JP2000028872A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JP2000028872A JP2000028872A JP10200433A JP20043398A JP2000028872A JP 2000028872 A JP2000028872 A JP 2000028872A JP 10200433 A JP10200433 A JP 10200433A JP 20043398 A JP20043398 A JP 20043398A JP 2000028872 A JP2000028872 A JP 2000028872A
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- optical
- waveguide type
- electronic circuit
- optical module
- light receiving
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配置構造の簡素化を図ると共に、配線による
寄生インダクタンスの影響を低減した簡易な構造の生産
性の良好な光モジュールを提供する。 【解決手段】 光ファイバ９に結合される導波路型光素
子２と、この導波路型光素子に電気的接続される電子回
路素子４とを具備し、特に電子回路素子をサブマウント
として該電子回路素子上に導波路型光素子を実装し、電
子回路素子を介して導波路型光素子を光ファイバとの光
学的結合位置に位置付けた構造とする。
寄生インダクタンスの影響を低減した簡易な構造の生産
性の良好な光モジュールを提供する。 【解決手段】 光ファイバ９に結合される導波路型光素
子２と、この導波路型光素子に電気的接続される電子回
路素子４とを具備し、特に電子回路素子をサブマウント
として該電子回路素子上に導波路型光素子を実装し、電
子回路素子を介して導波路型光素子を光ファイバとの光
学的結合位置に位置付けた構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製造が容易で配線
に伴う寄生インダクタンス等の影響の少なく、高速光通
信用として好適な光モジュールに関する。
に伴う寄生インダクタンス等の影響の少なく、高速光通
信用として好適な光モジュールに関する。
【０００２】
【関連する背景技術】高速・大容量のデータ通信に対す
る要求の増大に伴い、光インターコネクションや光信号
処理に対する開発が種々進められている。これらの技術
を経済的に実現する上で高性能・低価格の光モジュール
の開発が必須であり、特に光／電気変換素子として導波
路型光素子が注目されている。特に導波路型の受光素子
は高速・高感度・低歪み等の特徴を有し、また光分岐器
や光カップラ等の導波路型光部品との結合性に優れ、ま
たこれらの光部品と一体にモノリシックに集積化が可能
なことから、光通信用のデバイスとして重要な役割を果
たしている。
る要求の増大に伴い、光インターコネクションや光信号
処理に対する開発が種々進められている。これらの技術
を経済的に実現する上で高性能・低価格の光モジュール
の開発が必須であり、特に光／電気変換素子として導波
路型光素子が注目されている。特に導波路型の受光素子
は高速・高感度・低歪み等の特徴を有し、また光分岐器
や光カップラ等の導波路型光部品との結合性に優れ、ま
たこれらの光部品と一体にモノリシックに集積化が可能
なことから、光通信用のデバイスとして重要な役割を果
たしている。
【０００３】ところで光ファイバを介して通信された光
信号を受信する光受信器において、上述した受光素子に
て光／電気変換されて出力される信号は一般に微弱であ
る。この為、光受信器に電子回路素子であるプリアンプ
（前置増幅器）を組み込み、受光素子の出力を増幅した
後に外部出力することが行われる。ちなみに上記プリア
ンプは、該光受信器における帯域・雑音・歪み特性を左
右する寄生成分の影響が少なくなるように、前記受光素
子の近傍に配置されてハイブリッドモジュール化され
る。
信号を受信する光受信器において、上述した受光素子に
て光／電気変換されて出力される信号は一般に微弱であ
る。この為、光受信器に電子回路素子であるプリアンプ
（前置増幅器）を組み込み、受光素子の出力を増幅した
後に外部出力することが行われる。ちなみに上記プリア
ンプは、該光受信器における帯域・雑音・歪み特性を左
右する寄生成分の影響が少なくなるように、前記受光素
子の近傍に配置されてハイブリッドモジュール化され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて導波路型受光素子
とプリアンプとを、例えばキャンパッケージに実装して
実現される光モジュール（ハイブリッド光受信モジュー
ル）は、例えば図４に示すように構成される。この図４
に示す光モジュールは、キャンパッケージ１のステム１
ａ上に立設したピラー１ｂに、導波路型受光素子２をシ
リコン（Ｓi）製のサブマウント３を介して実装すると
共に、この受光素子２に近接させて電子回路素子である
プリアンプＩＣ４を実装して構成される。しかして上記
サブマウント３は、前記導波路型受光素子２のヒートシ
ンクとして機能すると共に、該導波路型受光素子２を球
レンズ５に対して光学的に結合させるための位置決め部
材として機能する。
とプリアンプとを、例えばキャンパッケージに実装して
実現される光モジュール（ハイブリッド光受信モジュー
ル）は、例えば図４に示すように構成される。この図４
に示す光モジュールは、キャンパッケージ１のステム１
ａ上に立設したピラー１ｂに、導波路型受光素子２をシ
リコン（Ｓi）製のサブマウント３を介して実装すると
共に、この受光素子２に近接させて電子回路素子である
プリアンプＩＣ４を実装して構成される。しかして上記
サブマウント３は、前記導波路型受光素子２のヒートシ
ンクとして機能すると共に、該導波路型受光素子２を球
レンズ５に対して光学的に結合させるための位置決め部
材として機能する。
【０００５】またこの種の光モジュールには、通常、高
周波での発振を防ぐためのバイパスコンデンサ６が組み
込まれるが、前記導波路型受光素子２等を実装したピラ
ー１ｂ上に余裕がないので、上記バイパスコンデンサ６
は専ら前記ステム１ａ上に設けられる。そしてこれらの
導波路型受光素子２、プリアンプＩＣ４、バイパスコン
デンサ６間をワイヤ７を介してそれぞれ電気的に接続
し、更に前記ステム１ａを貫通して設けられた外部接続
用のリード端子８に接続することで、光モジュールが実
現されている。尚、前記球レンズ５を組み込んだキャン
パッケージ１のキャップ部１ｃには、光ファイバ９が同
軸に連結される。
周波での発振を防ぐためのバイパスコンデンサ６が組み
込まれるが、前記導波路型受光素子２等を実装したピラ
ー１ｂ上に余裕がないので、上記バイパスコンデンサ６
は専ら前記ステム１ａ上に設けられる。そしてこれらの
導波路型受光素子２、プリアンプＩＣ４、バイパスコン
デンサ６間をワイヤ７を介してそれぞれ電気的に接続
し、更に前記ステム１ａを貫通して設けられた外部接続
用のリード端子８に接続することで、光モジュールが実
現されている。尚、前記球レンズ５を組み込んだキャン
パッケージ１のキャップ部１ｃには、光ファイバ９が同
軸に連結される。
【０００６】しかしながら上述した構成の光モジュール
においては、導波路型受光素子２やプリアンプＩＣ４等
の配置構造が複雑であり、ワイヤ７のボンディング箇所
も多いので、その生産性が悪いと言う問題がある。特に
バイパスコンデンサ６がステム１ａ上に設けらており、
導波路型受光素子２等に対するワイヤボンディングの方
向と異なるので、ボンディング作業が非常に煩雑であ
る。またサブマウント３上に導波路型受光素子２および
プリアンプＩＣ４を実装する際、両者の間に或る程度の
実装マージンをとる必要があるので、これらの間を電気
的に接続するワイヤ７の配線長が長くなることが否めな
い。この為、配線長に依存する寄生インダクタンスが、
光モジュールの特性に悪影響を与え易くなる言う問題が
ある。
においては、導波路型受光素子２やプリアンプＩＣ４等
の配置構造が複雑であり、ワイヤ７のボンディング箇所
も多いので、その生産性が悪いと言う問題がある。特に
バイパスコンデンサ６がステム１ａ上に設けらており、
導波路型受光素子２等に対するワイヤボンディングの方
向と異なるので、ボンディング作業が非常に煩雑であ
る。またサブマウント３上に導波路型受光素子２および
プリアンプＩＣ４を実装する際、両者の間に或る程度の
実装マージンをとる必要があるので、これらの間を電気
的に接続するワイヤ７の配線長が長くなることが否めな
い。この為、配線長に依存する寄生インダクタンスが、
光モジュールの特性に悪影響を与え易くなる言う問題が
ある。
【０００７】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、導波路型受光素子等の配置構造
の簡素化を図ると共に、配線による寄生インダクタンス
の影響を低減することのできる簡易な構造の、しかも生
産性の良好な光モジュールを提供することにある。
たもので、その目的は、導波路型受光素子等の配置構造
の簡素化を図ると共に、配線による寄生インダクタンス
の影響を低減することのできる簡易な構造の、しかも生
産性の良好な光モジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る光モジュールは、光ファイバに結合さ
れる導波路型光素子と、この導波路型光素子に電気的接
続される電子回路素子とを具備したものであって、特に
前記電子回路素子をサブマウントとして該電子回路素子
上に前記導波路型光素子を実装し、前記電子回路素子を
介して前記導波路型光素子を前記光ファイバとの光学的
結合位置に位置付けたことを特徴としている。
べく本発明に係る光モジュールは、光ファイバに結合さ
れる導波路型光素子と、この導波路型光素子に電気的接
続される電子回路素子とを具備したものであって、特に
前記電子回路素子をサブマウントとして該電子回路素子
上に前記導波路型光素子を実装し、前記電子回路素子を
介して前記導波路型光素子を前記光ファイバとの光学的
結合位置に位置付けたことを特徴としている。
【０００９】即ち、本発明に係る光モジュールは、電子
回路素子上に導波路型光素子を実装することで該電子回
路素子をサブマウントとして用い、該電子回路素子を導
波路型光素子のヒートシンクおよび位置合わせ部材とし
て機能させると共に、これらの間の電気的な配線長を短
くして寄生インダクタンスの問題を軽減したことを特徴
としている。また電子回路素子をサブマウントとして用
いることで、従来のシリコン製のサブマウントを不要と
し、その部品点数の削減を図ったことを特徴としてい
る。
回路素子上に導波路型光素子を実装することで該電子回
路素子をサブマウントとして用い、該電子回路素子を導
波路型光素子のヒートシンクおよび位置合わせ部材とし
て機能させると共に、これらの間の電気的な配線長を短
くして寄生インダクタンスの問題を軽減したことを特徴
としている。また電子回路素子をサブマウントとして用
いることで、従来のシリコン製のサブマウントを不要と
し、その部品点数の削減を図ったことを特徴としてい
る。
【００１０】本発明の好ましい態様は、請求項２に記載
するように前記導波路型光素子を半導体受光素子、前記
電子回路素子を前置増幅器を備えた集積回路素子として
実現し、これらの素子をキャンパッケージのステム上に
立設されたピラーに実装することを特徴としている。ま
たこのような配置構造により上記ピラーの実装スペース
にに余裕を持たせ、該ピラー上へのバイパスコンデンサ
の実装も可能として、これらの間のワイヤによる電気的
接続作業（ボンディング）の容易化を図ったことを特徴
としている。
するように前記導波路型光素子を半導体受光素子、前記
電子回路素子を前置増幅器を備えた集積回路素子として
実現し、これらの素子をキャンパッケージのステム上に
立設されたピラーに実装することを特徴としている。ま
たこのような配置構造により上記ピラーの実装スペース
にに余裕を持たせ、該ピラー上へのバイパスコンデンサ
の実装も可能として、これらの間のワイヤによる電気的
接続作業（ボンディング）の容易化を図ったことを特徴
としている。
【００１１】更には請求項３に記載するように、前記導
波路型光素子を前記電子回路素子上に形成された配線パ
ターン上に実装することで、その実装面を１つの電気的
接続部とし、ワイヤによる電気的配線を少なくしたこと
を特徴としている。
波路型光素子を前記電子回路素子上に形成された配線パ
ターン上に実装することで、その実装面を１つの電気的
接続部とし、ワイヤによる電気的配線を少なくしたこと
を特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係る光モジュールにつき、光ファイバに結合
されて光信号を受信する光受信器（ハイブリッド光受信
モジュール）を例に説明する。
実施形態に係る光モジュールにつき、光ファイバに結合
されて光信号を受信する光受信器（ハイブリッド光受信
モジュール）を例に説明する。
【００１３】この実施形態に係る光モジュールは、図１
にその概略構成を示すように、基本的には図４に示した
従来構造の光モジュールと同様に、キャンパッケージ１
内に導波路型受光素子２およぴプリアンプＩＣ４、そし
てバイパスコンデンサ６を実装して構成され、上記導波
路型受光素子２を球レンズ５に光学的に結合させた構造
を有する。特にこの実施形態に係る光モジュールが従来
構造と異にするところは、電子回路素子であるプリアン
プＩＣ４を前記導波路型受光素子２に対するサブマウン
トとして用い、従前のシリコン製のサブマウント３を用
いることなく、該プリアンプＩＣ４上に導波路型受光素
子２を実装したことを特徴としている。そしてこの導波
路型受光素子２をその上面に実装したプリアンプＩＣ４
を、前記キャンパッケージ１のステム１ａに立設したピ
ラー１ｂ上に実装し、このプリアンプＩＣ４を介して前
記導波路型受光素子２を前記球レンズ５との光学的結合
位置に位置付けるようにしている。また同時にプリアン
プＩＣ４を前記導波路型受光素子２のヒートシンクとし
て機能させるものとなっている。
にその概略構成を示すように、基本的には図４に示した
従来構造の光モジュールと同様に、キャンパッケージ１
内に導波路型受光素子２およぴプリアンプＩＣ４、そし
てバイパスコンデンサ６を実装して構成され、上記導波
路型受光素子２を球レンズ５に光学的に結合させた構造
を有する。特にこの実施形態に係る光モジュールが従来
構造と異にするところは、電子回路素子であるプリアン
プＩＣ４を前記導波路型受光素子２に対するサブマウン
トとして用い、従前のシリコン製のサブマウント３を用
いることなく、該プリアンプＩＣ４上に導波路型受光素
子２を実装したことを特徴としている。そしてこの導波
路型受光素子２をその上面に実装したプリアンプＩＣ４
を、前記キャンパッケージ１のステム１ａに立設したピ
ラー１ｂ上に実装し、このプリアンプＩＣ４を介して前
記導波路型受光素子２を前記球レンズ５との光学的結合
位置に位置付けるようにしている。また同時にプリアン
プＩＣ４を前記導波路型受光素子２のヒートシンクとし
て機能させるものとなっている。
【００１４】しかして前記導波路型受光素子２をプリア
ンプＩＣ４上に実装することによって生まれた前記ピラ
ー１ｂ上の余剰スペースには、前記バイパスコンデンサ
６が実装される。そしてこれらの導波路型受光素子２、
プリアンプＩＣ４、およびバイパスコンデンサ６との間
をワイヤ７を用いて電気的に接続し、更にリード端子８
との間の接続をなすことで光モジュールが実現されてい
る。
ンプＩＣ４上に実装することによって生まれた前記ピラ
ー１ｂ上の余剰スペースには、前記バイパスコンデンサ
６が実装される。そしてこれらの導波路型受光素子２、
プリアンプＩＣ４、およびバイパスコンデンサ６との間
をワイヤ７を用いて電気的に接続し、更にリード端子８
との間の接続をなすことで光モジュールが実現されてい
る。
【００１５】ちなみに前記プリアンプＩＣ４上への導波
路型受光素子２の実装は、図２に示すようにプリアンプ
ＩＣ４の上面に形成した配線パターン、特に該プリアン
プＩＣ４の電源用の配線パターン（パッド）４ａ上に該
導波路型受光素子２の裏面側に形成したｎ側パッド２ｎ
を直接ボンディングして行われる。そして導波路型受光
素子２の上面に設けられて、その出力端子を兼ねるｐ側
パッド２ｐと、プリアンプＩＣ４の上面に形成した入力
パッド４ｂとの間にワイヤ７をボンディングすること
で、導波路型受光素子２とプリアンプＩＣ４との電気的
接続がなされる。
路型受光素子２の実装は、図２に示すようにプリアンプ
ＩＣ４の上面に形成した配線パターン、特に該プリアン
プＩＣ４の電源用の配線パターン（パッド）４ａ上に該
導波路型受光素子２の裏面側に形成したｎ側パッド２ｎ
を直接ボンディングして行われる。そして導波路型受光
素子２の上面に設けられて、その出力端子を兼ねるｐ側
パッド２ｐと、プリアンプＩＣ４の上面に形成した入力
パッド４ｂとの間にワイヤ７をボンディングすること
で、導波路型受光素子２とプリアンプＩＣ４との電気的
接続がなされる。
【００１６】尚、４ｃはプリアンプＩＣ４のグランドパ
ッドであり、４ｄはプリアンプＩＣ４の出力パッドであ
る。上述した如く導波路型受光素子２を実装したプリア
ンプＩＣ４と、前記バイパスコンデンサ６を介するリー
ド端子８との配線（電気的接続）は、これらの各部と前
記上記各パッド４ａ,４ｃ,４ｄとの間にワイヤ７をそれ
ぞれボンディングすることによってなされる。
ッドであり、４ｄはプリアンプＩＣ４の出力パッドであ
る。上述した如く導波路型受光素子２を実装したプリア
ンプＩＣ４と、前記バイパスコンデンサ６を介するリー
ド端子８との配線（電気的接続）は、これらの各部と前
記上記各パッド４ａ,４ｃ,４ｄとの間にワイヤ７をそれ
ぞれボンディングすることによってなされる。
【００１７】かくしてこのように構成された光モジュー
ルによれば、プリアンプＩＣ４上に導波路型受光素子２
が実装されているので、その間の電気的接続をなすｐ側
パッド２ｐと入力パッド４ｂとの距離を十分に短くする
ことができ、ワイヤ７による配線長を短くすることがで
きるので、ワイヤ配線に起因する寄生インダクタンスの
影響を十分に低減することができる。しかも導波路型受
光素子２の裏面側のｎ側パッド２ｎが、プリアンプＩＣ
４の配線パターン（パッド）４ａ上に直接ボンディング
されているのでワイヤ７を用いて配線する必要がなく、
当該部位での寄生インダクタンスに対する配慮を不要と
することができる。
ルによれば、プリアンプＩＣ４上に導波路型受光素子２
が実装されているので、その間の電気的接続をなすｐ側
パッド２ｐと入力パッド４ｂとの距離を十分に短くする
ことができ、ワイヤ７による配線長を短くすることがで
きるので、ワイヤ配線に起因する寄生インダクタンスの
影響を十分に低減することができる。しかも導波路型受
光素子２の裏面側のｎ側パッド２ｎが、プリアンプＩＣ
４の配線パターン（パッド）４ａ上に直接ボンディング
されているのでワイヤ７を用いて配線する必要がなく、
当該部位での寄生インダクタンスに対する配慮を不要と
することができる。
【００１８】またバイパスコンデンサ６が前記プリアン
プＩＣ４と共にピラー２ｂ上に並べて配置されるので、
その配置構造を整然としたシンプルなものとすることが
できる。従ってこれらの間に対するワイヤ７のボンディ
ング接続作業を容易に進めることが可能となる。またボ
ンディングの方向も揃えることができるので、そのボン
ディング作業の容易化を図り、その生産性を高めること
が可能となる。更には従来のサブマウント３が不要なの
で、その分、部品点数を削減することができ。構造の簡
素化と相俟って低コスト化を図ることが可能となる等の
効果が奏せられる。
プＩＣ４と共にピラー２ｂ上に並べて配置されるので、
その配置構造を整然としたシンプルなものとすることが
できる。従ってこれらの間に対するワイヤ７のボンディ
ング接続作業を容易に進めることが可能となる。またボ
ンディングの方向も揃えることができるので、そのボン
ディング作業の容易化を図り、その生産性を高めること
が可能となる。更には従来のサブマウント３が不要なの
で、その分、部品点数を削減することができ。構造の簡
素化と相俟って低コスト化を図ることが可能となる等の
効果が奏せられる。
【００１９】尚、バイパスコンデンサ６をピラー２ｂ上
に設けることに代えて、図３に示すようにピラー２ｂ自
体を短くし、そのコンパクト化を図ることも可能であ
る。このように構成した場合においても、導波路型受光
素子２とプリアンプＩＣ４との間の配線長を短くするこ
とができるので、寄生インダクタンスの影響を低減する
上で十分な効果がある。しかもピラー２ｂが短い分、ス
テム１ａでの寄生容量を低減することができる。ちなみ
に図４に示した従来構造においてはステム１ａでの寄生
容量が０.８ｐＦ程度あったが、図３に示す構造とし、
ピラー１ｂを短くすることで上記ステム１ａでの寄生容
量を０.５ｐＦ程度に低減し得ることが確認された。ま
たこのような寄生容量の低減により、光受信器としての
帯域を従来のものに比較して１.５倍程度拡大し得るこ
とも確認できた。
に設けることに代えて、図３に示すようにピラー２ｂ自
体を短くし、そのコンパクト化を図ることも可能であ
る。このように構成した場合においても、導波路型受光
素子２とプリアンプＩＣ４との間の配線長を短くするこ
とができるので、寄生インダクタンスの影響を低減する
上で十分な効果がある。しかもピラー２ｂが短い分、ス
テム１ａでの寄生容量を低減することができる。ちなみ
に図４に示した従来構造においてはステム１ａでの寄生
容量が０.８ｐＦ程度あったが、図３に示す構造とし、
ピラー１ｂを短くすることで上記ステム１ａでの寄生容
量を０.５ｐＦ程度に低減し得ることが確認された。ま
たこのような寄生容量の低減により、光受信器としての
帯域を従来のものに比較して１.５倍程度拡大し得るこ
とも確認できた。
【００２０】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。ここでは光受信器を例にとって説明し
たが、導波路型光素子として端面発光型レーザダイオー
ドを用い、電子回路素子としてそのドライバー回路を同
時に実装して光送信器を実現する場合にも同様に適用す
ることができる。また導波路型光素子としては、リッジ
導波路型のみならず、埋め込み型のものであっても良
い。更にはキャントップに球レンズ５を備えた光モジュ
ールとして実現することのみならず、光ファイバを一体
の組み込んだ光モジュール、換言すれば光ファイバの端
部に装着された光モジュールとして実現することもでき
る。
るものではない。ここでは光受信器を例にとって説明し
たが、導波路型光素子として端面発光型レーザダイオー
ドを用い、電子回路素子としてそのドライバー回路を同
時に実装して光送信器を実現する場合にも同様に適用す
ることができる。また導波路型光素子としては、リッジ
導波路型のみならず、埋め込み型のものであっても良
い。更にはキャントップに球レンズ５を備えた光モジュ
ールとして実現することのみならず、光ファイバを一体
の組み込んだ光モジュール、換言すれば光ファイバの端
部に装着された光モジュールとして実現することもでき
る。
【００２１】また光モジュールと光ファイバとの連結
（結合）構造については、そのコネクタ構造等、種々変
形することができる。更にはキャンパッケージ以外のパ
ッケージ体に組み込むことも勿論可能である。その他、
本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
（結合）構造については、そのコネクタ構造等、種々変
形することができる。更にはキャンパッケージ以外のパ
ッケージ体に組み込むことも勿論可能である。その他、
本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子回路素子をサブマウントとして用いて該電子回路素子
上に導波路型光素子を実装した構造をなすので、ワイヤ
による配線長を短くして寄生インダクタンスの影響を軽
減することができ、しかも部品点数の削減によりコスト
の低減を図ると共に、作業性の改善によりその生産性の
向上を図り得る等の実用上多大なる効果が奏せられる。
子回路素子をサブマウントとして用いて該電子回路素子
上に導波路型光素子を実装した構造をなすので、ワイヤ
による配線長を短くして寄生インダクタンスの影響を軽
減することができ、しかも部品点数の削減によりコスト
の低減を図ると共に、作業性の改善によりその生産性の
向上を図り得る等の実用上多大なる効果が奏せられる。
【図１】本発明の一実施形態に係る光モジュールの概略
構成図。
構成図。
【図２】図１に示す光モジュールにおける電子回路素子
上への導波路型受光素子の実装構造を示す図。
上への導波路型受光素子の実装構造を示す図。
【図３】本発明の別の実施形態に係る光モジュールの要
部概略構成図。
部概略構成図。
【図４】従来の光モジュールの概略構成を示す図。
１ キャンパッケージ １ａ ステム １ｂ ピラー ２ 導波路型受光素子 ４ プリアンプＩＣ（電子回路素子） ５ 球レンズ ６ バイパスコンデンサ ７ ワイヤ ９ 光ファイバ
Claims (3)
- 【請求項１】 光ファイバに結合される光モジュールで
あって、 導波路型光素子と、この導波路型光素子に電気的接続さ
れる電子回路素子とを具備してなり、 前記電子回路素子をサブマウントとして該電子回路素子
上に前記導波路型光素子を実装し、前記電子回路素子を
介して前記導波路型光素子を前記光ファイバとの光学的
結合位置に位置付けたことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項２】 前記導波路型光素子は半導体受光素子で
あって、前記電子回路素子は前置増幅器を備えた集積回
路素子からなり、 キャンパッケージのステム上に立設されたピラーに実装
されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュー
ル。 - 【請求項３】 前記導波路型光素子は、前記電子回路素
子上に形成された配線パターン上に実装され、その実装
面を１つの電気的接続部としたことを特徴とする請求項
１に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200433A JP2000028872A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10200433A JP2000028872A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000028872A true JP2000028872A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16424221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10200433A Pending JP2000028872A (ja) | 1998-07-15 | 1998-07-15 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000028872A (ja) |
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- 1998-07-15 JP JP10200433A patent/JP2000028872A/ja active Pending
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