JPH0258008A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JPH0258008A JPH0258008A JP63210119A JP21011988A JPH0258008A JP H0258008 A JPH0258008 A JP H0258008A JP 63210119 A JP63210119 A JP 63210119A JP 21011988 A JP21011988 A JP 21011988A JP H0258008 A JPH0258008 A JP H0258008A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000007516 Chrysanthemum Nutrition 0.000 description 1
- 244000189548 Chrysanthemum x morifolium Species 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光を情報伝達媒体として使用するデータリン
ク、光LAN等の光通信システムに用いられる光モジュ
ールに関する。
ク、光LAN等の光通信システムに用いられる光モジュ
ールに関する。
かかる光モジュールとして、例えば、半導体レーザ、P
INフォトダイオード、光集積回路等の光作動部品と光
ファイバとを光結合した光モジュールが公知である。
INフォトダイオード、光集積回路等の光作動部品と光
ファイバとを光結合した光モジュールが公知である。
第2図ないし第5図にその一例を示す。図示した光モジ
ュールは、光ファイバ1とチップキャリア2の正面に取
付けられたPINフォトダイオード3(第3図及び第5
図に示す)とを光結合した受信用の光モジュールであり
、光ファイバ1の先端から出射された光が受光素子たる
PINフォトダイオード3の受光部に入射するようにな
っている。
ュールは、光ファイバ1とチップキャリア2の正面に取
付けられたPINフォトダイオード3(第3図及び第5
図に示す)とを光結合した受信用の光モジュールであり
、光ファイバ1の先端から出射された光が受光素子たる
PINフォトダイオード3の受光部に入射するようにな
っている。
チップキャリア2は、第3図に示したように、略直方体
状に形成され、その表面にPINフォトダイオード3が
取り付けられると共に、端子部5がメタライズされて形
成されている。
状に形成され、その表面にPINフォトダイオード3が
取り付けられると共に、端子部5がメタライズされて形
成されている。
このように形成されたチップキャリア2は、ハイブリッ
ドIC基板6上にハンダ付けされる。ハイブリッドIC
基板6の表面には、第4図に示したように、チップキャ
リア2に形成された端子部5(第3図に示す)がハンダ
付けされるためのランド部7が形成されている。ランド
部7は実装時の位置ずれを想定してチップキャリア2の
端子部5よりやや広い面積を有するように形成されてい
る。
ドIC基板6上にハンダ付けされる。ハイブリッドIC
基板6の表面には、第4図に示したように、チップキャ
リア2に形成された端子部5(第3図に示す)がハンダ
付けされるためのランド部7が形成されている。ランド
部7は実装時の位置ずれを想定してチップキャリア2の
端子部5よりやや広い面積を有するように形成されてい
る。
チップキャリア2がハンダ付けされたハイブリッドIC
基板6は、これを担持する担持部材として機能する箱形
のパッケージ8の内側底面に担持され、パッケージ8内
に収納される。なお、パッケージ8は一般に金属で形成
されている。
基板6は、これを担持する担持部材として機能する箱形
のパッケージ8の内側底面に担持され、パッケージ8内
に収納される。なお、パッケージ8は一般に金属で形成
されている。
第5図に、上述した光モジュールの断面図を示す。この
断面図から明らかなように、上述した光モジュールにお
いては、PINフォトダイオード3を担持したチップキ
ャリア2がハンダ付けされた基板6上のランド部7とパ
ッケージ8とによって、ハイブリッドIC基板6を間に
した平行平板コンデンサーが形成されることとなる。
断面図から明らかなように、上述した光モジュールにお
いては、PINフォトダイオード3を担持したチップキ
ャリア2がハンダ付けされた基板6上のランド部7とパ
ッケージ8とによって、ハイブリッドIC基板6を間に
した平行平板コンデンサーが形成されることとなる。
チップキャリア2がハンダ付けされるランド部7の面積
は、現状では、いくら小さくしたとしても1 mm X
2 mm程度が限界である。また、ノ\イブリッドI
C基板6は通常セラミック製であり、その誘電率εはε
−9である。これらのことから、/\イブリッドIC基
板6の厚さが350μmであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は0.46pFとなり、ハイブリッドIC基
板6の厚さが650μmであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は0.25pFとなる。
は、現状では、いくら小さくしたとしても1 mm X
2 mm程度が限界である。また、ノ\イブリッドI
C基板6は通常セラミック製であり、その誘電率εはε
−9である。これらのことから、/\イブリッドIC基
板6の厚さが350μmであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は0.46pFとなり、ハイブリッドIC基
板6の厚さが650μmであれば、該平行平板コンデン
サーの容量は0.25pFとなる。
一方、PINフォトダイオード3を用いて第6図の如く
光受信回路を構成すると、上述の平行平板コンデンサー
はアンプ10の入力容ff1cpalとして作用するこ
ととなる。従って、図示した光受信回路の応答周波数帯
域は、人力抵抗11の抵抗値R1n、PINフォトダイ
オード3の接合容量Cpd及び入力容量cpalから定
まる時定数Tにより決定され、時定数Tが大きくなると
単位時間当たりの情報伝達量が減少する。
光受信回路を構成すると、上述の平行平板コンデンサー
はアンプ10の入力容ff1cpalとして作用するこ
ととなる。従って、図示した光受信回路の応答周波数帯
域は、人力抵抗11の抵抗値R1n、PINフォトダイ
オード3の接合容量Cpd及び入力容量cpalから定
まる時定数Tにより決定され、時定数Tが大きくなると
単位時間当たりの情報伝達量が減少する。
ところで、時定数Tは次式により求められ、T −(C
pd+Cpal ) R1n高速光通信に用いられるP
INフォトダイオード3の接合容量は極めて小さく、通
常、0.3〜0.4pF程度であることから、平行平板
コンデンサーによる入力容量Cpalが時定数Tに及ぼ
す影響は、入力容1cpalがない場合に対し50〜1
00%増となり、その影響は大きく、光通信の高速化を
図るうえで障害となっていた。
pd+Cpal ) R1n高速光通信に用いられるP
INフォトダイオード3の接合容量は極めて小さく、通
常、0.3〜0.4pF程度であることから、平行平板
コンデンサーによる入力容量Cpalが時定数Tに及ぼ
す影響は、入力容1cpalがない場合に対し50〜1
00%増となり、その影響は大きく、光通信の高速化を
図るうえで障害となっていた。
そこで、本発明は上述の事情に鑑み、上記障害を取り除
き、光通信の高速化を達成し得る光モジュールを提供す
ることを目的としている。
き、光通信の高速化を達成し得る光モジュールを提供す
ることを目的としている。
上述の課題を解決するため、本発明による光モジュール
においては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、
光作動部品がハンダ付けされる基板上のランド部裏側に
対向する部分に凹部が形成されていることを特徴として
いる。
においては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、
光作動部品がハンダ付けされる基板上のランド部裏側に
対向する部分に凹部が形成されていることを特徴として
いる。
上述の如く構成することにより、光作動部品がハンダ付
けされる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材
とにより形成される平行平板コンデンサーの容量は無視
し得る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成
される。
けされる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材
とにより形成される平行平板コンデンサーの容量は無視
し得る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成
される。
以下、本発明の実施例について第1図を参照しつつ説明
する。
する。
第1図は、本発明による光モジュールの断面を示してい
る。
る。
図示したように、本発明による光モジュールにおいては
、光ファイバ1と光結合されるPINフォトダイオード
3を載置したチップキャリア2は、ハイブリッドIC基
板6上のランド部7にハンダ付けされており、ハイブリ
ッドIC基板6はこれを担持する担持部材たるパッケー
ジ8の内側底面に担持され、かつ、パッケージ8内に収
納されている。パッケージ8のハイブリッドIC基板6
を担持した担持面たる内側底面には、チップキャリア2
がハンダ付けされたハイブリッドIC基板6上のランド
部7の裏側に対向する部分に凹部13が形成されている
。この他の構成は、上述した従来の光モジュールと同様
であるので、その説明は省略する。
、光ファイバ1と光結合されるPINフォトダイオード
3を載置したチップキャリア2は、ハイブリッドIC基
板6上のランド部7にハンダ付けされており、ハイブリ
ッドIC基板6はこれを担持する担持部材たるパッケー
ジ8の内側底面に担持され、かつ、パッケージ8内に収
納されている。パッケージ8のハイブリッドIC基板6
を担持した担持面たる内側底面には、チップキャリア2
がハンダ付けされたハイブリッドIC基板6上のランド
部7の裏側に対向する部分に凹部13が形成されている
。この他の構成は、上述した従来の光モジュールと同様
であるので、その説明は省略する。
なお、実施例として、光ファイバ1と光結合される光作
動部品に受光素子たるPINフォトダイオード3を用い
た受信用の光モジュールのみを挙げ、これについてのみ
説明したが、光作動部品としてLED等の発光素子を用
いた発信用の光モジュールにおいても同様の事情が有り
、その場合にも本発明は適用可能である。
動部品に受光素子たるPINフォトダイオード3を用い
た受信用の光モジュールのみを挙げ、これについてのみ
説明したが、光作動部品としてLED等の発光素子を用
いた発信用の光モジュールにおいても同様の事情が有り
、その場合にも本発明は適用可能である。
以上説明したように、本発明による光モジュールにおい
ては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、光作動
部品がハンダ付けされたランド部の裏側に対向する部分
に凹部を形成しであるので、光作動部品がハンダ付けさ
れる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材とに
より形成される平行平板コンデンサーの容量は無視し得
る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成され
る。
ては、担持部材の基板を担持した担持面のうち、光作動
部品がハンダ付けされたランド部の裏側に対向する部分
に凹部を形成しであるので、光作動部品がハンダ付けさ
れる基板上のランド部と、基板を担持する担持部材とに
より形成される平行平板コンデンサーの容量は無視し得
る程度に小さなものとなり、光通信の高速化が達成され
る。
第2図は、従来の光モジュールを示した斜視図、第3図
は、従来の光モジュールの断面図、第4図は、Pl、N
フォトダイオードを示した斜視図、第5図は、PINフ
ォトダイオードとハイブリッドIC基板を示した拡散分
解図、第6図は、光モジュールの部分回路図である。
は、従来の光モジュールの断面図、第4図は、Pl、N
フォトダイオードを示した斜視図、第5図は、PINフ
ォトダイオードとハイブリッドIC基板を示した拡散分
解図、第6図は、光モジュールの部分回路図である。
1・・・光ファイバ、3・・・PINフォトダイオード
、6・・・ハイブリッドIC基板、7・・・ランド部、
8・・・パッケージ、13・・・凹部。
、6・・・ハイブリッドIC基板、7・・・ランド部、
8・・・パッケージ、13・・・凹部。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
塩 1) 辰 也
塩 1) 辰 也
第1図は、本発明の一実施例を示した断面図、突浚剖
第1図
光(、ジューlしめタト硯
第2図
PI N :)r P 57”rオード第3図
PI〜フxkり7年−ドとハイブリッドエO基菊プ第
図
#、ネグ1J
第
図
部分訃降精成
第
図
Claims (1)
- 光ファイバと光結合される光作動部品と、前記光作動部
品の端子部ががハンダ付けされるランド部を表面に有し
た基板と、導電体からなり前記基板の裏面を担持する担
持部材とを含む光モジュールであって、前記担持部材の
前記基板を担持した担持面のうち前記ランド部の裏側に
対向する部分には凹部が形成されていることを特徴とす
る光モジュール。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63210119A JPH0258008A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光モジュール |
US07/391,050 US4955684A (en) | 1988-08-24 | 1989-08-09 | Optical module coupling device |
EP89114862A EP0355610B1 (en) | 1988-08-24 | 1989-08-11 | An optical module |
DE68920509T DE68920509T2 (de) | 1988-08-24 | 1989-08-11 | Optisches Modul. |
KR1019890011804A KR910009139B1 (ko) | 1988-08-24 | 1989-08-18 | 광모듈 |
CA000609006A CA1328183C (en) | 1988-08-24 | 1989-08-22 | Optical module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63210119A JPH0258008A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258008A true JPH0258008A (ja) | 1990-02-27 |
JPH0517527B2 JPH0517527B2 (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16584111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63210119A Granted JPH0258008A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光モジュール |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4955684A (ja) |
EP (1) | EP0355610B1 (ja) |
JP (1) | JPH0258008A (ja) |
KR (1) | KR910009139B1 (ja) |
CA (1) | CA1328183C (ja) |
DE (1) | DE68920509T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123739A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信装置 |
JP2007201213A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Opnext Japan Inc | 光受信モジュール |
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---|---|---|---|---|
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US5223672A (en) * | 1990-06-11 | 1993-06-29 | Trw Inc. | Hermetically sealed aluminum package for hybrid microcircuits |
US5111522A (en) * | 1991-02-19 | 1992-05-05 | At&T Bell Laboratories | Optical package with reduced deflection of the optical signal path |
JPH10123375A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Ando Electric Co Ltd | 光モジュール用パッケージ |
US7304293B2 (en) * | 2005-07-11 | 2007-12-04 | Fujifilm Corporation | Laser module |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3307465A1 (de) * | 1983-03-03 | 1984-09-06 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zum haltern eines wandlers und eines vor dem wandler endenden lichtwellenleiters |
CA1267468C (en) * | 1983-11-21 | 1990-04-03 | OPTICS MOUNTING | |
EP0184747A1 (de) * | 1984-12-13 | 1986-06-18 | Heimann GmbH | Infrarotdetektor |
JPS61183948A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | マイクロ波集積回路用外囲器の接続基板 |
US4722586A (en) * | 1985-04-12 | 1988-02-02 | Tektronix, Inc. | Electro-optical transducer module |
FR2587844B1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-11-20 | Thomson Csf | Circuit hyperfrequence a faibles capacites parasites |
FI73386C (fi) * | 1985-09-25 | 1987-10-09 | Wihuri Oy | En stark aongsteriliserbar maongskiktsfolie och daerav framstaellda foerpackningar foer fysiologiska loesningar. |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63210119A patent/JPH0258008A/ja active Granted
-
1989
- 1989-08-09 US US07/391,050 patent/US4955684A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-11 EP EP89114862A patent/EP0355610B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 DE DE68920509T patent/DE68920509T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-18 KR KR1019890011804A patent/KR910009139B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-08-22 CA CA000609006A patent/CA1328183C/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123739A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sony Corp | 光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910009139B1 (ko) | 1991-10-31 |
KR900003654A (ko) | 1990-03-26 |
EP0355610A3 (en) | 1991-03-20 |
US4955684A (en) | 1990-09-11 |
DE68920509D1 (de) | 1995-02-23 |
DE68920509T2 (de) | 1995-09-07 |
CA1328183C (en) | 1994-04-05 |
EP0355610B1 (en) | 1995-01-11 |
EP0355610A2 (en) | 1990-02-28 |
JPH0517527B2 (ja) | 1993-03-09 |
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