JP2005332865A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板100と、半導体基板上に設けられた絶縁領域20と、絶縁領域の上方に設けられた第1のキャパシタ31と、絶縁領域の上方に設けられ、第1のキャパシタに隣接する第2のキャパシタ32と、第1及び第2のキャパシタへの水素の拡散を防止するものであって、絶縁領域と第1のキャパシタとの間及び絶縁領域と第2のキャパシタとの間に介在した第1の部分を有し、第1のキャパシタの下部電極と第2のキャパシタの下部電極とを接続する導電性水素バリア膜114と、を備える。
【選択図】 図4
Description
31、32…キャパシタ
100…シリコン基板 101…ソース/ドレイン拡散層
102…ゲート絶縁膜 103…ゲート側壁膜
104…ポリシリコン膜 105…タングステンシリサイド膜
106…ゲートキャップ膜
107、109、110、113、121…層間絶縁膜
108…ポリシリコンプラグ 111…バリアメタル膜
112…タングステンプラグ 114…導電性水素バリア膜
115…下部電極 116…誘電体膜
117…上部電極 118…アルミニウム酸化物膜
119…シリコン酸化膜 120…絶縁性水素バリア膜
122…ヴィアプラグ 123…配線
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁領域と、
前記絶縁領域の上方に設けられた第1のキャパシタと、
前記絶縁領域の上方に設けられ、前記第1のキャパシタに隣接する第2のキャパシタと、
前記第1及び第2のキャパシタへの水素の拡散を防止するものであって、前記絶縁領域と前記第1のキャパシタとの間及び前記絶縁領域と前記第2のキャパシタとの間に介在した第1の部分を有し、前記第1のキャパシタの下部電極と前記第2のキャパシタの下部電極とを接続する導電性水素バリア膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記導電性水素バリア膜は、前記絶縁領域と前記第1のキャパシタとの間及び前記絶縁領域と前記第2のキャパシタとの間に介在しない第2の部分を有し、前記第2の部分は前記第1の部分よりも薄い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2のキャパシタへの水素の拡散を防止するものであって、前記第1のキャパシタ、前記第2のキャパシタ及び前記導電性水素バリア膜の第2の部分を覆う絶縁性水素バリア膜をさらに備えた
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記絶縁領域には、前記導電性水素バリア膜に接続されたプラグが含まれる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記導電性水素バリア膜は、酸素の拡散を防止する酸素バリア性を有する
ことを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
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