JP2005044995A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板100上にトランジスタを形成する。次に、トランジスタを覆うように半導体基板上に第1の層間絶縁膜104を形成する。次に、第1の層間絶縁膜上に配線106を形成する。次に、配線を覆うように第1の層間絶縁膜上に酸化防止膜120を形成し、配線の表面を覆う部分以外の部分を除去する。次に、表面に酸化防止膜が形成された配線を覆うように第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜107を形成する。次に、第2の層間絶縁膜上に強誘電体膜114を用いた容量素子110〜115を形成する。ここで、強誘電体膜を形成後に、半導体基板を酸素雰囲気下で熱処理して強誘電体膜を結晶化する。
【選択図】 図2
Description
図1、図2は第1の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の断面図である。第1の実施形態と同様の部分については、第1の実施形態に用いた符号を用い、説明を省略する。
101 素子分離領域
102 ゲート電極
103 拡散層
104 シリコン酸化膜
105 タングステンプラグ
106 配線
107 シリコン酸化膜
108 絶縁性水素バリア膜
109 タングステンプラグ
110 導電性水素バリア膜
111 導電性酸素バリア膜
112 導電性酸素バリア膜
113 下部電極
114 強誘電体膜
115 上部電極
116 シリコン酸化膜
120 酸化防止膜(シリコン窒化膜)
121 酸化防止膜(酸化イリジウム膜)
122 シリコン酸化膜
Claims (10)
- トランジスタを有する半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された配線と、前記配線の表面を覆うように形成された酸化防止膜と、表面に前記酸化防止膜が形成された配線を覆うように前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された強誘電体膜または高誘電体膜を用いた容量素子とを備え、
前記酸化防止膜は前記配線の表面を覆う部分のみに形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記酸化防止膜は、窒素を含んだ珪素化合物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記酸化防止膜は、前記配線の表面が酸化されることによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線は酸化しても導電性を示す物質を主成分として含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記配線はイリジウムを主成分として含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆うように前記半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に配線を形成する工程と、前記配線を覆うように前記第1の層間絶縁膜上に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜における前記配線の表面を覆う部分以外の部分を除去する工程と、表面に前記酸化防止膜が形成された配線を覆うように前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に強誘電体膜または高誘電体膜を用いた容量素子を形成する工程とを有し、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を形成した後に、前記半導体基板を酸素雰囲気下で熱処理して前記強誘電体膜または高誘電体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸化防止膜を、窒素を含んだ珪素化合物で形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆うように前記半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に配線を形成する工程と、前記配線の表面を酸化または窒化することにより前記配線の表面に酸化防止膜を形成する工程と、表面に前記酸化防止膜が形成された配線を覆うように前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に強誘電体膜または高誘電体膜を用いた容量素子を形成する工程とを有し、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を形成した後に、前記半導体基板を酸素雰囲気下で熱処理することにより前記強誘電体膜または高誘電体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆うように前記半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に配線を形成する工程と、前記配線を覆うように前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に強誘電体膜または高誘電体膜を用いた容量素子を形成する工程とを有し、
前記強誘電体膜または高誘電体膜を形成した後に、前記半導体基板を酸素雰囲気下で熱処理することにより、前記強誘電体膜または高誘電体膜を結晶化すると同時に、前記配線の表面を酸化させ前記配線の表面に酸化防止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線はイリジウムを主成分として含むことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2003277301A JP2005044995A (ja) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
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WO2007063573A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
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2003
- 2003-07-22 JP JP2003277301A patent/JP2005044995A/ja active Pending
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WO2007063573A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
US8497537B2 (en) | 2005-11-29 | 2013-07-30 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device with ferro-electric capacitor |
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