間設有間隙9'。
另一方面，圖7所示2個受光部基板3'、3'亦是與將圖1所示受光部基板3分割為2個者等效。各受光部基板3'分別設有1個受光元件搭載部32與1個訊號放大元件搭載部33。2個受光部基板3'、3'彼此間亦設有間隙9'。
再者，各發光部基板2'所具備有的絕緣性基板21'，係與將圖1所示絕緣性基板21分割為2個者等效，各受光部基板3'所具備有的絕緣性基板31'係與將圖1所示絕緣性基板31分割為2個者等效。
此種第2實施形態，因為針對發光部基板2亦分割為2個，且在其中間設有間隙9'，因而亦可針對在發光部基板2'彼此間所產生的串音抑制其發生。結果，可防止電磁雜訊重疊於發光元件41、驅動元件 42的電源線與訊號線，俾可防止訊號的S/N比降低、或通訊速度降低、或者導致發光元件41或驅動元件42發生錯誤動作等不良情況。
同樣的，針對受光部基板3亦是分割為2個，且在其中間設有間隙9'，因而亦可針對在受光部基板3'彼此間所產生之串音抑制其發生。
再者，此種第2實施形態係在1個發光部基板2'上設置1個發光元件搭載部22。所以，當使發光部基板2'與光導波路1進行對位時，進行對位的對象數量變少，俾可更輕易地進行對位。特別係即便於光導波路1因製造過程或周圍環境等的影響而產生些微變形，導致光導波路1的尺寸偏離設計值的情況，仍可配合此情形將各發光部基板2'與各受光部基板3'個別地偏移配置，因而對光導波路1變形的容許度增大。結果，可更加提高發光元件41和受光元件51、與光導波路1之光結合效率。
第2實施形態依如上述進行分割的結果，對1個光導波路1連接著2個發光部基板2'及2個受光部基板3'。此情況，即便1個光導波路1所連接的發光部基板2'與受光部基板3'之數量增加，仍可享有串音的抑制效果，且亦可享有對位的容易性。所以，第2實施形態係就即便光導波路1的核心部14數量(即通道數)增加，而仍可確保抑制串音與對位容易性的形態而言，係屬有效。
第2實施形態係除對1個光導波路1連接著複數個發光部基板2'及複數個受光部基板3'的情況之外，尚亦可對1個光導波路1連接著複數個發光部基板2'及1個受光部基板3'。或者，亦可對1個光導波 路1連接著1個發光部基板2'及複數個受光部基板3'。
1個光導波路1能對應的發光部基板2'與受光部基板3'之數量並無特別的限定，若考慮光模組1000的大小等，則最好為2~50左右。
再者，本實施形態中，當配置2個發光部基板2'的情況，如圖7、8所示，最好依2個發光元件搭載部22雙方均位於2個驅動元件搭載部23彼此間的狀態配置。藉由依此配置，特別可增大容易產生電磁雜訊的驅動元件42彼此之相隔距離。所以，可抑制對驅動元件42、及在發光部基板2'(其係與該驅動元件42所搭載之發光部基板2'不同)上所搭載之驅動元件42、發光元件41、電氣佈線24、25，因電磁雜訊重疊而造成之不良情況的發生。
再者，藉由依如上述構成，當如圖8所示俯視光模組1000時，可獲得容易使驅動元件搭載部23其中一部分，位於較光導波路1範圍更靠外側(圖8中的光導波路1之上側及下側)的優點。所以，可更加縮短將驅動元件搭載部23、與在絕緣性基板21'上所形成之填充洞211予以連接的電氣佈線25之線路長度，俾可實現從電氣佈線25所產生的電磁雜訊量之減少，且亦可實現因削減電阻而造成的消耗電力之降低。
再者，同樣的當配置2個受光部基板3'時，如圖7、8所示，最好依2個受光元件搭載部32雙方，均位於2個訊號放大元件搭載部33彼此間的狀態配置。藉由依此配置，特別可增大容易產生電磁雜訊的訊號放大元件52彼此之相隔距離。所以，可抑制對訊號放大元件52、 及在受光部基板3'(其係與該訊號放大元件52所搭載之受光部基板3'不同)上所搭載之訊號放大元件52、受光元件51、電氣佈線26、27，因電磁雜訊重疊而造成之不良情況的發生。
再者，藉由依如上述之構成，當如圖8所示俯視光模組1000時，可獲得容易使訊號放大元件搭載部33其中一部分，位於較光導波路1範圍更靠外側(圖8中的光導波路1之上側及下側)的優點。所以，可更加縮短將訊號放大元件搭載部33、與在絕緣性基板31'上所形成之填充洞311予以連接的電氣佈線27之線路長度，俾可實現從電氣佈線27所產生的電磁雜訊量之減少，且亦可實現因削減電阻而造成的消耗電力之降低。
該等事項就第1實施形態(圖1、2)亦同。
其他，於第2實施形態亦可獲得與第1實施形態同樣的作用、效果。
再者，針對發光部基板2'彼此的間隙9'及受光部基板3'彼此的間隙9'，可與第1實施形態的間隙9同樣地設定。藉此，可獲得與間隙9的情況為同樣之作用、效果。
《第3實施形態》
其次，針對本發明之光模組的第3實施形態及本發明之光模組用構件的第3實施形態進行說明。
圖9係顯示本發明之光模組的第3實施形態之剖面圖。以下說明中，將圖9的上側稱為「上」，將下側稱為「下」。
以下，針對第3實施形態進行說明，惟以下的說明係就不同於第1實施形態的差異點為中心進行說明，針對同樣的事項便省略其說明。
第3實施形態係除更進一步具有電氣電路基板7之外，其餘均與第1實施形態(圖3)同樣。
圖9所示光模組1000係具有在光導波路1下方設置的電氣電路基板7，且發光部基板2與電氣電路基板7係經由焊球8而呈電氣式及機械式連接。
圖9所示電氣電路基板7係所謂的增層基板，藉由絕緣層71與導體層72呈交互積層，且在表面設置阻焊層73而形成。對導體層72施行圖案化而形成電氣佈線。又，雖未圖示，但在絕緣層71中形成貫穿佈線，而電氣佈線彼此間便於層間相連接。
作為導體層72的構成材料係可列舉如上述的導電材料。
另一方面，作為絕緣層71的構成材料係可列舉例如：如氧化矽、氮化矽等矽化合物；如聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂等樹脂材料等等。
再者，電氣電路基板7並不僅侷限於如上述的增層基板，例如可為單層的電氣佈線基板(剛性基板)，亦可為如單層的聚醯亞胺基板、聚 酯基板、聚芳醯胺薄膜基板等各種可撓性基板。又，於增層基板中視需要亦可含有核心基板。
再者，阻焊層73的構成係與上述阻焊層29的構成同樣。
電氣電路基板7亦可擴大至圖9所示範圍以外處，在此處視需要亦可搭載如上述的各種電子零件。該等電子零件亦可經由在電氣電路基板7上所形成的電氣佈線，而與驅動元件搭載部23、訊號放大元件搭載部33呈電氣式連接。例如當在電氣電路基板7上搭載LSI時，藉由該LSI控制著驅動元件42、訊號放大元件52的動作，便可使光模組1000全體呈協調地動作。
再者，作為焊球8的構成材料並無特別的限定，可列舉各種含鉛焊料、各種無鉛焊料、各種焊料等。
再者，圖9所示光模組1000係成為光導波路1由發光部基板2與電氣電路基板7夾置的構成。圖9中雖未圖示，但光導波路1亦可由受光部基板3與電氣電路基板7夾置。若為此種構成，則因為可利用電氣基板包圍光導波路1，因而能保護光導波路1免受外力影響，俾可更加提高光模組1000的可靠度。
其他，於第3實施形態亦可獲得與第1、第2實施形態同樣的作用、效果。
<電子機器>
如上述的本發明之光模組，如上述，因為元件彼此間所產生的串音被削減，因而可進行安定的動作。又，因為串音削減的份量，可使元件彼此間更靠近配置，因而可達光模組之小型化。所以，藉由具備有此種光模組，不管是否為小型，仍可獲得能執行高品質之光通訊的高可靠度之電子機器。
作為具備有本發明之光模組的電子機器，係可列舉例如：行動電話、遊戲機、路由器裝置、WDM裝置、個人電腦、電視機、本地伺服器等電子機器類。該等電子機器均係例如在LSI等運算裝置與RAM等記憶裝置之間，必需高速傳輸大容量的資料。所以，藉由此種電子機器具備有本發明的光模組，便可解除電氣佈線特有的雜訊、訊號劣化等不良情況，而可期待其性能之大幅提升。
再者，光導波路部分相較於電氣佈線之下，發熱量獲大幅削減。所以，可削減冷卻所需要的電力，俾可削減電子機器全體的消耗電力。
以上，針對本發明根據圖示之實施形態進行說明，惟本發明並不僅侷限於該等。
例如光導波路亦可非為單層構造，而是多層構造。
再者，亦可取代光連接器，改為在光導波路另一端部亦設置上述各實施形態的發光部基板、受光部基板、或者其他的光電轉換零件、光連接零件等。
(產業上之可利用性)
可提供削減元件彼此間所產生的串音，能安定地動作之光模組，可輕易製造該光模組的光模組用構件，以及具備有上述光模組的高可靠度之電子機器。
1‧‧‧光導波路
2‧‧‧發光部基板
3‧‧‧受光部基板
6‧‧‧光連接器
9‧‧‧間隙
14‧‧‧核心部
21‧‧‧絕緣性基板
22‧‧‧發光元件搭載部
23‧‧‧驅動元件搭載部
31‧‧‧絕緣性基板
32‧‧‧受光元件搭載部
33‧‧‧訊號放大元件搭載部
41‧‧‧發光元件
42‧‧‧驅動元件
51‧‧‧受光元件
52‧‧‧訊號放大元件
100‧‧‧光模組用構件
410‧‧‧發光部
510‧‧‧受光部
1000‧‧‧光模組

Claims (11)

  1. 一種光模組用構件，其具備有：光導波路；發光部基板，其具備有：第1絕緣性基板、發光元件搭載部及驅動元件搭載部；該發光元件搭載部係以與上述光導波路呈光學式連接的方式，位在可搭載發光元件的上述第1絕緣性基板上；該驅動元件搭載部係與上述發光元件搭載部呈電氣式連接，且位在可搭載驅動元件的上述第1絕緣性基板上，該驅動元件係驅動上述發光元件；以及受光部基板，其具備有：第2絕緣性基板、受光元件搭載部及訊號放大元件搭載部；該第2絕緣性基板係以自上述發光部基板而相隔之方式加以設置；該受光元件搭載部係以與上述光導波路呈光學式連接的方式，位在可搭載受光元件的上述第2絕緣性基板上；該訊號放大元件搭載部係與上述受光元件搭載部呈電氣式連接，且位在可搭載訊號放大元件的上述第2絕緣性基板上，該訊號放大元件係將來自上述受光元件之訊號加以放大。
  2. 如申請專利範圍第1項之光模組用構件，其中，上述發光部基板與上述受光部基板係呈接近。
  3. 如申請專利範圍第1項之光模組用構件，其中，上述發光部基板與上述受光部基板之相隔距離為0.05mm以上且20mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之光模組用構件，其中，上述發光部基板與上述受光部基板之相隔距離為0.05mm以上且未滿5mm。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路與複數個上述發光部基板；上述各發光部基板之發光元件搭載部係以上述各發光元件為與上述 光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路與複數個上述受光部基板；上述各受光部基板之受光元件搭載部係以上述各受光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光模組用構件，其中，具備有：上述光導波路、複數個上述發光部基板及複數個上述受光部基板；上述各發光部基板之發光元件搭載部係以上述各發光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成；上述各受光部基板之受光元件搭載部係以上述各受光元件為與上述光導波路呈光學式連接之方式加以構成。
  8. 如申請專利範圍第5或7項之光模組用構件，其中，以2個上述發光元件搭載部為位在2個上述驅動元件搭載部之間的方式，加以配置2個上述發光部基板。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之光模組用構件，其中，以2個上述受光元件搭載部為位在2個上述訊號放大元件搭載部之間的方式，加以配置2個上述受光部基板。
  10. 一種光模組，其具備有：光模組用構件，其為申請專利範圍第1至9項中任一項之光模組用構件；發光元件，其被搭載於上述發光元件搭載部；驅動元件，其被搭載於上述驅動元件搭載部；受光元件，其被搭載於上述受光元件搭載部；以及 訊號放大元件，其被搭載於上述訊號放大元件搭載部。
  11. 一種電子機器，其具備有申請專利範圍第10項之光模組。
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