JP2005347591A - スタンダードセル、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置および半導体集積回路装置のレイアウト設計方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スタンダードセル内のダイナミックノードと同じ階層の配線層からなるスタンダードセル間配線が、ダイナミックノードに隣接して配線されることによって生じる、ダイナミックノードの電位反転を防止する。
【解決手段】スタンダードセル内のダイナミックノード１０１に隣接して、同層の配線層からなるシールド配線１０２ａ，１０２ｂを設け、ダイナミックノードに隣接してスタンダードセル間配線が通らないようにする。シールド配線の代わりに、シールド領域または配線禁止領域を設けることもできる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、スタンダードセル、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置および半導体集積回路装置のレイアウト設計方法に関する。

大規模ＬＳＩを設計する手法として、スタンダードセル方式がある。スタンダードセル 方式では、複数種類の標準セル（スタンダードセル）と呼ばれる小規模の回路を予め用意し、これらを組み合わせて所望の回路を構成する。スタンダードセル方式のＬＳＩのレイアウト設計では、ソフトウェアツールを用いた自動配置配線が行われる。自動配置配線方式のレイアウト設計では、スタンダードセルを半導体基板上に配置し、仕様に応じてスタンダードセル間の配線を行い、機能が異なるさまざまな回路を短時間で構成する。

従来の自動配置配線によるＬＳＩでは、下層にスタンダードセル内の配線に用いる配線層があり、その上層に、スタンダードセル間の配線に用いる配線層が設けられている。そして、自動配置配線による設計時においては、レイアウト面積が最小となるようにスタンダードセルを配置したあと、その上層の配線層を用いてスタンダードセルを接続している。なお、高速化、小面積化などの目的で、スタティック回路ではなく、プリチャージ動作を伴うダイナミック回路を用いるスタンダードセルがある（例えば、特許文献１参照）。

図５は、ダイナミック回路の一例としての２入力ＡＮＤ回路の構成を示す回路図である。図５において、Ａ、Ｂが入力信号であり、ＣＬＫがクロック信号、Ｑが出力信号である。また、参照符号４０１（図中、太線で示される）はダイナミックノードである。ダイナミックノードは、通常の回路動作中において、その電位が、一時的にフローティング状態になり、他の配線の電位変動の影響を受けやすいノードである。

クロック信号ＣＬＫがローレベルの時、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）がオン状態となり、ダイナミックノード４０１はハイレベルになる、これをプリチャージと呼ぶ。このとき出力信号Ｑはローレベルとなる。クロック信号がハイレベルに変化すると、入力信号Ａ、Ｂの状態によって、次のように変化する。

まず、入力信号Ａ、Ｂがともにハイレベルの時は、クロック信号ＣＬＫが与えられるＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ３）、入力信号Ａ、Ｂが与えられるＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１，Ｎ２）が全てオン状態になる。ダイナミックノード４０１は、ローレベルに変化する。よって、出力信号Ｑはハイレベルに変化する。また、入力信号Ａ、Ｂの少なくとも一方がハイレベルのときは、ダイナミックノード４０１はハイレベルのまま維持される。

このようなプリチャージを用いたダイナミック回路を用いると、回路の高速化を図ることができるが、次の問題がある。すなわち、回路内部のダイナミックノードとその近傍の配線間に容量結合があると、回路動作中の配線の電位変動によってダイナミックノードが影響を受けて電位が変化し、回路の動作マージンの低下、ひいては誤動作を引き起こすことがある。

このため、ダイナミックノードの上を電源配線で覆い、その上をスタンダードセル間配線が引けるようにしているものがある（例えば、特許文献１参照）。この方法により、ダイナミックノードと上層配線の間にシールドが設けられるので、ダイナミックノードは上層配線の信号変化による影響を受けなくなる。また、ダイナミックノードの上に配線禁止領域を設け、この禁止領域と重ならないように、上層配線の自動配線を行うようにしているものもある（例えば、特許文献２参照）。この方法により、ダイナミックノードと上層配線の間の結合容量を除去することができる。
特開平２−１２１３４９号公報（特許第２８３４１５６号） 特開平５−１５２２９０号公報

従来であれば、特許文献１、２のように、スタンダードセル内の配線に用いられている配線層とその上層の容量結合のみを除去していればよかった。なぜなら、スタンダードセル自体は容量結合の影響を加味して構築されているため、スタンダードセル内の配線については問題がなく、自動配置配線の結果として、セル間配線が引かれるのはスタンダードセル内配線の上層のみであり、その影響のみを防止すれば良かったからである。

しかし、近年、回路面積を削減するため、スタンダードセル内の配線と、スタンダードセル間の配線を両方行うことが可能な配線層を設ける回路がでてきた。この回路は、３層以上の配線構造を利用して形成される。すなわち、スタンダードセル内の配線に用いる配線層があり、その上層に、「スタンダードセル内の配線」と「スタンダードセル間の配線」の双方に用いる配線層があり、その上層に、スタンダードセル間の配線に用いる配線層が設けられる構成となっている。

さらに、近年、スタンダードセルプロセスの微細化に伴って、ある配線層とその上層（または下層）の間の結合容量（オーバラップ容量という）よりも、同じ階層の配線層における、隣接して配置される配線間の結合容量（サイドカップリング容量という）の影響の方が大きくなってきている。

このような状況下にあって、スタンダードセル内の配線と、スタンダードセル間の配線を両方行う配線層を設けた場合、自動配置配線の結果、ダイナミックノードに隣接してスタンダードセル間の配線がされることがある。この場合、ダイナミックノードと隣接するスタンダードセル間配線との間にサイドカップリング容量が発生し、スタンダードセル間の配線の電位変動がサイドカップリング容量を介してダイナミックノードに伝わり、ダイナミックノードの電位が反転してしまう（すなわち、回路の誤動作が引き起こされる）可能性がある。

本発明は、上述した課題を解決するものであり、ダイナミック回路のダイナミックノードのような、他の配線の電位変動の影響を受けやすいノードが含まれる回路をスタンダードセルを用いた自動配置配線方式により設計する場合でも、ダイナミックノードの電位が不安定化するのを防ぎ、回路の誤動作を確実に防止することを目的とする。

本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された、他の配線の電位変動の影響を受けやすい所定ノードと、前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するための禁止手段とを有する。

他の配線の電位変動の影響を受けやすい所定ノードの電位の安定化を図る点にも配慮して設計された、新規なスタンダードセルである。したがって、自動配置配線を行っても、所定ノードの近傍に、スタンダードセル間を結ぶ配線が配設されることがなくなり、回路の誤動作が確実に防止される。

本発明のスタンダードセルの一態様では、前記禁止手段は、前記所定階層の配線層により形成された、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド配線、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド領域または前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域である。所定ノードの近傍に、スタンダードセル間を結ぶ配線が配設されるのを禁止するために、シールド配線、シールド領域あるいは配線禁止領域のいずれかを、スタンダードセルに設けるものである。

本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記所定階層の配線により形成された、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド配線は、電源電位および接地電位に接続される。シールド配線を電源ラインまたは接地ラインに接続して電位を固定するものである。これにより交流ノイズを吸収でき、所定ノードの電位が安定化される。

また、本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記所定階層の配線からなる電位が変化しないシールド領域は、スタンダードセルのほぼ全面に形成される。シールド領域を、スタンダードセルのほぼ全面を覆うように設けることで、所定ノードの近傍に、スタンダードセル間を結ぶ配線が配設される可能性がなくなり、また、シールド効果が高まって、所定ノードの電位が安定化される。

また、本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域は、前記所定ノードの位置を中心としてその周囲に、所定の面積をもって設置される。スタンダードセル内の配線ルールにより、所定ノードの周囲に配線禁止領域を設け、スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設されるのを禁止するものである。

また、本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記所定ノードは、動作中において一時的に、電位がフローティング状態になる、ダイナミック回路のダイナミックノードである。ダイナミック回路のダイナミックノードは、プリチャージにより蓄積された電荷によってハイレベルを維持するため、電位が不安定になりやすい。したがって、サイドカップリングによる他の配線の電位変動の影響を受けないようにして、回路の誤動作を確実に防止する。

本発明のスタンダードセル方式の半導体集積回路装置は、本発明のスタンダードセルを用い、自動配置配線方式によりレイアウト設計された、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置である。電位が不安定化しやすい所定ノードの保護が図られているため、回路の誤動作が発生せず、信頼性の高い半導体集積回路装置である。

本発明の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法では、自動配置配線方式により、本発明のスタンダードセルを半導体チップ上に自動的に配置し、かつ、スタンダードセル間を結ぶ配線を、前記特定ノードまたは前記ダイナミックノードの近傍を避けて自動的に配設する。スタンダードセル自体が、所定ノードの電位を安定化させる点に配慮して設計されているため、スタンダードセル間を結ぶ配線を、特定ノードまたはダイナミックノードの近傍を避けて自動的に配設することができる。よって、回路の誤動作が発生しない。

本発明によれば、スタンダードセル内の所定ノード（ダイナミックノード等）の近傍にスタンダードセル間を結ぶ配線が通らなくなるため、スタンダードセル間を結ぶ配線との結合容量（サイドカップリング容量）を除去することができる。したがって、所定ノード（ダイナミックノード等）が、スタンダードセル間を結ぶ配線の電圧変動の影響を受けなくなる。よって、所定ノード（ダイナミックノード等）の電位の反転を防止することができ、回路の誤動作が確実に防止される。

同一階層の配線を、セル内およびセル間の配線の双方として使用できるという条件の下で、スタンダードセルを用い、自動配置配線方式によってダイナミック回路を構成するような場合でも、スタンダードセル自体が所定ノードの電位を安定化させる点に配慮して設計されているため、サイドカップリング容量に起因するダイナミックノードの電位反転の問題を、簡単な構成により、効果的に解消することができる。また、シールド配線やシールド領域を設けることにより、交流ノイズを吸収でき、したがって、所定ノード（ダイナミックノード等）を電磁ノイズ等から保護できるという効果も得ることができる。

（第１の実施形態）
図１は、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の一例を示すレイアウト図である。図２は、図１のレイアウト図により示されるダイナミック２入力ＡＮＤ回路を構成するトランジスタの配置と、各トランジスタ間を接続する配線およびその階層を示す回路図である。図１と図２は等価であり、図２は、図１のレイアウト図の内容の理解を容易とするために用意されている。

図１および図２に示される回路は、先に説明した、図５に示されるダイナミック２入力ＡＮＤ回路と同じである。但し、図１および図２では、ダイナミックノード（１０１）の電位の不安定化を防止するために、そのダイナミックノード（１０１）の左右に、接地電位に固定されたシールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）が形成される（この点は、後述する）。

本実施形態における配線レイアウトの条件は、以下のとおりである。すなわち、スタンダードセル内の配線に用いられる配線層として、ポリシリコン層と、第１層のメタル配線層と、第２層のメタル配線層が使用される。また、スタンダードセル間を結ぶ配線層として、第２層のメタル配線層および上層の配線層（第３層配線：図１では不図示）が用いられる。また、自動配置配線時には、図１のスタンダードセルを含む複数のスタンダードセルを配置し、その後にセル間を配線する。上記のとおり、セル間の配線には第２層のメタル配線層、および上層の配線層（第３層配線：図１では不図示）を用いる。第２層のメタル配線層は、「スタンダードセル内配線」と「スタンダードセル間配線」の双方に用いられる。なお、本実施形態で使用されるスタンダードセルは、ＣＭＯＳ（ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタを相補的に組み合わせて構成される相補型トランジスタ）技術を用いて作成される。

図１に示される、素子および配線のレイアウト構成について説明する。図示されるように、スタンダードセルの上下に、互いに平行に、ＶＤＤ配線（１０３）と、ＶＳＳ配線（１０４）が敷設されている。また、ＰＭＯＳトランジスタのソース，ドレインを構成するＰ型拡散層１００ａ，１００ｂと、ＮＭＯＳトランジスタのソース，ドレインを構成するＮ型拡散層１１０ａ，１１０ｂと、が設けられている。また、ＭＯＳトランジスタのゲート（およびゲート間を接続するための配線）となる、ポリシリコン層Ｇ１〜Ｇ５が、縦方向に設けられている。Ｇ１は、クロック（ＣＬＫ）が入力されるゲートであり、Ｇ４，Ｇ３が各々、信号Ａ，Ｂが入力されるゲートである。

また、第１層メタル配線層Ｌ１〜Ｌ７が設けられている。さらに、第２層メタル配線層（１０１，１０２ａ，１０２Ｂｂ）が設けられている。ここで、第２層メタル配線層１０１が、ダイナミックノード（図５において、太線で示される部分）を構成する。第２層メタル配線層１０２ａ，１０２ｂはＶＳＳ電位（低レベル側電源電位）に接続された、シールド配線である。この第２層メタル配線層１０２ａ，１０２ｂは、自動配置配線時に、ダイナミックノード（第２層メタル配線層）１０１の近傍にスタンダードセル間配線が配設されてしまうのを禁止するための手段として機能する、

次に、図２に示される、等価回路図について説明する。図２では、理解を用意にするために、ポリシリコン層は太い実線で示し、第１層メタル配線層は、斜線を施した太線で示し、第２層メタル配線層は太い点線で示し、また、ＶＤＤ配線１０３およびＶＳＳ配線１０４は、通常の太さの実線で示している。各トランジスタに付された参照符号（Ｐ１〜Ｐ３，Ｎ１〜Ｎ４）は、図５の回路図に対応している。

図中、縦方向にダイナミックノード１０１が縦方向に敷設され、かつ、そのダイナミックノード１０１の左右において、ダイナミックノード１０１に近接して、ＶＳＳに電位が固定されたシールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）が敷設されている。シールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）は、図５のダイナミック２入力ＡＮＤ回路を構築するのに必須の構成要素ではないが、本実施形態では、自動配置配線時に、ダイナミックノード（第２層メタル配線層）１０１の近傍にスタンダードセル間配線が配設されるのを禁止するために設けられている。シールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）は、ダイナミックノード１０１（第２層メタル配線層）と同じ階層の配線層（すなわち、第２層メタル配線層）により、構成されている。シールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）は電磁遮蔽効果を高めるという働きもある。

次に、シールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）について、具体的に説明する。上記のとおり、図１，図２のスタンダードセルでは、ダイナミックノード１０１に隣接する位置において、シールド配線１０２ａ，１０２ｂが引かれている。このシールド配線１０２は、ＶＳＳ電位に接続され、電位が変動しないようになっている。ダイナミックノード１０１とシールド配線１０２ａ，１０２ｂの配線間隔は、この２本の配線の間に、スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設できない程度に、十分小さな距離であればよい。シールド配線１０２ａ，１０２ｂは、ＶＳＳ電位ではなく、ＶＤＤ電位に接続してもよい。

また、スタンダードセル内に、ダイナミックノード１０１と同時に変化しない信号、例えば、テスト用のモード切り替え信号などがある場合は、このような信号をシールド配線として用いてもよい。また、図１，図２の例では、シールド配線を２本設け、かつ、双方ともＶＳＳ電位につながっているが、片方がＶＤＤ、もう片方がＶＳＳにつながっている構成でも同様の効果が得られる。また、片方のシールド配線として、テスト用のモード切り替え信号など、ダイナミックノードと同時に変化しない信号の信号線を用い、もう片方を、ＶＤＤまたはＶＳＳにつなぐ場合も同様の効果が得られる。重要なのはダイナミックノードの動作中に、シールド配線の電位が変化しないことである。

また、図１，図２の例では、ダイナミックノード１０１の両側にシールド配線（１０２ａ，１０２ｂ）を引いているが、例えば、スタンダードセル内のダイナミックノード１０１以外の配線が、ダイナミックノード１０１と同じ配線層に、ダイナミックノード１０１と隣接して通っている場合、ダイナミックノード１０１の片側にのみ、隣接したシールド配線を設けることで、同様の効果を得ることも可能である。

次に、図６に示される比較例を参照して、シールド配線の効果について説明する。図６は、比較例（セル内にシールド配線を設けない例）における、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が形成されたスタンダードセルのレイアウト構成を示すレイアウト図である。図６のスタンダードセルにおいては、スタンダードセル内の配線に用いられる配線層として、ポリシリコン層と第１メタル配線層とその上層の第２メタル配線層を備えている。また、第２メタル配線層は、スタンダードセル間の配線にも用いられる。この点は、図１１と同様である。使用する参照符号も、図１と同様である。また、図６では、第３層配線２００も示されている。

図６のダイナミックセルの場合、ダイナミックノード１０１（第２メタル配線層）の上層配線層、すなわち第３層メタル配線層からなるシールド配線２００を設けたとしても、ダイナミックノード１０１の保護は十分ではない。すなわち、第２層メタル配線層を、スタンダードセル間配線１０４としても使用することから、スタンダードセル間の配線を行うとき、スタンダードセル間配線（スタンダードセル間を結ぶ配線）１０４（ダイナミックノード１０１と同層の第２メタル配線層）が、ダイナミックノード１０１に隣接して敷設される可能性がある。この場合、ダイナミックノード１０１とスタンダードセル間配線１０４の間にサイドカップリング容量が生じ、ダイナミックノード１０１の変化時に、スタンダードセル間配線１０４の信号変化（電位変動）の影響を受け、誤動作する可能性がある。

これに対し、図１、図２に示すように、ダイナミックノード１０１と同層である第２メタル配線層からなるシールド配線１０２を、ダイナミックノード１０１に近接して設けることにより、ダイナミックノードと同じ階層の配線層からなるスタンダードセル間配線が、そのダイナミックノードの近傍に通ることがなくなり、スタンダードセル間配線とのサイドカップリング容量を確実に除去できる。よって、ダイナミックノードの電位変動が防止され、ダイナミック回路の誤動作を防止することができる。

（第２の実施形態）
図３は、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の他の例を示すレイアウト図である。本実施形態では、「シールド配線」の代わりに、より面積の広い「シールド領域」を設ける。図３において、前掲の図面と共通する部分には、同じ参照符号が付されており、レイアウト条件は、前掲の実施形態と同じである。

図３では、ダイナミックノード１０１と同層の第２層メタル配線層からなる、シールド領域２５０を設けている。シールド領域２５０は、ダイナミックノード１０１を取り囲むように、スタンダードセルのほぼ全面に設けられている。シールド領域２５０は、複数のコンタクト領域を介して、ＶＤＤ配線（１０３）に接続されている。シールド領域２５０は、メタル配線と同じ材質（例えばアルミなど）を一定領域に敷き詰めたものである。

本実施形態でも、前掲の実施形態と同様に、自動配置配線時において、スタンダードセル間配線がダイナミックノード１０１に隣接して通ることがなくなり、サイドカップリング容量を除去できる。したがって、ダイナミック回路の誤動作を確実に防止することができる。また、ほぼ全面に設けられたシールド領域２５０は電磁遮蔽手段としも機能するため、ダイナミックノード１０１の電位安定化のために積極的に役立つ。なお、シールド領域２５０をＶＳＳ配線１０４に接続しても、同様の効果が得られる。

（第３の実施形態）
図４は、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の他の例を示すレイアウト図である。本実施形態では、シールド配線やシールド領域の代わりに、「配線禁止領域」を設けることにより、前掲の実施形態と同様の効果を得る。

図４では、ダイナミックノード１０１を中心として、その周囲に、所定面積をもつ、ダイナミックノード１０１と同階層の配線層（第２メタル配線層）からなる他の配線（すなわち、スタンダードセル間を結ぶ配線）の敷設を禁止する領域（配線禁止領域）３００を設けている。よって、自動配置配線時において、ダイナミックノード１０１と隣接した領域（サイドカップリングによる他の配線との結合が問題となる程、近接した領域）には、スタンダードセル間を結ぶ配線（第２層配線層）は通らないことになる。

図４では、スタンダードセル間配線１０６は、ダイナミックノード１０１から距離Ｌだけ離れた位置に敷設されている。本実施形態では、ダイナミックノード１０１とスタンダードセル間配線１０６との間にシールド配線またはシールド領域が存在しないので、サイドカップリング容量が発生する可能性はあるが、ダイナミックノード１０１とスタンダードセル間配線１０６とは隣接していない（十分な距離がある）ため、サイドカップリング容量を十分小さな値に抑えることができる。したがって、スタンダードセル間配線１０６がダイナミックノード１０１に与える影響は軽微である。すなわち、サイドカップリングによるダイナミックノード１０１の電位変動の心配はない。なお、配線禁止領域はスタンダードセル内の全面に設けても良く、また、ダイナミックノード等の特定のノードに隣接する領域のみに設けても良い。配線禁止領域は、自動配置配線時の配線ルールを変更することで、自由に設定することができる。

以上、本発明を実施形態を参照して説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々、変形可能である。例えば、上記の例では、ダイナミック回路を含むセルについて説明をしたが、スタティック回路でも、図１〜図４の第２層メタル配線層のように、スタンダードセル内配線とスタンダードセル間配線の両方が成される配線層に、シールド配線やシールド領域や配線禁止領域を設けることにより、スタンダードセル間配線が、スタンダードセル内の特定ノードに与えるノイズを削減することができることはいうまでもない。但し、ダイナミックノードは隣接配線の信号の変化による影響を受けやすいので、ダイナミックノードに隣接してシールド配線を設けることには特に効果がある。

本発明のスタンダードセルは、スタンダードセル内の所定ノード（ダイナミックノード等）の近傍にスタンダードセル間を結ぶ配線が通らなくなるため、スタンダードセル間を結ぶ配線との結合容量（サイドカップリング容量）を除去することができる。したがって、所定ノード（ダイナミックノード等）が、スタンダードセル間を結ぶ配線の電圧変動の影響を受けなくなる。よって、所定ノード（ダイナミックノード等）の電位の反転を防止することができ、回路の誤動作が確実に防止できるという効果を有し、スタンダードセル、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置および半導体集積回路装置のレイアウト設計方法等として有用である。

ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の一例を示すレイアウト図 図１のレイアウト図により示されるダイナミック２入力ＡＮＤ回路を構成するトランジスタの配置と、各トランジスタ間を接続する配線およびその階層を示す回路図 ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の他の例を示すレイアウト図 ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が構成された本発明のスタンダードセルの、拡散領域や金属配線層等の配置の他の例を示すレイアウト図 ダイナミック回路の一例としての２入力ＡＮＤ回路の構成を示す回路図 比較例（セル内にシールド配線を設けない例）における、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が形成されたスタンダードセルのレイアウト構成を示すレイアウト図

符号の説明

１００ａ，１００ｂ Ｐ型拡散層
１０１ ダイナミックノード
１０２ａ，１０２ｂ シールド配線（第２層メタル配線）
１０３ ＶＤＤ配線
１０４ ＶＳＳ配線
１０６ スタンダードセル間を結ぶ配線（スタンダードセル間配線）
１１０ａ，１１０ｂ Ｎ型拡散層
２５０ シールド領域
３００ 配線禁止領域
ＣＬＫ入力クロック
Ｑ 出力信号
Ｇ１〜Ｇ５ ポリシリコンからなるゲートおよびゲート間を結ぶ配線
Ｌ１〜Ｌ６ 第１層メタル（アルミ等）配線
Ａ，Ｂ ダイナミック２入力ＡＮＤ回路の入力信号
Ｐ１〜Ｐ３ ＰＭＯＳトランジスタ
Ｎ１〜Ｎ４ ＮＭＯＳトランジスタ

Claims (8)

1. 所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
   前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された、他の配線の電位変動の影響を受けやすい所定ノードと、
   前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するための禁止手段と、
   を有することを特徴とするスタンダードセル。
2. 請求項１記載のスタンダードセルであって、前記禁止手段は、
   前記所定階層の配線層により形成された、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド配線、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド領域または前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域であることを特徴とするスタンダードセル。
3. 請求項２記載のスタンダードセルであって、
   前記所定階層の配線により形成された、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド配線は、電源電位または接地電位に接続されていることを特徴とするスタンダードセル。
4. 請求項２記載のスタンダードセルであって、
   前記所定階層の配線からなる電位が変化しないシールド領域は、スタンダードセルのほぼ全面に形成されることを特徴とするスタンダードセル。
5. 請求項２記載のスタンダードセルであって、
   前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域は、前記所定ノードの位置を中心としてその周囲に、所定の面積をもって設置されることを特徴とするスタンダードセル。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載のスタンダードセルであって、
   前記所定ノードは、動作中において一時的に、電位がフローティング状態になる、ダイナミック回路のダイナミックノードであることを特徴とするスタンダードセル。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載のスタンダードセルを用い、自動配置配線方式によりレイアウト設計された、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置。
8. 自動配置配線方式により、請求項１から請求項６のいずれかに記載のスタンダードセルを半導体チップ上に自動的に配置し、かつ、スタンダードセル間を結ぶ配線を、前記特定ノードまたは前記ダイナミックノードの近傍を避けて自動的に配設することを特徴とする、半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。

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