JP2005318373A - 歪み補償電力増幅装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力信号を2分岐する分岐回路10で分岐された一方の分岐信号に対してソース接地FET12でその基本波の第2高調波を生成し、この生成された第2高調波をBPF13で抽出し、加算回路16で分岐回路10の他方の分岐信号に足し合わせてFET17の入力端子に入力する。FET17の出力端子には、前記第2高調波を接地短絡する終端回路18が接続される。終端回路18は、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサを含み、FET17の出力端子から見て、基本波に対してはほぼ開放、第2高調波に対してはほぼ短絡となる。
【選択図】図1
Description
Vim3(2ω2-ω1) = H3(ω2,-ω1,ω2)・Vs3 + H3(2ω2,-2ω1,ω1)Vs・V2d2 + H2(2ω2,-ω1) ・Vs・V2d …(1)
ω1,ω2:2トーン入力波の角周波数(ω1<ω2)
2ω2−ω1:上側IM3の角周波数成分
H2(*,*):FET01の2次ボルテラ核のフーリエ変換
H3(*,*,*):FET01の3次ボルテラ核のフーリエ変換
Vs:入力2トーン波の合成波電圧
V2d:注入第2高調波の複素電圧
[H2(2ω2,-ω1) ・Vs]2-4・[H3(ω2,-ω1,ω2)Vs]・[H3(2ω2,-2ω1,ω1)・Vs3]>0 …(2)
である。
但し、H(*)は複素数であるから、式(2)は実部、虚部両方で成立する必要がある。
Vs= [H2(2ω2,-ω1)]2 /4・[H3(ω2,-ω1,ω2)]・[H3(2ω2,-2ω1,ω1)] …(3)
となる。式(3)で与えられるVsが第2高調波終端回路により増加する理由としては、次の2つが考えられる。
Claims (14)
- 入力信号を電力増幅するトランジスタと、
前記入力信号を2分岐する分岐回路と、
分岐された一方の分岐信号に対してその基本波の第2高調波を生成し、この生成された第2高調波を前記分岐回路の他方の分岐信号に足し合わせて前記トランジスタの入力端子に入力する歪み補償手段と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記第2高調波を接地短絡する終端回路と、
を備えたことを特徴とする歪み補償電力増幅装置。 - 前記終端回路は、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサを含み、前記トランジスタの出力端子から見て、基本波に対してはほぼ開放、第2高調波に対してはほぼ短絡となることを特徴とする請求項1記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路は前記トランジスタの出力端子と電源との間に接続されることを特徴とする請求項2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路の一端は前記トランジスタの出力端子に接続され、他端は他のコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記トランジスタはソース接地FETであり、このソース接地FETのゲート端子が前記トランジスタの入力端子を構成し、前記ソース接地FETのドレイン端子が前記トランジスタの出力端子を構成することを特徴とする請求項1または2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記歪み補償手段は、前記分岐された一方の分岐信号をゲート端子に受けるソース接地FETと、このFETのドレイン端子に接続された、第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力に接続され前記第2高調波の位相を調整する移相回路と、この移相回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを有することを特徴とする請求項1または2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記歪み補償手段は、前記分岐された一方の分岐信号をゲート端子に受けるソース接地FETと、前記分岐回路と前記ソース接地FETのゲート端子との間に接続された所定のインピーダンスを有する整合回路と、前記ソース接地FETのドレイン端子に接続され、前記入力信号の第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを備え、前記トランジスタから発生する前記第2高調波の位相に影響を与える前記整合回路の所定のインピーダンスは、前記加算回路に入力される第2高調波により前記電力増幅器で発生する歪み成分が補償されるように設定されていることを特徴とする請求項1または2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 入力信号を受ける所定のインピーダンスを有する整合回路と、
この整合回路の出力をゲート端子に受ける第1のソース接地FETと、
この第1のソース接地FETのドレイン端子から出力される信号を2分岐する分岐回路と、
入力信号を電力増幅するトランジスタと、
分岐された一方の分岐信号に含まれる基本波の第2高調波を抽出して前記分岐回路の他方の分岐信号に足し合わせて前記トランジスタの入力端子に入力する歪み補償手段と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記第2高調波を接地短絡する終端回路と、
を備えたことを特徴とする歪み補償電力増幅装置。 - 前記終端回路は、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサを含み、前記トランジスタの出力端子から見て、基本波に対してはほぼ開放、第2高調波に対してはほぼ短絡となることを特徴とする請求項8記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路は前記トランジスタの出力端子と電源との間に接続されることを特徴とする請求項9記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路の一端は前記トランジスタの出力端子に接続され、他端は他のコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項9記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記トランジスタは第2のソース接地FETであり、この第2のソース接地FETのゲート端子が前記トランジスタの入力端子を構成し、前記第2のソース接地FETのドレイン端子が前記トランジスタの出力端子を構成することを特徴とする請求項8または9記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記歪み補償手段は、前記第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力に接続され前記第2高調波の位相を調整する移相回路と、この移相回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを有することを特徴とする請求項12記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記歪み補償手段は、前記第1のソース接地FETのドレイン端子に接続され、前記入力信号の第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを備え、前記第2のソース接地FETから発生する前記第2高調波の位相に影響を与える前記整合回路のインピーダンスは、前記加算回路に入力される第2高調波により前記電力増幅器で発生する歪み成分が補償されるように設定されていることを特徴とする請求項12記載の歪み補償電力増幅装置。
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