CN111865429A - 光电接收器及光电接收器的制作方法 - Google Patents

光电接收器及光电接收器的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111865429A
CN111865429A CN201910365784.0A CN201910365784A CN111865429A CN 111865429 A CN111865429 A CN 111865429A CN 201910365784 A CN201910365784 A CN 201910365784A CN 111865429 A CN111865429 A CN 111865429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
pin
electronic element
groove
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910365784.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111865429B (zh
Inventor
唐春蕾
黄福万
邢美正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shenzhen Jufei Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910365784.0A priority Critical patent/CN111865429B/zh
Publication of CN111865429A publication Critical patent/CN111865429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111865429B publication Critical patent/CN111865429B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种光电接收器和光电接收器的制作方法,所述光电接收器包括管座、第一电子元件和第二电子元件,所述管座设有安装端面,所述安装端面设有凹槽,所述第一电子元件收容于所述凹槽内,所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一侧设有芯片焊盘,所述凹槽内设有封盖所述第一电子元件的绝缘胶,所述绝缘胶暴露所述芯片焊盘,所述第二电子元件堆叠于所述绝缘胶上,并经所述焊盘电连接所述第一电子元件。所述第二电子元件可堆叠于所述第一电子元件上,有效减小了所述光电接收器整体体积,节省了使用空间。

Description

光电接收器及光电接收器的制作方法
技术领域
本申请涉及光电通信设备领域,尤其涉及一种光电接收器及光电接收器的制作方法。
背景技术
随着通讯行业的快速发展以及人民生活水平的不断提高,人们对网络传输速率要求越来越高,因此对光器件的传输速率要求也越来越高。目前网络传输速率的光器件升级换代越来越快,光器件的生产规模也越来越大,网络光器件的生产投入成本也升高。然而,网络技术的发展需要朝高性能底成本方向。在网络技术中,光器件成本占比高,光器件的研发制造是网络技术升级需要考虑的重中之重。
而随着对光器件传输速率要求的提高,使得对产品芯片要求也越来越高,芯片内部结构越来越复杂,随着芯片电路功能的复杂以及应对高频信号的抗干扰处理,使得跨阻放大器(TIA)的尺寸不得不变得更大。
当前E/GPON和10G-PON的光器件产业链已经成熟,对于10G-PON之后的下一代PON,业界最近研究较多的是单波长25G-PON。单波长25G-PON会用到体积越来越大的跨阻信号放大器。但是体积越大的跨阻信号放大器越会占用光电接收器较多的使用空间。
在跨阻放大器的体积变得越来越大的情况下,跨阻放大器的后端应用上又希望光器件的管座的尺寸保持原样,由于管座的芯片容置空间没有扩大,跨阻信号放大器却变得更大了,导致管座空间无法放置跨阻放大器、光电探测芯片、电容、电阻等相关芯片,因此对芯片之间的排布、管座相关改进提出了更大的要求。
在目前情况中,光电接收器的管座上除了排布较大体积的跨阻信号放大器后,还需要排布与跨阻信号放大器电连接的光电转换芯片。在光电转换芯片与跨阻信号放大器并排的结构下,光电接收器的管座整体体积随着跨阻信号放大器体积增大而增大。
现有技术中提供了一种APD-TIA同轴型光电组件(公开号:CN105679746A),一种APD-TIA同轴型光电组件,用于提高光电组件的灵敏度,包括管座,所述管座上设置有跨阻放大器、雪崩二极管以及二极管滤波电容;所述跨阻放大器的PINA输入端通过PD+线与所述雪崩二极管的正极电连接;所述跨阻放大器的输出端通过两信号线与所述管座的两输出端PIN针电连接;所述跨阻放大器的接地端通过地线与管座电连接;所述雪崩二极管的负极电连接所述二极管滤波电容的正极,所述二极管滤波电容的负极接地。跨阻放大器、雪崩二极管以及二极管滤波电容设置于所述管座的同一安装端面上,而雪崩二极管需要设置在管座的几何中心轴线处,以保持雪崩二极管与管座的同轴度精度,提高光电转换效率。在雪崩二极管设置于管座的几何中心轴线的结构下,跨阻信号放大器和二极管滤波电容只能排布在雪崩二极管的一侧。故在跨阻信号放大器的体积增大的情况下,管座不得不设置更大的安装端面,以实现对跨阻信号放大器有效承载。而在此结构下,为了尽量不增大管座的整体体积,需要将跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管排布得非常紧密。跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管在排布紧密的情况下,安装固定跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管的过程中,容易相互造成挤压损伤,而且容易安装错位,降低定位精度,导致生产制作成本升高,且产品质量下降,生产良率不高。因此,需要合理优化跨阻信号放大器、二极管滤波器和雪崩二极管的结构排布,以减小生产成本、提高定位精度、增加产品质量、提高生产良率。
现有技术中还提供了一种可插拔式多横模光接收组件(公开号:CN207181762U),包括转换组件,转换组件包括底座和设置于底座左端的管帽,所述管帽和底座装配后形成一个空腔,所述空腔内设置有光电探测器芯片和跨阻放大器,光电探测器芯片设置于跨阻放大器的上端,光电探测器芯片通过导电银胶与跨阻放大器导通。通过光电探测器芯片堆叠于跨阻放大器上,用于解决跨阻放大器和光电探测器排布空间较大的技术问题。在此种结构下,可以保证光电探测器芯片与穿过底座的管脚有效电性连接,充分利用了管脚与跨阻信号放大器的结构排布空间,底座只需设置可有效承载跨阻信号放大器的安装面积即可,而无需再提供光电探测芯片的安装面积,因此底座的体积的可以有效减小。
虽然将光电探测器芯片堆叠于跨阻放大器上,可有效减小光接收组件的整体体积,但是光接收组件的制作成本由于光电探测芯片堆叠于跨阻信号放大器上而升高,光电探测器芯片的定位精度也会存在降低,而且光电探测器芯片与跨阻放大器的导通性能也会有所降低。
其原因在于,光电探测芯片的安装需要在底座的平整面上,以保证光电探测芯片的法向中心轴线与底座的几何中心轴线同轴,而跨阻信号放大器上并不能有效提供一个平整安装面,导致光电探测芯片堆叠于跨阻信号放大器后,无法保证光电探测芯片的法向与底座的几何中心轴线同轴。
还有需要注意的是,光电探测芯片的安装定位需要根据三次元测量采集底座的定位点而保证光电探测芯片与底座的同心度。在光电探测芯片堆叠于跨阻信号放大器的情况下,跨阻信号放大器先于光电探测芯片安装在底座上,在光电探测芯片堆叠跨阻信号放大器,并进行三次元测量时,跨阻信号放大器容易干扰三次元测量定位点的采集,导致测量精度降低,从而导致光电探测芯片的定位精度。
也就是说,在此种结构下,虽可以有效减小光接收组件的整体体积,但是光接收组件的成本依然增大,且光电探测芯片的定位精度较低,光接收组件的光电转换效率降低,无法满足低成本高性能的发展要求。
因此,在光器件的管座上如何排布光电转换芯片和跨阻信号放大器的结构,成了光器件的结构优化非常重要的问题。而光电转换芯片的结构排布常要求较高,难以控制精度。因此,跨阻信号放大器和光电转换芯片的结构如何排布则成了光接收组件研发和制造过程中重中之重的问题。
发明内容
本申请提供一种光电接收器和光电接收器的制作方法。
本申请提供一种光电接收器,其中,所述光电接收器包括管座、第一电子元件和第二电子元件,所述管座设有安装端面,所述安装端面设有凹槽,所述第一电子元件收容于所述凹槽内,所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一侧设有芯片焊盘,所述第二电子元件堆叠于所述第一电子元件上,并经所述芯片焊盘电连接所述第一电子元件。
其中,所述光电接收器还包括至少一个管脚,所述管脚穿过所述管座,所述管脚的端部电连接所述第一电子元件。
其中,所述第一电子元件朝向所述凹槽的开口一侧设有导电引脚和芯片堆叠区,所述导电引脚设置于所述芯片堆叠区外侧,并电连接所述管脚,所述芯片焊盘设置于所述芯片堆叠区,所述第二电子元件在所述第一电子元件的正投影与所述芯片堆叠区重合。
其中,所述光电接收器还包括盖合于所述管座的管帽,所述管帽设有透镜,所述透镜的中心与所述第二电子元件的中心在同一轴线上。
其中,所述凹槽内设有封盖所述第一电子元件的绝缘胶,所述绝缘胶曝露所述芯片焊盘,所述第二电子元件堆叠于所述绝缘胶上。
其中,所述绝缘胶封盖所述凹槽开口,所述绝缘胶的上表面与所述安装端面平齐。
本申请还提供一种光电接收器的制作方法,其中,所述光电接收器的制作方法包括步骤:
提供管座,所述管座具有安装端面,所述安装端面开设有凹槽;
将第一电子元件放置于所述凹槽内,所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一端设有芯片焊盘;
将第二电子元件堆叠于第一电子元件上,并经芯片焊盘电连接所述第一电子元件。
其中,所述光电接收器的制作方法还包括步骤:
将管脚穿过所述管座,所述管脚的端部相对所述安装端面凸出,并经导电线缆电连接所述第一电子元件。
其中,所述第一电子元件朝向所述开口一侧设有导电引脚,所述导电引脚电连接所述管脚。
其中,所述光电接收器的制作方法包括步骤:向所述凹槽内填充绝缘胶,所述绝缘胶曝露所述芯片焊盘。
本申请提供的光电接收器和光电接收器的制作方法,通过所述管座的安装端面设有凹槽,所述第一电子元件收容于所述凹槽内,使得所述第二电子元件可堆叠于所述第一电子元件上,有效减小了所述光电接收器整体体积,节省了使用空间。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的光电接收器的截面示意图;
图2是本申请实施例提供的光电接收器的俯视示意图;
图3是本申请实施例提供的光电接收器的另一截面示意图;
图4是本申请实施例提供的光电接收器的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例的描述中,需要理解的是,术语“厚度”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是暗示或指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
请参阅图1、图2和图3,本申请提供一种光电接收器100,所述光电接收器100包括管座10、第一电子元件20和第二电子元件30。在本实施例中,第一电子元件20优选为跨阻信号放大器等具有放大信号功能的电子元件,第二电子元件30优选为光电转换芯片。
所述管座10设有安装端面11,所述安装端面11设有凹槽12。所述第一电子元件20收容于所述凹槽内12。所述第一电子元件20朝向所述凹槽12开口一侧设有芯片焊盘21。所述凹槽12内设有封盖所述第一电子元件20的绝缘胶121,所述绝缘胶121曝露所述芯片焊盘21。所述第二电子元件30堆叠于所述绝缘胶121上,并经所述焊盘21电连接所述第一电子元件20。
可以理解的是,所述光电接收器100应用于25G/100GPON光纤网络通信技术。所述第一电子元件30的规格尺寸大于常规的第一电子元件30。
通过所述管座10的安装端面11设有凹槽12,所述第一电子元件20收容于所述凹槽12内,使得所述第二电子元件30可堆叠于所述第一电子元件20上,有效减小了所述光电接收器100整体体积,节省了使用空间。
本实施方式中,所述管座10还设有相对所述安装端面11设置的底面13。所述管座10的周侧设有安装凸缘14。所述安装凸缘邻近所述底面13。所述安装凸缘用于与管帽40的边缘配合。所述管帽40的中心设有透镜401,所述透镜401与所述第二电子元件30正对。所述管帽40与所述管座10之间形成密封空间,所述第二电子元件30收容于所述密封空间内。所述凹槽12由所述安装端面11朝所述底面13延伸。所述凹槽12位于所述安装端面11大致中间处。所述管座10大致呈圆柱形。所述凹槽12大致呈矩形凹槽。当然,在其他实施方式中,所述管座10也可以呈方柱形。
本实施方式中,所述第一电子元件20包括上表面22和相对所述上表面22设置的下表面23。所述下表面23贴合于所述凹槽12底部。所述第一电子元件20的下表面23可经粘胶粘接于所述凹槽12底部。所述芯片焊盘21设置于所述上表面22。所述上表面22相对所述安装端面11略沉入所述凹槽12内,以使得所述芯片焊盘21大致与所述上表面22平齐,以方便所述芯片焊盘21可抵触于所述第二电子元件30。所述芯片焊盘21背离所述第一电子元件20的表面露出所述凹槽12,以方便所述芯片焊盘21与所述第二电子元件30导通,并且方便所述第二电子元件30平整贴合于所述第一电子元件20上。
本实施方式中,所述第二电子元件20位于所述安装端面11几何中心相对的位置,以方便接收光信号。通过将所述第一电子元件20沉入所述凹槽12内,在对所述第二电子元件30进行三次元测量定位时,可以将所述凹槽12的边角点作为定位参考点,以保证所述第二电子元件30的定位精度。具体的,在所述第一电子元件20沉入所述凹槽12后,采集所述凹槽12的边角点位置,然后根据所述凹槽12的边角点位置,计算出所述第二电子元件30的安装点,并根据所述第二电子元件30的安装点将所述第二电子元件30固定于所述第一电子元件20上。所述第二电子元件30可经导电胶粘接于所述第一电子元件20上。所述第二电子元件30朝向所述第一电子元件20一侧设有导通焊盘31。所述导通焊盘31可经导电胶与所述芯片焊盘21导通。所述第二电子元件30的底面与所述第一电子元件20的上表面22紧密抵触,以使所述光电接收器100的结构紧凑,减小整体体积,节省使用空间。
进一步地,所述光电接收器100还包括管脚50,所述管脚50穿过所述管座10,所述管脚50的端部相对所述安装端面11凸出,所述管脚50的端部经线缆电连接所述第一电子元件20。
本实施方式中,所述管脚50穿过所述安装端面11以及穿过所述底面13。所述管脚50大致垂直所述安装端面11。所述管脚50相对所述安装端面11凸出的端部与导电线缆焊接,并经导电线缆连接至所述第一电子元件20,以接收第一电子元件20的电信号。所述管脚50与所述第一电子元件20之间存在间距。所述管脚50相对所述安装端面11凸出的端部端面大致与所述第二电子元件30背离所述第一电子元件20一面平齐,以减小所述光电接收器100的整体体积。所述管座10设有贯穿所述底面13和所述安装端面11的通孔15。所述管脚50穿过所述通孔15,所述通孔15内壁设置绝缘胶,以使管脚50与所述管座10绝缘。
进一步地,所述光电接收器100包括多个所述管脚50,多个所述管脚50位于所述第一电子元件20周侧。
本实施方式中,所述第一电子元件20包括依次连接的第一侧面201、第二侧面202、第三侧面203和第四侧面204。多个所述管脚50包括接地管脚41、信号管脚42、电压管脚43、信号输入管脚44和信号输出管脚45。所述信号输入管脚44和所述信号输出管脚45相对所述第一侧面201设置。所述信号管脚42与所述第二侧面202相对设置。所述接地管脚41与所述第三侧面203相对设置。所述电压管脚43与所述第四侧面204相对设置。利用接地管脚41、信号管脚42、电压管脚43、信号输入管脚44和信号输出管脚45设置于所述第一电子元件30周侧,以优化所述管座10的器件排布结构,增大所述第一电子元件30的安装面积,并且方便管脚50电连接所述第一电子元件30。
进一步地,所述第一电子元件20朝向所述凹槽12的开口一侧设有导电引脚24和芯片堆叠区25,所述导电引脚24设置于所述芯片堆叠区25外侧,所述导电引脚24相对所述绝缘胶121露出,并经导电线缆与所述管脚50导通,所述芯片焊盘21设置于所述堆叠区25内侧,所述第二电子元件30在所述第一电子元件20的正投影与所述芯片堆叠区25重合。
本实施方式中,所述芯片堆叠区25与所述第一电子元件20的边缘存在间距。所述芯片焊盘21设置于所述芯片堆叠区25内。所述导电引脚24排布于所述芯片堆叠区25至所述第一电子元件20的边缘的间距内。所述上表面22设置多个所述导电引脚24,多个所述导电引脚24围合于所述芯片堆叠区25的周侧。所述第二电子元件30覆盖所述芯片焊盘21。多个所述导电引脚24露出所述绝缘胶121,以方便所述导电引脚24经线缆连接至所述管脚50。
进一步地,所述绝缘胶121封盖所述凹槽12开口,所述绝缘胶121的上表面与所述安装端面11平齐。所述芯片焊盘21和所述导电引脚24均露出所述绝缘胶121,并位于所述凹槽12外侧。所述绝缘胶121可遮盖所述第一电子元件20,所述绝缘胶121远离所述第一电子元件的表面平整设置,以方便所述第二电子元件30可以安装于一个平整面上。更为具体的,所述芯片焊盘21远离所述第一电子元件20的表面略低于所述绝缘胶121的表面0.02mm,以方便所述第二电子元件30的导通焊盘31与所述芯片焊盘21接触,并且所述第二电子元件30的背面在所述导通焊盘31之外的区域与所述绝缘胶121的表面紧密接触,使得所述第二电子元件30的法向中心轴线与所述管座10的几何中心轴线同轴设置。
请一并参阅图1和图4,本申请还提供一种光电接收器的制作方法,用于制作所述光电接收器100。在本实施例中,第一电子元件20优选为跨阻信号放大器等具有放大信号功能的电子元件,第二电子元件30优选为光电转换芯片。
所述光电接收器的制作方法包括步骤:
101:提供管座10,所述管座10具有安装端面11,所述安装端面11开设有凹槽12。
本实施方式中,所述管座10可以采用金属材质。所述管座10可以经冲压工艺成型。所述凹槽12经模压工艺、或切割工艺、或铣削工艺成型。所述凹槽12的长度方向尺寸大致为1.9mm,宽度方向尺寸大致为1.5mm,深度方向尺寸大致为0.34mm。所述第一电子元件20的长度尺寸为1.7mm、,宽度尺寸为1.3mm,高度尺寸为0.3mm。所述第一电子元件20的周侧面距离所述凹槽12的周侧面0.2mm,以方便所述第一电子元件20安装于所述凹槽12内。所述第一电子元件20沉入所述凹槽12后,所述第一电子元件20的上表面至所述安装端面11的距离为0.04mm,以方便向所述凹槽12内沉入芯片焊盘21和导通焊盘31。所述管座10可以经线切割工艺加工出贯穿安装端面11和底面13的通孔15,以方便管脚50经通孔15穿过管座10。所述通孔15与所述凹槽12相隔离。待所述通孔15成型后,可在所述通孔15内成型绝缘胶,以方便管座10与管脚50绝缘。
102:将第一电子元件20放置于所述凹槽12内,所述第一电子元件20朝向所述凹槽12开口一端设有芯片焊盘21。
本实施方式中,将所述第一电子元件20经粘胶粘接于所述凹槽12的底部后。将导电线缆的一端焊接于所述导电引脚24上,以保证导电线缆与导电引脚24导通。所述芯片焊盘21设置于所述第一电子元件20远离所述凹槽12底部的一面。所述芯片焊盘21的厚度为0.02mm。所述芯片焊盘21远离所述第一电子元件20的一面至所述安装端面11的距离为0.02mm。
103:向所述凹槽12内填充绝缘胶121,所述绝缘胶121暴露所述芯片焊盘21。
本实施方式中,在所述绝缘胶121可以采用浇注工艺、或点胶工艺、或注塑工艺成型于所述凹槽12内。所述绝缘胶121密封所述凹槽12的开口,且所述绝缘胶121覆盖所述第一电子元件20的上表面22。所述导电引脚24和所述芯片焊盘21露出所述绝缘胶121。
具体的,在所述绝缘胶121填充于所述凹槽12后,将所述绝缘胶121填满所述凹槽12,以使所述绝缘胶121的表面与所述安装端面11平齐。然后在所述绝缘胶121对应所述芯片焊盘21的位置经打磨工艺加工出深度为0.02mm的凹孔,以使得所述芯片焊盘21远离所述第一电子元件20的表面不被所述绝缘胶121覆盖,方便后续所述导通焊盘31沉入凹槽12后,与所述芯片焊盘21导通。
104:将第二电子元件30堆叠于第一电子元件20上,并经芯片焊盘21电连接所述第一电子元件20。
本实施方式中,第二电子元件30可以经导电胶粘接于所述第一电子元件20上。在贴合所述第二电子元件30的过程中,需保证所述第二电子元件30的贴片精准性。
利用所述绝缘胶121的表面平整性,可以保证所述第二电子元件30安装于平整表面上,以保证所述第二电子元件30的法向中心轴线与所述管座10的几何中心轴线同轴。通过三次测量采集所述凹槽12的边角定位点可以计算出所述第二电子元件30的安装定位点,使得所述第二电子元件30安装定位精确。所述导通焊盘31设置于所述第二电子元件30的背面。所述导通焊盘31伸入所述凹槽12后,与所述芯片焊盘21紧密接触。所述第二电子元件30的背面在所述导通焊盘31之外的区域所述绝缘胶121紧密接触,以保证所述第二电子元件30的安装稳固性。所述绝缘胶121包覆所述芯片焊盘21和所述导通焊盘31,使得所述芯片焊盘21和所述导通焊盘31防氧化,增加导通性能。
105:将管脚50穿过所述管座10,所述管脚50的端部相对所述安装端面11凸出,并经导电线缆电连接所述第一电子元件20。
通过所述管座的安装端面设有凹槽,所述第一电子元件收容于所述凹槽内,使得所述第二电子元件可堆叠于所述第一电子元件上,有效减小了所述光电接收器整体体积,节省了使用空间。
以上是本申请实施例的实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请实施例原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种光电接收器,其特征在于,所述光电接收器包括管座、第一电子元件和第二电子元件,所述管座设有安装端面,所述安装端面设有凹槽,所述第一电子元件收容于所述凹槽内,所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一侧设有芯片焊盘,所述第二电子元件堆叠于所述第一电子元件上,并经所述芯片焊盘电连接所述第一电子元件。
2.根据权利要求1所述的光电接收器,其特征在于,所述光电接收器还包括至少一个管脚,所述管脚穿过所述管座,所述管脚的端部电连接所述第一电子元件。
3.根据权利要求2所述的光电接收器,其特征在于,所述第一电子元件朝向所述凹槽的开口一侧设有导电引脚和芯片堆叠区,所述导电引脚设置于所述芯片堆叠区外侧,并电连接所述管脚,所述芯片焊盘设置于所述芯片堆叠区,所述第二电子元件在所述第一电子元件的正投影与所述芯片堆叠区重合。
4.根据权利要求1所述的光电接收器,其特征在于,所述光电接收器还包括盖合于所述管座的管帽,所述管帽设有透镜,所述透镜的中心与所述第二电子元件的中心在同一轴线上。
5.根据权利要求1所述的光电接收器,其特征在于,所述凹槽内设有封盖所述第一电子元件的绝缘胶,所述绝缘胶曝露所述芯片焊盘,所述第二电子元件堆叠于所述绝缘胶上。
6.根据权利要求5所述的光电接收器,其特征在于,所述绝缘胶封盖所述凹槽开口,所述绝缘胶的上表面与所述安装端面平齐。
7.一种光电接收器的制作方法,其特征在于,所述光电接收器的制作方法包括步骤:
提供管座,所述管座具有安装端面,所述安装端面开设有凹槽;
将第一电子元件放置于所述凹槽内,所述第一电子元件朝向所述凹槽开口一端设有芯片焊盘;
将第二电子元件堆叠于第一电子元件上,并经芯片焊盘电连接所述第一电子元件。
8.根据权利要求7所述的光电接收器的制作方法,其特征在于,所述光电接收器的制作方法还包括步骤:
将管脚穿过所述管座,所述管脚的端部相对所述安装端面凸出,并经导电线缆电连接所述第一电子元件。
9.根据权利要求1所述的光电接收器的制作方法,其特征在于,所述第一电子元件朝向所述开口一侧设有导电引脚,所述导电引脚电连接所述管脚。
10.根据权利要求1所述的光电接收器的制作方法,其特征在于,所述光电接收器的制作方法包括步骤:向所述凹槽内填充绝缘胶,所述绝缘胶曝露所述芯片焊盘。
CN201910365784.0A 2019-04-30 2019-04-30 光电接收器及光电接收器的制作方法 Active CN111865429B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910365784.0A CN111865429B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 光电接收器及光电接收器的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910365784.0A CN111865429B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 光电接收器及光电接收器的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111865429A true CN111865429A (zh) 2020-10-30
CN111865429B CN111865429B (zh) 2022-05-27

Family

ID=72966713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910365784.0A Active CN111865429B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 光电接收器及光电接收器的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111865429B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109725391A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 住友电工光电子器件创新株式会社 接收器光学组件及其组装方法
CN113488455A (zh) * 2021-05-24 2021-10-08 武汉敏芯半导体股份有限公司 抗干扰的高速光接收器件
CN114323567A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种光电探测器测试装置及测试方法
WO2022163391A1 (ja) * 2021-01-26 2022-08-04 住友電気工業株式会社 光受信機
CN116093206A (zh) * 2023-03-06 2023-05-09 西安感崆电子信息科技有限公司 一种光电传感器封装

Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610395A (en) * 1994-05-16 1997-03-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photodetector module with a photodiode electrically connected directly on top of a parallel plate capacitor
US6318908B1 (en) * 1999-02-09 2001-11-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light transmitting/receiving module
CN1697962A (zh) * 2003-07-18 2005-11-16 爱知制钢株式会社 三次元磁性方位传感器以及磁铁·阻抗·传感器元件
US20070196113A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-23 Fathimulla Ayub M Monolithic optically preamplified coherent photoreceiver arrays
JP2007242708A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信サブアセンブリ
KR20090028463A (ko) * 2007-09-14 2009-03-18 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 광도파로 탑재 기판 및 그 제조 방법
CN101499461A (zh) * 2008-01-31 2009-08-05 前源科技股份有限公司 光电元件及使用该光电元件的光次模组
CN101556359A (zh) * 2008-04-09 2009-10-14 前源科技股份有限公司 用于光通讯的光电元件及光次模组
CN101919057A (zh) * 2008-01-22 2010-12-15 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和制造半导体器件的方法
US20120128295A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-24 Electronics And Telecommunications Research Institute Multi-channel optical module
CN202616238U (zh) * 2012-01-16 2012-12-19 江苏科融电子技术有限公司 用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器
CN102934385A (zh) * 2010-04-07 2013-02-13 韩国电子通信研究院 双向光学发射和接收装置
CN103199941A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 Ntt电子股份有限公司 平板配置用光接收组件以及光模块
CN203456687U (zh) * 2013-07-25 2014-02-26 深圳市日高鑫五金电子有限公司 一种新型同轴射频精密快速连接器
CN104944348A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 C.H.&I.技术有限公司 气溶胶再填充筒
JP2016053491A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 富士通株式会社 三次元形状計測装置及び三次元形状の計測方法
CN105759370A (zh) * 2016-01-04 2016-07-13 金舟 防串扰同轴形光收发一体器件
CN106019500A (zh) * 2016-08-04 2016-10-12 东莞铭普光磁股份有限公司 一种同轴型光电组件
CN205941988U (zh) * 2016-08-04 2017-02-08 东莞铭普光磁股份有限公司 一种同轴型光电组件
CN107317637A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 苏州旭创科技有限公司 光接收组件及光模块
CN107452815A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种同轴封装的光器件及光模块
CN107608033A (zh) * 2017-09-30 2018-01-19 武汉电信器件有限公司 一种光纤适配器结构
CN207181760U (zh) * 2017-09-19 2018-04-03 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种可插拔式单横模光接收组件
CN109244521A (zh) * 2018-09-20 2019-01-18 深圳科易设计服务有限公司 一种电池正反面贴绝缘胶纸自动化设备
CN208507717U (zh) * 2018-07-09 2019-02-15 沈阳中光电子有限公司 发光二极管封装结构、光电传感器及金融设备
CN109411549A (zh) * 2018-12-07 2019-03-01 苏州苏纳光电有限公司 光电子芯片封装结构及封装方法

Patent Citations (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610395A (en) * 1994-05-16 1997-03-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photodetector module with a photodiode electrically connected directly on top of a parallel plate capacitor
US6318908B1 (en) * 1999-02-09 2001-11-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light transmitting/receiving module
CN1697962A (zh) * 2003-07-18 2005-11-16 爱知制钢株式会社 三次元磁性方位传感器以及磁铁·阻抗·传感器元件
US20070196113A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-23 Fathimulla Ayub M Monolithic optically preamplified coherent photoreceiver arrays
JP2007242708A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信サブアセンブリ
KR20090028463A (ko) * 2007-09-14 2009-03-18 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 광도파로 탑재 기판 및 그 제조 방법
CN101919057A (zh) * 2008-01-22 2010-12-15 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和制造半导体器件的方法
CN101499461A (zh) * 2008-01-31 2009-08-05 前源科技股份有限公司 光电元件及使用该光电元件的光次模组
CN101556359A (zh) * 2008-04-09 2009-10-14 前源科技股份有限公司 用于光通讯的光电元件及光次模组
CN102934385A (zh) * 2010-04-07 2013-02-13 韩国电子通信研究院 双向光学发射和接收装置
US20120128295A1 (en) * 2010-11-22 2012-05-24 Electronics And Telecommunications Research Institute Multi-channel optical module
CN103199941A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 Ntt电子股份有限公司 平板配置用光接收组件以及光模块
CN202616238U (zh) * 2012-01-16 2012-12-19 江苏科融电子技术有限公司 用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其传感器
CN203456687U (zh) * 2013-07-25 2014-02-26 深圳市日高鑫五金电子有限公司 一种新型同轴射频精密快速连接器
CN104944348A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 C.H.&I.技术有限公司 气溶胶再填充筒
JP2016053491A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 富士通株式会社 三次元形状計測装置及び三次元形状の計測方法
CN105759370A (zh) * 2016-01-04 2016-07-13 金舟 防串扰同轴形光收发一体器件
CN107317637A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 苏州旭创科技有限公司 光接收组件及光模块
CN205941988U (zh) * 2016-08-04 2017-02-08 东莞铭普光磁股份有限公司 一种同轴型光电组件
CN106019500A (zh) * 2016-08-04 2016-10-12 东莞铭普光磁股份有限公司 一种同轴型光电组件
CN107452815A (zh) * 2017-07-31 2017-12-08 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种同轴封装的光器件及光模块
CN207181760U (zh) * 2017-09-19 2018-04-03 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种可插拔式单横模光接收组件
CN107608033A (zh) * 2017-09-30 2018-01-19 武汉电信器件有限公司 一种光纤适配器结构
CN208507717U (zh) * 2018-07-09 2019-02-15 沈阳中光电子有限公司 发光二极管封装结构、光电传感器及金融设备
CN109244521A (zh) * 2018-09-20 2019-01-18 深圳科易设计服务有限公司 一种电池正反面贴绝缘胶纸自动化设备
CN109411549A (zh) * 2018-12-07 2019-03-01 苏州苏纳光电有限公司 光电子芯片封装结构及封装方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109725391A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 住友电工光电子器件创新株式会社 接收器光学组件及其组装方法
WO2022163391A1 (ja) * 2021-01-26 2022-08-04 住友電気工業株式会社 光受信機
CN113488455A (zh) * 2021-05-24 2021-10-08 武汉敏芯半导体股份有限公司 抗干扰的高速光接收器件
CN114323567A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种光电探测器测试装置及测试方法
CN116093206A (zh) * 2023-03-06 2023-05-09 西安感崆电子信息科技有限公司 一种光电传感器封装
CN116093206B (zh) * 2023-03-06 2023-08-25 西安感崆电子信息科技有限公司 一种光电传感器封装

Also Published As

Publication number Publication date
CN111865429B (zh) 2022-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111865429B (zh) 光电接收器及光电接收器的制作方法
US4268113A (en) Signal coupling element for substrate-mounted optical transducers
US7970284B2 (en) Optical and electric signals transmission apparatus, optical and electric signals transmission system, and electronic equipment using such a system
US8907266B2 (en) Light-receiving device array, optical receiver module, and optical transceiver
US8743564B2 (en) Optical device
US8853658B2 (en) Face-to-face opto-coupler device and method of manufacture
JPS6235085B2 (zh)
KR20050013505A (ko) 반도체 모듈
JP6476634B2 (ja) 光受信モジュール
CN106338799A (zh) 光发射组件
EP0101872A2 (en) Duplex optical communication module device
WO2023109210A1 (zh) 光模块
US20230194802A1 (en) Optical module
CN111865433A (zh) 光电接收器及光电接收器的制作方法
CN115201977B (zh) 一种光模块
US10390409B2 (en) Optical module
CN110854210A (zh) 一种基于box封装的超高频射频光电探测器
US11927817B2 (en) Optical module
CN113805290B (zh) 一种光模块
CN113611759B (zh) 一种光探测器、制备方法以及光模块
CN210668367U (zh) 光器件
CN211348740U (zh) 一种光模块
CN210092096U (zh) 一种to封装器件及光模块
CN210168050U (zh) 光接收器件及光通信装置
CN220325616U (zh) 多通道BiDi光模块和光纤通信系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant