JP2002170984A

JP2002170984A - 光通信装置

Info

Publication number: JP2002170984A
Application number: JP2000367925A
Authority: JP
Inventors: Miki Kuhara; 美樹工原; Hiromi Nakanishi; 裕美中西
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2000-12-04
Filing date: 2000-12-04
Publication date: 2002-06-14
Anticipated expiration: 2020-12-04
Also published as: JP4711029B2

Abstract

(57)【要約】【課題】送信部、受信部間、或いは受信部間の電気
的、光学的クロストークを低減し、より小型、安価な光
送受信器、光受信器を提供すること。【解決手段】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、発光素子、駆動用ＩＣよりなる送信部と、受光素
子、増幅器よりなる受信部とを設けてあり、送信部、受
信部の境界に沿ってＳｉ基板に開口部を穿ち、Ｓｉ基板
裏面にベースメタルを接合し、開口部に導電性遮蔽板の
脚部を差し込み下端をベースメタルに接着し、遮蔽板脚
部によってＳｉ基板を流れる電流を遮断した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信のための光
送受信器、光受信器に関する。特に、小型で低コストの
光送受信器、光受信器を提供する事を目的とする。ここ
では時に光送受信器、光受信器を光通信装置と総称す
る。送信・受信の両機能をもつ送受信器においては、送
信器側の電気・光信号が受信側に混入する可能性があ
る。複数の受信器を有する装置では隣接受信部の電気・
光信号が受信部に混入する可能性がある。これをクロス
トークと言う。これは受信部ではノイズとなるので、で
きるだけ排除しなければならない。

【０００２】クロストークには電気的ものと光学的なも
のがある。送受信器を小型にするには電気的、光学的ク
ロストークを抑制する必要がある。本発明は送信・受信
部の電気的、光学的クロストークを効果的に抑制するこ
とによって小型化、低コスト化を実現できる光通信装置
を提供する。

【０００３】

【従来の技術】図１はもっとも普及している光送受信器
の概念図である。光源である半導体レ−ザ（ＬＤ）１も
受信器であるフォトダイオード（ＰＤ）２も個別に金属
ケースに納められている。ＬＤ１、ＰＤ２は光ファイバ
３、４によって局側に接続されている。ＬＤ１、ＰＤ２
はピン９、９によって配線基板５の適当な配線パターン
に接続される。また配線基板５には送信用電子回路６と
受信用電子回路７が設けられる。

【０００４】送信側と受信側の間での電気的なクロスト
ークを防ぐため、送信用電子回路６と受信用電子回路７
の間に金属遮蔽板８が設けられる。これが電子回路６、
７の間をシールドする。配線基板５はいわゆるプリント
基板であり、自由なグランドパターンを形成することが
できる。金属遮蔽板８も自由にグランドに落とす事がで
きる。また、この構成では、ＬＤ１とＰＤ２がそれぞれ
金属ケースに入っているため、光が外に漏れない。つま
り光学的電気的クロストークを低減することができる。
クロストーク抑制という点では優れた送受信器である。

【０００５】しかし、この構造では、大きさがこれ以上
小さくならないし、コストが下がらないという欠点があ
る。ＰＤチップ、ＬＤチップを金属パッケージに収容し
たＰＤモジュール、ＬＤモジュール自体が大きいし、配
線基板５に、電子回路６、７を実装するから嵩高い装置
になる。また金属ケースに収容したＰＤ、ＬＤモジュー
ルはコスト高である。そのようなわけで図１のような装
置では小型化、コスト削減に限界がある。

【０００６】これを解決するために、最近ＳｉのＶ溝を
使ってファイバの固定を行い、基板上にＳｉＯ_２を絶縁
層として形成し、この上に配線用メタライズパターンを
形成して、小型かつ低コストの光送受信器を構成するこ
とが考えられている。例えば次のようなレポートに提案
されている。

【０００７】高橋龍太、村上和也、須永義則、所武
彦、小林雅彦「ＳＦＦ光トランシーバ用光素子実装方法
の検討」１９９９年電子情報通信学会エレクトロニクス
ソサイエティ大会、講演番号Ｃ−３−２８、ｐ１３３
（１９９９）。

【０００８】図２にその構造を示す。平坦なＳｉ基板１
０上の後半部にＳｉＯ_２絶縁層１１を形成する。Ｓｉ基
板１０の前半には平行な２本のファイバ固定用Ｖ溝１
２、１３が形成される。Ｖ溝１２、１３に送信用光ファ
イバ１４、受信用光ファイバ１５が固定される。ＳｉＯ
_２絶縁層１１には金などの電極パターン１６、１８、１
９が形成されている。これらのパターンはデバイスチッ
プを搭載したり配線になったりする。光ファイバ１４の
手前のパターン１８にはＬＤチップ２２が、光ファイバ
１５の直前のパターン１９にはＰＤチップ２３が実装さ
れる。ＬＤ２２の後ろのパターン１６にはモニタＰＤ７
０が搭載される。

【０００９】ＬＤ２２は電流に応じた送信光を発生す
る。送信光は光ファイバ１４の中を局側へ伝搬する。局
側から送られてきた信号光（受信光）は光ファイバ１５
からＰＤ２３に入り光電流に変換される。さらにモニタ
ＰＤ７０がＬＤの背後に設けられ、ＬＤパワーを監視す
るようになっている。図２において破線２６より上方が
送信器、破線２６より下が受信器である。

【００１０】これはＳｉ基板１０上に、ファイバ固定溝
１２、１３、ＬＤ／ＰＤ用固定電極パターン１８、１
９、モニタＰＤ用固定電極パターン１６などを一気に形
成できる。光ファイバ、ＬＤ、ＰＤなどの部品を調芯し
なくても、精度良く部品実装できる。全体に小型化でき
て非常に工業的な価値のある製品となる可能性がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、送信器、受信
器間が絶縁板で遮断されている図１の装置と、遮断部材
のない図２を比べれば分かるように、図２では電気的な
クロストークが大きい。どうやって送受信間の電気的ク
ロストークを低減するかが課題となる。もちろん、複数
の送信器を並べたときや、複数の受信機を並べたとき
も、各チャンネル間のクロストークが問題になる。

【００１２】しかし、もっとも深刻な問題になるのは、
送信器と受信器を一つの基板に一体化するときである。
送信器のＬＤには繰り返し周波数の高い、強いパルス電
流が流れる。受信器側はインピーダンスが高い回路であ
る。静電容量を介して送信信号の一部が受信器側にノイ
ズとして入ってしまう。電気的な送受信器間のクロスト
ークについて詳しく説明する。

【００１３】図２において破線２６は両者の境界線であ
る。これを送信側から信号が電気的、光学的に受信側へ
漏れることによって受信側にノイズが入る。これがクロ
ストークである。このように光ファイバが２本あって光
路が別別になったものは光学的なクロストークは少ない
が電気的なクロストークは重要な問題を提起する。ＬＤ
２２に流れる繰り返し数の高いパルス信号は電磁波とな
って受信器側へ飛ぶ。受信器側はＬＤ２２に流れる送信
信号を受信してしまう。これは空間伝搬する電磁波によ
って引き起こされるクロストークである。

【００１４】送信器からの大電流クロストークが微弱信
号を受信する受信器のノイズとなる。複数の受信器間で
もクロストークはあるが弱い。ところが送信器・受信器
の間のクロストークは起こり易い。したがって、以下で
は特に重大な問題となる光送受信器を例にとって説明す
る。

【００１５】普通に考えれば、クロストークを抑制する
には送信器部分と受信器部分での電磁波を遮断すればよ
い。そのためには送信器と受信器の間に金属板を立て
て、これをＳｉＯ_２上に形成したグランド用メタライズ
に接続すればよいと考えられる。それは例えば、

【００１６】石井園美、野村剛彦、伊澤敦、岩瀬正
幸、「ＭＴ−ＲＪＯｐｔｉｃａｌＳｕｂＡｓｓｅｍ
ｂｌｙのクロストーク解析」２０００年電子情報通信学
会エレクトロニクスソサイエティ大会、講演番号ＳＣ−
３−７，ｐ３５２（２０００）によって提案されてい
る。これはＰＤだけの受信器、ＬＤだけの送信器部分の
二等分線（破線２６）にそってＳｉ基板上面を切り欠き
帯状の金属板を立てたものである。図１と同様のことで
金属板によって空間を伝搬する電磁波を吸収するように
している。

【００１７】その発想の基礎になるものは、送信部から
受信部へ電磁波として送信信号が飛び、それがクロスト
ークを起こすのだから電磁波を遮断すればよい、という
発想である。強力な電波、電流を発生する駆動用ＩＣは
この装置には存在しない。微弱な電磁波をも感知する増
幅器も存在しない。駆動用ＩＣと増幅器の不在が電気的
クロストークの問題を軽減している。同じＳｉ基板に駆
動用ＩＣと増幅器がある場合に強いクロストークが初め
て深刻な問題を投げかけるのである。はそのような構
造ではないから真の問題が何であるか？未だ分かってい
ないと言えよう。

【００１８】の提案している金属板によって電磁波の
伝搬を防ぐ、というのは常套的な手段である。もその
常識にそった改良を述べているにすぎない。図１に示す
プリント基板の中央に金属遮蔽板８を設けたというのと
大同小異である。

【００１９】しかし図１の場合の基板はプリント基板で
あって基板自体はエポキシ樹脂などの絶縁体である。図
２の表面実装の場合、基板はＳｉ基板であり絶縁体でな
い。だから空間伝搬する電磁波だけでなく、基板を伝わ
る電流もクロストークを引き起こす。基板自体にそのよ
うな根本的な相違がある。だから図２の装置において境
界線２６に金属板を立てるだけではクロストーク克服の
ためには十分でない。

【００２０】つまり平面実装において用いられるＳｉＯ
_２／Ｓｉ基板に特有の問題がある。Ｓｉ基板はエッチン
グによってＶ溝を正確に形成できるなどの利点があり、
酸化するとＳｉＯ_２絶縁体になるという便利さがある。
しかしプリント基板と違い、Ｓｉ基板は電気を通すので
図１の装置にはない欠点がある。

【００２１】［仮想例］電気的クロストークの問題をよ
り尖鋭に考えるために次の仮想例を想定する。受信部に
はＰＤと増幅器が含まれ、送信部にはＬＤと駆動用ＩＣ
が含まれるものとする。実際にはこのような公知技術は
存在しないが、本発明の直面する問題を明確にするため
に、この装置の欠点を考察しよう。図３は、この仮想例
の光ファイバコアとＰＤ又は光ファイバとＬＤの断面を
表す縦断面図である。これらの光素子（ＬＤ又はＰＤ）
の後ろに電気的素子２７（駆動用ＩＣ又は増幅器のこ
と）がある。図３の横に拡大断面を示す。これはＳｉ基
板１０の上に絶縁層２９があり、電極パターン２８があ
って、その上に電気的素子２７が搭載されているという
ことである。Ｓｉ基板１０は半導体であるが導電性がか
なり高くて電流を流すことができる。Ｓｉ基板１０と電
気的素子２７の間には絶縁層２９（例えばＳｉＯ_２）が
あって直流電流は遮断できる。しかし静電容量があるか
ら高周波電流は流れてしまう。だから強いＬＤのパルス
信号が、ＬＤ−絶縁層−Ｓｉ基板−絶縁層−ＰＤという
経路を経てＰＤに伝搬する。これが電気的クロストーク
を生ずる。

【００２２】図４は横方向にＳｉ基板を切った仮想例の
断面を示す。境界線２６の右が送信側、左が受信側とす
る。パターン１６の上にＬＤ駆動用ＩＣ２４が、その横
のパターン１７にＰＤ信号を増幅する増幅器２５が設け
られる。電極パターン１６、１７、２０、２１とＳｉ基
板１０の間にはＳｉＯ_２絶縁層１１がある。絶縁層１１
は薄いので電極パターン２０、１６、１７、２１とＳｉ
基板の間に等価的な容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を形成
する。

【００２３】Ｓｉ基板１０は導体のようなものであり電
流が通る。だから容量の間には、等価的な抵抗Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３が存在する。矢印のように送信側の駆動用ＩＣ
２４の信号、パターン２０の駆動信号が、容量、抵抗を
経て、受信側の増幅器２５まで伝達される。これがもう
一つの電気的なクロストークである。

【００２４】高い繰り返しのパルス信号であるから、容
量のインピーダンス１／ｊωＣが小さくて、ここでは減
衰しない。Ｓｉ基板の抵抗も低いから減衰量はわずかで
ある。送信器・受信器間の距離が大きいと抵抗Ｒ３を大
きくできる。しかし全体を小型のモジュールとするため
には送信器・受信器間の距離を広くできない。つまり抵
抗Ｒ３、Ｒ２、Ｒ１は小さい値の抵抗になる。受信器側
は増幅率の大きいインピーダンスの高い増幅器ＩＣを持
っている。だから送信器側の電気信号が容量、抵抗を通
じて受信器側へと伝わる。このようにＳｉ基板を電流と
して伝わることによるクロストークの存在は本発明者が
初めて気付いたものである。

【００２５】前記のの改良は基板の上を飛ぶ電磁波に
よる送受信器間の結合を防ぐことができるが、基板の下
を通る電流による送受信器間の結合については無効であ
る。

【００２６】つまり基板をなすＳｉは完全な絶縁物では
なく、半導体である。つまり幾らか電流を通す。絶縁層
（ＳｉＯ_２）は高周波電流を通す。絶縁層（ＳｉＯ_２）
１１を挟んだコンデンサＣ１〜Ｃ４と、中途半端な抵抗
Ｒ１〜Ｒ３を有するＳｉ半導体基板１０の組み合わせ
で、金属遮蔽板の下をノイズが自在にくぐり抜けるので
ある。は基板上部の電磁波結合を遮断できるが、基板
下部の電流結合には全く効力がない。の創作者は基板
下部のＲ、Ｃを通る電流結合には気付いていないようで
ある。

【００２７】実際にはＳｉ基板は導電性があり基板下部
の電流結合が大きい。本発明者は、のようにＳｉ基板
の中心線２６にそって浅い溝を掘り金属板を立てるだけ
では不十分だ、ということに気付いた。基板下部の電流
結合に着眼し、これを克服するように工夫を凝らすべき
である、と思う。

【００２８】仮想例の構造において、二本の光ファイバ
の延長線上にＬＤ、ＰＤ及び駆動用ＩＣ２４、増幅器２
５が設けられる。光ファイバ間が狭くなると、送信部駆
動用ＩＣと受信部の増幅器が接近してくる。光ファイバ
間隔と、ＩＣ・増幅器間隔は比例して狭くなる。すると
電磁波による上方混信も、電流による下方混信（クロス
トーク）もともに増大してくる。

【００２９】特に最近は、ファイバ間隔が狭くなってき
ており、例えば先行例では、６．２５ｍｍとか、４．５
ｍｍとか、極最近では１ｍｍ以下に狭くなっている。さ
らには、０．１２５ｍｍという目標が立てられている。
そのように、送受信間が近接しつつあり、その趨勢はな
お続きそうである。ますますクロストーク抑制は焦眉の
問題となりつつある。本発明の目的は、送受信間、ある
いは複数の受信器間の電気的クロストークを効果的に抑
制する機構を提供することである。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ｓｉ基板上の
受信部や送信部を分ける境界線に沿って適数の開口部を
設けて、リードフレームのベースメタルにＳｉ基板を張
り合わせ、開口部に嵌入する脚部を持つ導電体遮蔽板を
差し込んで、Ｓｉ基板の下のベースメタルに遮蔽板の脚
部を接合させる。

【００３１】遮蔽板は送信部、受信部の間にあってＬＤ
光を遮断する。だから本発明の遮蔽板は光学的クロスト
ークの排斥という優れた効果がある。光学的ノイズの排
除は分かりやすい作用であり、これ以上説明する必要は
ないだろう。電気的ノイズについてはやや難しいので説
明する。

【００３２】リードフレームのベースメタルはグランド
であるから、遮蔽板はグランドにつながれる。つまり受
信部、送信部はグランド電位の遮蔽板やベースメタルに
よって仕切られるということになる。グランド電位部材
によって、受信部の全体を囲むのではないが、受信部の
底部と側面を囲む。だから隣接する送信部や受信部から
の電気的なノイズを遮断することができる。

【００３３】遮蔽板の役割は三つある、ということに注
意すべきである。光を遮断、電磁波を遮断、電流を遮断
するという３つの作用である。光の点は容易にわかるか
ら、電磁波、電流について述べる。

【００３４】基板より上方に突出した部分は送信部から
受信部へ、或いは受信部から受信部へと電磁波によって
ノイズが空間伝搬するのを防ぐ。基板内部に埋設される
部分は電流によって受信部へ伝搬される信号を遮断す
る。基板を伝わる電流によるノイズを遮断するために遮
蔽板を基板の中の方へと差し込むようにしている。それ
によって図４のような基板中の等価抵抗Ｒ２が遮蔽板に
よって切断されたようになる。Ｒ２がグランド電位の遮
蔽板で切断されるからＲ２が無限大になる。だから電流
によるノイズをカットすることができる。

【００３５】電磁波ノイズと電流ノイズの両方を遮断す
るのである。空中伝搬する電磁波ノイズだけなら前記の
公知技術と同じことである。本発明はそれに留まらず
基板中を伝わる電流によるノイズをも効果的に抑制でき
る。それが優れた新規な特徴である。

【００３６】以上が本発明の骨子である。本発明の実施
を容易にする要因が従来の表面実装技術に内在してい
る。それは本発明にとって好都合なことである。それを
述べよう。

【００３７】表面実装の場合、Ｓｉ基板はグランド強化
のために、リードフレームのベースに導電性樹脂で固定
されることが多い。リードフレームをプラスチックモー
ルドして素子として仕上げるようになっている。リード
フレームは不可欠であり、リードフレームのベースメタ
ルにＳｉ基板を接着するのは通常なされている。そうい
う好都合なバックグランドがある。

【００３８】Ｓｉ基板はベースメタルに接合されるので
本発明はそのベースメタルを利用する。Ｓｉ基板に受信
部、送信部の境界に沿って穴をあけ、穴に遮蔽板の脚を
差し込んで脚先をベースメタルに接着させ、遮蔽板をグ
ランドとする。だから新たに加わる工程は、Ｓｉ基板の
境界線にそって開口部を穿つこと、遮蔽板を差し込むこ
と、遮蔽板の脚をベースメタルに接合することだけであ
る。

【００３９】そもそもなぜ、Ｓｉ基板を用いるかという
と、半導体のフォトエッチング技術を使って狭い間隔で
も精度良くファイバ固定溝を形成することができ、これ
に合わせてＬＤ／ＰＤも精度良く配置できるからであ
る。

【００４０】ということは、位置決めの機能がしっかり
存在すれば、必ずしも、全面がフラットな板でなくても
よいということである。そこで本発明は、送信部、受信
部の境界に当たるＳｉ基板のあちこちの部位に開口部を
設けて遮蔽板を通し脚をベースメタルに導通させてグラ
ンドを強化する。

【００４１】

【発明の実施の形態】本発明は、送信器と受信器を同一
のＳｉ基板の上に実装した送受信モジュールにおいて最
も有効である。送信器は強い電流、電磁波を発生し、受
信部はインピーダンスが高く感受性が高くてノイズに弱
いからである。しかし、複数の受信器を同一のＳｉ基板
に並べた複数受信器のモジュールの場合にも本発明は有
効である。受信器とそれ以外の何らかのノイズ源を含む
装置の全てに本発明を適用することができる。

【００４２】グランド部材は、リードフレームのベース
メタルと境界線にそう遮蔽板である。これは最低限必要
な部材である。それ以外にも遮蔽板を追加してクロスト
ーク削減をよりいっそう徹底することも可能である。追
加遮蔽板としては、例えば境界遮蔽板の上に取り付けた
屋根型遮蔽板が有効である。屋根型遮蔽板は主に空間を
電磁波として伝搬するノイズの遮断に効果的である。

【００４３】さらに境界遮蔽板とは反対側において受信
部、送信部を囲むような外殻遮蔽板を設けてもよい。そ
れは外部ノイズをカットするのに有効である。隣接送信
部から外に出て外部で反射した電磁波を遮断するという
効果もある。つまり遮蔽板に関して

【００４４】（１）境界遮蔽板…受信部、送信部などの
境界に立てられベースメタルに接地

【００４５】（２）屋根型遮蔽板…境界遮蔽板や、外殻
遮蔽板の上に載せられ受信部、送信部の屋根となる

【００４６】（３）外殻遮蔽板…受信部、送信部などの
外殻に立てられベースメタルに接地

【００４７】の３種類が区別されよう。その内（１）は
本発明において必須である。これは電磁ノイズ、電流ノ
イズの両方をカットするという優れた作用がある。
（２）、（３）は電磁ノイズ（電波：電磁波）を遮断す
るのに有効であるが本発明では必須でない。（１）と
（２）だけの場合はＴ字型のシールド構造、あるいはΓ
型のシールド構造となる。（３）の外殻遮蔽板は、矩形
状の囲みを作り、より安定な骨格を形成する。

【００４８】遮蔽板は導電性の板部材であればよい。た
とえば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）、コ
バール（Ｋｏｖａｒ）、真鍮などを用いることができ
る。Ｓｉ基板にうがつ開口部の形状は遮蔽板の脚部の形
状と雌雄の関係にある。遮蔽板の脚部が櫛の歯状であれ
ば、Ｓｉ基板開口は帯状穴を点在させたものとなる。遮
蔽板の脚部が丸棒状であればＳｉ基板の開口は丸穴を点
在させたものとなる。遮蔽板の脚部が広い帯状であれ
ば、開口部は長い帯状の穴となる。

【００４９】

【実施例】［実施例１（櫛歯状脚部をもつ遮蔽板；光フ
ァイバタイプ）］図５、図６によって第１の実施例を説
明する。図５はリードフレームの外周部を省略した平面
図と遮蔽板の側面図、図６は電気的素子（増幅器、駆動
用ＩＣ）を通る面で切断した縦断面図である。図５にお
いて右側には境界遮蔽板を図示している。平面図の一部
でないから注意すべきである。リードフレームというの
は金属の薄い板を打ち抜きによって作製した部材で様々
の形状の物がある。概して言えば中心にベースメタルが
あり、それから多数のリードピンが放射状に出ており外
周部にはそれらを束ねる四角枠がある、といった形状で
ある。中心分のベースメタルにＳｉ基板を載せた状態で
全体を樹脂モールドして製品とする。だから平面図を描
くとリードピンが放射状に伸びた部分が続くのであるが
図５はその部分を省略した平面図となっている。

【００５０】薄い矩形状のＳｉ基板３０が基台となる。
Ｓｉ基板３０の後方半分程度を酸化或いはスパッタリン
グによって形成したＳｉＯ_２絶縁層３１によって覆う。
Ｓｉ基板３０の前半部には平行２本のＶ溝３２、３３が
異方性エッチングによって穿たれている。このＶ溝３
２、３３に光ファイバ３４、３５を挿入固定する。光フ
ァイバ３４は送信光用、光ファイバ３５は受信光用の光
ファイバである。Ｓｉ基板後半の絶縁層３１によって被
覆された部分に印刷あるいはリソグラフィによって電極
パターン３６〜３９と配線パターン４０、４１が形成さ
れる。

【００５１】送信光用光ファイバ３４の延長上の電極パ
ターン３８にはＬＤ４２が取り付けられる。その背後の
電極パターン３６には駆動用ＩＣ４４が設けられる。受
信光用光ファイバ３５の延長上の電極パターン３９には
ＰＤ４３が取り付けられる。その背後の電極パターン３
７には増幅器４５が設けられる。図５において中心線か
ら左が送信部Ｂ、右が受信部Ｃである。中心線が両部分
の境界線となる。境界線に沿ってＳｉ基板面に細い長方
形状の開口部４６が複数個穿たれる。開口部４６はＳｉ
基板の全厚みを貫く穴である。つまり開口部４６は全て
貫通穴である。

【００５２】ＬＤ４２の下面の電極パターン３８と駆動
用ＩＣ４４の上面電極はワイヤ６３によって接続され
る。ＬＤ４２の上面電極と配線パターン４０がワイヤ６
１によって接続される。配線パターン４０と駆動用ＩＣ
４４の上面電極はワイヤ６２によってつながれる。

【００５３】ＰＤ４３の下面の電極パターン３９と増幅
器４５の上部電極がワイヤ６６によって接続され、ＰＤ
４３の上面電極はワイヤ６４で配線パターン４１につな
がれる。パターン４１はワイヤ６５によって増幅器４５
の上部電極と接続される。

【００５４】送信部Ｂ、受信部Ｃを隔てるため境界線に
立てる部材が境界遮蔽板４７である。遮蔽板は空間を伝
搬する電磁波を遮断するための高さを持っている。遮蔽
板４７は脚部４８を境界線上の開口部４６に差し込むこ
とによって固定される。間欠的に穿たれた開口部４６に
対応して境界遮蔽板４７は櫛歯状脚部４８を有する。

【００５５】脚部４８の櫛の歯のピッチは、開口部４６
のピッチに等しい。櫛の歯の山の長さは開口部４６の一
つの穴の長さに等しい。遮蔽板４７の厚みは、開口部４
６の幅にほぼ等しい。開口部４６の穴の数は、遮蔽板４
７脚部の櫛歯の数に等しいか、それ以上である。また遮
蔽板４７の櫛の歯の高さはＳｉ基板の厚みにほぼ等し
い。

【００５６】だからＳｉ基板の裏面にリードフレームの
ベースメタル５１をはりつけた状態で、開口部４６に脚
部４８を全部差し込むと脚部４８の下端はリードフレー
ムのベースメタル５１に届く。そこで脚部４８をベース
メタルに半田付け、鑞づけなどによって接着する。ベー
スメタル５１はグランド電位に保持されるので、遮蔽板
４７もグランド電位になる。

【００５７】本発明は少なくとも１枚の遮蔽板を境界線
上に設けるということを条件とする。ＬＤ４２から出た
光の一部は、光ファイバ端やその他の部材などで散乱さ
れＰＤ４３に入る可能性があるが、それを遮蔽板が防
ぐ。これは光学的クロストークの遮蔽である。それはわ
かりやすい本発明の直接の効果である。

【００５８】本発明はそれに加えて電気的なクロストー
クの排除という作用をもっている。境界遮蔽板４７は、
送信部Ｂから受信部Ｃへ向かう電磁波、電流の両方を遮
断する。つまり境界遮蔽板４７は、受信部Ｃが送信部Ｂ
の電気的影響を受けないように保護している。遮蔽板が
電磁波を遮蔽するというのは図６の断面図を見ればよく
分かる。電流を遮断するということもわかる。図６では
遮蔽板４７の脚部４８を含む面で切断したものを示すか
らＳｉ基板を流れる電流が遮蔽板を通らないということ
は直観的に理解できよう。これについては後にもう一度
説明する。

【００５９】これだけでも良いのであるが、この実施例
ではさらにこれとは異なる２種類の遮蔽板を追加してい
る。図６の縦断面図を見るとわかるが、境界遮蔽板４７
と平行で同じ高さの外殻遮蔽板４９、４９を設けてい
る。これはＳｉ基板３０の外側のベースメタル５１の面
に半田付けや鑞付けすることによって保持している。

【００６０】受信部Ｂと送信部Ｃの分離という点では外
殻遮蔽板４９の作用はあまり重要でない。境界遮蔽板４
７と外殻遮蔽板４９だけでも良いのである。それはそう
なのであるが、ここではさらに境界遮蔽板４７と外殻遮
蔽板４９の上に屋根遮蔽板５０を乗せている。これらは
半田付けなどによって強固に結合される。外殻遮蔽板４
９は電磁的遮蔽というだけでなく屋根遮蔽板５０を安定
に保持するという構造材、補強材としての役割をも持っ
ている。

【００６１】図６に見るように、送信部Ｂは側方上方の
三方を遮蔽板４９、５０、４７によって囲まれる。下方
は金属製のベースメタル５１によって囲まれる。つまり
送信部Ｂは四方を金属の遮蔽部材によって包囲されてい
る。前後は抜けているのであるが、内部に接着剤などを
充填する必要があり、前後方向に空間が連通するように
しなければならない。

【００６２】このような空間的な遮蔽構造が光学的なク
ロストークに直接の効果があるのは明白である。ＬＤか
らの散乱光や迷光が空間を伝搬してＰＤに至る可能性は
遮蔽板のために著しく低減する。Ｓｉ基板は１．３μｍ
光、１．５５μｍ光に透明であるが、Ｓｉ基板の大半は
遮蔽板の脚部によって遮蔽されるのでＳｉ基板内部を通
る散乱光をも遮断できる。光学的クロストークの他に電
気的クロストークがある。本発明の機構は電気的クロス
トークの排除においても効果がある。これは光学的なも
のに比較して分かりにくいので特に詳しく説明する。

【００６３】送信部Ｂの駆動用ＩＣ４４やＬＤ４２は強
い電磁波と電流を発生する。電磁波は空間伝搬するもの
であるが、四方の遮蔽部材によって阻まれ外部に出な
い。交流電流は中央の境界遮蔽板によって遮断される。
電磁波の遮断のために四方を囲むというのはよくなされ
るが、中央の遮蔽板４７は電流をも遮断しており、これ
が斬新な機構となっている。

【００６４】受信部Ｃは、側方と上方を遮蔽板５０、４
９、４７によって囲まれる。底部はベースメタル５１で
囲まれる。つまり、これも四方を金属の遮蔽部材によっ
て包囲されている。これには送信部や外部からの電磁波
（電波）から受信部Ｃを保護する作用がある。受信部Ｃ
にも接着剤を充填する必要があり、遮蔽部材は前後が開
いている。

【００６５】図７はそのような効果を説明するための縦
断面図である。送信部Ｂと受信部Ｃの間に遮蔽板４７が
ありＳｉ基板３０の下底にベースメタル５１がある。ベ
ースメタル５１、遮蔽板４７は電気的に接続されグラン
ド電位となっている。Ｓｉ基板と素子、パターン間には
静電容量が形成される。Ｓｉ基板内部にも等価抵抗Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３を想定できる。しかし等価抵抗Ｒ２は中
央の遮蔽板４７によって遮断されている。つまりＲ２の
抵抗値は無限大となる。だから送信部Ｂから受信部Ｃへ
の交流電流によるノイズを遮蔽板がカットすることがで
きる。

【００６６】図７は、脚部を含んだ部位の断面図であ
り、実施例１は櫛歯状脚部をもつから歯のない部分では
Ｓｉ基板は左右連続する。しかし、その場合でも境界線
では電位はほぼ０になり電流は流れにくい。電流抑制効
果はかなり大きいものである。通過電流を完全に除去す
るには後に述べる実施例３を利用するとよい。

【００６７】ノイズの問題は定量的理論的な議論が難し
い。経験的、実験的に定めるしかない。Ｓｉ基板は導体
であるから、その裏面にグランドであるベースメタルを
付けているのでＳｉ基板もグランド電位の筈である。だ
から図４の仮想例のようにＳｉ基板を流れる交流電流に
よってノイズが送信部から受信部へ伝達されるというこ
と自体が分かりにくい。これは本発明者が初めて指摘し
た問題である。

【００６８】Ｓｉ基板は導体でグランド電位だというこ
とに間違いはないが、Ｓｉは半導体であり金属に比べ抵
抗が高い。だから安定な信頼できるグランドではない。
不安定な頼りないグランドだということができる。抵抗
が高いためにＳｉ基板の底面がたとえベースメタルに接
触していたとしてもＳｉ基板表面には電場勾配ができ電
流が流れてしまう。だから図４の仮想例のような等価回
路が成立する。本発明は図７のように遮蔽板で電流を切
るからＳｉ基板中の電流によるノイズをも効果的に防ぐ
ことができる。

【００６９】そのような送受信モジュールの製造方法を
述べる。厚さ１ｍｍのＳｉ基板３０の後半部に、絶縁用
のＳｉＯ_２層（厚さ１μｍ前後）３１を酸化法、スパッ
タリング法などによって形成する。異方性エッチングに
よってファイバ固定のＶ溝３２、３３を穿つ。ＬＤ４
２、ＰＤ４３あるいは電子回路素子４４、４５を実装す
るメタライズパターン３６〜４１を印刷法、蒸着法によ
って形成する。さらに、超音波加工で、遮蔽板固定用開
口部（短冊穴）４６を複数個形成しておく。この上に、
光ファイバ３４、３５以外の部品（ＬＤ４２、ＰＤ４
３、駆動用ＩＣ４４、増幅器４５）をＳｉ基板３０上に
実装してゆく。

【００７０】次に、例えばＦｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｋｏｖａ
ｒ、真鍮などの板を櫛の歯状に加工して脚部４８を設け
た遮蔽板４７を作製する。遮蔽板４７の脚部４８を開口
部４６に挿入する。Ｓｉ基板３０の裏面にリードフレー
ムのベースメタル５１を導電性ペーストで固定する。こ
のとき同時に遮蔽板４７の脚部４８も導電性ペーストに
よってベースメタル５１に接合固定される。

【００７１】遮蔽板としては、境界に設ける遮蔽板４７
が最も効果が大きく必須である。が、より効果を高める
ために、外殻遮蔽板４９や屋根遮蔽板５０を加えてゆく
と良い。外殻遮蔽板４９は単純な矩形金属板で下底部を
ベースメタル５１に接合する。屋根遮蔽板５０は境界遮
蔽板４７、外殻遮蔽板４９の頂部に導電性ペーストによ
って接合する。

【００７２】ついでＶ溝３２、３３に光ファイバ３４、
３５を挿入し接着剤によって固定する。光ファイバ３４
のコアはＬＤ４２の発光部と一直線上に並ぶ。光ファイ
バ３５のコアはＰＤ４３の受光部分と直線上に並ぶ。

【００７３】受信光Ｒは光ファイバ３５を通りＰＤ４３
に入り、ここで光電変換され増幅器４５で増幅される。
送信電気信号は駆動用ＩＣ４４によって生成され、これ
がＬＤ４２に電流として与えられる。ＬＤ４２は送信光
信号を生成し、それが光ファイバ３４を通って外部へ送
信される。

【００７４】さらに、Ｓｉ基板３０の外側にも二条の開
口部列をうがって、櫛歯状脚部を設けた外殻遮蔽板４９
をその外側開口部に通して固定し、下端をベースメタル
に接着するようにもできる。こうすると送信部Ｂ、受信
部Ｃを遮蔽板４７、４９、５０、ベースメタル５１によ
って、より狭く囲い込むことができる。クロストーク抑
制効果は一層向上する。

【００７５】［実施例２（櫛歯状脚部をもつ遮蔽板；光
導波路タイプ）］実施例１は光ファイバを用いるモジュ
ールの例であったが、本発明はＳｉ導波路による結合の
場合にも適用できる。この場合は、導波路と、相手側の
光ファイバは光学コンタクトで接合される。図８、９に
示す。実施例２において光ファイバがなくて、それを収
容するＶ溝もない。その代わりに導波路が形成されてい
る。

【００７６】Ｓｉ基板に導波路を形成する方法は幾つか
ある。例えば、Ｓｉ基板の上に全面に第１のＳｉＯ_２層
を酸化法、スパッタリング法によって形成し、Ｇｅなど
の屈折率を上げるドーパントを添加した第２のＳｉＯ_２
層をさらに重ねて設け、リソグラフィによって光導波路
となる部分だけを残し第２層の他の部分をエッチング除
去する。さらに第３のＳｉＯ_２層を設けて全体を被覆す
る。第２層は屈折率の高い平行のコアとなり、第１層、
第３層のＳｉＯ_２はクラッド層となる。そのようにして
光導波路５５、５６を設ける。外部の光ファイバの端部
を光導波路５５、５６の前端に接合する。

【００７７】実施例１と同様に、境界線に沿って短冊状
の開口部４６を断続的に穿つ。これは図８の右に書いた
境界遮蔽板４７の櫛歯状脚部４８を差し込むための穴の
列である。

【００７８】Ｓｉ基板３０にはいくつかの電極パターン
・配線パターン３６〜４１を形成する。送信用光導波路
５５の後方のパターン３８にはＬＤ４２を、受信用導波
路５６の後方のパターン３９にはＰＤ４３を実装する。
ＬＤ４２の後方のパターン３６には駆動用ＩＣ４４を設
ける。ＰＤ４３後方のパターン３７には増幅器４５を搭
載する。これらの電気的素子、電気光学的素子の電極、
配線パターンなどはワイヤ６１〜６６によって接続され
る。

【００７９】以下の構造も実施例１と同様である。Ｓｉ
ベンチ３０をリードフレームのベースメタル５１に接合
する。境界線の開口部４６に遮蔽板４７の櫛の歯状脚部
４８を差し込み、下端をベースメタル５１に接着する。
これと送信部Ｂ、受信部Ｃの外側に金属製の外殻遮蔽板
４９を立て、ベースメタル５１に接着する。境界遮蔽板
４７、外殻遮蔽板４９の上に屋根遮蔽板５０を接着す
る。遮蔽板の群は、送信部Ｂと受信部Ｃを囲み、両者を
隔離する。電気的な遮蔽、光学的な遮蔽の作用がある。
これによって送信部から受信部への信号の電気的、光学
的まわりこみを禁止しクロストークを抑制する。

【００８０】［実施例３（複数受信部）］実施例１、２
は最も効果の大きい光送受信器を一体化した例で説明し
た。送信器がなく複数のレベルの異なる受信部を含む装
置の場合、隣接受信部からのノイズが混入するというこ
とはありうる。本発明は受信レベルの異なる受信機を複
数個並べて使用する受信専用装置にも適用できる。その
組み合わせは自由である。ここでは図示を略するが、例
えば図５、６、あるいは図８、９において、ＬＤ４２を
ＰＤに、駆動用ＩＣ４４を増幅器に置き換えたものがそ
の例となる。

【００８１】［実施例４（帯状脚部をもつ遮蔽板；光フ
ァイバタイプ；光学的クロストーク抑制）］すでに述べ
たように光通信装置において光学的クロストークの抑制
も重要である。本発明は、もう一つの光クロストークも
大幅に低減するという優れた効果を発揮する。Ｓｉ基板
は可視光には不透明であるが、光通信に使われる１．３
μｍ、１．５５μｍには透明でＬＤの強烈な散乱光、迷
光がＳｉ基板を通して隣接ＰＤに入る可能性があった。
境界遮蔽板４７はそのような散乱光、迷光を遮断すると
いう作用もある。散乱光、迷光であるから様々の経路を
とってＰＤに至る可能性がある。だから外殻遮蔽板や、
屋根遮蔽板も散乱光などの遮蔽に有効である。

【００８２】実施例１（図５、６）や実施例２（図８、
９）の境界遮蔽板４７はＳｉ基板より上では穴のない平
板であるが、脚部は櫛歯状である。歯のない部分を通し
てＬＤ散乱光がＰＤにまで漏れるということもありう
る。それをも遮断したいという場合に次のような改良が
有効である。図１０、１１にそれを示す。

【００８３】実施例４において、Ｓｉ基板３０の受信部
Ｃと送信部Ｂの境界線に沿って連続する細い開口部５２
を穿っている。右側に遮蔽板５３を示すが、これは細長
開口部５２に対応して連続する帯状脚部５４をもってい
る。これをＳｉ基板の開口部５２に差し込むとＳｉ基板
内部のＬＤ・ＰＤ間の光路がほぼ完全に遮断されてしま
う。図１１の断面図（実施例４）では、図６の断面図
（実施例１）とその差異がわからないが、境界遮蔽板５
３の脚部５４はＬＤ・ＰＤ間、増幅器・駆動用ＩＣ間を
長く分離遮蔽している。これによってＳｉ基板の下を潜
り込んでやってくるような散乱光、漏れ光を防ぐことが
できる。さらに電流によるクロストークについても、図
１０、図１１の方がより完全である。ただし薄いＳｉ基
板は弱いのであまり長い開口部を穿つことは難しい。

【００８４】［実施例４（図１０、１１）と仮想例（図
３、４）の受信感度の比較］図３、４（仮想例）と図１
０、１１（実施例４）の装置の受信感度特性を比較し
た。初めに共通の部分を説明する。特徴部分に由来する
違いを調べるには、特徴部分以外は全て同一にすべきで
ある。だからここでは遮蔽板部分以外は同一の構造のも
のを作製して比較した。

【００８５】Ｓｉベンチは幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍ、厚
み１ｍｍである。送受信光ファイバＳ、Ｒの間隔は１．
２５ｍｍとした。ファイバ固定のＶ溝部分３２、３３の
長さを５ｍｍ、ＬＤ／ＰＤ／Ｓｉ−ＩＣの実装部の長さ
を５ｍｍとした。つまり１０ｍｍ長さのＳｉベンチを５
ｍｍずつ半分に分けたものである。

【００８６】ＬＤは活性層がＩｎＧａＡｓＰの１．３μ
ｍ−ＦＤ−ＬＤである。ＰＤは受光層がＩｎＧａＡｓの
導波路型端面入射型ＰＤである。ＬＤ、ＰＤのチップサ
イズはいずれも３００μｍ×３００μｍ×１５０μｍで
ある。

【００８７】ＬＤは活性層をＳｉベンチ側に実装し、Ｐ
Ｄは受光層側をＳｉベンチ側に実装した。つまり両方と
もにエピダウンで取り付けている。ＳｉＯ_２の絶縁層の
厚みは１μｍである。その上に厚み２μｍのＡｕの電極
パターンを形成した。ＬＤのドライバ（駆動用ＩＣ）
は、１．２ｍｍ角のＳｉ−ＩＣである。ＰＤの増幅器は
１．０ｍｍ角のＳｉ−ＩＣである。

【００８８】図１０、１１（実施例４）の場合は遮蔽板
５３、４９、５０の全てを採用した。遮蔽板として厚み
０．２ｍｍの真鍮板を用いた。

【００８９】Ｓｉ基板に長穴を開けるために、ＳｉＯ_２
をコ−ティングする前に、前もってエッチングによって
長穴よりやや広い幅０．５ｍｍの溝をＳｉ基板の表裏両
側から設けておいた。

【００９０】長穴（開口部５２）の加工は、超音波加工
による。遮蔽板５３の長さは長さ１０ｍｍ、高さ３ｍ
ｍ、脚部は長さ８ｍｍ、高さ１ｍｍとした。

【００９１】図３、４（仮想例）の場合も、図１０（実
施例４）の場合もＬＤ／ＰＤ／ＩＣの周りは全体をシリ
コーン系の透光性樹脂でポッティングしている。これ
は、ＬＤ／ＰＤと光ファイバ間の光路の屈折率マッチン
グをとるためと、Ｓｉ−ＩＣの保護のためである。

【００９２】図１０（実施例４）の場合は、この後、境
界遮蔽板５３と外殻遮蔽板４９を低温半田で半田付けし
た。仮想例（図３、４）の場合は遮蔽板を設けなかっ
た。このようにして仕上がった従来タイプと本発明のタ
イプを１５６Ｍｂｐｓで動作させた。

【００９３】光ファイバの出力０ｄＢｍのときに、仮想
例の構造では、最小受信感度は−３０ｄＢｍであった。
同じ条件で実施例４のタイプでは、最小受信感度は−３
６ｄＢｍであった。最小受信感度が６ｄＢｍも小さくな
っており本発明装置が極めて高感度であることがわか
る。

【００９４】これは本発明の遮蔽構造が、空間を伝搬す
る電気クロストークや光クロストークを低減し、さらに
グランドの強化によってこの効果が確実なものとなり、
さらに基板を通る電気的、光学的クロストークも低減で
きるからである。以上では、駆動用ＩＣと増幅器を含む
例で説明したが、単に発光素子と受光素子だけの場合で
も配線部分は必ず存在するため、同様にクロストーク低
減の効果が得られる。そして、発光素子のみと受光素
子、増幅器の場合でも同様にクロストークは低減され、
発光素子、駆動用ＩＣと受光素子のみの組み合わせの場
合でも同じ効果が得られる。

【００９５】

【発明の効果】精度良く光ファイバや部品を実装できる
Ｓｉベンチに開口部を設けて遮蔽構造を構築しＳｉベン
チ下のベースメタルに接続し安定なグランドとすること
によって、電気（電磁波、電流）的遮蔽を完全にする。
それとともに、遮蔽板は散乱光も遮断し光クロストーク
も大幅に低減できる。

【００９６】以上のように、本発明の送受信器では、確
実に電気クロストークと光クロストークをなくすことが
できる。小型かつ低コストで高性能の光送受信器ができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】金属パッケージに収容されたＬＤモジュール、
ＰＤモジュール、送信用電子回路素子、受信用電子回路
素子をプリント基板に取り付けた従来例にかかる大型の
光送受信モジュールの概略平面図。

【図２】高橋龍太、村上和也、須永義則、所武彦、小林
雅彦「ＳＦＦ光トランシーバ用光素子実装方法の検討」
１９９９年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエ
ティ大会、講演番号Ｃ−３−２８、ｐ１３３（１９９
９）によって提案された２光ファイバタイプの送受信モ
ジュール平面図。

【図３】ＬＤの駆動用ＩＣやＰＤの増幅器はＳｉ基板に
薄い絶縁層を介して接合しており静電容量を通じてＳｉ
基板とこれらの電気的素子が結合することを説明するた
めの仮想例のＳｉ基板、電気素子、光ファイバ、光電素
子の縦断面図。

【図４】ＬＤの駆動用ＩＣやＰＤの増幅器はＳｉ基板に
薄い絶縁層を介して接合しており静電容量を通じてＳｉ
基板とこれらの電気的素子が結合し、Ｓｉ基板は有限の
抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を有する導体として働き、送信
部の駆動用ＩＣ、パターンから、受信部の増幅器、パタ
ーンへ交流電流が流れることによって電気的クロストー
クが起こることを説明するための仮想例のＳｉ基板、光
電素子、パターンの縦断面図。

【図５】平行２本の光ファイバ、送信部、受信部をＳｉ
基板上に設け、境界線に断続する開口部を穿った状態の
実施例１の平面図と境界の開口部に差し込むべき櫛の歯
状脚部を有する遮蔽板の側面図。

【図６】平行２本の光ファイバ、送信部、受信部をＳｉ
基板上に設け、境界線に断続する開口部を穿ったＳｉ基
板に、櫛の歯状脚部を有する境界遮蔽板を差し込みベー
スメタルに接着し、送信部、受信部の両側に外殻遮蔽板
を立て、境界遮蔽板と外殻遮蔽板の上に屋根遮蔽板を設
けた実施例１の電気的素子の部分で切断した縦断面図。

【図７】送信部と受信部の境界線の開口部に導電性の遮
蔽板を差し込んでＳｉ基板下のベースメタルに遮蔽板を
接合した本発明の構造において、送信部からＳｉ基板を
伝わって流れる電流が遮蔽板によって遮断されることを
示す説明用の断面図。

【図８】平行２本の光導波路、送信部、受信部をＳｉ基
板上に設け、境界線に断続する開口部を穿った状態の実
施例２の平面図と境界の開口部に差し込むべき櫛の歯状
脚部を有する遮蔽板の側面図。

【図９】平行２本の光導波路、送信部、受信部をＳｉ基
板上に設け、境界線に断続する開口部を穿ったＳｉ基板
に、櫛の歯状脚部を有する境界遮蔽板を差し込みベース
メタルに接着し、送信部、受信部の両側に外殻遮蔽板を
立て、境界遮蔽板と外殻遮蔽板の上に屋根遮蔽板を設け
た実施例２の電気的素子の部分で切断した縦断面図。

【図１０】平行２本の光ファイバ、送信部、受信部をＳ
ｉ基板上に設け、境界線に連続する長い開口部を穿った
状態の実施例４の平面図と境界の開口部に差し込むべき
長い帯状脚部を有する遮蔽板の側面図。

【図１１】平行２本の光ファイバ、送信部、受信部をＳ
ｉ基板上に設け、境界線に連続する長い開口部を穿った
Ｓｉ基板に、長い帯状脚部を有する境界遮蔽板を差し込
みベースメタルに接着し、送信部、受信部の両側に外殻
遮蔽板を立て、境界遮蔽板と外殻遮蔽板の上に屋根遮蔽
板を設けた実施例４の電気的素子の部分で切断した縦断
面図。

【符号の説明】

１ＬＤ２ＰＤ３光ファイバ４光ファイバ５配線基板６送信用電子回路７受信用電子回路８金属遮蔽板９ピン１０Ｓｉ基板１１ＳｉＯ_２絶縁層１２Ｖ溝１３Ｖ溝１４光ファイバ１５光ファイバ１６〜２１電極パターン２２ＬＤ２３ＰＤ２４駆動用ＩＣ２５増幅器２６境界線２７電気的素子２８電極パターン２９絶縁層３０Ｓｉ基板３１ＳｉＯ_２絶縁層３２Ｖ溝３３Ｖ溝３４光ファイバ３５光ファイバ３６〜３９電極パターン４０、４１配線パターン４２ＬＤ４３ＰＤ４４駆動用ＩＣ４５増幅器４６開口部４７境界遮蔽板４８櫛歯状脚部４９外殻遮蔽板５０屋根遮蔽板５１ベースメタル５２開口部５３境界遮蔽板５４帯状脚部５５送信光用光導波路５６受信光用光導波路６１〜６６ワイヤ７０モニタＰＤＢ送信部Ｃ受信部Ｓ送信光Ｒ受信光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 DA40 5E321 AA02 AA11 AA14 CC02 CC12 GG01 GG05 5F073 AB28 BA01 CA12 CB02 EA27 FA02 FA06 FA13 FA27 5F089 AA01 AC08 AC09 AC10 AC11 AC16 AC18 AC20 CA04 CA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、発光素子よりなる送信部と、受光素子よりなる受信
部とを設けてあり、送信部、受信部の境界に沿ってＳｉ
基板に開口部を穿ち、Ｓｉ基板裏面にベースメタルを接
合し、開口部に少なくとも１枚の導電性遮蔽板の脚部を
差し込み下端をベースメタルに接着し、遮蔽板脚部によ
ってＳｉ基板を流れる電流を遮断した事を特徴とする光
通信装置。
【請求項２】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、発光素子、駆動用ＩＣよりなる送信部と、受光素子
よりなる受信部とを設けてあり、送信部、受信部の境界
に沿ってＳｉ基板に開口部を穿ち、Ｓｉ基板裏面にベー
スメタルを接合し、開口部に少なくとも１枚の導電性遮
蔽板の脚部を差し込み下端をベースメタルに接着し、遮
蔽板脚部によってＳｉ基板を流れる電流を遮断した事を
特徴とする光通信装置。
【請求項３】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、発光素子よりなる送信部と、受光素子、増幅器より
なる受信部とを設けてあり、送信部、受信部の境界に沿
ってＳｉ基板に開口部を穿ち、Ｓｉ基板裏面にベースメ
タルを接合し、開口部に少なくとも１枚の導電性遮蔽板
の脚部を差し込み下端をベースメタルに接着し、遮蔽板
脚部によってＳｉ基板を流れる電流を遮断した事を特徴
とする光通信装置。
【請求項４】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、発光素子、駆動用ＩＣよりなる送信部と、受光素
子、増幅器よりなる受信部とを設けてあり、送信部、受
信部の境界に沿ってＳｉ基板に開口部を穿ち、Ｓｉ基板
裏面にベースメタルを接合し、開口部に少なくとも１枚
の導電性遮蔽板の脚部を差し込み下端をベースメタルに
接着し、遮蔽板脚部によってＳｉ基板を流れる電流を遮
断した事を特徴とする光通信装置。
【請求項５】Ｓｉ基板上に、複数の光学的な結合手段
と、受光素子、増幅器よりなる複数の受信部を設けてあ
り、複数受信部の境界に沿ってＳｉ基板に開口部を穿
ち、Ｓｉ基板裏面にベースメタルを接合し、開口部に少
なくとも１枚の導電性遮蔽板の脚部を差し込み下端をベ
ースメタルに接着し、遮蔽板脚部によってＳｉ基板を流
れる電流を遮断した事を特徴とする光通信装置。
【請求項６】上記光学的な結合手段が、光ファイバ
である事を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
光通信装置。
【請求項７】上記光学的な結合手段が、光導波路であ
る事を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光通
信装置。
【請求項８】上記開口部が、Ｓｉ基板の受信部、送信
部の境界、或いは複数受信部の境界にそって、断続的に
設けた複数穴であることを特徴とする請求項１〜７の何
れかに記載の光通信装置。
【請求項９】上記開口部が、Ｓｉ基板の受信部、送信
部の境界、或いは複数受信部の境界にそって、連続的に
設けた帯状長穴であることを特徴とする請求項１〜７の
何れかに記載の光通信装置。