JP2005506711A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005506711A5
JP2005506711A5 JP2003538811A JP2003538811A JP2005506711A5 JP 2005506711 A5 JP2005506711 A5 JP 2005506711A5 JP 2003538811 A JP2003538811 A JP 2003538811A JP 2003538811 A JP2003538811 A JP 2003538811A JP 2005506711 A5 JP2005506711 A5 JP 2005506711A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
thin film
pattern
film transistor
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003538811A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005506711A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020010060442A external-priority patent/KR20030027302A/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2005506711A publication Critical patent/JP2005506711A/ja
Publication of JP2005506711A5 publication Critical patent/JP2005506711A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2003538811A 2001-09-28 2001-11-07 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 Withdrawn JP2005506711A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010060442A KR20030027302A (ko) 2001-09-28 2001-09-28 저유전율 절연막을 사용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
PCT/KR2001/001896 WO2003036376A1 (en) 2001-09-28 2001-11-07 A thin film transistor substrate of using insulating layers having low dielectric constant and a method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005506711A JP2005506711A (ja) 2005-03-03
JP2005506711A5 true JP2005506711A5 (ko) 2005-12-22

Family

ID=36947158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003538811A Withdrawn JP2005506711A (ja) 2001-09-28 2001-11-07 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2005506711A (ko)
KR (1) KR20030027302A (ko)
CN (2) CN100517729C (ko)
WO (1) WO2003036376A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7095460B2 (en) 2001-02-26 2006-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same
KR100796794B1 (ko) * 2001-10-17 2008-01-22 삼성전자주식회사 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7023016B2 (en) 2003-07-02 2006-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR100980014B1 (ko) * 2003-08-11 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
KR100980015B1 (ko) * 2003-08-19 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100980020B1 (ko) * 2003-08-28 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
KR101219038B1 (ko) 2004-10-26 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101107682B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TW200710471A (en) * 2005-07-20 2007-03-16 Samsung Electronics Co Ltd Array substrate for display device
KR101251995B1 (ko) * 2006-01-27 2013-04-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN100426109C (zh) * 2006-12-13 2008-10-15 友达光电股份有限公司 液晶显示器的像素阵列结构及其制造方法
JP2009204724A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示素子
TWI589006B (zh) * 2008-11-07 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101582431B (zh) * 2009-07-01 2011-10-05 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
KR101424950B1 (ko) * 2009-10-09 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101406382B1 (ko) * 2011-03-17 2014-06-13 이윤형 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법
US8988624B2 (en) * 2011-06-23 2015-03-24 Apple Inc. Display pixel having oxide thin-film transistor (TFT) with reduced loading
KR20140032155A (ko) * 2012-09-06 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
US9530801B2 (en) * 2014-01-13 2016-12-27 Apple Inc. Display circuitry with improved transmittance and reduced coupling capacitance
KR102267126B1 (ko) 2014-12-19 2021-06-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
CN104698630B (zh) * 2015-03-30 2017-12-08 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN105161504B (zh) * 2015-09-22 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109037245A (zh) * 2018-08-03 2018-12-18 惠科股份有限公司 显示装置及显示面板的制造方法
TWI753547B (zh) * 2019-09-27 2022-01-21 台灣積體電路製造股份有限公司 圖像感測器及其製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03149884A (ja) * 1989-11-07 1991-06-26 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH10228035A (ja) * 1996-12-10 1998-08-25 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005506711A5 (ko)
KR100865451B1 (ko) 박막 트랜지스터 lcd 화소 유닛 및 그 제조방법
US7636135B2 (en) TFT-LCD array substrate and method for manufacturing the same
JP4657587B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板
TW202002240A (zh) 陣列基板的製造方法
JP2007034285A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2007114734A (ja) 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
TWI333279B (en) Method for manufacturing an array substrate
KR101333266B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
CN108573928B (zh) 一种tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板、显示面板
TWI459477B (zh) 畫素結構及其製作方法
KR970006733B1 (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR100623982B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
US8003451B2 (en) Method of manufacturing array substrate of liquid crystal display device
KR101228538B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20060133818A (ko) 광 마스크와 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그에의해 제조된 박막 트랜지스터 기판
KR100648214B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
KR100623981B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100663288B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법
TWI303886B (en) Thin film transistor and method for formingthereof
JP2001051297A (ja) アレイ基板及びその製造方法
KR100686236B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR100796746B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100193650B1 (ko) 액정 표시 소자의 박막 트랜지스터 제조방법
KR19990048366A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법