JP4139594B2 - 光信号受信モジュール - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光通信システムにおいて使用する光信号受信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は、従来の光信号受信モジュールの要部を示す概念図である。図１１において、１はＰＤ（PhotoDiode）素子、１１はＰＤ素子１の受光部、１２はＰＤ素子１のＰ電極、１３はＰＤ素子１のＮ電極、２はプリアンプＩＣ（Integrated Circuits）、２１はプリアンプＩＣ２の信号入力電極、２２，２３はそれぞれプリアンプＩＣ２のグランド電極である。ＰＤ素子１のＮ電極１３は、ＰＤ素子１の裏面全面に設けられている。また同図１１において、３はチップコンデンサ、４１，４２，４３，４４はそれぞれワイヤである。
【０００３】
プリアンプＩＣ２およびチップコンデンサ３は、それぞれチップキャリア（図示せず）上に実装されている。ＰＤ素子１は、Ｎ電極１３を介してチップコンデンサ３上に実装される一方、Ｐ電極１２がワイヤ４１によってプリアンプＩＣ２の信号入力電極２１に電気的に接続されている。プリアンプＩＣ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３によってチップキャリア（図示せず）に電気的に接続されている。また、チップコンデンサ３の上側電極にワイヤ４４が接続されており、該ワイヤ４４を通じてＰＤ素子１のＮ電極１３にバイアス電圧を印加できるよう構成されている。
【０００４】
上記のように構成された光信号受信モジュールは、光通信システムの受信側で用いられるものであり、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものである。すなわち、入力された光信号は、ＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように構成された従来の光信号受信モジュールにおいては、図１２の等価回路に示すように、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣ２内の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成する。この電流ループは、チップコンデンサ３のキャパシタンスや、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスや、チップキャリアが含まれるために、非常に長いものとなる。特に、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいては、上記電流ループの電気長が波長に対して長くなるために、プリアンプＩＣ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合に、ワイヤ４１，４２，４３にノイズが結合し、発振し易いという問題があった。
【０００６】
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、発振することがなく、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明にかかる光信号受信モジュールは、入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続し、チップキャリヤが経路に含まれないようにして、前記受光素子と前記増幅回路の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成させることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【０００９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、所定容量のキャパシタを介して前記グランド電極に接続したサブグランド電極を前記増幅回路に設け、このサブグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続したことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００１１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続される。
【００１３】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のサブグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のサブグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続される。
【００１５】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面に前記受光素子を実装したことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、チップコンデンサの実装領域に受光素子を実装するようにしている。
【００１７】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記増幅回路をチップ状に構成し、かつ前記受光素子をこの増幅回路にフリップチップ実装したことを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間を接続するためのワイヤが不要となる。
【００１９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一端面に受光部を有した面入射型のものであることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００２１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面電極に前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を実装した場合には、当該チップコンデンサの上面電極を介して前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００２３】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一端面に受光部を有し、かつ当該受光部を有する面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した面入射型のものであることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。
【００２５】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一側面に受光部を有した導波路型のものであることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、導波路型の受光素子に接続されるワイヤが光信号の入射光路を遮る虞れがないばかりか、一般的に面入射型の受光素子と比較して高速性に優れる。
【００２７】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一側面に受光部を有し、かつ一端面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した導波路型のものであることを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。
【００２９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子がコプレナ線路を構成したものであることを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、受光素子のバイアス電圧入力端子と信号出力端子とがコプレナ線路を構成している。
【００３１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記コプレナ線路を構成する前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子をそれぞれ前記受光素子の一側面から他側面に亘って延在させたことを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、受光素子の信号出力端子と増幅器の信号入力電極との間のワイヤの長さを極力短くすることが可能である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光信号受信モジュールの好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００３４】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１１に示した従来のものと同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものである。
【００３５】
図１において、１は面入射型のＰＤ（PhotoDiode）素子、１１はＰＤ素子１の受光部、１２はＰＤ素子１の信号出力端子であるＰ電極、１３はＰＤ素子１のバイアス電圧入力端子であるＮ電極、２はプリアンプＩＣ（Integrated Circuits）チップ、２１はプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極、２２，２３はプリアンプＩＣチップ２の上面に設けたグランド電極である。ＰＤ素子１のＮ電極１３は、ＰＤ素子１の裏面全面に設けてある。３はチップコンデンサ、４１，４２，４３，４４，４５はワイヤである。５は絶縁性基板、具体的にはセラミック基板であり、その上面に配線パターン５１が形成されている。
【００３６】
プリアンプＩＣチップ２、チップコンデンサ３およびセラミック基板５は、それぞれ図示せぬチップキャリア上に実装してある。ＰＤ素子１は、セラミック基板５の配線パターン５１上に実装してあり、そのＰ電極１２がワイヤ４１によってプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に電気的に接続してある。プリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３によってセラミック基板５の配線パターン５１に電気的に接続してある。
【００３７】
また、チップコンデンサ３の上側電極には、ワイヤ４５の一端部およびワイヤ４４の一端部をそれぞれ接続してある。ワイヤ４５は、その他端部をセラミック基板５の配線パターン５１に接続したもので、これらチップコンデンサ３の上側電極およびセラミック基板５の配線パターン５１の間を電気的に接続する。ワイヤ４４は、その他端部を図示せぬＰＤバイアス回路に接続してあり、該ＰＤバイアス回路から与えられるバイアス電圧を、セラミック基板５の配線パターン５１を通じてＰＤ素子１のＮ電極１３に印加できるように構成してある。
【００３８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、入力された光信号がＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００３９】
ここで、図２の等価回路に示すように、この実施の形態１の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成することになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。こうした実施の形態１による作用効果は、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効である。
【００４０】
なお、上述した実施の形態１では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００４１】
実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。すなわち、ＰＤ素子１は、チップコンデンサ３上に実装してあり、そのＮ電極１３がチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してある。また、プリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３を通じてチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００４２】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００４３】
ここで、この実施の形態２の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間の電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００４４】
しかも、この実施の形態２の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１をチップコンデンサ３上に実装し、かつプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３をそれぞれワイヤ４２，４３によってチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してあるため、セラミック基板などの部材を用いることなく実施の形態１と同等の構成を実現できる。従って、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００４５】
なお、上述した実施の形態２では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００４６】
実施の形態３．
図４は、この発明の実施の形態３である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００４７】
すなわち、この実施の形態３で適用するＰＤ素子１００には、受光部１１およびＰ電極１２を設けた上面に、一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５を介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００４８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１００の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００４９】
ここで、この実施の形態３の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１００とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００５０】
しかも、この実施の形態３の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２との間を接続するワイヤ４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００５１】
なお、上述した実施の形態３では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００５２】
実施の形態４．
図５は、この発明の実施の形態４である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００５３】
すなわち、この実施の形態４では、ＰＤ素子１００として、受光部１１およびＰ電極１２を設けた上面に一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを備えるものを適用し、このＰＤ素子１００をチップコンデンサ３上に実装してある。ＰＤ素子１００の一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５を介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００５４】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１００の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００５５】
ここで、この実施の形態４の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１００とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００５６】
しかも、この実施の形態４の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２との間を接続するワイヤ４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００５７】
さらに、この実施の形態４の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００５８】
なお、上述した実施の形態４では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００５９】
実施の形態５．
図６は、この発明の実施の形態５である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００６０】
すなわち、この実施の形態５では、ＰＤ素子１１０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１１０の受光部１１１は、ＬＤ（LASER Diode）素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１１０には、Ｐ電極１２を設けた上面に一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。これら一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１１０の上面両側に沿って延設したものである。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４３を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２３に接続してあるとともに、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してあるとともに、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００６１】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１１０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００６２】
ここで、この実施の形態５の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１１０とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００６３】
しかも、この実施の形態５の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１１０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３との間を接続するワイヤ４２，４３の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００６４】
さらに、この実施の形態５の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１１０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００６５】
またさらに、この実施の形態５の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１１０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１１０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１１０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１１０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００６６】
なお、上述した実施の形態５では、受光素子として導波路型のフォトダイオードを例示しているが、例えば上述した面入射型のフォトダイオードを用いるようにしてもよい。
【００６７】
実施の形態６．
図７は、この発明の実施の形態６である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００６８】
すなわち、この実施の形態６では、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１２０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１２０には、その上面にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、ＰＤ素子１２０の上面において一対のＮ電極１３ａ，１３ｂとともに、プリアンプＩＣチップ２の入力インピーダンスと等しいインピーダンスを有するコプレナ線路を形成している。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１２０の上面両側に沿って延設してある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４３を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２３に接続してあるとともに、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してあるとともに、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００６９】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１２０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００７０】
ここで、この実施の形態６の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１２０とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００７１】
しかも、この実施の形態６の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３との間を接続するワイヤ４２，４３の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００７２】
さらに、この実施の形態６の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００７３】
またさらに、この実施の形態６の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１２０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１２０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１２０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。さらに、ＰＤ素子１２０のＰ電極１２とＮ電極１３ａ，１３ｂとでコプレナ線路を形成し、素子の他側面までＰ電極１２を引き伸ばしているため、Ｐ電極１２とプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１との間のワイヤ４１の長さを極力短くすることが可能であり、より一層電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００７４】
実施の形態７．
図８は、この発明の実施の形態７である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００７５】
すなわち、この実施の形態７では、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１２０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１２０には、その上面にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、ＰＤ素子１２０の上面において一対のＮ電極１３ａ，１３ｂとともに、プリアンプＩＣチップ２００の入力インピーダンスと等しいインピーダンスを有するコプレナ線路を形成している。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１２０の上面両側に沿って延設してある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。
【００７６】
一方、プリアンプＩＣチップ２００には、その上面にサブグランド電極２４，２５を設けてある。プリアンプＩＣチップ２００において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間には、キャパシタ６ｂが作り込んである一方、サブグランド電極２５とグランド電極２３との間には、キャパシタ６ａが作り込んである。サブグランド電極２４は、ワイヤ４２を介してＮ電極１３ｂに接続し、またグランド電極２２は、ワイヤ４６を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。同様に、サブグランド電極２５は、ワイヤ４３を介してＮ電極１３ａに接続し、またグランド電極２３は、ワイヤ４７を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。
【００７７】
なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００７８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１２０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２００の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２００では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００７９】
ここで、この実施の形態７の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１２０とプリアンプＩＣチップ２００内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２００内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００８０】
しかも、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２００のサブグランド電極２５，２４との間を接続するワイヤ４３，４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００８１】
さらに、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００８２】
またさらに、この実施の形態７の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１２０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１２０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１２０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。さらに、ＰＤ素子１２０のＰ電極１２とＮ電極１３ａ，１３ｂとでコプレナ線路を形成し、素子の他側面までＰ電極１２を引き伸ばしているため、Ｐ電極１２とプリアンプＩＣチップ２００の信号入力電極２１との間のワイヤ４１の長さを極力短くすることが可能であり、さらに電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００８３】
さらにまた、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、プリアンプＩＣチップ２００において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間、並びにサブグランド電極２５とグランド電極２３との間にそれぞれキャパシタ６ｂ，６ａを作り込むようにしている。従って、図示せぬＰＤバイアス回路からワイヤ４４を通じてＰＤ素子１２０のＮ電極１３ａ，１３ｂにバイアス電圧を与えた場合であっても、プリアンプＩＣチップ２００のグランド電極２２，２３に影響を及ぼす虞れがない。つまり、バイアス電圧によらず、常にプリアンプＩＣチップ２００におけるグランド電極２２，２３の電位をグランド電位とすることができる。この結果、プリアンプＩＣチップ２００の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００８４】
なお、上記のようにプリアンプＩＣチップ２００にサブグランド電極２４，２５を設け、グランド電極２２，２３に代えて、このサブグランド電極２４，２５をＰＤ素子のＮ電極に接続する構成は、上述した実施の形態１〜６に適用することも可能である。
【００８５】
実施の形態８．
図９（ａ）および図９（ｂ）は、この発明の実施の形態８である光信号受信モジュールの構成を示すもので、図９（ａ）はＰＤ素子を取り外した状態を示す斜視図、図９（ｂ）はＰＤ素子を取り付けた状態を示す斜視図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００８６】
すなわち、この実施の形態８では、ＰＤ素子１３０として導波路型で、しかもフリップチップ実装するものを適用している。この導波路型ＰＤ素子１３０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１３０には、その上面（図９（ａ）において上面）にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１３０の上面両側に沿って延設してあり、個々の両端部にそれぞれバンプ８ａ，８ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、これら一対のＮ電極１３ａ，１３ｂの間となる位置に配設してあり、その中央部にバンプ７を設けてある。
【００８７】
一方、プリアンプＩＣチップ２１０には、その上面にサブグランド電極２４，２５を設けてある。プリアンプＩＣチップ２１０において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間には、キャパシタ６ｂが作り込んである一方、サブグランド電極２５とグランド電極２３との間には、キャパシタ６ａが作り込んである。サブグランド電極２４は、ワイヤ４２を介してチップコンデンサ３の上面電極に接続し、またグランド電極２２は、ワイヤ４６を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。同様に、サブグランド電極２５は、ワイヤ４３を介してチップコンデンサ３の上面電極に接続し、またグランド電極２３は、ワイヤ４７を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。
【００８８】
さらに、上述したＰＤ素子１３０は、プリアンプＩＣチップ２１０に対してフリップチップ実装し、バンプ７を介してＰ電極１２が信号入力電極２１に接続してあるとともに、Ｎ電極１３ａがバンプ８ａを介してサブグランド電極２５に接続してあり、さらにＮ電極１３ｂがバンプ８ｂを介してサブグランド電極２４に接続してある。
【００８９】
なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００９０】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１３０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、バンプ７を介してプリアンプＩＣチップ２１０の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２１０では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００９１】
ここで、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１３０とプリアンプＩＣチップ２１０とをフリップチップ実装するようにしているため、これらＰＤ素子１３０およびプリアンプＩＣチップ２１０の間を接続するためのワイヤが全く不要となる。このため、図１０の等価回路からも明らかなように、その電流ループが、上述した実施の形態１〜７に比べて一層短いものとなる。従って、プリアンプＩＣチップ２１０内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００９２】
しかも、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１３０をプリアンプＩＣチップ２１０上に実装しているため、実装面積を小さくすることができ、モジュールの小型化を図ることも可能となる。この結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００９３】
さらに、この実施の形態８の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１３０として導波路型のものを適用しているため、面入射型のＰＤ素子１を適用したものに比べて高速性に優れる。
【００９４】
またさらに、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、プリアンプＩＣチップ２１０において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間、並びにサブグランド電極２５とグランド電極２３との間にそれぞれキャパシタ６ｂ，６ａを作り込むようにしている。従って、図示せぬＰＤバイアス回路からワイヤ４４を通じてＰＤ素子１３０のＮ電極１３ａ，１３ｂにバイアス電圧を与えた場合であっても、プリアンプＩＣチップ２１０のグランド電極２２，２３に影響を及ぼす虞れがない。つまり、バイアス電圧によらず、常にプリアンプＩＣチップ２１０におけるグランド電極２２，２３の電位をグランド電位とすることができる。この結果、プリアンプＩＣチップ２１０の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００９５】
なお、上述した実施の形態８においては、プリアンプＩＣチップ２１０に作り込んだキャパシタ６ａ，６ｂの容量を十分大きくすれば、チップコンデンサ３を不要とすることも可能となり、更なる小型化を図ることができるようになる。
【００９６】
また、上述した実施の形態８では、受光素子として導波路型のフォトダイオードを例示しているが、例えば上述した面入射型のフォトダイオードを用いるようにしてもよい。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができるため、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【００９８】
つぎの発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。しかも、増幅回路においてサブグランド電極とグランド電極との間にキャパシタを介在させるようにしているため、受光素子のバイアス電圧入力端子にバイアス電圧を与えた場合であっても、受光素子のグランド電極に影響を及ぼす虞れがなく、常に増幅回路におけるグランド電極の電位をグランド電位とすることができる。この結果、増幅回路の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００９９】
つぎの発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続されるため、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１００】
つぎの発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のサブグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続されるため、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０１】
つぎの発明によれば、チップコンデンサの実装領域に受光素子を実装するようにしているため、実装面積を小さくすることができ、モジュールの小型化を図ることが可能となる。
【０１０２】
つぎの発明によれば、受光素子と増幅回路との間を接続するためのワイヤが不要となるため、その電流ループが一層短いものとなる。
【０１０３】
つぎの発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０４】
つぎの発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０５】
つぎの発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。従って、電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０６】
つぎの発明によれば、受光素子に接続されるワイヤが光信号の入射光路を遮る虞れがないばかりか、一般的に面入射型の受光素子と比較して高速性に優れる。従って、高速で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【０１０７】
つぎの発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。従って、電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０８】
つぎの発明によれば、受光素子のバイアス電圧入力端子と信号出力端子とがコプレナ線路を構成しているため、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０９】
つぎの発明によれば、受光素子の信号出力端子と増幅器の信号入力電極との間のワイヤの長さを極力短くすることが可能であり、より一層電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図２】 図１に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態２である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態３である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態４である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態５である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態６である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態７である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図９】 この発明の実施の形態８である光信号受信モジュールの構成を示すもので、（ａ）は受光素子を取り外した状態を示す斜視図、（ｂ）は受光素子を取り付けた状態を示す斜視図である。
【図１０】 図９に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【図１１】 従来の光信号受信モジュールを示した図である。
【図１２】 図１１に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【符号の説明】
１ ＰＤ素子、２ プリアンプＩＣチップ、３ チップコンデンサ、５ セラミック基板、６ｂ，６ａ キャパシタ、７ バンプ、８ａ，８ｂ バンプ、１１受光部、１２ Ｐ電極、１３ Ｎ電極、１３ａ，１３ｂ Ｎ電極、２１ 信号入力電極、２２，２３ グランド電極、２４，２５ サブグランド電極、４１，４２，４３，４４，４５ａ，４５ｂ，４６，４７ ワイヤ、５１ 配線パターン、１００ ＰＤ素子、１１０ ＰＤ素子、１１１ 受光部、１２０ ＰＤ素子、１３０ ＰＤ素子、２００ プリアンプＩＣチップ、２１０ プリアンプＩＣチップ。
【発明の属する技術分野】
この発明は、光通信システムにおいて使用する光信号受信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は、従来の光信号受信モジュールの要部を示す概念図である。図１１において、１はＰＤ（PhotoDiode）素子、１１はＰＤ素子１の受光部、１２はＰＤ素子１のＰ電極、１３はＰＤ素子１のＮ電極、２はプリアンプＩＣ（Integrated Circuits）、２１はプリアンプＩＣ２の信号入力電極、２２，２３はそれぞれプリアンプＩＣ２のグランド電極である。ＰＤ素子１のＮ電極１３は、ＰＤ素子１の裏面全面に設けられている。また同図１１において、３はチップコンデンサ、４１，４２，４３，４４はそれぞれワイヤである。
【０００３】
プリアンプＩＣ２およびチップコンデンサ３は、それぞれチップキャリア（図示せず）上に実装されている。ＰＤ素子１は、Ｎ電極１３を介してチップコンデンサ３上に実装される一方、Ｐ電極１２がワイヤ４１によってプリアンプＩＣ２の信号入力電極２１に電気的に接続されている。プリアンプＩＣ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３によってチップキャリア（図示せず）に電気的に接続されている。また、チップコンデンサ３の上側電極にワイヤ４４が接続されており、該ワイヤ４４を通じてＰＤ素子１のＮ電極１３にバイアス電圧を印加できるよう構成されている。
【０００４】
上記のように構成された光信号受信モジュールは、光通信システムの受信側で用いられるものであり、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものである。すなわち、入力された光信号は、ＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように構成された従来の光信号受信モジュールにおいては、図１２の等価回路に示すように、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣ２内の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成する。この電流ループは、チップコンデンサ３のキャパシタンスや、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスや、チップキャリアが含まれるために、非常に長いものとなる。特に、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいては、上記電流ループの電気長が波長に対して長くなるために、プリアンプＩＣ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合に、ワイヤ４１，４２，４３にノイズが結合し、発振し易いという問題があった。
【０００６】
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、発振することがなく、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明にかかる光信号受信モジュールは、入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続し、チップキャリヤが経路に含まれないようにして、前記受光素子と前記増幅回路の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成させることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【０００９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、所定容量のキャパシタを介して前記グランド電極に接続したサブグランド電極を前記増幅回路に設け、このサブグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続したことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００１１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続される。
【００１３】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のサブグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のサブグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続される。
【００１５】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面に前記受光素子を実装したことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、チップコンデンサの実装領域に受光素子を実装するようにしている。
【００１７】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記増幅回路をチップ状に構成し、かつ前記受光素子をこの増幅回路にフリップチップ実装したことを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、受光素子と増幅回路との間を接続するためのワイヤが不要となる。
【００１９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一端面に受光部を有した面入射型のものであることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００２１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面電極に前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を実装した場合には、当該チップコンデンサの上面電極を介して前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができる。
【００２３】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一端面に受光部を有し、かつ当該受光部を有する面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した面入射型のものであることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。
【００２５】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一側面に受光部を有した導波路型のものであることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、導波路型の受光素子に接続されるワイヤが光信号の入射光路を遮る虞れがないばかりか、一般的に面入射型の受光素子と比較して高速性に優れる。
【００２７】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、一側面に受光部を有し、かつ一端面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した導波路型のものであることを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。
【００２９】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記受光素子が、前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子がコプレナ線路を構成したものであることを特徴とする。
【００３０】
この発明によれば、受光素子のバイアス電圧入力端子と信号出力端子とがコプレナ線路を構成している。
【００３１】
つぎの発明にかかる光信号受信モジュールは、上記の発明において、前記コプレナ線路を構成する前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子をそれぞれ前記受光素子の一側面から他側面に亘って延在させたことを特徴とする。
【００３２】
この発明によれば、受光素子の信号出力端子と増幅器の信号入力電極との間のワイヤの長さを極力短くすることが可能である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光信号受信モジュールの好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００３４】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１１に示した従来のものと同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものである。
【００３５】
図１において、１は面入射型のＰＤ（PhotoDiode）素子、１１はＰＤ素子１の受光部、１２はＰＤ素子１の信号出力端子であるＰ電極、１３はＰＤ素子１のバイアス電圧入力端子であるＮ電極、２はプリアンプＩＣ（Integrated Circuits）チップ、２１はプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極、２２，２３はプリアンプＩＣチップ２の上面に設けたグランド電極である。ＰＤ素子１のＮ電極１３は、ＰＤ素子１の裏面全面に設けてある。３はチップコンデンサ、４１，４２，４３，４４，４５はワイヤである。５は絶縁性基板、具体的にはセラミック基板であり、その上面に配線パターン５１が形成されている。
【００３６】
プリアンプＩＣチップ２、チップコンデンサ３およびセラミック基板５は、それぞれ図示せぬチップキャリア上に実装してある。ＰＤ素子１は、セラミック基板５の配線パターン５１上に実装してあり、そのＰ電極１２がワイヤ４１によってプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に電気的に接続してある。プリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３によってセラミック基板５の配線パターン５１に電気的に接続してある。
【００３７】
また、チップコンデンサ３の上側電極には、ワイヤ４５の一端部およびワイヤ４４の一端部をそれぞれ接続してある。ワイヤ４５は、その他端部をセラミック基板５の配線パターン５１に接続したもので、これらチップコンデンサ３の上側電極およびセラミック基板５の配線パターン５１の間を電気的に接続する。ワイヤ４４は、その他端部を図示せぬＰＤバイアス回路に接続してあり、該ＰＤバイアス回路から与えられるバイアス電圧を、セラミック基板５の配線パターン５１を通じてＰＤ素子１のＮ電極１３に印加できるように構成してある。
【００３８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、入力された光信号がＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００３９】
ここで、図２の等価回路に示すように、この実施の形態１の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成することになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。こうした実施の形態１による作用効果は、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効である。
【００４０】
なお、上述した実施の形態１では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００４１】
実施の形態２．
図３は、この発明の実施の形態２である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。すなわち、ＰＤ素子１は、チップコンデンサ３上に実装してあり、そのＮ電極１３がチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してある。また、プリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３は、それぞれワイヤ４２，４３を通じてチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００４２】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００４３】
ここで、この実施の形態２の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間の電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００４４】
しかも、この実施の形態２の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１をチップコンデンサ３上に実装し、かつプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３をそれぞれワイヤ４２，４３によってチップコンデンサ３の上側電極に電気的に接続してあるため、セラミック基板などの部材を用いることなく実施の形態１と同等の構成を実現できる。従って、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００４５】
なお、上述した実施の形態２では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００４６】
実施の形態３．
図４は、この発明の実施の形態３である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００４７】
すなわち、この実施の形態３で適用するＰＤ素子１００には、受光部１１およびＰ電極１２を設けた上面に、一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５を介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００４８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１００の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００４９】
ここで、この実施の形態３の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１００とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００５０】
しかも、この実施の形態３の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２との間を接続するワイヤ４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００５１】
なお、上述した実施の形態３では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００５２】
実施の形態４．
図５は、この発明の実施の形態４である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００５３】
すなわち、この実施の形態４では、ＰＤ素子１００として、受光部１１およびＰ電極１２を設けた上面に一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを備えるものを適用し、このＰＤ素子１００をチップコンデンサ３上に実装してある。ＰＤ素子１００の一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５を介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００５４】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１００の受光部１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００５５】
ここで、この実施の形態４の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１００とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００５６】
しかも、この実施の形態４の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２との間を接続するワイヤ４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００５７】
さらに、この実施の形態４の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１００をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００５８】
なお、上述した実施の形態４では、受光素子として面入射型のフォトダイオードを例示しているが、例えば後述する導波路型のフォトダイオードを用いるようにしても、同様の作用効果を期待することが可能である。
【００５９】
実施の形態５．
図６は、この発明の実施の形態５である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００６０】
すなわち、この実施の形態５では、ＰＤ素子１１０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１１０の受光部１１１は、ＬＤ（LASER Diode）素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１１０には、Ｐ電極１２を設けた上面に一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。これら一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１１０の上面両側に沿って延設したものである。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４３を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２３に接続してあるとともに、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してあるとともに、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００６１】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１１０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００６２】
ここで、この実施の形態５の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１１０とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００６３】
しかも、この実施の形態５の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１１０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３との間を接続するワイヤ４２，４３の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００６４】
さらに、この実施の形態５の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１１０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００６５】
またさらに、この実施の形態５の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１１０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１１０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１１０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１１０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００６６】
なお、上述した実施の形態５では、受光素子として導波路型のフォトダイオードを例示しているが、例えば上述した面入射型のフォトダイオードを用いるようにしてもよい。
【００６７】
実施の形態６．
図７は、この発明の実施の形態６である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００６８】
すなわち、この実施の形態６では、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１２０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１２０には、その上面にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、ＰＤ素子１２０の上面において一対のＮ電極１３ａ，１３ｂとともに、プリアンプＩＣチップ２の入力インピーダンスと等しいインピーダンスを有するコプレナ線路を形成している。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１２０の上面両側に沿って延設してある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４３を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２３に接続してあるとともに、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４２を介してプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２に接続してあるとともに、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００６９】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１２０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００７０】
ここで、この実施の形態６の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１２０とプリアンプＩＣチップ２内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００７１】
しかも、この実施の形態６の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２のグランド電極２２，２３との間を接続するワイヤ４２，４３の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００７２】
さらに、この実施の形態６の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００７３】
またさらに、この実施の形態６の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１２０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１２０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１２０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。さらに、ＰＤ素子１２０のＰ電極１２とＮ電極１３ａ，１３ｂとでコプレナ線路を形成し、素子の他側面までＰ電極１２を引き伸ばしているため、Ｐ電極１２とプリアンプＩＣチップ２の信号入力電極２１との間のワイヤ４１の長さを極力短くすることが可能であり、より一層電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００７４】
実施の形態７．
図８は、この発明の実施の形態７である光信号受信モジュールの構成を示す図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００７５】
すなわち、この実施の形態７では、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用し、これをチップコンデンサ３上に実装してある。この導波路型ＰＤ素子１２０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１２０には、その上面にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、ＰＤ素子１２０の上面において一対のＮ電極１３ａ，１３ｂとともに、プリアンプＩＣチップ２００の入力インピーダンスと等しいインピーダンスを有するコプレナ線路を形成している。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１２０の上面両側に沿って延設してある。一方のＮ電極１３ａは、ワイヤ４５ａを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある一方、他方のＮ電極１３ｂは、ワイヤ４５ｂを介してチップコンデンサ３の上側電極に接続してある。
【００７６】
一方、プリアンプＩＣチップ２００には、その上面にサブグランド電極２４，２５を設けてある。プリアンプＩＣチップ２００において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間には、キャパシタ６ｂが作り込んである一方、サブグランド電極２５とグランド電極２３との間には、キャパシタ６ａが作り込んである。サブグランド電極２４は、ワイヤ４２を介してＮ電極１３ｂに接続し、またグランド電極２２は、ワイヤ４６を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。同様に、サブグランド電極２５は、ワイヤ４３を介してＮ電極１３ａに接続し、またグランド電極２３は、ワイヤ４７を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。
【００７７】
なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００７８】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１２０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、ワイヤ４１を介してプリアンプＩＣチップ２００の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２００では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００７９】
ここで、この実施の形態７の光信号受信モジュールにおいても、ＰＤ素子１２０とプリアンプＩＣチップ２００内の初段のトランジスタとの間に電流ループが形成されることになる。しかしながら、この電流ループは、ワイヤ４１，４２，４３のインダクタンスを含むことになるが、チップコンデンサ３のキャパシタンスやチップキャリアを含まない構成となる。従って、図１１に示した従来の光信号受信モジュールと比較して電流ループを短くすることができ、プリアンプＩＣチップ２００内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００８０】
しかも、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０の上面にＮ電極１３ａ，１３ｂを設けるようにしているため、実施の形態１および２に比べて、Ｎ電極１３ａ，１３ｂとプリアンプＩＣチップ２００のサブグランド電極２５，２４との間を接続するワイヤ４３，４２の全長を短くすることができる。従って、実施の形態１および２に対して電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【００８１】
さらに、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１２０をチップコンデンサ３上に実装しているため、部品点数の削減や、組立工程数の削減が可能となる。また、実装面積を小さくすることができるため、モジュールの小型化を図ることも可能となる。これらの結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００８２】
またさらに、この実施の形態７の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１２０として導波路型のものを適用しているため、つまり受光部１１１がＰＤ素子１２０の上面以外に形成されたものを適用しているため、ＰＤ素子１２０に接続されるワイヤ４１，４２，４３，４５ａ，４５ｂが光信号の入射光路を遮る虞れがない。また、導波路型ＰＤ素子１２０は、一般的に面入射型のＰＤ素子１と比較して高速性に優れている。さらに、ＰＤ素子１２０のＰ電極１２とＮ電極１３ａ，１３ｂとでコプレナ線路を形成し、素子の他側面までＰ電極１２を引き伸ばしているため、Ｐ電極１２とプリアンプＩＣチップ２００の信号入力電極２１との間のワイヤ４１の長さを極力短くすることが可能であり、さらに電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００８３】
さらにまた、この実施の形態７の光信号受信モジュールによれば、プリアンプＩＣチップ２００において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間、並びにサブグランド電極２５とグランド電極２３との間にそれぞれキャパシタ６ｂ，６ａを作り込むようにしている。従って、図示せぬＰＤバイアス回路からワイヤ４４を通じてＰＤ素子１２０のＮ電極１３ａ，１３ｂにバイアス電圧を与えた場合であっても、プリアンプＩＣチップ２００のグランド電極２２，２３に影響を及ぼす虞れがない。つまり、バイアス電圧によらず、常にプリアンプＩＣチップ２００におけるグランド電極２２，２３の電位をグランド電位とすることができる。この結果、プリアンプＩＣチップ２００の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００８４】
なお、上記のようにプリアンプＩＣチップ２００にサブグランド電極２４，２５を設け、グランド電極２２，２３に代えて、このサブグランド電極２４，２５をＰＤ素子のＮ電極に接続する構成は、上述した実施の形態１〜６に適用することも可能である。
【００８５】
実施の形態８．
図９（ａ）および図９（ｂ）は、この発明の実施の形態８である光信号受信モジュールの構成を示すもので、図９（ａ）はＰＤ素子を取り外した状態を示す斜視図、図９（ｂ）はＰＤ素子を取り付けた状態を示す斜視図である。ここで例示する光信号受信モジュールは、図１に示した実施の形態１と同様に、光通信システムの受信側で用いられ、入力された光信号を効率良く電気信号に変換する機能を有するものであるが、以下の構成において実施の形態１と相違している。
【００８６】
すなわち、この実施の形態８では、ＰＤ素子１３０として導波路型で、しかもフリップチップ実装するものを適用している。この導波路型ＰＤ素子１３０の受光部１１１は、ＬＤ素子と同様に、その一側面に設けてある。また、ＰＤ素子１３０には、その上面（図９（ａ）において上面）にＰ電極１２および一対のＮ電極１３ａ，１３ｂを設けてある。一対のＮ電極１３ａ，１３ｂは、それぞれＰＤ素子１３０の上面両側に沿って延設してあり、個々の両端部にそれぞれバンプ８ａ，８ｂを設けてある。Ｐ電極１２は、これら一対のＮ電極１３ａ，１３ｂの間となる位置に配設してあり、その中央部にバンプ７を設けてある。
【００８７】
一方、プリアンプＩＣチップ２１０には、その上面にサブグランド電極２４，２５を設けてある。プリアンプＩＣチップ２１０において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間には、キャパシタ６ｂが作り込んである一方、サブグランド電極２５とグランド電極２３との間には、キャパシタ６ａが作り込んである。サブグランド電極２４は、ワイヤ４２を介してチップコンデンサ３の上面電極に接続し、またグランド電極２２は、ワイヤ４６を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。同様に、サブグランド電極２５は、ワイヤ４３を介してチップコンデンサ３の上面電極に接続し、またグランド電極２３は、ワイヤ４７を介してチップキャリア（図示せず）に接続してある。
【００８８】
さらに、上述したＰＤ素子１３０は、プリアンプＩＣチップ２１０に対してフリップチップ実装し、バンプ７を介してＰ電極１２が信号入力電極２１に接続してあるとともに、Ｎ電極１３ａがバンプ８ａを介してサブグランド電極２５に接続してあり、さらにＮ電極１３ｂがバンプ８ｂを介してサブグランド電極２４に接続してある。
【００８９】
なお、その他、実施の形態１と同様の構成に関しては、同一の符号を付してそれぞれの詳細説明を省略する。
【００９０】
上記のように構成した光信号受信モジュールでは、実施の形態１と同様、入力された光信号がＰＤ素子１３０の受光部１１１で受光され、電流信号に変換される。変換された電流信号は、バンプ７を介してプリアンプＩＣチップ２１０の信号入力電極２１に入力される。プリアンプＩＣチップ２１０では、入力された電流信号が電圧信号に変換され、さらにこの電圧信号が増幅されて出力されることになる。
【００９１】
ここで、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１３０とプリアンプＩＣチップ２１０とをフリップチップ実装するようにしているため、これらＰＤ素子１３０およびプリアンプＩＣチップ２１０の間を接続するためのワイヤが全く不要となる。このため、図１０の等価回路からも明らかなように、その電流ループが、上述した実施の形態１〜７に比べて一層短いものとなる。従って、プリアンプＩＣチップ２１０内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなり、１０Ｇｂｉｔ／ｓや４０Ｇｂｉｔ／ｓ用などの高速の光信号受信モジュールにおいて特に有効となる。
【００９２】
しかも、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、ＰＤ素子１３０をプリアンプＩＣチップ２１０上に実装しているため、実装面積を小さくすることができ、モジュールの小型化を図ることも可能となる。この結果、安価で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを具現化することができるようになる。
【００９３】
さらに、この実施の形態８の光信号受信モジュールにおいては、ＰＤ素子１３０として導波路型のものを適用しているため、面入射型のＰＤ素子１を適用したものに比べて高速性に優れる。
【００９４】
またさらに、この実施の形態８の光信号受信モジュールによれば、プリアンプＩＣチップ２１０において、サブグランド電極２４とグランド電極２２との間、並びにサブグランド電極２５とグランド電極２３との間にそれぞれキャパシタ６ｂ，６ａを作り込むようにしている。従って、図示せぬＰＤバイアス回路からワイヤ４４を通じてＰＤ素子１３０のＮ電極１３ａ，１３ｂにバイアス電圧を与えた場合であっても、プリアンプＩＣチップ２１０のグランド電極２２，２３に影響を及ぼす虞れがない。つまり、バイアス電圧によらず、常にプリアンプＩＣチップ２１０におけるグランド電極２２，２３の電位をグランド電位とすることができる。この結果、プリアンプＩＣチップ２１０の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００９５】
なお、上述した実施の形態８においては、プリアンプＩＣチップ２１０に作り込んだキャパシタ６ａ，６ｂの容量を十分大きくすれば、チップコンデンサ３を不要とすることも可能となり、更なる小型化を図ることができるようになる。
【００９６】
また、上述した実施の形態８では、受光素子として導波路型のフォトダイオードを例示しているが、例えば上述した面入射型のフォトダイオードを用いるようにしてもよい。
【００９７】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができるため、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【００９８】
つぎの発明によれば、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。しかも、増幅回路においてサブグランド電極とグランド電極との間にキャパシタを介在させるようにしているため、受光素子のバイアス電圧入力端子にバイアス電圧を与えた場合であっても、受光素子のグランド電極に影響を及ぼす虞れがなく、常に増幅回路におけるグランド電極の電位をグランド電位とすることができる。この結果、増幅回路の設計が容易になるとともに、安定した駆動が可能となり、安定駆動が可能で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【００９９】
つぎの発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続されるため、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１００】
つぎの発明によれば、絶縁性基板の配線パターンおよびワイヤを介して増幅回路のサブグランド電極が受光素子のバイアス電圧入力端子に接続されるため、受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０１】
つぎの発明によれば、チップコンデンサの実装領域に受光素子を実装するようにしているため、実装面積を小さくすることができ、モジュールの小型化を図ることが可能となる。
【０１０２】
つぎの発明によれば、受光素子と増幅回路との間を接続するためのワイヤが不要となるため、その電流ループが一層短いものとなる。
【０１０３】
つぎの発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０４】
つぎの発明によれば、面入射型の受光素子と増幅回路との間で形成される電流ループを短くすることができ、増幅回路内やモジュール内でコモンモードノイズが生じた場合であっても、発振し難く、高周波特性に優れたものとなる。
【０１０５】
つぎの発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。従って、電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０６】
つぎの発明によれば、受光素子に接続されるワイヤが光信号の入射光路を遮る虞れがないばかりか、一般的に面入射型の受光素子と比較して高速性に優れる。従って、高速で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【０１０７】
つぎの発明によれば、バイアス電圧入力端子と増幅回路のグランド電極との間を接続するワイヤの全長を短くすることができる。従って、電流ループを更に短くすることが可能となり、より一層発振し難く、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０８】
つぎの発明によれば、受光素子のバイアス電圧入力端子と信号出力端子とがコプレナ線路を構成しているため、高周波特性に優れた光信号受信モジュールを得ることができるようになる。
【０１０９】
つぎの発明によれば、受光素子の信号出力端子と増幅器の信号入力電極との間のワイヤの長さを極力短くすることが可能であり、より一層電流ループを短くすることができる。従って、組立が容易で、発振し難く、高周波特性に優れた小型の光信号受信モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図２】 図１に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態２である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態３である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態４である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態５である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態６である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態７である光信号受信モジュールの構成を示す図である。
【図９】 この発明の実施の形態８である光信号受信モジュールの構成を示すもので、（ａ）は受光素子を取り外した状態を示す斜視図、（ｂ）は受光素子を取り付けた状態を示す斜視図である。
【図１０】 図９に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【図１１】 従来の光信号受信モジュールを示した図である。
【図１２】 図１１に示した光信号受信モジュールの等価回路図である。
【符号の説明】
１ ＰＤ素子、２ プリアンプＩＣチップ、３ チップコンデンサ、５ セラミック基板、６ｂ，６ａ キャパシタ、７ バンプ、８ａ，８ｂ バンプ、１１受光部、１２ Ｐ電極、１３ Ｎ電極、１３ａ，１３ｂ Ｎ電極、２１ 信号入力電極、２２，２３ グランド電極、２４，２５ サブグランド電極、４１，４２，４３，４４，４５ａ，４５ｂ，４６，４７ ワイヤ、５１ 配線パターン、１００ ＰＤ素子、１１０ ＰＤ素子、１１１ 受光部、１２０ ＰＤ素子、１３０ ＰＤ素子、２００ プリアンプＩＣチップ、２１０ プリアンプＩＣチップ。
Claims (13)
- 入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、
前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続し、チップキャリヤが経路に含まれないようにして、前記受光素子と前記増幅回路の初段のトランジスタとの間で電流ループを形成させることを特徴とする光信号受信モジュール。 - 入射された光信号を光電変換して出力する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅回路とを備えた光信号受信モジュールにおいて、
所定容量のキャパシタを介してグランド電極に接続したサブグランド電極を前記増幅回路に設け、このサブグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続したことを特徴とする光信号受信モジュール。 - 前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする請求項１に記載の光信号受信モジュール。
- 前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を絶縁性基板の配線パターン上に実装するとともに、この絶縁性基板の配線パターンと前記増幅回路のサブグランド電極との間をワイヤによって接続したことを特徴とする請求項２に記載の光信号受信モジュール。
- チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面に前記受光素子を実装したことを特徴とする請求項１または２に記載の光信号受信モジュール。
- 前記増幅回路をチップ状に構成し、かつ前記受光素子をこの増幅回路にフリップチップ実装したことを特徴とする請求項１または２に記載の光信号受信モジュール。
- 前記受光素子は、一端面に受光部を有した面入射型のものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の光信号受信モジュール。
- チップキャリヤ上に平行平板のチップコンデンサを実装し、かつこのチップコンデンサの上面電極に前記バイアス電圧入力端子を介して前記受光素子を実装した場合には、当該チップコンデンサの上面電極を介して前記増幅回路のグランド電極を前記受光素子のバイアス電圧入力端子に接続することを特徴とする請求項７に記載の光信号受信モジュール。
- 前記受光素子は、一端面に受光部を有し、かつ当該受光部を有する面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した面入射型のものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の光信号受信モジュール。
- 前記受光素子は、一側面に受光部を有した導波路型のものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の光信号受信モジュール。
- 前記受光素子は、一側面に受光部を有し、かつ一端面に前記バイアス電圧入力端子および信号出力端子を有した導波路型のものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の光信号受信モジュール。
- 前記受光素子は、前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子がコプレナ線路を構成したものであることを特徴とする請求項１１に記載の光信号受信モジュール。
- 前記コプレナ線路を構成する前記バイアス電圧入力端子および前記信号出力端子をそれぞれ前記受光素子の一側面から他側面に亘って延在させたことを特徴とする請求項１２に記載の光信号受信モジュール。
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