JP2005333011A - 積層型バラントランス及びそれを用いた高周波スイッチモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 積層型バラントランスを構成する第1、第2、第3の伝送線路はそれぞれ複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第1の伝送線路からなるインダクタと第2の伝送線路からなるインダクタ、第1の伝送線路からなるインダクタと第3の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、前記第1の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第2の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第3の伝送線路を構成する導体のうちの一部がそれぞれ同一の誘電体層の表面に形成されている層を含むことを特徴とする積層型バラントランス。
【選択図】 図1
Description
この積層体の内部構造を積層順に従って説明する。尚、バラントランスの等価回路図を図8に示す。
まず、上層のグリーンシート1には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La1とLa13が構成されており、前記ライン電極La1は前記積層体の不平衡端子Inに接続するための接続部が設けられ、前記ライン電極La13の一端は第1の伝送線路における開放端となっている。
次に、グリーンシート2には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La2、La12と第2、第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb5とが構成されている。
グリーンシート3には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La3、La11と、第2の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb4、及び第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb6とが形成されている。
グリーンシート4には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La4、La10と、第2の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb3、及び第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb7が形成されている。
グリーンシート5には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La5、La9と、第2の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb2、及び第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb8とが形成されている。
グリーンシート6には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La6、La8と第2の伝送線路の一部を形成するライン電極Lb1、及び第3の伝送線路の一部を構成するライン電極Lb9が形成されている。
グリーンシート7には、第1の伝送線路の一部を構成するライン電極La7が形成されている。
グリーンシート8には、平衡出力のバランス特性調整用のコンデンサ電極C1、C2が形成されている。
グリーンシート9には、アース電極が形成されており、また、第2の伝送線路の平衡端子out1に接続するための接続部と第3の伝送線路の平衡端子out2に接続するための接続部が設けられている。以上のグリーンシート1〜9を順次積層して積層体となす。
このとき、前記グリーンシート6に形成されたライン電極Lb1はC1を介して平衡端子out1へと接続され、ライン電極Lb9はC2を介して平衡端子out2へと接続される。よって、グリーンシート1〜9に形成されたライン電極とコンデンサ電極はスルーホール(図中、黒丸で示した)で適宜接続され、図8の第1の伝送線路L1a、L1bと第2の伝送線路L2と第3の伝送線路L3を構成する。
その後、この焼成体に、Niめっき或いはAuめっきの電界又は無電界めっき処理を行うことで本発明による積層型バラントランスを得た。
OUT1、OUT2:バラントランスの平衡端子
L1a、L1b、La1〜13:バラントランスの第1の伝送線路
L2、Lb1〜4、5(左半分):バラントランスの第2の伝送線路
L3、Lb5(右半分)、6〜9:バラントランスの第3の伝送線路
C1、C2、C3:コンデンサ電極
e1:アース電極
Ant:アンテナ端子
Tx1:送信端子(周波数帯域A)
Tx2:送信端子(周波数帯域B)
VC:電圧端子
Rx1+、Rx1−:平衡受信端子(周波数帯域A)
Rx2+、Rx2−:平衡受信端子(周波数帯域B)
dip1、dip2:分波器
F1、F2:フィルタ
B1、B2:バラントランス
SW:スイッチ回路
1〜9:グリーンシート
Claims (3)
- 導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第1の伝送線路と当該第1の伝送線路と電磁結合する第2の伝送線路と第3の伝送線路を備え、前記第1の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第2の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡端子に接続され、第3の伝送線路は一端が接地され他端が第2の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、前記第1、第2、第3の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第1の伝送線路からなるインダクタと第2の伝送線路からなるインダクタ、並びに第1の伝送線路からなるインダクタと第3の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、かつ前記第1の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第2の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第3の伝送線路を構成する導体のうちの一部がそれぞれ同一の誘電体層の表面に形成されている層を含むことを特徴とする積層型バラントランス。
- 複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなる積層型バラントランスであって、前記複数の導体パターンのうち一部の導体パターンについて、その太さが他の導体パターンと異なることを特徴とする請求項1に記載の積層型バラントランス
- 複数の誘電体層からなる積層体内において、電極パターンによって形成されたバランおよび分波器および不要周波数成分を減衰するフィルタ回路を形成し、かつ前記積層体内の電極パターンと前記積層体の外部に搭載された搭載部品を用いて構成した高周波スイッチ回路を有する高周波スイッチモジュールにおいて、前記バランに請求項1又は2に記載の積層型バラントランスを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
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