JP2005353788A - 不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク - Google Patents
不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005353788A JP2005353788A JP2004172122A JP2004172122A JP2005353788A JP 2005353788 A JP2005353788 A JP 2005353788A JP 2004172122 A JP2004172122 A JP 2004172122A JP 2004172122 A JP2004172122 A JP 2004172122A JP 2005353788 A JP2005353788 A JP 2005353788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shape
- axis
- recording layer
- memory device
- magnetic memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 205
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 116
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 579
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 81
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 17
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 2
- -1 magnesium nitride Chemical class 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 241000251131 Sphyrna Species 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N carbosulfan Chemical compound CCCCN(CCCC)SN(C)C(=O)OC1=CC=CC2=C1OC(C)(C)C2 JLQUFIHWVLZVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical class [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N iridium manganese Chemical compound [Mn].[Ir] SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBZQODYDRJQFHG-UHFFFAOYSA-N manganese rhodium Chemical compound [Mn].[Rh] GBZQODYDRJQFHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical class [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置において、記録層35の平面形状は、4辺SR1,SR2,SRS,SR4を有する菱形疑似形状から成り、これらの辺の内の少なくとも2つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、記録層35の磁化容易軸(EA)は菱形疑似形状の長軸と略平行であり、記録層35の磁化困難軸(HA)は菱形疑似形状の短軸と略平行であり、記録層35の平面形状を構成する各辺は相互に滑らかに結ばれている。
【選択図】 図1
Description
記録層の平面形状は、菱形疑似形状から成り、
菱形疑似形状を構成する4つの辺の内の少なくとも2つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
記録層の磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする。
記録層の平面形状は、4つの辺から構成されており、
4つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
長軸、及び、長軸の二等分点で長軸と直交する短軸を有し、長軸が記録層の磁化容易軸と略平行であり、短軸が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想菱形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想菱形の対応する辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする。
(a)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の短軸に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の長軸に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想菱形における長軸と短軸の交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有する態様とすることが好ましい。
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から相対して突出した2つの突出部から構成されており、
2つの突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った2つの突出部の先端部間の距離を2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする。
記録層の平面形状は、第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の長さを2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする。
記録層の平面形状は、二等辺三角形疑似形状から成り、
二等辺三角形疑似形状の斜辺は、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
二等辺三角形疑似形状の仮想底辺の長さは、二等辺三角形疑似形状の仮想高さよりも長く、
記録層の磁化容易軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略直交しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする。
記録層の平面形状は、3つの辺から構成されており、
3つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
仮想底辺の長さが2Li-Bであり、仮想高さがHi[但し、Hi<Li-B]であり、底辺が記録層の磁化容易軸と略平行であり、底辺に対する垂線が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想二等辺三角形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想二等辺三角形の対応する斜辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする。
(a)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、2つの斜辺の交点に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、斜辺と底辺との交点に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線と底辺との交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有する態様とすることが好ましい。
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から突出した1つの突出部から構成されており、
突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った突出部の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする。
記録層の平面形状は、第1形状と第2形状とが、第1形状から第2形状が1箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第2形状は、第2形状軸線上に位置しており、
第2形状軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、第2形状軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする。
半導体基板に形成された選択用トランジスタ、
選択用トランジスタを覆う層間絶縁層、
下層層間絶縁層、並びに、
上層層間絶縁層、
を備え、
書込みワード線は、下層層間絶縁層上に形成されており、
下層層間絶縁層は、書込みワード線及び層間絶縁層上を覆い、
第1の強磁性体層は、下層層間絶縁層上に形成されており、
上層層間絶縁層は、トンネル磁気抵抗素子及び下層層間絶縁層を覆い、
第1の強磁性体層の延在部、あるいは、第1の強磁性体層から下層層間絶縁層上を延びる引き出し電極が、下層層間絶縁層及び層間絶縁層に設けられた接続孔(あるいは接続孔とランディングパッド部)を介して選択用トランジスタに電気的に接続されており、
ビット線が上層層間絶縁層上に形成されている構成とすることができる。
不揮発性磁気メモリ装置における磁気抵抗素子を構成する記録層であって、
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、菱形疑似形状であり、
(C)菱形疑似形状を構成する辺は、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、
(E)磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、且つ、
(F)各辺は、相互に滑らかに結ばれている、
ところの記録層を形成するために、リソグラフィ工程において使用されるフォトマスクであって、
第1形状と第2形状とから成り、
第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、
第1形状は、磁化容易軸と略平行である第1形状軸線に沿った長さが2Lp-1L、第1形状の中心点を通り、第1形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-1S[但し、Lp-1S<Lp-1L]である正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、且つ、
第2形状は、磁化困難軸と略平行である第2形状軸線に沿った長さが2Lp-2L[但し、Lp-1S<Lp-2L<Lp-1L]、第2形状の中心点を通り、第2形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-2S[但し、Lp-2S<Lp-1L]である正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、
ところのパターンが設けられていることを特徴とする。
不揮発性磁気メモリ装置における磁気抵抗素子を構成する記録層であって、
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、二等辺三角形疑似形状であり、
(C)二等辺三角形疑似形状の斜辺は、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略平行であり、
(E)磁化困難軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略直交しており、且つ、
(F)各辺は、相互に滑らかに結ばれている、
ところの記録層を形成するために、リソグラフィ工程において使用されるフォトマスクであって、
第1形状と第2形状とから成り、
第1形状と第2形状とが、第1形状から第2形状が1箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第2形状は、第2形状軸線上に位置しており、
第2形状軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、第2形状軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、磁化容易軸と略平行である第1形状軸線に沿った長さが2Lp-1L、第1形状の中心点を通り、第1形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-1S[但し、Lp-1S<Lp-1L]である正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、且つ、
第2形状は、磁化困難軸と略平行である第2形状軸線に沿った第2形状の先端部から第1形状の中心点までの距離がLp-2L[但し、Lp-1S<Lp-2L<Lp-1L]、第1形状の中心点を通り、第2形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-2S[但し、Lp-2S<Lp-1L]である正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、
ところのパターンが設けられていることを特徴とする。
(a)仮想菱形の辺TL1に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点A0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL1に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をA1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をAD5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL2に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点B0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL2に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をB1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をBC5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL3に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点C0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL3に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をC1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をCD2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をBC5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL4に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点D0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL4に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をD1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をCD2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をAD5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
先ず、選択用トランジスタTRとして機能するMOS型FETをシリコン半導体基板から成る半導体基板10に形成する。そのために、例えばトレンチ構造を有する素子分離領域11を公知の方法に基づき形成する。尚、素子分離領域は、LOCOS構造を有していてもよいし、LOCOS構造とトレンチ構造の組合せとしてもよい。その後、半導体基板10の表面を例えばパイロジェニック法により酸化し、ゲート絶縁膜13を形成する。次いで、不純物がドーピングされたポリシリコン層をCVD法にて全面に形成した後、ポリシリコン層をパターニングし、ゲート電極12を形成する。尚、ゲート電極12をポリシリコン層から構成する代わりに、ポリサイドや金属シリサイドから構成することもできる。次に、半導体基板10にイオン注入を行い、LDD構造(図示せず)を形成する。その後、全面にCVD法にてSiO2層を形成した後、このSiO2層をエッチバックすることによって、ゲート電極12の側面にゲートサイドウオール(図示せず)を形成する。次いで、半導体基板10にイオン注入を施した後、イオン注入された不純物の活性化アニール処理を行うことによって、ソース/ドレイン領域14A,14Bを形成する。
次いで、全面にSiO2から成る層間絶縁層の下層をCVD法にて形成した後、化学的/機械的研磨法(CMP法)にて層間絶縁層の下層を研磨する。その後、ソース/ドレイン領域14Aの上方の層間絶縁層の下層にリソグラフィ技術及びRIE法に基づき開口部を形成し、次いで、開口部内を含む層間絶縁層の下層上に、不純物がドーピングされたポリシリコン層をCVD法にて形成する。次いで、層間絶縁層の下層上のポリシリコン層をパターニングすることで、層間絶縁層の下層上にセンス線16を形成することができる。センス線16とソース/ドレイン領域14Aとは、層間絶縁層の下層に形成されたコンタクトホール15を介して接続されている。その後、BPSGから成る層間絶縁層の上層をCVD法にて全面に形成する。尚、BPSGから成る層間絶縁層の上層の形成後、窒素ガス雰囲気中で例えば900゜C×20分間、層間絶縁層の上層をリフローさせることが好ましい。更には、必要に応じて、例えばCMP法にて層間絶縁層の上層の頂面を化学的及び機械的に研磨し、層間絶縁層の上層を平坦化したり、レジストエッチバック法によって層間絶縁層の上層を平坦化することが望ましい。尚、層間絶縁層の下層と層間絶縁層の上層を纏めて、以下、単に、層間絶縁層21と呼ぶ。
その後、ソース/ドレイン領域14Bの上方の層間絶縁層21に開口部をRIE法にて形成した後、選択用トランジスタTRのソース/ドレイン領域14Bに接続された接続孔22を開口部内に形成する。接続孔22の頂面は層間絶縁層21の表面と略同じ平面に存在している。ブランケットタングステンCVD法にて開口部をタングステンで埋め込み、接続孔22を形成することができる。尚、タングステンにて開口部を埋め込む前に、Ti層及びTiN層を順に例えばマグネトロンスパッタリング法にて開口部内を含む層間絶縁層21の上に形成することが好ましい。ここで、Ti層及びTiN層を形成する理由は、オーミックな低コンタクト抵抗を得ること、ブランケットタングステンCVD法における半導体基板10の損傷発生の防止、タングステンの密着性向上のためである。図面においては、Ti層及びTiN層の図示は省略している。層間絶縁層21上のタングステン層、TiN層、Ti層は、化学的/機械的研磨法(CMP法)にて除去してもよい。また、タングステンの代わりに、不純物がドーピングされたポリシリコンを用いることもできる。その後、層間絶縁層21上に、書込みワード線RWL及びランディングパッド部23を周知の方法で形成する。
その後、全面に下層層間絶縁層24を形成する。具体的には、書込みワード線RWL及びランディングパッド部23を含む層間絶縁層21上に、HDP(High Density Plasma)CVD法に基づき、SiO2から成る下層層間絶縁層24を成膜し、次いで、下層層間絶縁層24の平坦化処理を行う。その後、ランディングパッド部23の上方の下層層間絶縁層24の部分に開口部を設け、係る開口部に、ブランケットタングステンCVD法にて開口部をタングステンで埋め込み、接続孔25を形成することができる。
次に、下層層間絶縁層24上に、引き出し電極37を形成するために、厚さ10nmのTa層37Aをスパッタリング法にて形成する。Ta層37Aの成膜条件を、以下の表1に例示する。
その後、全面に、第1の強磁性体層31(厚さ20nmのPt−Mn合金から成る反強磁性体層32、及び、SAFを有し、下から、Co−Fe層、Ru層、Co−Fe層の3層構造を有する磁化固定層33)、AlOXから成るトンネル絶縁膜34、記録層(第2の強磁性体層)35、トップコート膜36を順次、成膜する。これらの各層の成膜条件を、以下の表2〜表6に例示する。こうして、図7の(A)に示す構造を得ることができる。
プロセスガス :アルゴン=100sccm
成膜雰囲気圧力:0.6Pa
DCパワー :200W
プロセスガス :アルゴン=100sccm
成膜雰囲気圧力:0.6Pa
DCパワー :200W
最下層:厚さ2nmのCo−Fe合金層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :100W
中間層:厚さ1nmのRu層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :50W
最上層:厚さ2nmのCo−Fe合金層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :100W
厚さ1nm〜2nmのAl膜の成膜
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :50W
Al膜の酸化
使用ガス :酸素=10sccm
酸化雰囲気の圧力:0.3Pa
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :200W
プロセスガス :アルゴン=65sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :10kW
その後、トップコート膜36上にエッチング用のハードマスク層を形成する。このハードマスク層は、下からSiN層40、SiO2層41の2層構造を有する。尚、ハードマスク層を構成するその他の材料として、SiC、SiONを挙げることができる。ハードマスク層は単層構成であってもよい。ハードマスク層は、リソグラフィ工程における反射防止効果や、エッチングストップ、メタル拡散防止等の機能を兼ねて形成される場合もある。ここでは例として、厚さ50nmのSiN層40を平行平板電力プラズマCVD装置を用いて成膜し、SiO2層41をバイアス高密度プラズマCVD(HDP−CVD)装置を用いて成膜する。これらの成膜条件を、以下の表7及び表8に例示する。
プロセスガス:モノシラン/アンモニア/N2=260sccm/100sccm/4000sccm
圧力 :565Pa
プロセスガス:モノシラン/O2/アルゴン=60sccm/120sccm/130sccm
RFパワー
トップ :1.5kW
サイド :3kW
次いで、全面にレジスト材料を塗布した後、リソグラフィ技術によって、ハードマスク層上に、トンネル磁気抵抗素子を形成するためのマスクとなるレジスト膜42を形成する。こうして、図7の(B)に示す構造を得ることができる。
そして、このレジスト膜42をマスクとして用いた反応性イオンエッチング法によって、ハードマスク層を構成するSiO2層41をパターニングする。このときのエッチング条件を、以下の表9に例示する。その後、レジスト膜42を、酸素プラズマアッシング処理及び有機洗浄後処理によって除去する。次に、SiO2層41をマスクとして用いて、反応性イオンエッチング法によって、ハードマスク層を構成するSiN層40をエッチングする。このときのエッチング条件を、以下の表10に例示する。こうして、図7の(C)に示す構造を得ることができる。
使用ガス :C4F8/CO/Ar/O2=10sccm/50sccm/200sccm/4sccm
RFパワー:1kW
圧力 :5Pa
温度 :20゜C
使用ガス :CHF3/Ar/O2=20sccm/200sccm/20sccm
RFパワー:1kW
圧力 :6Pa
温度 :20゜C
次に、ハードマスク層41,40をマスクとして用いて、トップコート膜36及び記録層35を反応性イオンエッチング法によってパターニングする(図8の(A)及び(B)参照)。これらのエッチング条件を、以下の表11及び表12に例示する。
使用ガス :Cl2/BCl3/N2=60sccm/80sccm/10sccm
ソースパワー :1kW
バイアスパワー:150W
圧力 :1Pa
使用ガス :Cl2/O2/Ar=50sccm/20sccm/20sccm
ソースパワー :1kW
バイアスパワー:150W
圧力 :1Pa
LL =595nm
LS =280nm
Li-L=905nm
Li-S=320nm
rL =145nm
rS =480nm
DMAX= 18nm
X1 =360nm
(a)仮想二等辺三角形の斜辺TL1に接する2点の内、2つの斜辺TL1,TL2の交点ABに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点A0(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺TL1に接する2点の内、斜辺TL1と底辺TL3との交点ACに最も近い所に位置する点をA1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺TL3の垂直二等分線との交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺IBとの交点をA5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想二等辺三角形の斜辺TL2に接する2点の内、2つの斜辺TL1,TL2の交点ABに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点B0(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺TL2に接する2点の内、斜辺TL2と底辺TL3との交点BCに最も近い所に位置する点をB1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺TL3の垂直二等分線との交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺IBとの交点をB5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
LB=LL=625nm
H =LS=415nm
Li-B=840nm
Hi =420nm
rL =175nm
rS =380nm
DMAX= 23nm
X1 =390nm
HAVE(Oe) σ(Oe) σ/HAVE
実施例1 52.5 2.4 4.6%
実施例2 49.8 3.8 7.6%
比較例−1 30.3 3.5 11.6%
比較例−2 37.6 4.8 12.8%
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、菱形疑似形状であり、
(C)菱形疑似形状を構成する4つの辺SRmのそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸(EA)は、菱形疑似形状の長軸LXと略平行であり、
(E)磁化困難軸(HA)は、菱形疑似形状の短軸SXと略平行であり、且つ、
(F)各辺SRmは、相互に滑らかに結ばれている。
2Lp-1L=1200nm
2Lp-1S= 250nm
2Lp-2L= 460nm
2Lp-2S= 460nm
2Lp-1L=1200nm
2Lp-1S= 250nm
2Lp-2L= 460nm
2Lp-2S= 460nm
2Lp-3L= 600nm
2Lp-3S= 200nm
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、二等辺三角形疑似形状であり、
(C)二等辺三角形疑似形状の斜辺SR1,SR2のそれぞれは、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸(EA)は、二等辺三角形疑似形状の底辺SR3と略平行であり、
(E)磁化困難軸(HA)は、二等辺三角形疑似形状の底辺SR3と略直交しており、且つ、
(F)各辺SRnは、相互に滑らかに結ばれている。
2Lp-1L=1200nm
2Lp-1S= 300nm
Lp-2L= 310nm
2Lp-2S= 460nm
2Lp-1L=1200nm
2Lp-1S= 300nm
Lp-2L= 310nm
2Lp-2S= 460nm
Lp-3L= 450nm
2Lp-3S= 200nm
Claims (29)
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、菱形疑似形状から成り、
菱形疑似形状を構成する4つの辺の内の少なくとも2つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
記録層の磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 中央部が湾曲した滑らかな曲線から構成された辺のそれぞれには、少なくとも2つの変曲点が存在することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 菱形疑似形状の長軸によって菱形疑似形状を2つの領域に分割したとき、中央部が湾曲した滑らかな曲線から構成された2つの辺は、一方の領域に属することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 4つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成ることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 記録層の平面形状は、菱形疑似形状の短軸に関して略線対称であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 記録層の平面形状は、菱形疑似形状の長軸に関して略線対称であることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、4つの辺から構成されており、
4つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
長軸、及び、長軸の二等分点で長軸と直交する短軸を有し、長軸が記録層の磁化容易軸と略平行であり、短軸が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想菱形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想菱形の対応する辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状を構成する滑らかな曲線から構成された各辺において、
(a)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の短軸に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の長軸に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想菱形における長軸と短軸の交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有することを特徴とする請求項7に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、仮想菱形の短軸に関して略線対称であることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 記録層の平面形状において、4つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
記録層の平面形状は、仮想菱形の短軸に関して略線対称であり、且つ、仮想菱形の長軸に関しても略線対称であることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から相対して突出した2つの突出部から構成されており、
2つの突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った2つの突出部の先端部間の距離を2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、突出部軸線に関して略線対称であり、且つ、第1形状軸線に関して略線対称であることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の長さを2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、第2形状軸線に関して略線対称であり、且つ、第1形状軸線に関して略線対称であることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、二等辺三角形疑似形状から成り、
二等辺三角形疑似形状の斜辺は、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
二等辺三角形疑似形状の仮想底辺の長さは、二等辺三角形疑似形状の仮想高さよりも長く、
記録層の磁化容易軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略直交しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 二等辺三角形疑似形状の斜辺には、少なくとも2つの変曲点が存在することを特徴とする請求項15に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 記録層の平面形状は、二等辺三角形疑似形状の仮想底辺の垂直二等分線に関して略線対称であることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、3つの辺から構成されており、
3つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
仮想底辺の長さが2Li-Bであり、仮想高さがHi[但し、Hi<Li-B]であり、底辺が記録層の磁化容易軸と略平行であり、底辺に対する垂線が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想二等辺三角形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想二等辺三角形の対応する斜辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状を構成する滑らかな曲線から構成された各辺において、
(a)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、2つの斜辺の交点に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、斜辺と底辺との交点に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線と底辺との交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有することを特徴とする請求項18に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線に関して略線対称であることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から突出した1つの突出部から構成されており、
突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った突出部の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、突出部軸線に関して略線対称であることを特徴とする請求項21に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 強磁性体材料から成り、磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する記録層を有する磁気抵抗素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
記録層の平面形状は、第1形状と第2形状とが、第1形状から第2形状が1箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第2形状は、第2形状軸線上に位置しており、
第2形状軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、第2形状軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されていることを特徴とする不揮発性磁気メモリ装置。 - 記録層の平面形状は、第2形状軸線に関して略線対称であることを特徴とする請求項23に記載の不揮発性磁気メモリ装置。
- 磁気抵抗素子は、下から、第1の強磁性体層、トンネル絶縁膜、第2の強磁性体層の積層構造を有するトンネル磁気抵抗素子から成り、
記録層は第2の強磁性体層を構成することを特徴とする請求項1乃至請求項24のいずれか1項に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 第1の強磁性体層の下方には、下層層間絶縁層を介して形成され、第1の方向に延び、導電体層から成り、第1の強磁性体層とは電気的に絶縁された第1の配線が設けられており、
第2の強磁性体層の上方には、上層層間絶縁層を介して形成され、第1の方向とは異なる第2の方向に延び、導電体層から成り、第2の強磁性体層と電気的に接続され、若しくは、第2の強磁性体層とは電気的に絶縁された第2の配線が設けられていることを特徴とする請求項25に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 第1の配線の下方に、層間絶縁層を介して設けられた電界効果型トランジスタから成る選択用トランジスタを更に有し、
第1の強磁性体層は、選択用トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項26に記載の不揮発性磁気メモリ装置。 - 不揮発性磁気メモリ装置における磁気抵抗素子を構成する記録層であって、
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、菱形疑似形状であり、
(C)菱形疑似形状を構成する辺は、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、
(E)磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、且つ、
(F)各辺は、相互に滑らかに結ばれている、
ところの記録層を形成するために、リソグラフィ工程において使用されるフォトマスクであって、
第1形状と第2形状とから成り、
第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、
第1形状は、磁化容易軸と略平行である第1形状軸線に沿った長さが2Lp-1L、第1形状の中心点を通り、第1形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-1S[但し、Lp-1S<Lp-1L]である正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、且つ、
第2形状は、磁化困難軸と略平行である第2形状軸線に沿った長さが2Lp-2L[但し、Lp-1S<Lp-2L<Lp-1L]、第2形状の中心点を通り、第2形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-2S[但し、Lp-2S<Lp-1L]である正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、
ところのパターンが設けられていることを特徴とするフォトマスク。 - 不揮発性磁気メモリ装置における磁気抵抗素子を構成する記録層であって、
(A)磁化反転状態に依存して抵抗値が変化することで情報を記憶する強磁性体材料から成り、
(B)平面形状は、二等辺三角形疑似形状であり、
(C)二等辺三角形疑似形状の斜辺は、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
(D)磁化容易軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略平行であり、
(E)磁化困難軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略直交しており、且つ、
(F)各辺は、相互に滑らかに結ばれている、
ところの記録層を形成するために、リソグラフィ工程において使用されるフォトマスクであって、
第1形状と第2形状とから成り、
第1形状と第2形状とが、第1形状から第2形状が1箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第2形状は、第2形状軸線上に位置しており、
第2形状軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、第2形状軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、磁化容易軸と略平行である第1形状軸線に沿った長さが2Lp-1L、第1形状の中心点を通り、第1形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-1S[但し、Lp-1S<Lp-1L]である正多角形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、且つ、
第2形状は、磁化困難軸と略平行である第2形状軸線に沿った第2形状の先端部から第1形状の中心点までの距離がLp-2L[但し、Lp-1S<Lp-2L<Lp-1L]、第1形状の中心点を通り、第2形状軸線に垂直な方向の長さが2Lp-2S[但し、Lp-2S<Lp-1L]である正多角形、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成る、
ところのパターンが設けられていることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004172122A JP4337641B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク |
US11/148,397 US7521743B2 (en) | 2004-06-10 | 2005-06-08 | Nonvolatile magnetic memory device and photomask |
KR1020050049133A KR101146014B1 (ko) | 2004-06-10 | 2005-06-09 | 불휘발성 자기 메모리 장치 및 포토마스크 |
US12/139,917 US7816719B2 (en) | 2004-06-10 | 2008-06-16 | Nonvolatile magnetic memory device and photomask |
US12/139,923 US7781816B2 (en) | 2004-06-10 | 2008-06-16 | Nonvolatile magnetic memory device and photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004172122A JP4337641B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009120580A Division JP4678447B2 (ja) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | 不揮発性磁気メモリ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353788A true JP2005353788A (ja) | 2005-12-22 |
JP4337641B2 JP4337641B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=35460347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004172122A Expired - Fee Related JP4337641B2 (ja) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 不揮発性磁気メモリ装置及びフォトマスク |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7521743B2 (ja) |
JP (1) | JP4337641B2 (ja) |
KR (1) | KR101146014B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135292A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US7355884B2 (en) | 2004-10-08 | 2008-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element |
JP2009212323A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sony Corp | 不揮発性磁気メモリ装置 |
US7599156B2 (en) | 2004-10-08 | 2009-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element having specially shaped ferromagnetic layer |
JP2018508983A (ja) * | 2015-01-14 | 2018-03-29 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 磁気メモリスロット |
JP2019087688A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3684225B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
JP2006332527A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Renesas Technology Corp | 磁気記憶素子 |
JP2007027415A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
US20090128966A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-05-21 | Krishnakumar Mani | Magnetic memory cell based on a magnetic tunnel junction(mtj) with low switching field shapes |
JP2009252878A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 磁気記憶装置 |
US7939188B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-05-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack design |
US9501495B2 (en) * | 2010-04-22 | 2016-11-22 | Apple Inc. | Location metadata in a media file |
US8541247B2 (en) | 2010-12-20 | 2013-09-24 | Seagate Technology Llc | Non-volatile memory cell with lateral pinning |
WO2014209402A1 (en) * | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Intel Corporation | Magnetic element for memory and logic |
KR102401180B1 (ko) | 2015-10-20 | 2022-05-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
CN112820821A (zh) * | 2019-11-15 | 2021-05-18 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7095646B2 (en) | 2002-07-17 | 2006-08-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density |
JP3684225B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
JP2005064075A (ja) | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
JP4074281B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2006114762A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
-
2004
- 2004-06-10 JP JP2004172122A patent/JP4337641B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-08 US US11/148,397 patent/US7521743B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-09 KR KR1020050049133A patent/KR101146014B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-06-16 US US12/139,923 patent/US7781816B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-16 US US12/139,917 patent/US7816719B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135292A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
US7355884B2 (en) | 2004-10-08 | 2008-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element |
US7518907B2 (en) | 2004-10-08 | 2009-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element |
US7599156B2 (en) | 2004-10-08 | 2009-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element having specially shaped ferromagnetic layer |
US8009465B2 (en) | 2004-10-08 | 2011-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element |
JP2009212323A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Sony Corp | 不揮発性磁気メモリ装置 |
US7933145B2 (en) | 2008-03-05 | 2011-04-26 | Sony Corporation | Nonvolatile magnetic memory device |
CN101527166B (zh) * | 2008-03-05 | 2012-06-13 | 索尼株式会社 | 非易失性磁存储装置 |
JP2018508983A (ja) * | 2015-01-14 | 2018-03-29 | セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク | 磁気メモリスロット |
JP2019087688A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080253175A1 (en) | 2008-10-16 |
KR20060048287A (ko) | 2006-05-18 |
US20080253176A1 (en) | 2008-10-16 |
US20050276090A1 (en) | 2005-12-15 |
US7781816B2 (en) | 2010-08-24 |
JP4337641B2 (ja) | 2009-09-30 |
US7521743B2 (en) | 2009-04-21 |
US7816719B2 (en) | 2010-10-19 |
KR101146014B1 (ko) | 2012-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101146014B1 (ko) | 불휘발성 자기 메모리 장치 및 포토마스크 | |
JP4835614B2 (ja) | 不揮発性磁気メモリ装置 | |
US8542526B2 (en) | Magnetic random access memory (MRAM) manufacturing process for a small magnetic tunnel junction (MTJ) design with a low programming current requirement | |
JP4458703B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 | |
JP5417367B2 (ja) | 磁気メモリの製造方法 | |
JP2017112358A (ja) | 下部固定sot−mramビット構造及び製造の方法 | |
JP2011054873A (ja) | 不揮発性メモリ素子の製造方法 | |
JPWO2006092849A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 | |
JP5652472B2 (ja) | 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法 | |
JP2007305882A (ja) | 記憶素子及びメモリ | |
JP3993522B2 (ja) | 磁気記憶装置の製造方法 | |
JP2004214459A (ja) | 不揮発性磁気メモリ装置及びその製造方法 | |
US6958503B2 (en) | Nonvolatile magnetic memory device | |
JP4678144B2 (ja) | フォトマスク | |
JP2008282940A (ja) | 磁気記憶装置の製造方法 | |
JP2010016148A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP2009290050A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP5277629B2 (ja) | 磁気抵抗効果を有するメモリ素子及びその製造方法、並びに、不揮発性磁気メモリ装置 | |
JP2008021816A (ja) | 不揮発性磁気記憶装置の製造方法 | |
JP4678447B2 (ja) | 不揮発性磁気メモリ装置 | |
JP2006179701A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP2004055918A (ja) | 磁気記憶装置及びその製造方法 | |
JP2006059869A (ja) | トグルモード書込型不揮発性磁気メモリ装置 | |
JP4516004B2 (ja) | 磁気記憶装置の製造方法 | |
JP2004193579A (ja) | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090622 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |