JP2005353819A5 - - Google Patents
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004172518A JP4817616B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004172518A JP4817616B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353819A JP2005353819A (ja) | 2005-12-22 |
JP2005353819A5 true JP2005353819A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2007-07-26 |
JP4817616B2 JP4817616B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=35588025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004172518A Expired - Fee Related JP4817616B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4817616B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4981249B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2012-07-18 | シャープ株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
JP4516086B2 (ja) | 2007-03-01 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置 |
JP6226779B2 (ja) | 2014-03-10 | 2017-11-08 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ、磁気メモリ装置、及び磁気メモリの動作方法 |
JP6220292B2 (ja) | 2014-03-11 | 2017-10-25 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ、磁気メモリの再生方法、および磁気メモリの記録方法 |
JP6193190B2 (ja) | 2014-08-25 | 2017-09-06 | 株式会社東芝 | 磁気記憶素子および磁気メモリ |
JP6523666B2 (ja) | 2014-12-02 | 2019-06-05 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶素子および磁気メモリ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2748876B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜 |
JP2000076843A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-03-14 | Canon Inc | 磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置 |
JP3967237B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気再生素子並びに磁気メモリ |
JP2004342167A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Hitachi Ltd | 再生磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
2004
- 2004-06-10 JP JP2004172518A patent/JP4817616B2/ja not_active Expired - Fee Related
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