JP2005327797A - 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005327797A
JP2005327797A JP2004142353A JP2004142353A JP2005327797A JP 2005327797 A JP2005327797 A JP 2005327797A JP 2004142353 A JP2004142353 A JP 2004142353A JP 2004142353 A JP2004142353 A JP 2004142353A JP 2005327797 A JP2005327797 A JP 2005327797A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
effect transistor
organic
organic field
charge injection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004142353A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005327797A5 (enExample
Inventor
Ryuichi Yatsunami
竜一 八浪
Megumi Sakagami
恵 坂上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2004142353A priority Critical patent/JP2005327797A/ja
Priority to US11/127,178 priority patent/US7372070B2/en
Publication of JP2005327797A publication Critical patent/JP2005327797A/ja
Publication of JP2005327797A5 publication Critical patent/JP2005327797A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
JP2004142353A 2004-05-12 2004-05-12 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法 Pending JP2005327797A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004142353A JP2005327797A (ja) 2004-05-12 2004-05-12 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
US11/127,178 US7372070B2 (en) 2004-05-12 2005-05-12 Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004142353A JP2005327797A (ja) 2004-05-12 2004-05-12 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005327797A true JP2005327797A (ja) 2005-11-24
JP2005327797A5 JP2005327797A5 (enExample) 2007-03-01

Family

ID=35473918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004142353A Pending JP2005327797A (ja) 2004-05-12 2004-05-12 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005327797A (enExample)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100674575B1 (ko) 2006-02-01 2007-01-29 한양대학교 산학협력단 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
WO2007063992A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法
JP2008243911A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ
WO2009044615A1 (ja) * 2007-10-03 2009-04-09 Rohm Co., Ltd. 有機半導体発光装置
WO2009154163A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
JP2009302328A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nippon Kayaku Co Ltd 有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子
JP2010087440A (ja) * 2008-10-03 2010-04-15 Sony Corp 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
JP2010114184A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Univ Of Yamanashi アンバイポーラ型有機電界効果トランジスタ
WO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
WO2012029664A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2012086609A1 (ja) 2010-12-22 2012-06-28 三菱化学株式会社 電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれを有する電子デバイス
US8802491B2 (en) 2011-07-04 2014-08-12 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing semiconductor device
JP2015029038A (ja) * 2013-05-28 2015-02-12 旭硝子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9011729B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
KR20150043237A (ko) * 2012-04-05 2015-04-22 노발레드 게엠베하 유기 전계 효과 트랜지스터 및 이를 제조하기 위한 방법
JP2015109455A (ja) * 2009-09-25 2015-06-11 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
JP2016001745A (ja) * 2008-10-31 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 駆動回路
US9368738B2 (en) 2011-06-13 2016-06-14 Sony Corporation Thin film transistor and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US9508806B2 (en) 2012-09-28 2016-11-29 Sony Corporation Electronic device, image display device and sensor, and method for manufacturing electronic device
JP2018032790A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 大日本印刷株式会社 トランジスタおよびトランジスタの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298056A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
JP2004103905A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
JP2005109028A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Tdk Corp 有機電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2005203728A (ja) * 2003-08-19 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298056A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
JP2004103905A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
JP2005203728A (ja) * 2003-08-19 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器
JP2005109028A (ja) * 2003-09-29 2005-04-21 Tdk Corp 有機電界効果トランジスタ及びその製造方法

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8158970B2 (en) 2005-12-02 2012-04-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic luminescence transistor device and manufacturing method thereof
WO2007063992A1 (ja) * 2005-12-02 2007-06-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法
JP2007157871A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機発光トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光表示装置
US8309963B2 (en) 2005-12-02 2012-11-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic luminescence transistor device and manufacturing method thereof
KR100674575B1 (ko) 2006-02-01 2007-01-29 한양대학교 산학협력단 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2008243911A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ
WO2009044615A1 (ja) * 2007-10-03 2009-04-09 Rohm Co., Ltd. 有機半導体発光装置
JP2009087907A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Rohm Co Ltd 有機半導体発光装置
JP2009302328A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nippon Kayaku Co Ltd 有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子
WO2009154163A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
US8618532B2 (en) 2008-06-18 2013-12-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
JP2010087440A (ja) * 2008-10-03 2010-04-15 Sony Corp 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
US8242501B2 (en) 2008-10-03 2012-08-14 Sony Corporation Thin film transistor and electronic apparatus
US9842859B2 (en) 2008-10-31 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
JP2016001745A (ja) * 2008-10-31 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 駆動回路
JP2010114184A (ja) * 2008-11-05 2010-05-20 Univ Of Yamanashi アンバイポーラ型有機電界効果トランジスタ
JP2015109455A (ja) * 2009-09-25 2015-06-11 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ
WO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2011-06-03 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
JPWO2011065465A1 (ja) * 2009-11-26 2013-04-18 独立行政法人物質・材料研究機構 有機半導体デバイスのコンタクト構造の作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造
US9011729B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
WO2012029664A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2012054325A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
WO2012086609A1 (ja) 2010-12-22 2012-06-28 三菱化学株式会社 電界効果トランジスタ、その製造方法及びそれを有する電子デバイス
US9368738B2 (en) 2011-06-13 2016-06-14 Sony Corporation Thin film transistor and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US8802491B2 (en) 2011-07-04 2014-08-12 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing semiconductor device
US8823105B2 (en) 2011-07-04 2014-09-02 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing semiconductor device
US9601596B2 (en) 2011-07-04 2017-03-21 Sony Corporation Electronic device and method of manufacturing semiconductor device
KR20150043237A (ko) * 2012-04-05 2015-04-22 노발레드 게엠베하 유기 전계 효과 트랜지스터 및 이를 제조하기 위한 방법
KR102051338B1 (ko) * 2012-04-05 2019-12-03 노발레드 게엠베하 유기 전계 효과 트랜지스터 및 이를 제조하기 위한 방법
US9508806B2 (en) 2012-09-28 2016-11-29 Sony Corporation Electronic device, image display device and sensor, and method for manufacturing electronic device
US10134812B2 (en) 2012-09-28 2018-11-20 Sony Corporation Electronic device, image display device, and sensor to improve charge injection efficiency
JP2015029038A (ja) * 2013-05-28 2015-02-12 旭硝子株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2018032790A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 大日本印刷株式会社 トランジスタおよびトランジスタの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7372070B2 (en) Organic field effect transistor and method of manufacturing the same
JP2005327797A (ja) 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
US8154014B2 (en) Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor
US8618532B2 (en) Organic thin-film transistor
CN101673770B (zh) 薄膜场效应晶体管和使用该薄膜场效应晶体管的显示器
CN101553940B (zh) 有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管
US20130264559A1 (en) Hole Injection Layers
EP2194582A1 (en) Organic thin film transistor
JP5557304B1 (ja) 有機半導体素子及びそれを備えたｃｍｉｓ半導体装置
EP3172778B1 (en) Organic electroluminescent transistor
TW200921961A (en) Organic semiconductor device
KR101424815B1 (ko) 다층 바이폴라 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법
JP2005294303A (ja) 有機光電変換素子およびその製造方法
TWI511340B (zh) Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof
JP5180723B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
US9825261B2 (en) Organic electroluminescent transistor
US7838871B2 (en) Organic field-effect transistor, flat panel display device including the same, and a method of manufacturing the organic field-effect transistor
WO2008069060A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
JP2005327793A (ja) 有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP4504105B2 (ja) 有機デバイスの製造方法
JP2003086805A (ja) 薄膜トランジスタ、電気絶縁膜及びそれらの製造方法
JP2009081265A (ja) 有機薄膜トランジスタ
WO2008062715A1 (fr) Transistor à couches minces organiques et transistor électroluminescent à couches minces organiques
JP2007242938A (ja) 有機ｅｌ素子
KR20160083749A (ko) 혼합 전하주입층 및 그 이용 방법

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070117

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071114

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071121

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071128

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071205

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20071212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100907