JP2005506711A5 - - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010060442A KR20030027302A (ko) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 저유전율 절연막을 사용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
PCT/KR2001/001896 WO2003036376A1 (en) | 2001-09-28 | 2001-11-07 | A thin film transistor substrate of using insulating layers having low dielectric constant and a method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005506711A JP2005506711A (ja) | 2005-03-03 |
JP2005506711A5 true JP2005506711A5 (ko) | 2005-12-22 |
Family
ID=36947158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003538811A Withdrawn JP2005506711A (ja) | 2001-09-28 | 2001-11-07 | 低誘電率絶縁膜を使用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005506711A (ko) |
KR (1) | KR20030027302A (ko) |
CN (2) | CN100517729C (ko) |
WO (1) | WO2003036376A1 (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7095460B2 (en) | 2001-02-26 | 2006-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same |
KR100796794B1 (ko) * | 2001-10-17 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7023016B2 (en) | 2003-07-02 | 2006-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
KR100980014B1 (ko) * | 2003-08-11 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
KR100980015B1 (ko) * | 2003-08-19 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR100980020B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
KR101219038B1 (ko) | 2004-10-26 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101107682B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
TW200710471A (en) * | 2005-07-20 | 2007-03-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Array substrate for display device |
KR101251995B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2013-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN100426109C (zh) * | 2006-12-13 | 2008-10-15 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器的像素阵列结构及其制造方法 |
JP2009204724A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示素子 |
TWI589006B (zh) * | 2008-11-07 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
CN101582431B (zh) * | 2009-07-01 | 2011-10-05 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
KR101424950B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2014-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
KR101406382B1 (ko) * | 2011-03-17 | 2014-06-13 | 이윤형 | 화학증폭형 포지티브 감광형 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법 |
US8988624B2 (en) * | 2011-06-23 | 2015-03-24 | Apple Inc. | Display pixel having oxide thin-film transistor (TFT) with reduced loading |
KR20140032155A (ko) * | 2012-09-06 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
US9530801B2 (en) * | 2014-01-13 | 2016-12-27 | Apple Inc. | Display circuitry with improved transmittance and reduced coupling capacitance |
KR102267126B1 (ko) | 2014-12-19 | 2021-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 |
CN104698630B (zh) * | 2015-03-30 | 2017-12-08 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN105161504B (zh) * | 2015-09-22 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN109037245A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 惠科股份有限公司 | 显示装置及显示面板的制造方法 |
TWI753547B (zh) * | 2019-09-27 | 2022-01-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 圖像感測器及其製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149884A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH10228035A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-28 KR KR1020010060442A patent/KR20030027302A/ko active Search and Examination
- 2001-11-07 CN CNB2006100088484A patent/CN100517729C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 JP JP2003538811A patent/JP2005506711A/ja not_active Withdrawn
- 2001-11-07 CN CNB018216463A patent/CN100495181C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 WO PCT/KR2001/001896 patent/WO2003036376A1/en active Application Filing
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