JP2002329873A - 半導体モジュールおよび半導体装置 - Google Patents
半導体モジュールおよび半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力信号における周波数特性の劣化を防止す
ることが可能な半導体モジュールおよび半導体装置を提
供する。 【解決手段】 半導体モジュール１は、基板２と、この
基板２上に配置された増幅回路素子３とをそなえる。ま
た、半導体モジュール１は、基板２上に配置され、増幅
回路素子３上に延在する延在部１４を含む固定部材６
と、増幅回路素子３上に延在する延在部１４に配置され
た受光素子４と、受光素子４と増幅回路素子３とを電気
的に接続する導電部材７とを備える。
ることが可能な半導体モジュールおよび半導体装置を提
供する。 【解決手段】 半導体モジュール１は、基板２と、この
基板２上に配置された増幅回路素子３とをそなえる。ま
た、半導体モジュール１は、基板２上に配置され、増幅
回路素子３上に延在する延在部１４を含む固定部材６
と、増幅回路素子３上に延在する延在部１４に配置され
た受光素子４と、受光素子４と増幅回路素子３とを電気
的に接続する導電部材７とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体モジュー
ルおよび半導体装置に関し、より特定的には、信号の周
波数特性の劣化を防止することが可能な半導体モジュー
ルおよび半導体装置に関する。
ルおよび半導体装置に関し、より特定的には、信号の周
波数特性の劣化を防止することが可能な半導体モジュー
ルおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトダイオードなどの受光素子
とプリアンプＩＣなどの増幅回路素子とを組合わせた半
導体モジュールが知られている。図９は、従来の半導体
モジュールを示す断面模式図である。図９を参照して、
従来の半導体モジュールを説明する。
とプリアンプＩＣなどの増幅回路素子とを組合わせた半
導体モジュールが知られている。図９は、従来の半導体
モジュールを示す断面模式図である。図９を参照して、
従来の半導体モジュールを説明する。
【０００３】図９を参照して、従来の半導体モジュール
１０１は、基板などからなるマウント１０２と、このマ
ウント１０２の上部表面上に配置されたプリアンプＩＣ
（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１０３およ
びチップコンデンサ１０５と、チップコンデンサ１０５
上に配置されたフォトダイオード１０４とを備える。プ
リアンプＩＣ１０３とチップコンデンサ１０５とは隣接
するように配置されている。また、プリアンプＩＣ１０
３とフォトダイオード１０４とも隣接するように配置さ
れている。フォトダイオード１０４の電極部１０８とプ
リアンプＩＣ１０３の電極部１０９とは導電線１０７に
より電気的に接続されている。フォトダイオード１０４
はその受光面において受光した光信号を電気信号に変換
する。この電気信号は、導電線１０７を介してフォトダ
イオード１０４からプリアンプＩＣ１０３に伝送され
る。プリアンプＩＣ１０３は、フォトダイオード１０４
から伝送された電気信号を増幅する。
１０１は、基板などからなるマウント１０２と、このマ
ウント１０２の上部表面上に配置されたプリアンプＩＣ
（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１０３およ
びチップコンデンサ１０５と、チップコンデンサ１０５
上に配置されたフォトダイオード１０４とを備える。プ
リアンプＩＣ１０３とチップコンデンサ１０５とは隣接
するように配置されている。また、プリアンプＩＣ１０
３とフォトダイオード１０４とも隣接するように配置さ
れている。フォトダイオード１０４の電極部１０８とプ
リアンプＩＣ１０３の電極部１０９とは導電線１０７に
より電気的に接続されている。フォトダイオード１０４
はその受光面において受光した光信号を電気信号に変換
する。この電気信号は、導電線１０７を介してフォトダ
イオード１０４からプリアンプＩＣ１０３に伝送され
る。プリアンプＩＣ１０３は、フォトダイオード１０４
から伝送された電気信号を増幅する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図９に示したような従
来の半導体モジュールでは、以下のような問題があっ
た。すなわち、図９に示したような半導体モジュールの
高性能化に伴い、フォトダイオード１０４とプリアンプ
ＩＣ１０３とを接続する導電線１０７での電気信号の周
波数特性の劣化が大きな問題となってきている。図１０
を参照して、具体的に説明する。
来の半導体モジュールでは、以下のような問題があっ
た。すなわち、図９に示したような半導体モジュールの
高性能化に伴い、フォトダイオード１０４とプリアンプ
ＩＣ１０３とを接続する導電線１０７での電気信号の周
波数特性の劣化が大きな問題となってきている。図１０
を参照して、具体的に説明する。
【０００５】図１０は、図９に示した半導体モジュール
１０１において、導電線１０７の長さを変化させた場合
の、導電線１０７を介して伝送される電気信号の周波数
特性を示すグラフである。なお、図１０に示したデータ
はシミュレーションにより算出した。図１０では、導電
線１０７の長さを０μｍ〜５００μｍまで変化させた場
合の計算結果を示している。
１０１において、導電線１０７の長さを変化させた場合
の、導電線１０７を介して伝送される電気信号の周波数
特性を示すグラフである。なお、図１０に示したデータ
はシミュレーションにより算出した。図１０では、導電
線１０７の長さを０μｍ〜５００μｍまで変化させた場
合の計算結果を示している。
【０００６】周波数特性は、周波数によらずほぼ一定で
あることが好ましい。しかし、図１０からもわかるよう
に、導電線１０７の長さが長くなると、周波数が３０〜
４０ＧＨｚ付近でピークが形成される。すなわち、導電
線１０７が長くなると、半導体モジュールの周波数特性
が劣化することになっていた。このため、導電線十七の
長さをできるだけ短くすることが好ましいが、図９に示
したような構成の半導体モジュール１０１では、フォト
ダイオード１０４およびプリアンプＩＣ１０３のサイズ
を一定の大きさより小さくすることは困難であるため、
導電線１０７の長さを短くするには限界があった。この
結果、半導体モジュールの出力信号における周波数特性
の劣化を防止することが難しかった。
あることが好ましい。しかし、図１０からもわかるよう
に、導電線１０７の長さが長くなると、周波数が３０〜
４０ＧＨｚ付近でピークが形成される。すなわち、導電
線１０７が長くなると、半導体モジュールの周波数特性
が劣化することになっていた。このため、導電線十七の
長さをできるだけ短くすることが好ましいが、図９に示
したような構成の半導体モジュール１０１では、フォト
ダイオード１０４およびプリアンプＩＣ１０３のサイズ
を一定の大きさより小さくすることは困難であるため、
導電線１０７の長さを短くするには限界があった。この
結果、半導体モジュールの出力信号における周波数特性
の劣化を防止することが難しかった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決する
ために成されたものであり、この発明の目的は、周波数
特性の劣化を防止することが可能な半導体モジュールお
よび半導体装置を提供することである。
ために成されたものであり、この発明の目的は、周波数
特性の劣化を防止することが可能な半導体モジュールお
よび半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の１の局面にお
ける半導体モジュールは、基板と、基板上に配置された
増幅回路素子と、基板上に配置され、増幅回路素子上に
延在する延在部を含む固定部材と、増幅回路素子上に位
置する延在部に配置された受光素子と、受光素子と増幅
回路素子とを電気的に接続する導電部材とを備える（請
求項１）。
ける半導体モジュールは、基板と、基板上に配置された
増幅回路素子と、基板上に配置され、増幅回路素子上に
延在する延在部を含む固定部材と、増幅回路素子上に位
置する延在部に配置された受光素子と、受光素子と増幅
回路素子とを電気的に接続する導電部材とを備える（請
求項１）。
【０００９】このようにすれば、増幅回路素子と受光素
子とを対向するように配置することができる。このた
め、受光素子の電極部と増幅回路素子の電極部とを対向
するように配置できるので、従来より受光素子と増幅回
路素子とのそれぞれの電極部間を接続する導電部材の長
さを短くすることができる。この結果、導電部材が長い
ことに起因する電気信号の周波数特性の劣化を防止でき
る。
子とを対向するように配置することができる。このた
め、受光素子の電極部と増幅回路素子の電極部とを対向
するように配置できるので、従来より受光素子と増幅回
路素子とのそれぞれの電極部間を接続する導電部材の長
さを短くすることができる。この結果、導電部材が長い
ことに起因する電気信号の周波数特性の劣化を防止でき
る。
【００１０】また、固定部材の形状を変更することによ
り、基板の表面から延在部までの距離を任意に変更でき
る。このため、延在部に配置される受光素子と、基板の
表面上に配置される増幅回路素子との間の距離を任意に
変更できる。したがって、受光素子と増幅回路素子とを
接続する導電部材の長さを任意に変更することができ
る。この結果、導電部材の長さを変化させることによ
り、導電部材を介して伝送される電気信号の周波数特性
を変更できるので、任意の周波数特性を有する半導体モ
ジュールを容易に実現できる。
り、基板の表面から延在部までの距離を任意に変更でき
る。このため、延在部に配置される受光素子と、基板の
表面上に配置される増幅回路素子との間の距離を任意に
変更できる。したがって、受光素子と増幅回路素子とを
接続する導電部材の長さを任意に変更することができ
る。この結果、導電部材の長さを変化させることによ
り、導電部材を介して伝送される電気信号の周波数特性
を変更できるので、任意の周波数特性を有する半導体モ
ジュールを容易に実現できる。
【００１１】この発明の他の局面における半導体モジュ
ールは、基板と、基板上に配置された増幅回路素子と、
基板上に配置され、増幅回路素子と対向する側壁面を有
する固定部材と、固定部材の側壁面上に配置された受光
素子と、受光素子と増幅回路素子とを電気的に接続する
導電部材とを備える（請求項２）。
ールは、基板と、基板上に配置された増幅回路素子と、
基板上に配置され、増幅回路素子と対向する側壁面を有
する固定部材と、固定部材の側壁面上に配置された受光
素子と、受光素子と増幅回路素子とを電気的に接続する
導電部材とを備える（請求項２）。
【００１２】このようにすれば、増幅回路素子と対向す
る側壁面上に受光素子を配置するので、増幅回路素子と
受光素子とを対向するように配置することができる。こ
のため、受光素子の電極部と増幅回路素子の電極部とを
対向するように配置できるので、従来より受光素子と増
幅回路素子とのそれぞれの電極部間を接続する導電部材
の長さを短くすることができる。この結果、導電部材が
長いことに起因する電気信号の周波数特性の劣化を防止
できる。
る側壁面上に受光素子を配置するので、増幅回路素子と
受光素子とを対向するように配置することができる。こ
のため、受光素子の電極部と増幅回路素子の電極部とを
対向するように配置できるので、従来より受光素子と増
幅回路素子とのそれぞれの電極部間を接続する導電部材
の長さを短くすることができる。この結果、導電部材が
長いことに起因する電気信号の周波数特性の劣化を防止
できる。
【００１３】また、基板上における固定部材の設置位置
を変更することにより固定部材の側壁面から増幅回路素
子までの距離を任意に変更できる。このため、固定部材
の側壁面上に配置される受光素子と増幅回路素子との間
の距離を任意に変更できる。したがって、受光素子と増
幅回路素子とを接続する導電部材の長さを任意に変更す
ることができる。この結果、導電部材の長さを変化させ
ることにより、導電部材を介して伝送される電気信号の
周波数特性を変更できるので、任意の周波数特性を有す
る半導体モジュールを容易に実現できる。
を変更することにより固定部材の側壁面から増幅回路素
子までの距離を任意に変更できる。このため、固定部材
の側壁面上に配置される受光素子と増幅回路素子との間
の距離を任意に変更できる。したがって、受光素子と増
幅回路素子とを接続する導電部材の長さを任意に変更す
ることができる。この結果、導電部材の長さを変化させ
ることにより、導電部材を介して伝送される電気信号の
周波数特性を変更できるので、任意の周波数特性を有す
る半導体モジュールを容易に実現できる。
【００１４】上記１の局面または他の局面における半導
体モジュールでは、導電部材が導電線であってもよい
（請求項３）。
体モジュールでは、導電部材が導電線であってもよい
（請求項３）。
【００１５】この場合、増幅回路素子と受光素子とを電
気的に接続する導電部材を形成する工程に、従来のワイ
ヤボンディング法を適用できる。このため、本発明によ
る半導体モジュールを製造する為に新たな製造装置を準
備する必要が無い。したがって、半導体モジュールの製
造コストが増大することを抑制できる。なお、導電線と
しては、その断面形状がほぼ円形状である導電線を用い
てもよいが、断面形状が矩形状である帯状の導電線を用
いてもよい。
気的に接続する導電部材を形成する工程に、従来のワイ
ヤボンディング法を適用できる。このため、本発明によ
る半導体モジュールを製造する為に新たな製造装置を準
備する必要が無い。したがって、半導体モジュールの製
造コストが増大することを抑制できる。なお、導電線と
しては、その断面形状がほぼ円形状である導電線を用い
てもよいが、断面形状が矩形状である帯状の導電線を用
いてもよい。
【００１６】上記１の局面または他の局面における半導
体モジュールでは、導電部材が導電体からなるバンプで
あることが好ましい（請求項４）。
体モジュールでは、導電部材が導電体からなるバンプで
あることが好ましい（請求項４）。
【００１７】この場合、増幅回路素子と受光素子とを、
いわゆるフリップチップ接合法を用いて接合することが
できる。この結果、受光素子や増幅回路素子のサイズが
小さくなった場合、増幅回路素子と受光素子との接続を
容易に実現できる。したがって、半導体モジュールの製
造工程における効率を向上させることができる。
いわゆるフリップチップ接合法を用いて接合することが
できる。この結果、受光素子や増幅回路素子のサイズが
小さくなった場合、増幅回路素子と受光素子との接続を
容易に実現できる。したがって、半導体モジュールの製
造工程における効率を向上させることができる。
【００１８】この発明の別の局面における半導体モジュ
ールは、基板と、基板上に配置され、上部表面を有する
増幅回路素子と、増幅回路素子の上部表面上に固定され
た受光素子とを備える（請求項５）。
ールは、基板と、基板上に配置され、上部表面を有する
増幅回路素子と、増幅回路素子の上部表面上に固定され
た受光素子とを備える（請求項５）。
【００１９】このようにすれば、増幅回路素子上に受光
素子を積層するので、受光素子と増幅回路素子との上部
表面にそれぞれ電極部を形成すれば、この受光素子の電
極部と増幅回路素子の電極部とを接続する導電部材の長
さをほぼ受光素子の厚みと同じ程度の長さにまで短くす
ることができる。この結果、導電部材が長いことに起因
する電気信号の周波数特性の劣化を防止できる。
素子を積層するので、受光素子と増幅回路素子との上部
表面にそれぞれ電極部を形成すれば、この受光素子の電
極部と増幅回路素子の電極部とを接続する導電部材の長
さをほぼ受光素子の厚みと同じ程度の長さにまで短くす
ることができる。この結果、導電部材が長いことに起因
する電気信号の周波数特性の劣化を防止できる。
【００２０】また、増幅回路素子上に受光素子を積層す
るので、従来のように増幅回路素子と受光素子とを並列
に配置する場合より半導体モジュールの占有面積を小さ
くできる。この結果、半導体モジュールの小型化を図る
ことができる。
るので、従来のように増幅回路素子と受光素子とを並列
に配置する場合より半導体モジュールの占有面積を小さ
くできる。この結果、半導体モジュールの小型化を図る
ことができる。
【００２１】上記別の局面における半導体モジュールで
は、増幅回路素子が側壁面を含んでいてもよく、受光素
子は側壁と、この側壁上に形成された受光部とを含んで
いてもよい。増幅回路素子の側壁面の位置と、受光素子
の受光部の位置とはほぼ一致していることが好ましい
（請求項６）。
は、増幅回路素子が側壁面を含んでいてもよく、受光素
子は側壁と、この側壁上に形成された受光部とを含んで
いてもよい。増幅回路素子の側壁面の位置と、受光素子
の受光部の位置とはほぼ一致していることが好ましい
（請求項６）。
【００２２】この場合、受光素子の受光部と増幅回路素
子の側壁面とがほぼ同じ平面内に配置されることになる
ので、受光部の前方において増幅回路素子の上部表面が
路室した状態となることを防止できる。この結果、増幅
回路素子の上部表面などに反射した光（反射光）が受光
部に入射することを防止できる。したがって、このよう
な反射光により受光素子での光の検出精度が劣化する
（いわゆるケラレ現象が発生する）ことを防止できる。
子の側壁面とがほぼ同じ平面内に配置されることになる
ので、受光部の前方において増幅回路素子の上部表面が
路室した状態となることを防止できる。この結果、増幅
回路素子の上部表面などに反射した光（反射光）が受光
部に入射することを防止できる。したがって、このよう
な反射光により受光素子での光の検出精度が劣化する
（いわゆるケラレ現象が発生する）ことを防止できる。
【００２３】上記別の局面における半導体モジュールで
は、増幅回路素子と受光素子とを電気的に接続する導電
部材をさらに備えることが好ましい（請求項７）。
は、増幅回路素子と受光素子とを電気的に接続する導電
部材をさらに備えることが好ましい（請求項７）。
【００２４】この場合、増幅回路素子と受光素子とを導
電部材により確実に接続できる。また、導電部材の長さ
を変更することにより、導電部材を介して電気信号を伝
送する際の周波数特性を任意に変更できる。この結果、
半導体モジュールの出力信号の特性を任意に調整するこ
とができる。
電部材により確実に接続できる。また、導電部材の長さ
を変更することにより、導電部材を介して電気信号を伝
送する際の周波数特性を任意に変更できる。この結果、
半導体モジュールの出力信号の特性を任意に調整するこ
とができる。
【００２５】上記別の局面における半導体モジュールで
は、導電部材が導電線であってもよい（請求項８）。
は、導電部材が導電線であってもよい（請求項８）。
【００２６】この場合、増幅回路素子と受光素子とを電
気的に接続する導電部材を形成する工程に、従来のワイ
ヤボンディング法を適用できる。このため、本発明によ
る半導体モジュールを製造する為に新たな製造装置を準
備する必要が無い。したがって、半導体モジュールの製
造コストが増大することを抑制できる。
気的に接続する導電部材を形成する工程に、従来のワイ
ヤボンディング法を適用できる。このため、本発明によ
る半導体モジュールを製造する為に新たな製造装置を準
備する必要が無い。したがって、半導体モジュールの製
造コストが増大することを抑制できる。
【００２７】上記別の局面における半導体モジュールで
は、導電部材が導電体からなるバンプであることが好ま
しい（請求項９）。
は、導電部材が導電体からなるバンプであることが好ま
しい（請求項９）。
【００２８】この場合、増幅回路素子と受光素子とを、
いわゆるフリップチップ接合法を用いて接合することが
できる。この結果、受光素子や増幅回路素子のサイズが
小さくなった場合、増幅回路素子と受光素子との接続を
容易に実現できる。したがって、半導体モジュールの製
造工程における効率を向上させることができる。
いわゆるフリップチップ接合法を用いて接合することが
できる。この結果、受光素子や増幅回路素子のサイズが
小さくなった場合、増幅回路素子と受光素子との接続を
容易に実現できる。したがって、半導体モジュールの製
造工程における効率を向上させることができる。
【００２９】この発明のもう一つの局面における半導体
装置は、上記１の局面または他の局面または別の局面に
おける半導体モジュールを備える（請求項１０）。
装置は、上記１の局面または他の局面または別の局面に
おける半導体モジュールを備える（請求項１０）。
【００３０】この場合、周波数特性の優れた半導体モジ
ュールを用いることにより、受光素子に照射される光信
号を高精度で電気信号として取出すことができる半導体
装置を容易に実現できる。
ュールを用いることにより、受光素子に照射される光信
号を高精度で電気信号として取出すことができる半導体
装置を容易に実現できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。
【００３２】（実施の形態１）図１は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態１を示す断面模式図であ
る。図１を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態１を説明する。
導体モジュールの実施の形態１を示す断面模式図であ
る。図１を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態１を説明する。
【００３３】図１を参照して、半導体モジュール１は、
基板としてのマウント２と、増幅回路素子としてのプリ
アンプＩＣ３と、このプリアンプＩＣ３上に対向するよ
うに配置された延在部１４を有し、プリアンプＩＣ３に
覆い被さるように配置された固定部材としての固定治具
６と、この固定治具６の延在部１４に配置されたチップ
コンデンサ５と、チップコンデンサ５上に配置された受
光素子としてのフォトダイオード４とを備える。プリア
ンプＩＣ３はマウント２の上部表面上に設置されてい
る。このプリアンプＩＣ３を覆うように固定治具６が配
置されている。
基板としてのマウント２と、増幅回路素子としてのプリ
アンプＩＣ３と、このプリアンプＩＣ３上に対向するよ
うに配置された延在部１４を有し、プリアンプＩＣ３に
覆い被さるように配置された固定部材としての固定治具
６と、この固定治具６の延在部１４に配置されたチップ
コンデンサ５と、チップコンデンサ５上に配置された受
光素子としてのフォトダイオード４とを備える。プリア
ンプＩＣ３はマウント２の上部表面上に設置されてい
る。このプリアンプＩＣ３を覆うように固定治具６が配
置されている。
【００３４】固定治具６の延在部１４において、プリア
ンプＩＣ３に対向する面上にはチップコンデンサ５が設
置されている。チップコンデンサ５におけるプリアンプ
ＩＣ３に対向する面上にはフォトダイオード４が設置さ
れている。フォトダイオード４には電極部８が形成さ
れ、またプリアンプＩＣ３の上部表面には電極部９が形
成されている。このフォトダイオード４の電極部８とプ
リアンプＩＣ３の電極部９とは導電線７により接続され
ている。なお、フォトダイオード４は受光した光信号を
電気信号に変換する素子である。また、プリアンプＩＣ
３はフォトダイオード４から導電線７を介して伝送され
た電気信号を増幅する。また導電線７としては、その断
面形状がほぼ円形状である導電線を用いてもよいが、断
面形状が矩形状である帯状の導電線（リボン状の導電
線）を用いてもよい。
ンプＩＣ３に対向する面上にはチップコンデンサ５が設
置されている。チップコンデンサ５におけるプリアンプ
ＩＣ３に対向する面上にはフォトダイオード４が設置さ
れている。フォトダイオード４には電極部８が形成さ
れ、またプリアンプＩＣ３の上部表面には電極部９が形
成されている。このフォトダイオード４の電極部８とプ
リアンプＩＣ３の電極部９とは導電線７により接続され
ている。なお、フォトダイオード４は受光した光信号を
電気信号に変換する素子である。また、プリアンプＩＣ
３はフォトダイオード４から導電線７を介して伝送され
た電気信号を増幅する。また導電線７としては、その断
面形状がほぼ円形状である導電線を用いてもよいが、断
面形状が矩形状である帯状の導電線（リボン状の導電
線）を用いてもよい。
【００３５】このように、図１に示した半導体モジュー
ル１では、増幅回路素子としてのプリアンプＩＣ３と受
光素子としてのフォトダイオード４とを対向するように
配置することができる。このため、フォトダイオード４
の電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９とを対向する
ように配置できるので、従来よりフォトダイオード４の
電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９との間を接続す
る導電部材としての導電線７の長さを短くすることがで
きる。この結果、半導体モジュールにおいて、導電線７
が長いことに起因する周波数特性の劣化を防止できると
ともに、高周波領域での特性が優れた半導体モジュール
を得ることができる。
ル１では、増幅回路素子としてのプリアンプＩＣ３と受
光素子としてのフォトダイオード４とを対向するように
配置することができる。このため、フォトダイオード４
の電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９とを対向する
ように配置できるので、従来よりフォトダイオード４の
電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９との間を接続す
る導電部材としての導電線７の長さを短くすることがで
きる。この結果、半導体モジュールにおいて、導電線７
が長いことに起因する周波数特性の劣化を防止できると
ともに、高周波領域での特性が優れた半導体モジュール
を得ることができる。
【００３６】また、図１に示した半導体モジュール１で
は、固定治具６の支持部１５の長さや形状を変更するこ
とにより、延在部１４の下面からマウント２の上部表面
までの距離Ｈを任意に変更することができる。このた
め、延在部１４に配置されるフォトダイオード４と、基
板としてのマウント２の表面上に配置されるプリアンプ
ＩＣ３との間の距離を任意に変更できる。したがって、
フォトダイオード４とプリアンプＩＣ３とを接続する導
電線７の長さを任意に変更することができる。この結
果、導電線７の長さを変化することにより、導電線７を
介して伝送される電気信号の周波数特性を変更できる。
この結果、任意の周波数特性を有する半導体モジュール
１を容易に実現できる。
は、固定治具６の支持部１５の長さや形状を変更するこ
とにより、延在部１４の下面からマウント２の上部表面
までの距離Ｈを任意に変更することができる。このた
め、延在部１４に配置されるフォトダイオード４と、基
板としてのマウント２の表面上に配置されるプリアンプ
ＩＣ３との間の距離を任意に変更できる。したがって、
フォトダイオード４とプリアンプＩＣ３とを接続する導
電線７の長さを任意に変更することができる。この結
果、導電線７の長さを変化することにより、導電線７を
介して伝送される電気信号の周波数特性を変更できる。
この結果、任意の周波数特性を有する半導体モジュール
１を容易に実現できる。
【００３７】また、図１に示した半導体モジュール１で
は、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ３
の電極部９とを電気的に接続する導電線７を配置する工
程に従来のワイヤボンディング法を適用できる。このた
め、従来のボンディング装置を流用できるので、半導体
モジュール１の製造コストが従来より増大することを抑
制できる。
は、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ３
の電極部９とを電気的に接続する導電線７を配置する工
程に従来のワイヤボンディング法を適用できる。このた
め、従来のボンディング装置を流用できるので、半導体
モジュール１の製造コストが従来より増大することを抑
制できる。
【００３８】また、図１に示したような半導体モジュー
ル１を組込むことにより、フォトダイオード４に照射さ
れる光信号を高い精度で電気信号として取出すことが可
能な光通信用受光装置などの半導体装置を実現できる。
ル１を組込むことにより、フォトダイオード４に照射さ
れる光信号を高い精度で電気信号として取出すことが可
能な光通信用受光装置などの半導体装置を実現できる。
【００３９】（実施の形態２）図２は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態２を示す断面模式図であ
る。図２を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態２を説明する。
導体モジュールの実施の形態２を示す断面模式図であ
る。図２を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態２を説明する。
【００４０】図２を参照して、半導体モジュール１は基
本的には図１に示した半導体モジュールと同様の構造を
備える。ただし、図２に示した半導体モジュール１にお
いては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩ
Ｃ３の電極部９とはバンプ１０により接続されている。
ここで、バンプ１０の材料としては導電体であればよ
く、はんだや金などの金属を用いることができる。この
ようにしても、図１に示した半導体モジュールと同様の
効果を得ることができる。
本的には図１に示した半導体モジュールと同様の構造を
備える。ただし、図２に示した半導体モジュール１にお
いては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩ
Ｃ３の電極部９とはバンプ１０により接続されている。
ここで、バンプ１０の材料としては導電体であればよ
く、はんだや金などの金属を用いることができる。この
ようにしても、図１に示した半導体モジュールと同様の
効果を得ることができる。
【００４１】また、図２に示した半導体モジュール１に
おいては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプ
ＩＣ３の電極部９とをいわゆるフリップチップ方式で接
続できる。このため、フォトダイオード４やプリアンプ
ＩＣ３のサイズが小さくなった場合、フリップチップ方
式を適用することでこのフォトダイオード４とプリアン
プＩＣ３との接続を容易に実現できる。この結果、半導
体モジュール１の製造工程での生産性を向上させること
ができる。
おいては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプ
ＩＣ３の電極部９とをいわゆるフリップチップ方式で接
続できる。このため、フォトダイオード４やプリアンプ
ＩＣ３のサイズが小さくなった場合、フリップチップ方
式を適用することでこのフォトダイオード４とプリアン
プＩＣ３との接続を容易に実現できる。この結果、半導
体モジュール１の製造工程での生産性を向上させること
ができる。
【００４２】（実施の形態３）図３は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態３を示す断面模式図であ
る。図３を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態３を説明する。
導体モジュールの実施の形態３を示す断面模式図であ
る。図３を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態３を説明する。
【００４３】図３を参照して、半導体モジュール１は、
マウント２と、マウント２の上部表面上に設置されたプ
リアンプＩＣ３と、このプリアンプＩＣ３に隣接し、マ
ウント２の上部表面上に設置された固定部材としての治
具１１と、治具１１の側壁１６上に設置されたチップコ
ンデンサ５と、チップコンデンサ５においてプリアンプ
ＩＣ３と対向する面上に設置されたフォトダイオード４
とを備える。治具１１の側壁１６はマウント２の上部表
面に対してほぼ垂直になっている。フォトダイオード４
には、プリアンプＩＣ３と対向する表面に電極部８が形
成されている。また、プリアンプＩＣ３にはその上部表
面に電極部９が形成されている。フォトダイオード４の
電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９とは導電線７に
より接続されている。
マウント２と、マウント２の上部表面上に設置されたプ
リアンプＩＣ３と、このプリアンプＩＣ３に隣接し、マ
ウント２の上部表面上に設置された固定部材としての治
具１１と、治具１１の側壁１６上に設置されたチップコ
ンデンサ５と、チップコンデンサ５においてプリアンプ
ＩＣ３と対向する面上に設置されたフォトダイオード４
とを備える。治具１１の側壁１６はマウント２の上部表
面に対してほぼ垂直になっている。フォトダイオード４
には、プリアンプＩＣ３と対向する表面に電極部８が形
成されている。また、プリアンプＩＣ３にはその上部表
面に電極部９が形成されている。フォトダイオード４の
電極部８とプリアンプＩＣ３の電極部９とは導電線７に
より接続されている。
【００４４】このように、プリアンプＩＣ３の電極部９
とフォトダイオード４の電極部８とを近接して配置する
ことが可能になる。したがって、導電線７の長さを従来
より短くすることができる。この結果、本発明による半
導体モジュール１の実施の形態１と同様の効果を得るこ
とができる。
とフォトダイオード４の電極部８とを近接して配置する
ことが可能になる。したがって、導電線７の長さを従来
より短くすることができる。この結果、本発明による半
導体モジュール１の実施の形態１と同様の効果を得るこ
とができる。
【００４５】また、プリアンプＩＣ３と治具１１との間
の距離を変更することにより、プリアンプＩＣ３とフォ
トダイオード４との距離を任意に変更できる。この結
果、本発明の実施の形態１による半導体モジュールと同
様に、任意の周波数特性を有する半導体モジュールを容
易に実現できる。
の距離を変更することにより、プリアンプＩＣ３とフォ
トダイオード４との距離を任意に変更できる。この結
果、本発明の実施の形態１による半導体モジュールと同
様に、任意の周波数特性を有する半導体モジュールを容
易に実現できる。
【００４６】また、図３に示した半導体モジュール１で
は、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ３
の電極部９とを電気的に接続する導電線７を配置する工
程に従来のワイヤボンディング法を適用できる。このた
め、図１に示した半導体モジュールと同様に、製造コス
トが従来より増大することを抑制できる。
は、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ３
の電極部９とを電気的に接続する導電線７を配置する工
程に従来のワイヤボンディング法を適用できる。このた
め、図１に示した半導体モジュールと同様に、製造コス
トが従来より増大することを抑制できる。
【００４７】（実施の形態４）図４は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態４を示す断面模式図であ
る。図４を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態４を説明する。
導体モジュールの実施の形態４を示す断面模式図であ
る。図４を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態４を説明する。
【００４８】図４を参照して、半導体モジュール１は基
本的には図３に示した半導体モジュールと同様の構造を
備える。ただし、図４に示した半導体モジュール１にお
いては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩ
Ｃ３の電極部９とがバンプ１０により接続されている。
本的には図３に示した半導体モジュールと同様の構造を
備える。ただし、図４に示した半導体モジュール１にお
いては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩ
Ｃ３の電極部９とがバンプ１０により接続されている。
【００４９】このように、図４に示した半導体モジュー
ル１によれば、図３に示した半導体モジュールと同様の
効果を得ることができる。
ル１によれば、図３に示した半導体モジュールと同様の
効果を得ることができる。
【００５０】また、図４に示した半導体モジュール１に
おいては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプ
ＩＣ３の電極部９とをいわゆるフリップチップ方式で接
続できる。このため、フォトダイオード４やプリアンプ
ＩＣ３のサイズが小さくなった場合、フリップチップ方
式を適用することでこのフォトダイオード４とプリアン
プＩＣ３との接続を容易に実現できる。
おいては、フォトダイオード４の電極部８とプリアンプ
ＩＣ３の電極部９とをいわゆるフリップチップ方式で接
続できる。このため、フォトダイオード４やプリアンプ
ＩＣ３のサイズが小さくなった場合、フリップチップ方
式を適用することでこのフォトダイオード４とプリアン
プＩＣ３との接続を容易に実現できる。
【００５１】（実施の形態５）図５は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態５を示す断面模式図であ
る。図５を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態５を説明する。
導体モジュールの実施の形態５を示す断面模式図であ
る。図５を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態５を説明する。
【００５２】図５を参照して、半導体モジュール１は、
マウント２と、マウント２の上部表面上に設置されたプ
リアンプＩＣ３と、プリアンプＩＣの上部表面上に配置
されたフォトダイオード４とを備える。フォトダイオー
ド４は側面入出射型光デバイスであり、フォトダイオー
ド４の上部表面には電極部８が形成されている。また、
プリアンプＩＣ３の上部表面には電極部９が形成されて
いる。フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ
３の電極部９とは導電線７により接続されている。ま
た、フォトダイオード４において光信号を検出する受光
面１７は、フォトダイオード４の側面に形成されてい
る。そして、フォトダイオード４の受光面１７は、プリ
アンプＩＣ３の側壁面１８とほぼ同じ平面上に配置され
ている。
マウント２と、マウント２の上部表面上に設置されたプ
リアンプＩＣ３と、プリアンプＩＣの上部表面上に配置
されたフォトダイオード４とを備える。フォトダイオー
ド４は側面入出射型光デバイスであり、フォトダイオー
ド４の上部表面には電極部８が形成されている。また、
プリアンプＩＣ３の上部表面には電極部９が形成されて
いる。フォトダイオード４の電極部８とプリアンプＩＣ
３の電極部９とは導電線７により接続されている。ま
た、フォトダイオード４において光信号を検出する受光
面１７は、フォトダイオード４の側面に形成されてい
る。そして、フォトダイオード４の受光面１７は、プリ
アンプＩＣ３の側壁面１８とほぼ同じ平面上に配置され
ている。
【００５３】このようにすれば、プリアンプＩＣ３上に
フォトダイオード４を積層するので、フォトダイオード
４とプリアンプＩＣ３との上部表面にそれぞれ電極部
８、９を形成すれば、導電部材としての導電線７の長さ
をほぼフォトダイオード４の厚みと同じ程度の長さにま
で短くすることができる。この結果、半導体モジュール
１において導電線７が長いことに起因する周波数特性の
劣化を防止できる。
フォトダイオード４を積層するので、フォトダイオード
４とプリアンプＩＣ３との上部表面にそれぞれ電極部
８、９を形成すれば、導電部材としての導電線７の長さ
をほぼフォトダイオード４の厚みと同じ程度の長さにま
で短くすることができる。この結果、半導体モジュール
１において導電線７が長いことに起因する周波数特性の
劣化を防止できる。
【００５４】また、プリアンプＩＣ３上にフォトダイオ
ード４を積層するので、従来のようにフォトダイオード
４とプリアンプＩＣ３とを並列に配置する場合より半導
体モジュール１の占有面積を小さくできる。この結果、
半導体モジュール１の小型化を図ることができる。
ード４を積層するので、従来のようにフォトダイオード
４とプリアンプＩＣ３とを並列に配置する場合より半導
体モジュール１の占有面積を小さくできる。この結果、
半導体モジュール１の小型化を図ることができる。
【００５５】また、フォトダイオード４の受光部である
受光面１７とプリアンプＩＣ３の側壁面１８とがほぼ同
じ平面上に配置されることになるので、受光面１７の前
方においてプリアンプＩＣ３の上部表面が路室した状態
となることを防止できる。この結果、プリアンプＩＣ３
の上部表面などに反射した光（反射光）が受光面１７に
入射することを防止できる。したがって、このような反
射光によりフォトダイオード４での光の検出精度が劣化
すること（いわゆるケラレ現象が発生すること）を防止
できる。
受光面１７とプリアンプＩＣ３の側壁面１８とがほぼ同
じ平面上に配置されることになるので、受光面１７の前
方においてプリアンプＩＣ３の上部表面が路室した状態
となることを防止できる。この結果、プリアンプＩＣ３
の上部表面などに反射した光（反射光）が受光面１７に
入射することを防止できる。したがって、このような反
射光によりフォトダイオード４での光の検出精度が劣化
すること（いわゆるケラレ現象が発生すること）を防止
できる。
【００５６】また、プリアンプＩＣ３とフォトダイオー
ド４とを導電線７により確実に接続できるとともに、導
電線７の長さを変更することにより、導電線７を介して
電気信号を伝送する際の周波数特性を任意に変更でき
る。この結果、半導体モジュール１の出力信号の特性を
任意に調整することができる。
ド４とを導電線７により確実に接続できるとともに、導
電線７の長さを変更することにより、導電線７を介して
電気信号を伝送する際の周波数特性を任意に変更でき
る。この結果、半導体モジュール１の出力信号の特性を
任意に調整することができる。
【００５７】また、、導電線７を形成する工程に、従来
のワイヤボンディング法を適用できる。このため、図５
に示した半導体モジュール１を製造する為に従来の製造
装置（ワイヤボンディング装置など）を流用できる。し
たがって、半導体モジュール１の製造コストが増大する
ことを抑制できる。
のワイヤボンディング法を適用できる。このため、図５
に示した半導体モジュール１を製造する為に従来の製造
装置（ワイヤボンディング装置など）を流用できる。し
たがって、半導体モジュール１の製造コストが増大する
ことを抑制できる。
【００５８】（実施の形態６）図６は、本発明による半
導体モジュールの実施の形態６を示す断面模式図であ
る。図６を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態６を説明する。
導体モジュールの実施の形態６を示す断面模式図であ
る。図６を参照して、本発明による半導体モジュールの
実施の形態６を説明する。
【００５９】図６を参照して、半導体モジュール１は、
基本的には図５に示した半導体モジュールと同様の構造
を備えるが、フォトダイオード４の底壁に電極部８ａ、
８ｂが形成されている。フォトダイオード４は側面入出
射型光デバイスであり、ここでは側面から光が入射する
導波路型フォトダイオードを用いる。また、プリアンプ
ＩＣ３の上部表面上において、フォトダイオード４の電
極部８ａ、８ｂと対向する領域に電極部９ａ、９ｂが形
成されている。フォトダイオード４の電極部８ａ、８ｂ
とプリアンプＩＣ３の電極部９ａ、９ｂとはそれぞれ導
電体からなるバンプ１０ａ、１０ｂにより電気的に接続
されている。このバンプ１０ａ、１０ｂは、フォトダイ
オード４とプリアンプＩＣ３とを電気的に接続するとと
もに、プリアンプＩＣ３に対してフォトダイオード４を
固定する固定部材としての機能も有する。そして、図５
に示した半導体モジュール１と同様に、フォトダイオー
ド４の受光面１７はプリアンプＩＣ３の側壁面１８とほ
ぼ同じ平面上に配置されている。
基本的には図５に示した半導体モジュールと同様の構造
を備えるが、フォトダイオード４の底壁に電極部８ａ、
８ｂが形成されている。フォトダイオード４は側面入出
射型光デバイスであり、ここでは側面から光が入射する
導波路型フォトダイオードを用いる。また、プリアンプ
ＩＣ３の上部表面上において、フォトダイオード４の電
極部８ａ、８ｂと対向する領域に電極部９ａ、９ｂが形
成されている。フォトダイオード４の電極部８ａ、８ｂ
とプリアンプＩＣ３の電極部９ａ、９ｂとはそれぞれ導
電体からなるバンプ１０ａ、１０ｂにより電気的に接続
されている。このバンプ１０ａ、１０ｂは、フォトダイ
オード４とプリアンプＩＣ３とを電気的に接続するとと
もに、プリアンプＩＣ３に対してフォトダイオード４を
固定する固定部材としての機能も有する。そして、図５
に示した半導体モジュール１と同様に、フォトダイオー
ド４の受光面１７はプリアンプＩＣ３の側壁面１８とほ
ぼ同じ平面上に配置されている。
【００６０】このようにすれば、図５に示した半導体モ
ジュールと同様に、受光面１７に対して、レンズ１２を
介して入射する光がプリアンプＩＣ３の上部表面におい
て反射するなどのいわゆるケラレ現象の発生を抑制し
て、高感度な半導体モジュールを得ることができる。
ジュールと同様に、受光面１７に対して、レンズ１２を
介して入射する光がプリアンプＩＣ３の上部表面におい
て反射するなどのいわゆるケラレ現象の発生を抑制し
て、高感度な半導体モジュールを得ることができる。
【００６１】また、フォトダイオード４の電極部８ａ、
８ｂとプリアンプＩＣ３の電極部９ａ、９ｂとをバンプ
１０ａ、１０ｂにより接合しているので、プリアンプＩ
Ｃ３とフォトダイオード４とを、いわゆるフリップチッ
プ接合法を用いて接合することができる。この結果、フ
ォトダイオード４などのサイズが小さくなった場合、フ
ォトダイオード４とプリアンプＩＣ３との接続を容易に
実現できる。
８ｂとプリアンプＩＣ３の電極部９ａ、９ｂとをバンプ
１０ａ、１０ｂにより接合しているので、プリアンプＩ
Ｃ３とフォトダイオード４とを、いわゆるフリップチッ
プ接合法を用いて接合することができる。この結果、フ
ォトダイオード４などのサイズが小さくなった場合、フ
ォトダイオード４とプリアンプＩＣ３との接続を容易に
実現できる。
【００６２】なお、図６に示した半導体モジュール１に
おいては、フォトダイオード４の受光面１７の位置とプ
リアンプＩＣ３の側壁面１８との位置はほぼ一致してい
るが、フォトダイオード４の受光面１７がプリアンプＩ
Ｃ３の側壁面１８よりも外側に位置してもよい。この場
合もいわゆるケラレ現象の発生を確実に防止できる。
おいては、フォトダイオード４の受光面１７の位置とプ
リアンプＩＣ３の側壁面１８との位置はほぼ一致してい
るが、フォトダイオード４の受光面１７がプリアンプＩ
Ｃ３の側壁面１８よりも外側に位置してもよい。この場
合もいわゆるケラレ現象の発生を確実に防止できる。
【００６３】また、図７および８に示すように、フォト
ダイオード４の受光面がプリアンプＩＣ３の側壁面１８
よりも幅Ｗだけ内側に入った状態となるようにフォトダ
イオード４を配置してもよい。このときの幅Ｗは最大３
０μｍとする。このようにしても、図６に示した半導体
モジュールと同様の効果を得ることができる。なお、図
７は、本発明による半導体モジュールの実施の形態６の
変形例を示す断面模式図であり、図８は図７に示した半
導体モジュールの平面模式図である。
ダイオード４の受光面がプリアンプＩＣ３の側壁面１８
よりも幅Ｗだけ内側に入った状態となるようにフォトダ
イオード４を配置してもよい。このときの幅Ｗは最大３
０μｍとする。このようにしても、図６に示した半導体
モジュールと同様の効果を得ることができる。なお、図
７は、本発明による半導体モジュールの実施の形態６の
変形例を示す断面模式図であり、図８は図７に示した半
導体モジュールの平面模式図である。
【００６４】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
【００６５】
【発明の効果】このように、本発明によれば、固定部材
などを用いて増幅回路素子と受光素子とを対向するよう
に配置できるので、この増幅回路素子と受光素子とを接
続する導電部材の長さを従来より短くできる。この結
果、導電部材が長いことに起因する周波数特性の劣化を
防止することが可能な半導体モジュールおよび半導体装
置を得ることができる。
などを用いて増幅回路素子と受光素子とを対向するよう
に配置できるので、この増幅回路素子と受光素子とを接
続する導電部材の長さを従来より短くできる。この結
果、導電部材が長いことに起因する周波数特性の劣化を
防止することが可能な半導体モジュールおよび半導体装
置を得ることができる。
【図１】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
１を示す断面模式図である。
１を示す断面模式図である。
【図２】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
２を示す断面模式図である。
２を示す断面模式図である。
【図３】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
３を示す断面模式図である。
３を示す断面模式図である。
【図４】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
４を示す断面模式図である。
４を示す断面模式図である。
【図５】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
５を示す断面模式図である。
５を示す断面模式図である。
【図６】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
６を示す断面模式図である。
６を示す断面模式図である。
【図７】 本発明による半導体モジュールの実施の形態
６の変形例を示す断面模式図である。
６の変形例を示す断面模式図である。
【図８】 図７に示した半導体モジュールの平面模式図
である。
である。
【図９】 従来の半導体モジュールを示す断面模式図で
ある。
ある。
【図１０】 図９に示した半導体モジュール１０１にお
いて、導電線１０７の長さを変化させた場合の、導電線
１０７を介して伝送される電気信号の周波数特性を示す
グラフである。
いて、導電線１０７の長さを変化させた場合の、導電線
１０７を介して伝送される電気信号の周波数特性を示す
グラフである。
１ 半導体モジュール、２ マウント、３ プリアンプ
ＩＣ、４ フォトダイオード、５ チップコンデンサ、
６ 固定治具、７ 導電線、８，８ａ，８ｂ，９，９
ａ，９ｂ 電極部、１０，１０ａ，１０ｂ バンプ、１
１ 治具、１２レンズ、１３ 光、１４ 延在部、１５
支持部、１６ 側壁、１７ 受光面、１８ 側壁面。
ＩＣ、４ フォトダイオード、５ チップコンデンサ、
６ 固定治具、７ 導電線、８，８ａ，８ｂ，９，９
ａ，９ｂ 電極部、１０，１０ａ，１０ｂ バンプ、１
１ 治具、１２レンズ、１３ 光、１４ 延在部、１５
支持部、１６ 側壁、１７ 受光面、１８ 側壁面。
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に配置された増幅回路素子と、 前記基板上に配置され、前記増幅回路素子上に延在する
延在部を含む固定部材と、 前記増幅回路素子上に位置する前記延在部に配置された
受光素子と、 前記受光素子と前記増幅回路素子とを電気的に接続する
導電部材とを備える、半導体モジュール。 - 【請求項２】 基板と、 前記基板上に配置された増幅回路素子と、 前記基板上に配置され、前記増幅回路素子と対向する側
壁面を有する固定部材と、 前記固定部材の側壁面上に配置された受光素子と、 前記受光素子と前記増幅回路素子とを電気的に接続する
導電部材とを備える、半導体モジュール。 - 【請求項３】 前記導電部材は導電線である、請求項１
または２に記載の半導体モジュール。 - 【請求項４】 前記導電部材は導電体からなるバンプで
ある、請求項１または２に記載の半導体モジュール。 - 【請求項５】 基板と、 前記基板上に配置され、上部表面を有する増幅回路素子
と、 前記増幅回路素子の上部表面上に固定された受光素子と
を備える、半導体モジュール。 - 【請求項６】 前記増幅回路素子は側壁面を含み、 前記受光素子は側壁と、この側壁上に形成された受光部
とを含み、 前記増幅回路素子の側壁面の位置と、前記受光素子の受
光部の位置とはほぼ一致している、請求項５に記載の半
導体モジュール。 - 【請求項７】 前記増幅回路素子と前記受光素子とを電
気的に接続する導電部材をさらに備える、請求項５また
は６に記載の半導体モジュール。 - 【請求項８】 前記導電部材は導電線である、請求項７
に記載の半導体モジュール。 - 【請求項９】 前記導電部材は導電体からなるバンプで
ある、請求項７に記載の半導体モジュール。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の
半導体モジュールを備える半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134343A JP2002329873A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134343A JP2002329873A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329873A true JP2002329873A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18982039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001134343A Pending JP2002329873A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 半導体モジュールおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002329873A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128762A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH02199874A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH05175608A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 光半導体素子モジュール |
| JPH07312430A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュ−ルとその製造方法 |
| JP2000028872A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP2001059923A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置 |
-
2001
- 2001-05-01 JP JP2001134343A patent/JP2002329873A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001059923A (ja) * | 1999-06-16 | 2001-03-06 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置 |
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